电子装置的制造方法_5

文档序号:9201475阅读:来源:国知局
其控制存储装置1310 ;接口 1330,其用于与外部装置连接;以及暂时存储装置1340,其用于暂时存储数据。数据存储系统1300可为盘型,例如,硬盘驱动器(HDD)、只读光盘存储器(⑶R0M)、数字多功能光盘(DVD)、固态盘(SSD)等;数据存储系统1300可为卡型,例如,通用串行总线存储器(USB存储器)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(mSD)卡、微型安全数字(micro SD)卡、安全数字大容量(SDHC)卡、记忆棒卡、智能媒体(SM)卡、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、紧凑型快闪(CF)卡等。
[0115]存储装置1310可包括半永久地存储数据的非易失性存储器。所述非易失性存储器可包括R0M(只读存储器)、NOR快闪存储器、NAND快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等。
[0116]控制器1320可控制存储装置1310与接口 1330之间的数据的交换。为此,控制器1320可包括处理器1321,所述处理器1321用于执行运算以处理通过接口 1330从数据存储系统1300等的外部输入的命令。
[0117]接口 1330用于执行数据存储系统1300与外部装置之间的命令和数据的交换。在数据存储系统1300为卡型的情况下,接口 1330可与下列装置中所使用的接口兼容,所述装置例如USB存储器(通用串行总线存储器)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(mSD)卡、微型安全数字(micix) SD)卡、安全数字大容量(SDHC)卡、记忆棒卡、智能媒体(SM)卡、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、紧凑型快闪(CF)卡等,或者接口 1330可与类似于上述装置的装置中所使用的接口兼容。在数据存储系统1300为盘型的情况下,接口 1330可与下列接口兼容,例如,IDE(集成设备电子)、SATA(串行高级技术附件)、SCSI (小型计算机系统接口)、eSATA (外部SATA)、PCMCIA (个人计算机存储卡国际协会)、USB (通用串行总线)等,或者与类似于上述接口的接口兼容。接口 1330可与彼此具有不同类型的一个或更多个接口兼容。
[0118]暂时存储装置1340能够暂时存储数据以根据与外部装置、控制器和系统的接口的多样化和高性能而在接口 1330与存储装置1310之间有效地传输数据。用于暂时存储数据的暂时存储装置1340可包括上述根据实施例的一个或更多个半导体装置。暂时存储装置1340可包括顺序地层叠在衬底上的第一至第T平面(T为2或更大的自然数),所述第一至第T平面中的每个包括一个或更多个单元垫,其中第t平面的第t单元垫(t为自然数且范围在I至T之间)包括在第一方向上延伸的第t下部线、安置在第t下部线上方并在与第一方向相交叉的第二方向上延伸的第t上部线、以及位于第t下部线与第t上部线之间的交叉点处的第t可变电阻元件;第(t+Ι)平面的第(t+Ι)单元垫与在第一方向上彼此相邻的两个相邻第t单元垫中的一个的第一半和所述两个相邻的第t单元垫中的另一个的第二半重叠,其中所述第二半在第一方向上与所述第一半相邻;第(t+Ι)平面的第(t+Ι)单元垫包括安置在所述第一半和所述第二半中的第t上部线、安置在第t上部线上方并在所述第一方向上延伸的第(t+Ι)上部线、以及位于第t上部线与(t+Ι)上部线之间的交叉点处的第(t+Ι)可变电阻元件;耦合至每个第t下部线的第t下触点、耦合至每个第t上部线的第t上触点、以及耦合至每个第(t+Ι)上部线的第(t+Ι)上触点分别与每个第t下部线的中部、每个第t上部线的中部、以及每个第(t+Ι)上部线的中部重叠。通过这样,可提高暂时存储装置1340的集成度,并且可改进暂时存储装置1340的性能特性。因此,可减小数据存储系统1300的尺寸,并且可改进数据存储系统1300的性能特性。
[0119]图10示出基于所公开的技术来实施存储电路的存储器系统。
