存储器件的制作方法
【专利说明】存储器件
[0001]相关申请的交叉引用
[0002]本申请要求2014年7月21日提交的申请号为10-2014-0091928的韩国专利申请的优先权，其全部内容通过引用合并于此。
技术领域
[0003]本发明的各种实施例涉及存储器件。
【背景技术】
[0004]存储器件包括多个存储器单元。存储器单元可以包括:晶体管，其用作切换器；以及电容器，其用于储存对应于数据的电荷。储存在存储器单元的电容器中的数据根据在电容器中所充的电荷量来确定。当电荷量足够大时，将对应的存储器单元确定为储存高数据(逻辑1)。当电荷释放时，将对应的存储器单元确定为储存低数据(逻辑0)。
[0005]由于以使得电荷累积在电容器中的形式来保留数据，所以原则上不消耗功率。然而，由于储存在电容器中的初始电荷由于M0S晶体管等的PN结引起的泄漏电流的原因而消失，所以数据可能丢失。为了防止这样的数据丢失，所以要在储存在存储器单元中的数据丢失之前把数据读取出来，并且根据读取信息要对电容器再充电。这样的再充电操作被称为刷新操作，这样的再充电操作需要周期性地重复以保持数据。
[0006]图1是图示包括在存储器件中的单元阵列的示图。在图1中，“BL”表示位线。
[0007]在图1的单元阵列中，WLK-UWLK和WLK+1表示彼此并行地依次布置的三个字线。此外，具有HIGH_ACT的WLK表示激活数或激活频率高的频繁激活的字线，以及WLK-1和WLK+1表示与字线WLK相邻布置的相邻字线。此外，CELL_K-1、CELL_K和CELL_K+1表示分别耦接至字线WLK-UWLK和WLK+1的存储器单元。存储器单元CELL_K_1、CELL_K和CELL_K+1分别包括单元晶体管TR_K-1、TR_K和TR_K+1和单元电容器CAP_K_1、CAP_K和CAP_K+1。
[0008]在图1中，当字线WLK被激活时，或者被预充电，即被去激活时，字线WLK-1和WLK+1的电压由于字线WLK与字线WLK-1和WLK+1之间出现的耦接的原因而增加或减少，从而影响单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1中所充的电荷量。因而，当字线WLK被频繁激活和预充电以在激活状态和预充电状态之间切换时，储存在存储器单元CELL_K-1和CELL_K+1中的数据由于在单元电容器CAP_K-1和CAP_K+1.中所充的电荷量的改变的原因而可能丢失。
[0009]此外，字线在激活状态和预充电状态之间切换时所产生的电磁波可能传输耦接至相邻字线的单元电容器的电荷，例如电子，从而使得存储器单元的数据变差。这样的现象被称为字线扰动或行锤击。
【发明内容】
[0010]本发明的各种实施例针对一种存储器件，该存储器件可以用具有相对强的抗字线扰动性的字线代替频繁激活的字线。
[0011]在本发明的一个实施例中，一种存储器件可以包括:多个正常字线，其布置在距离彼此第一距离处；冗余字线，其布置在与所述正常字线之中的邻近所述冗余字线的正常字线距离第二距离处，其中第二距离大于第一距离；以及字线控制单元，其适于选择性地激活所述正常字线，并且当在所述正常字线之中检测到频繁激活的字线时，用所述冗余字线代替频繁激活的字线。所述字线控制单元可以包括:检测器，其适于检测所述频繁激活的字线；比较器，其适于在检测到频繁激活的字线时储存频繁激活的字线的地址，并且比较当前输入的地址与所储存的地址；以及字线控制器，其适于基于激活命令来激活对应于所述当前输入的地址的字线，以及在当检测到频繁激活的字线时激活了频繁激活的字线的状态下激活所述冗余字线。
[0012]在本发明的一个实施例中，一种存储器件可以包括:多个正常字线；冗余字线；虚设字线，其布置在冗余字线和正常字线之中的与冗余字线相邻的正常字线之间；以及字线控制单元，其适于选择性地激活正常字线，并且当在正常字线之中检测到频繁激活的字线时，用冗余字线代替频繁激活的字线。
[0013]在本发明的一个实施例中，一种存储器件可以包括:多个正常字线；冗余字线；以及字线控制单元，其适于选择性激活正常字线，并且当在正常字线之中检测到频繁激活的字线时用冗余字线代替频繁激活的字线。
[0014]存储器单元可以包括:切换晶体管，其耦接至对应的字线；以及单元电容器，其耦接至所述切换晶体管，以及耦接至与所述冗余字线相邻的正常字线的存储器单元的切换晶体管可以比耦接至不与所述冗余字线相邻的正常字线的存储器单元的切换晶体管具有更高的阈值电压。
[0015]所述存储器单元可以包括:切换晶体管，其耦接至对应的字线；以及单元电容器，其耦接至所述切换晶体管，以及耦接至与所述冗余字线相邻的正常字线的存储器单元的单元电容器可以比耦接至不与所述冗余字线相邻的正常字线的存储器单元的单元电容器具有更大的电容。
【附图说明】
[0016]图1是图示包括在存储器件中的单元阵列的示图；
[0017]图2是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的示图；
