行第二写入操作628。第二内含信号622表示由第二写入操作628写入至单端口存储器件202的第二数据(DB1)。采用这种方式，在时钟周期期间进行多次存取操作，诸如在系统时钟信号312的第二时钟周期604期间进行的第一写入操作632 (例如，由第一内含信号620表示的数据(DA2)的写入操作)和第二读出操作634 (例如，由第二数据信号616表示的数据(QB2)的读出操作)。
[0056]根据本发明的一个方面，提供了便于对单端口存储器件进行存取操作的系统。所述系统包括被配置为在第一时钟周期期间启动从封装器地址组件的第一端口到单端口存储器件的第一存取操作的封装控制器。所述封装控制器被配置为从单端口存储器件接收第一操作完成信号。响应于接收第一操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动从封装器地址组件的第二端口到单端口存储器件的第二存取操作。
[0057]根据本发明的一个方面，提供了便于对单端口存储器件进行存取操作的系统。所述系统包括封装器地址组件，所述封装器地址组件包括被配置为传输第一端口输入的第一端口。所述封装器地址组件包括配置为传输第二端口输入的第二端口。所述系统包括封装控制器。封装控制器包括多时钟发生器。多时钟发生器被配置为在系统时钟的第一时钟周期期间基于系统时钟信号的上升沿产生第一内部时钟信号。第一内部时钟信号在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第一端口输入的第一存取操作。所述多时钟发生器被配置为在第一时钟周期期间基于从所述单端口存储器件所接收的时钟复位信号产生第二内部时钟信号。所述第二内部时钟信号在所述第一时钟周期期间启动对所述单端口存储器件的第二端口输入的第二存取操作。
[0058]根据本发明的一个方面，提供了一种便于对单端口存储器件进行存取操作的方法。响应于系统时钟的第一时钟周期期间识别系统时钟信号的上升沿，在所述第一时钟周期期间产生第一内部时钟信号以启动对单端口存储器件的第一存取操作。响应于在第一时钟周期期间识别来所述单端口存储器件的第一操作完成信号，产生第二内部时钟信号以在所述第一时钟周期期间启动对所述单端口存储器件的第二存取操作。
[0059]尽管已经对于结构部件或者方法步骤以具体语言描述了主题，但应当理解，所附权利要求的主题不必限于上面描述的具体部件或者步骤。相反，作为实现至少一些权利要求的实施例形式公开了上面描述的具体部件和步骤。
[0060]本文提供了实施例的多种操作。描述的一些操作或者所有操作的顺序不应该被解释为暗示这些操作必须是顺序依赖的。应当理解，可选的顺序给出这种描述的优势。此外，应该理解并非所有操作都必须存在于本文提供的每个实施例中。而且，应该理解，在一些实施例中，并非所有操作都是必要的。
[0061]应该理解，本文描述的层、部件、元件等示出为具有相对于彼此的具体尺寸(诸如结构尺寸或者方位)，例如，为了简单和便于理解的目的，并且在一些实施例中，相同部件的实际尺寸与本文中示出的显著不同。此外，存在多种技术用于形成本文提到的层、部件、元件等，例如，诸如蚀刻技术、注入技术、掺杂技术、旋涂技术、溅射技术(诸如磁控溅射或者离子束溅射)、生长技术(诸如热生长)或者沉积技术(诸如化学汽相沉积(CVD)、物理汽相沉积(PVD)、等离子体增强化学汽相沉积(PECVD)或者原子层沉积(ALD))。
[0062]而且，除非另有指明，否则“第一”，“第二”等不旨在意味着时间方面、空间方面、顺序等。相反，这样的术语仅用作部件、元件、物件等的标识符、名称等。例如，第一通道和第二通道通常对应于通道A和通道B或者两个不同或两个相同的通道或者同一个通道。
[0063]而且，本文使用的“示例性”意指用作实例、例子、例证等，并且不必是有利的。如本申请中所使用的，“或者”旨在意指包括的“或者”而不是排他的“或者”。另外，除非另有指明或者从上下文清楚地指出为单数形式，否则本申请中所使用的“一个”和“一”通常被解释为意指“一个或多个”。而且，A和B的至少一个等通常意指A或B或者A和B。而且，在一定程度上使用了“包括”、“具有着”、“含有”、“带有”或者它们的变形，这样的术语旨在以类似于“包含”的方式包括。
