存储器的读取电路、存储装置及存储器的读取方法
【技术领域】
[0001]本发明涉及存储技术领域，尤其涉及存储器的读取电路、存储装置及存储器的读取方法。
【背景技术】
[0002]闪存(Flash Memory)是一种长寿命的非易失性(在断电情况下仍能保持所存储的数据信息)的存储器。在闪存中，数据以I和O两种形式存储，分别对应于擦除单元(Erase cell)和编程单元(Program cell)这两种基本的存储器单元。在读取闪存中数据时，需先判断出存储器单元的存储类型是擦除单元还是编程单元，并且在判断存储器单元的存储类型时需要用到敏感放大器(Sense Amplifier, SA)电路。由SA电路组成的阵列通常被称为敏感阵列(Sense Array)。SA电路在读取闪存的数据时，需要用到偏置比较信号，因此偏置比较信号必须传送到敏感阵列中所有SA电路。
[0003]图1和图2均为现有的存储装置的不意图，如图1和图2所不，现有的存储装置由存储器13和读取电路构成，且读取电路均由敏感阵列11和一个敏感放大器偏置电路12组成，其中，敏感阵列11中的SA电路111有:SA1、SA2……和SAn，其中，η根据需要可以取不同的自然数，η个SA电路111共同组成了敏感阵列11。
[0004]如图1所示，所述敏感放大器偏置电路12与敏感阵列11中位于一端(位于首部或尾部)的SA电路111对应设置，且所述敏感放大器偏置电路12产生第一偏置比较信号和第二偏置比较信号，在敏感阵列11中从第一个SA电路(SAl)历经整个敏感阵列11的长度传输到最后一个SA电路(SAn)。这种方式存在一个缺点，即对于远端的SA电路111,例如对于SAn电路，所述偏置比较信号需要经历很长的路径传输才能送到SAn电路，这就大大影响了远端SA电路111所需偏置比较信号的建立时间，进而影响到SA电路111对存储阵列的读取速度。
[0005]同理，如图2所示，图2所述的存储装置中存储器的读取电路中，所述敏感放大器偏置电路12与敏感阵列11中位于中间的SA电路111对应设置，且所述敏感放大器偏置电路12分别朝向首部方向和朝向尾部方向发送偏置比较信号。虽然对于远端SA电路111,例如对于SAl电路和SAn电路来说，偏置比较信号的传输路径相比于图1所示读取电路中的传输路径已经大大缩短，但是传输路径仍然较长，传输延时仍然较大，同样会影响到SA电路111所需的偏置比较信号的建立时间，从而影响到SA电路111对存储阵列的读取速度。
[0006]随着市场需求越来越大，对闪存容量的需求也不断提高，SA电路的数量随之越来越多，使得敏感阵列的长度也越来越长，因此现有的存储器的读取电路对存储芯片的读取速度较低。
【发明内容】
[0007]有鉴于此，本发明实施例提供存储器的读取电路、存储装置及存储器的读取方法，以缩短读取电路中SA电路所需的偏置比较信号的建立时间，进而提高对存储器芯片的读取速度。
[0008]本发明实施例提供了一种存储器的读取电路，包括:
[0009]敏感放大器阵列和多个敏感放大器偏置电路，其中，
[0010]所述敏感放大器阵列包括多个敏感放大器电路；
[0011]所述敏感放大器偏置电路，用于向所述敏感放大器阵列中与所述敏感放大器偏置电路对应设置的敏感放大器电路发送至少一个偏置比较信号。
[0012]进一步地，所述敏感放大器偏置电路分别朝向首部方向和朝向尾部方向发送所述偏置比较信号，且位于首部的所述敏感放大器偏置电路朝向尾部方向发送所述偏置比较信号，位于尾部的所述敏感放大器偏置电路朝向首部方向发送所述偏置比较信号。
[0013]进一步地，所述敏感放大器偏置电路等间距设置。
[0014]进一步地，当所述偏置比较信号包括第一偏置比较信号和第二偏置比较信号时，第一偏置比较信号为基准电压，第二偏置比较信号为参考信号。
[0015]进一步地,所述参考信号为参考电压或参考电流。
[0016]再一方面，本发明实施例还提供了一种存储装置，包括:存储器和本发明任意实施例提供的存储器的读取电路。
[0017]进一步地，所述存储器为NOR闪存或NAND闪存。