[0120]参见图10,存储器系统1400可包括:存储器1410,其具有非易失性特性,作为用于存储数据的部件;存储器控制器1420,其控制存储器1410 ;以及接口 1430,其用于与外部装置连接等等。存储器系统1400可为卡型,例如,固态盘(SSD)、USB存储器(通用串行总线存储器)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(mSD)卡、微型安全数字(微型SD)卡、安全数字大容量(SDHC)卡、记忆棒卡、智能媒体(SM)卡、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、紧凑型快闪卡(CF)等。
[0121]用于存储数据的存储器1410可包括上述根据实施例的一个或更多个半导体装置。例如,存储器1410可包括顺序地层叠在衬底上的第一至第T平面(T为2或更大的自然数),所述第一至第T平面中的每个包括一个或更多个单元垫,其中第t平面的第t单元垫(t为自然数且范围在I至T)包括在第一方向上延伸的第t下部线、安置在第t下部线上方并在与第一方向相交叉的第二方向上延伸的第t上部线、以及位于第t下部线与第t上部线之间的交叉点处的第t可变电阻元件;第(t+ι)平面的第(t+ι)单元垫与在第一方向上彼此相邻的两个相邻的第t单元垫中的一个的第一半和所述两个相邻的第t单元垫中的另一个的第二半重叠,其中所述第二半在第一方向上与所述第一半相邻;第(t+ι)平面的第(t+ι)单元垫包括安置在所述第一半和所述第二半中的第t上部线、安置在第t上部线上方并在第一方向上延伸的第(t+ι)上部线、以及位于第t上部线与第(t+ι)上部线之间的交叉点处的第(t+ι)可变电阻元件;耦合至每个第t下部线的第t下触点、耦合至每个第t上部线的第t上触点、以及耦合至每个第(t+ι)上部线的第(t+ι)上触点分别与每个第t下部线的中部、每个第t上部线的中部、以及每个第(t+ι)上部线的中部重叠。通过这样,可提高存储器1410的集成度,并且可改进存储器1410的性能特性。因此,可减小存储器系统1400的尺寸,并且可改进存储器系统1400的性能特性。
[0122]而且,根据本实施例的存储器1410还可包括具有非易失性特性的ROM(只读存储器)、NOR快闪存储器、NAND快闪存储器、相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等。
[0123]存储器控制器1420可控制存储器1410与接口 1430之间的数据的交换。为此,存储器控制器1420可包括处理器1421,其用于执行运算并处理通过接口 1430从存储器系统1400的外部输入的命令。
[0124]接口 1430用于执行存储器系统1400与外部装置之间的命令和数据的交换。接口 1430可与下列装置中所使用的接口兼容,所述装置例如USB存储器(通用串行总线存储器)、安全数字(SD)卡、迷你安全数字(mSD)卡、微型安全数字(micro SD)卡、安全数字大容量(SDHC)卡、记忆棒卡、智能媒体(SM)卡、多媒体卡(MMC)、嵌入式MMC(eMMC)、紧凑型快闪(CF)卡等,或者与类似于上述装置的装置中所使用的接口兼容。接口 1430可与彼此具有不同类型的一个或更多个接口兼容。
[0125]根据本实施例的存储器系统1400还可包括:缓冲存储器1440,其用于根据与外部装置、存储器控制器和存储器系统的接口的多样化和高性能而在接口 1430和存储器1410之间有效地传输数据。例如,用于暂时存储数据的缓冲存储器1440可包括上述根据实施例的一个或更多个半导体装置。缓冲存储器1440可包括顺序地层叠在衬底上的第一至第T平面(T为2或更大的自然数),所述第一至第T平面中的每个包括一个或更多个单元垫,其中第t平面的第t单元垫(t为自然数且范围在I至T)包括在第一方向上延伸的第t下部线、安置在第t下部线上方并在与第一方向相交叉的第二方向上延伸的第t上部线、以及位于第t下部线与第t上部线之间的交叉点处的第t可变电阻元件;第(t+Ι)平面的第(t+1)单元垫与在第一方向上彼此相邻的两个相邻的第t单元垫中的一个的第一半和所述两个相邻的第t单元垫中的另一个的第二半重叠,其中所述第二半在第一方向上与所述第一半相邻;第(t+Ι)平面的第(t+Ι)单元垫包括安置在所述第一半和所述第二半中的第t上部线、安置在第t上部线并在所述第一方向上延伸的第(t+Ι)上部线、以及位于第t上部线与第(t+Ι)上部线之间的交叉点处的第(t+Ι)可变电阻元件;耦合至每个第t下部线的第t下触点、耦合至每个第t上部线的第t上触点、以及耦合至每个第(t+Ι)上部线的第(t+1)上触点分别与每个第t下部线的中部、每个第t上部线的中部、以及每个第(t+Ι)上部线的中部重叠。通过这样,可提高缓冲存储器1440的集成度,并且可改进缓冲存储器1440的性能特性。因此,可减小存储器系统1400的尺寸,并且可改进存储器系统1400的性能特性。