[0064]而且，尽管已经关于一个或多个实现方式示出和描述了本发明，但是本领域技术人员基于对这个说明书和附图的阅读和理解将想到等同改变和修改。本发明包括所有这样的修改和改变并且仅由下面的权利要求的范围限定。特别地，关于由上述组件(例如，元件、资源等)所执行的各种功能，除非另有声明，否则即使在结构上不等同于公开的结构，用于描述这样的组件的术语也旨在对应于执行所述组件的特定功能的任何组件(例如，功能等同)。另外，虽然仅关于若干实现方式的一个公开了本发明的特定部件，但是这样的部件可根据用于任何给定或特定应用的需要和优势与其他实现方式的一个或多个其他部件结合。
【主权项】
1.一种用于对单端口存储器件进行存取操作的系统，包括: 封装控制器，被配置为: 在第一时钟周期期间启动从封装器地址组件的第一端口到单端口存储器件的第一存取操作； 响应于接收来自所述单端口存储器件的第一操作完成信号，在所述第一时钟周期期间启动从所述封装器地址组件的第二端口到所述单端口存储器件的第二存取操作。
2.根据权利要求1所述的系统，包括: 数据封装器，被配置为在所述第一时钟周期期间传输与所述第一存取操作相关联的第一数据和与所述第二存取操作相关联的第二数据。
3.根据权利要求2所述的系统，所述数据封装器被配置为在不锁存所述第一数据的情况下将所述第一数据传输至所述单端口存储器件。
4.根据权利要求1所述的系统，所述第一存取操作包括第一读出存取操作和第一写入存取操作中的至少一种，所述第二存取操作包括第二读出存取操作和第二写入存取操作中的至少一种。
5.根据权利要求1所述的系统，所述封装控制器包括: 多时钟发生器，被配置为: 响应于识别与所述第一时钟周期相关联的系统时钟信号的上升沿，产生第一内部时钟信号以启动所述第一存取操作。
6.根据权利要求1所述的系统，所述封装控制器包括: 多时钟发生器，被配置为: 响应于识别与所述第一时钟周期相关联的系统时钟的时钟复位信号作为所述第一操作完成信号，产生第二内部时钟信号以启动所述第二存取操作。
7.根据权利要求1所述的系统，所述封装控制器被配置为在所述第一时钟周期期间对所述单端口存储器件进行多次存取操作，所述多次存取操作包括所述第一存取操作、所述第二存取操作以及第三存取操作。
8.根据权利要求1所述的系统，所述封装控制器被配置为以串行方式进行所述第一存取操作和所述第二存取操作。
9.一个用于对单端口存储器件进行存取操作的系统，包括: 封装器地址组件，包括: 第一端口，被配置成传输第一端口输入；以及 第二端口，被配置成传输第二端口输入； 封装控制器，包括: 多时钟发生器，被配置为: 在系统时钟的第一时钟周期期间基于系统时钟信号的上升沿产生第一内部时钟信号，所述第一内部时钟信号在所述第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的所述第一端口输入的第一存取操作；以及 在所述第一时钟周期期间基于从所述单端口存储器件所接收的时钟复位信号产生第二内部时钟信号，所述第二内部时钟信号在所述第一时钟周期期间启动对所述单端口存储器件的所述第二端口输入的第二存取操作。
10.一种用于对单端口存储器件进行存取操作的方法，包括: 响应于在系统时钟的第一时钟周期期间识别系统时钟信号的上升沿，产生第一内部时钟信号以在所述第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第一存取操作；以及 响应于在所述第一时钟周期期间接收来自所述单端口存储器件的第一操作完成信号，产生第二内部时钟信号以在所述第一时钟周期期间启动对所述单端口存储器件的第二存取操作。
【专利摘要】除了其他方面，提供了用于便于对单端口存储器件进行存取操作的一种或多种技术或者系统。在系统时钟的单时钟周期期间对单端口存储器件（诸如SPSRAM的6晶体管位单元阵列）进行多次存取操作。在一个实施例中，封装控制器基于系统时钟的上升沿在系统时钟的第一时钟周期期间启动第一存取操作。响应于在第一时钟操作期间接收操作完成信号，封装控制器在第一时钟周期期间启动对单端口存储器件的第二存取操作。采用这种方式，对于比用于改进的存储密度的多端口存储器件占用相对较小面积的单端口存储器件，实现了多端口存取功能，诸如以串行方式减轻操作干扰。本发明还提供了SPSRAM封装器。
【IPC分类】G11C11-413
【公开号】CN104637529
【申请号】CN201410033720
【发明人】谢维哲, 郑基廷, 苏建国, 李政宏, 张琮永
【申请人】台湾积体电路制造股份有限公司
【公开日】2015年5月20日
【申请日】2014年1月23日
【公告号】US9076553, US20150131365