半导体存储装置的制作方法

文档序号:13080558阅读:来源:国知局

技术特征:

技术总结
根据一个实施例,一种半导体存储装置包含存储器单元、连接到所述存储器单元的位线及连接到所述位线的感测电路,其中所述感测电路包含:第一晶体管,其具有连接到所述位线的第一端;第二晶体管,其具有连接到所述第一晶体管的第二端的第一端;第三晶体管,其具有连接到所述位线的第一端;第四晶体管,其具有连接到所述第三晶体管的第二端的第一端;及放大器,其连接到所述第二晶体管的第二端及所述第四晶体管的第二端。

技术研发人员:长田佳晃;初田幸辅
受保护的技术使用者:东芝存储器株式会社
技术研发日:2015.09.10
技术公布日:2017.12.01
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