[0126]此外,根据本实施例的缓冲存储器1440还可包括具有易失性特性的SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)等,以及具有非易失性特性的相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、自旋转移矩随机存取存储器(STTRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等。不同于此,缓冲存储器1440可不包括根据实施例的半导体装置,但是可包括具有易失性特性的SRAM(静态随机存取存储器)、DRAM(动态随机存取存储器)等,以及具有非易失性特性的相变随机存取存储器(PRAM)、电阻式随机存取存储器(RRAM)、自旋转移矩随机存取存储器(STTRAM)、磁性随机存取存储器(MRAM)等。
[0127]基于根据本文件所公开的实施例的存储装置的图6至图10中的电子装置或系统的上述实例中的特征可在各种装置、系统或应用中实施。一些实例包括移动电话或其它便携式通信装置,平板电脑、笔记本或膝上型计算机、游戏机、智能电视机、电视机顶盒、多媒体服务器、具有或不具有无线通信功能的数码照相机、具有无线通信能力的手表或其它穿戴式装置。
[0128]尽管本文件包括许多细节,但是这些细节不应被理解为限制任何发明或其权利要求的范围,而是应理解为对专用于特定发明的特定实施例的特征的描述。在本发明的独立的实施例的上下文中所描述的某些特征也能在单个实施例的组合中实施。相反地,在单个实施例的上下文中所描述的各种特征还能在多个实施例中或在任意适当的子组合中独立地实施。此外,尽管上文将特征描述为作用于某些组合,甚至最初如此主张,但是在一些情况下,能够从所述组合中删除来自所主张的组合的一个或更多个特征,并且可将所主张的组合指向子组合或子组合的变型。
[0129]类似地,尽管在附图中以特定的顺序描绘了操作,但是此不应被理解为要求以所示的特定的顺序或顺序地执行这些操作,或执行所有示出的操作,以达到描述结果。此外,本专利文件中所描述的实施例的各种系统部件的分离不应理解为在所有的实施例中均要求这样的分离。
[0130]本文仅描述了一些实施例和实例。基于本公开内容中所描述和说明的内容,可做出其它实施例、改进和变型。
[0131]通过以上实施例可以看出,本申请提供了以下的技术方案。
[0132]技术方案1.一种电子装置,包括:半导体存储器单元,所述半导体存储器单元包括:
[0133]垂直层叠在衬底上的第一至第T平面,所述第一至第T平面中的每个包括在每个平面中水平地排列的一个或更多个单元垫,T为大于或等于2的自然数;
[0134]其中,第t平面的每个第t单元垫分别包括:在第一方向上延伸的第t下部线、安置在所述第t下部线上方并在与所述第一方向相交叉的第二方向上延伸的第t上部线、以及安置在所述第t下部线与所述第t上部线之间并安置在所述第t下部线和所述第t上部线的相交区域中的第t可变电阻元件,t为范围在I至T的自然数;并且
[0135]其中,第(t+Ι)平面的每个第(t+Ι)单元垫与在所述第一方向上彼此相邻的两个第t单元垫中的一个的第一半重叠,并且与所述两个相邻的第t单元垫中的另一个的第二半重叠,所述第二半在所述第一方向上与所述第一半相邻,并且所述每个第(t+ι)单元垫包括:安置在所述第一半和所述第二半中作为第(t+ι)下部线的第t上部线、安置在所述第(t+ι)下部线之上并在所述第一方向上延伸的第(t+ι)上部线、以及安置在所述第t上部线与所述第(t+ι)上部线之间并安置在所述第t上部线和所述第(t+ι)上部线的相交区域中的第(t+ι)可变电阻元件;
[0136]第t下触点,其耦合至所述第t下部线中的相应一个并与所述第t下部线中的所述相应一个的中部重叠;
[0137]第t上触点,其耦合至所述第t上部线中的相应一个并与所述第t上部线中的所述相应一个的中部重叠;以及
[0138]第(t+Ι)上触点,其耦合至所述第(t+Ι)上部线中的相应一个并与所述第(t+1)上部线中的所述相应一个的中部重叠。
[0139]技术方案2.如技术方案I所述的电子装置,其中,所述第(t+Ι)上触点位于所述两个相邻的第t单元垫之间。
[0140]技术方案3.如技术方案I所述的电子装置,其中,所述第t下触点和所述第t下部线的组合、所述第t上触点和所述第t上部线的组合、以及所述第(t+Ι)上触点和所述第(t+ι)上部线的组合分别具有T形截面。
[0141]技术方案4.如
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