[0018]另一方面，本发明实施例还提供的了一种存储器的读取方法，包括:
[0019]敏感放大器电路获取存储器中待读取存储单元的电路信号；
[0020]所述敏感放大器电路从与所述敏感放大器电路对应设置的敏感放大器偏置电路接收偏置比较信号；
[0021]所述敏感放大器电路根据所述电路信号和所述偏置比较信号，读取所述待读取存储单元中的数据。
[0022]进一步地，所述敏感放大器偏置电路等间距设置。
[0023]进一步地，当所述偏置比较信号包括第一偏置比较信号和第二偏置比较信号，其中第一偏置比较信号为基准电压，第二偏置比较信号为参考信号时，
[0024]所述敏感放大器电路根据所述电路信号和所述偏置比较信号，读取所述待读取存储单元中的数据,包括:
[0025]所述敏感放大器电路根据所述电路信号和所述参考信号，检测所述待读取存储单元的类型；
[0026]所述敏感放大器电路根据检测的所述待读取存储单元的类型，读取所述待读取存储单元中的数据。
[0027]本发明实施例提供的存储器的读取电路、存储装置及存储器的读取方法，所述存储器的读取电路中包括多个敏感放大器偏置电路，且每个敏感放大器偏置电路分别向与该敏感放大器偏置电路对应设置的敏感放大器电路发送偏置比较信号，大大缩短了每个偏置比较信号的传输路径，从而缩短了敏感放大器电路所需的偏置比较信号的建立时间，提高了对存储器芯片的读取速度。
【附图说明】
[0028]通过阅读参照以下附图所作的对非限制性实施例所作的详细描述，本发明的其它特征、目的和优点将会变得更明显:
[0029]图1为现有存储器的读取电路的TJK意图；
[0030]图2为现有存储器的读取电路的TJK意图；
[0031]图3为本发明第一实施例中的存储器的读取电路的示意图；
[0032]图4为本发明第二实施例中的存储装置的结构示意图；
[0033]图5为本发明第三实施例中的存储器的读取方法的实现流程图。
【具体实施方式】
[0034]下面结合附图和实施例对本发明作进一步的详细说明。可以理解的是，此处所描述的具体实施例仅仅用于解释本发明，而非对本发明的限定。另外还需要说明的是，为了便于描述，附图中仅示出了与本发明相关的部分而非全部内容。
[0035]第一实施例:
[0036]本发明第一实施例提供一种存储器的读取电路。图3为本发明第一实施例中的存储器的读取电路的示意图，如图3所示，存储器的读取电路包括:敏感放大器阵列21和多个敏感放大器偏置电路22，其中所述敏感放大器阵列21包括多个敏感放大器电路211。
[0037]该读取电路中包括四个敏感放大器偏置电路22，分别为第一敏感放大器电路221、第二敏感放大器电路222、第三敏感放大器电路223和第四敏感放大器电路224。敏感阵列11中包括的SA电路211如下:SA1、SA2……和SAn，其中，η根据存储器容量的需要可以取不同的自然数，当存储器容量增加时，敏感阵列中SA电路211的个数也随之增加。
[0038]需要说明的是，本发明实施例中对敏感放大器偏置电路22的数量不作限定，只需要大于或等于2即可。
[0039]所述敏感放大器偏置电路22，用于分别向所述敏感放大器阵列21中与所述敏感放大器偏置电路22对应设置的敏感放大器电路211发送至少一个偏置比较信号。
[0040]每个敏感放大器偏置电路22分别向与该敏感放大器偏置电路22对应设置的SA电路211发送至少一个偏置比较信号。即，每个敏感放大器偏置电路22可以分别向与该敏感放大器偏置电路22对应设置的SA电路211发送一个偏置比较信号或可以分别向与该敏感放大器偏置电路22对应设置的SA电路211发送多个偏置比较信号。由于每个SA电路211只需从与该SA电路211对应设置的敏感放大器偏置电路22中接收到偏置比较信号即可，故大大缩短了 SA电路211所需偏置比较信号的建立时间，进而能够提高敏感阵列21对存储器中存储单元类型的检测效率，提高了读取电路对存储器芯片的读取速度。
[0041]其中，所述敏感放大器偏置电路22分别朝向首部方向和朝向尾部方向发送所述偏置比较信号，且位于首部的所述敏感放大器偏置电路221朝向尾部方向发送所述偏置比较信号；位于尾部的所述