[0018]图3A和图3B是用于描述图2中所示的存储器件的字线复制操作的示图；
[0019]图4是图2中所示的单元阵列的示图；
[0020]图5是图2中所示的单元阵列的示图；
[0021]图6是图2中所示的单元阵列的示图；
[0022]图7是图2中所示的单元阵列的示图；
[0023]图8是图2中所示的单元阵列的示图；
[0024]图9是图2中所示的单元阵列的示图；
[0025]图10是根据本发明的一个实施例的存储系统的示图。
【具体实施方式】
[0026]以下将参照附图更详细地描述各种实施例。然而，本发明可以以不同形式实施，且不应该被解释为局限于本文所列的实施例。更确切地，提供了这些实施例，使得本公开将充分和完整，且将向本领域的技术人员全面地传达本发明的范围。在本公开中，相同的附图标记在本发明的各种附图和实施例中表示相同的部分。
[0027]在此说明书中还应当注意，“连接/耦接”不仅表示一个部件与另一个部件直接耦接，还表示一个部件经由中间部件与另一个部件间接耦接。另外，只要在句中未具体提及，单数形式可以包括复数形式。应当容易理解，在本公开中“上”和“之上”的含义应当以最宽泛的方式解释，因此“上”不仅意味着“直接在…上”，还意味着在它们之间具有(多个)中间特征或(多个)层的情况的“在…上”，以及“之上”不仅意味着直接在顶部上，还意味着在它们之间具有(多个)中间特征或(多个)层的情况的顶部上。当第一层被称为在第二层“上”或在“衬底”上时，它不仅指的是第一层直接形成在第二层上或直接形成在衬底上，还指的是当第一层和第二层或第一层和衬底之间存在第三层时的情况。
[0028]图2是图示根据本发明的一个实施例的存储器件的示图。
[0029]参见图2，存储器件可以包括命令输入单元210、地址输入单元220、命令解码器230、字线控制单元240和单元阵列250。单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN和至少一个冗余字线RWL。
[0030]命令输入单元210可以接收命令信号CMD，以及地址输入单元220可以接收地址信号ADD。命令信号CMD和地址信号ADD中的每个可以包括多比特信号。
[0031]命令解码器230可以对经由命令输入单元210输入的命令信号进行解码，并且基于经解码的命令信号产生激活命令ACT和预充电命令PRE。当输入的命令信号的组合指示激活命令ACT时，命令解码器230可以把激活命令ACT激活。此外，当输入的命令信号的组合指示预充电命令PRE时，命令解码器230可以激活预充电命令PRE。另外，命令解码器230可以对输入的命令信号进行解码，并且产生读取命令或写入命令。然而，由于此操作与根据本发明的实施例的存储器件没有直接关联，所以在本文中省略了其图解和描述。
[0032]字线控制单元240可以检测频繁激活的字线HWL，并且可以用冗余字线RWL代替频繁激活的字线HWL。当用冗余字线RWL代替频繁激活的字线HWL时，它可以指示当输入地址IADD对应于频繁激活的字线HWL时，访问冗余字线RWL，而不是访问频繁激活的字线HWL。访问可以指示对相对应的字线执行的激活操作、读取操作、写入操作、刷新操作或预充电操作。图2图示了第k正常字线WLK是频繁激活的字线HWL，并且用冗余字线RWL代替频繁激活的字线HWL的情形。
[0033]字线控制单元240可以响应于激活命令ACT来激活正常字线WL0至WLN之中的与输入地址IADD相对应的字线，以及响应于预充电命令PRE来对激活的字线进行预充电。当检测到频繁激活的字线HWL时，字线控制单元240可以储存频繁激活的字线HWL的地址，并且将耦接至频繁激活的字线HWL的存储器单元(在图2中未示出)的数据复制至耦接至冗余字线RWL的存储器单元(在图2中未示出)中。在下文中，复制操作被称为字线复制操作。然后，当输入激活命令ACT时，字线控制单元240可以在输入地址IADD对应于频繁激活的字线HWL的储存地址时，激活冗余字线RWL，而不激活与输入地址IADD相对应的字线。
[0034]冗余字线RWL可以比正常字线WL0至WLN具有更高的抗字线扰动性。当某字线具有相对强的抗字线扰动性时，它可以指示耦接至与对应的字线相邻的字线的存储器单元的数据不大可能变差，即使该字线是频繁激活的-频繁预充电的情况下也是如此。以下将参照图4至图6描述允许冗余字线WL具有较高的抗字线扰动性的方法。
[0035]对于此操作，字线控制单元240可以包括检测器241、比较器242和字线控制器243。检测器241可以通过利用激活命令ACT和输入地址IADD来检测频繁激活的字线HWL。当检测到频繁激活的字线HWL时，检测器241可以激活检测信号DET。
[0036]频繁激活的字线可以指示在预设时段期间激活数等于或大于预设参考数，或者激活频率等于或大于预设参考频率的字线。S卩，频繁激活的字线可以包括被激活了比预设参考数更多的次数的字线，或者比预设参考频率更频繁地被激活的字线。