邻设置的冗余字线之间。此外，冗余字线RWL可以布置在字线WLX和WLX+1之间，其中，X是小于N的整数。虚设字线可以布置在冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻的正常字线之间，即，在正常字线WLX和冗余字线RWL之间以及在正常字线WLX+1和冗余字线RWL之间。
[0065]图6是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0066]参见图6，单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL。正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLMB中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MC或SMC。
[0067]正常字线WL0至WLN可以被顺序地布置，而冗余字线RWL可以布置在正常字线WL0至WLN之间或者挨着最外面的正常字线WLN。图6图示了后者的情形。耦接至与冗余字线RWL相邻的字线WLN的存储器单元SMC可以被设计成比其他存储器单元MC具有更长的保持时间。存储器单元MC或SMC中的每个可以包括单元晶体管S或HS以及单元电容器C或HCo
[0068]保持时间可以被称为数据保持时间，并且指示在数据储存在存储器单元之后存储器单元的数据被保持的时间。当某存储器单元具有长保持时间时，它可以指示对应的存储器单元长时间地保持数据，并且可靠地经得起外部影响，例如，字线扰动。因而，当耦接至与冗余字线RWL相邻的字线WLN的存储器单元SMC的保持时间比耦接至其他字线的存储器单元MC的保持时间长时，储存在耦接至相邻字线WLN的存储器单元SMC中的数据很少丢失，即使在冗余字线RWL频繁地激活-预充电的情况下也是如此。因而，冗余字线RWL可以具有更高的抗字线扰动性。
[0069]存储器单元可以在单元电容器中以电荷的形式储存数据。当储存在单元电容器中的电荷由于单元晶体管的泄漏电流的原因而丢失时，储存的数据可能丢失。因而，当单元晶体管(其可以包括切换器、M0SFET或晶体管)的阈值电压增加以减少泄漏电流时，或者即使出现泄漏电流，增加单元电容器的电容以长时间保持电荷时，可以增加存储器单元的保持时间。为了增加存储器单元SMC的保持时间，包括在存储器单元SMC中的单元晶体管HS的阈值电压可以设定成比其他存储器单元MC的单元晶体管S的阈值电压高。可替选地，为了增加存储器单元SMC的保持时间，包括在存储器单元SMC中的单元电容器HC的电容可以设定成比其他存储器单元MC的单元电容器C的电容高。
[0070]图6图示了存储器单元SMC包括具有高阈值电压的单元晶体管HS和具有大电容的单元电容器HC。然而，存储器单元SMC可以仅包括这两者中的一个。S卩，存储器单元SMC可以包括单元晶体管HS和一般的单元电容器C或者包括一般的单元晶体管S和单元电容器HC。
[0071]参见图6，单元阵列250包括一个冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻布置的字线WLN，字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，可以改变冗余字线RWL的位置和数目。
[0072]例如，单元阵列250可以包括两个或更多个冗余字线，以及冗余字线可以分别代替不同的正常字线。耦接至冗余字线或与冗余字线中的每个相邻设置的正常字线的存储器单元SCM可以具有比其他存储器单元MC更长的保持时间。此外，冗余字线RWL可以布置在字线WLX和WLX+1之间，其中X是小于N的整数。耦接至与冗余字线RWL相邻的正常字线WLX和WLX+1的存储器单元SMC可以具有比其他存储器单元MC更长的保持时间。
[0073]图7是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0074]参见图7，单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN、虚设字线DWL和冗余字线RWL。正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MCo
[0075]正常字线WL0至WLN可以布置在彼此距离第一距离D1处，而冗余字线RWL可以布置在正常字线WL0至WLN之间或者挨着正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的字线WLN。图7图示了后者的情形。冗余字线RWL可以布置在距离与其相邻布置的正常字线WLN第二距离D2处，第二距离D2大于第一距离D1。此外，在冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻的正常字线WLN之间，可以布置虚设字线DWL。虚设字线DWL和相邻正常字线WLN之间的距离可以设定成大于第一距离D1的第三距离D3。
[0076]通过图4和图5中所图示的方法的组合，图7的单元阵列250可以允许冗余字线RWL具有更高的抗字线扰动性。
[0077]参见图7，单元阵列250可以包括一个冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻布置的字线WLN，字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，可以改变冗余字线RWL的位置和数目。
[0078]图8是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0079]图8的单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN、虚设字线DWL和冗余字线RWLo正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MC或SMC。
[0080]正常字线WL0至WLN可以被顺序地布置，以及冗余字线RWL可以布置在正常字线WL0至WLN之间或布置在正常字线WL0至WLN的最外面位置。图8图示了后者的情形。虚设字线DWL可以布置在冗余字线RWL和正常字线WL0至WLN之中的与冗余字线RWL相邻的字线WLN之间。耦接至与冗余字线RWL相邻的字线WLN的存储器单元MC可以被设计成具有比其他存储器单元MC更长的保持时间。
[0081]通过图5和图6中所图示的方法的组合，图8的单元阵列250可以允许冗余字线RWL具有更高的抗字线扰动性。
[0082]参见图8，单元阵列250包括一个冗余字线RWL，并且与该冗余字线相邻布置的字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，可以改变冗余字线RWL的位置和数目。
[0083]图9是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0084]参见图9，单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN、虚设字线DWL和冗余字线RWL。正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MCo
[0085]正常字线WL0至WLN可以布置成彼此距离第一距离D1，以及冗余字线RWL可以布置在正常字线WL0至WLN之间或者挨着正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的字线WLN。图9图示了后者的情形。冗余字线RWL可以布置在距离与冗余字线RWL相邻设置的正常字线WLN第二距离D2处，其中，第二距离D2大于第一距离D1。耦接至与冗余字线RWL相邻的字线WLN的存储器单元SMC可以设计成比其他存储器单元MC具有更长的保持时间。
[0086]通过图4和图6中所图示的方法的组合，图9的单元阵列250可以允许冗余字线RWL具有更高的抗字线扰动性。
[0087]参见图9，已经描述了单元阵列250包括一个冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻布置的字线WLN，字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，可以改变冗余字线RWL的位置和数目。
[0088]另外，单元阵列250可以通过图2至图4中所图示的方法的组合来设计。也就是说，虚设字线DWL可以布置在冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻的正常字线WLN之间，虚设字线DWL和与虚设字线DWL相邻的正常字线WLN之间的距离可以设定成大于正常字线之间的距离，以及耦接至相邻正常字线WLN的存储器单元MC可以被设计成具有比耦接至其他正常字线的存储器单元MC更长的保持时间。
[0089]图10是图示根据本发明的一个实施例的存储系统的示图。
[0090]如在图10中所图示的，存储系统可以包括存储器件1010和存储器控制器1020。
[0091]存储器控制器1020可以通过向存储器件1010施加命令CMD和地址ADD来控制存储器件1010的操作，并且在读取操作或写入操作期间与存储器件1010交换数据DATA。存储器控制器1020可以传送命令信号CMD以将激活命令ACT、预充电命令PRE等输入至存储器件1010。当输入激活命令ACT时，存储器控制器1020可以传送用于选择在存储器件1010中要激活的单元块和字线的地址ADD。
[0092]存储器件1010是图2的存储器件，以及可以包括如参照图4至图9描述而配置的单元阵列250。当检测到频繁激活的字线HWL时，存储器件1010可以将耦接至频繁激活的字线HWL的存储器单元MC的数据复制至耦接至冗余字线RWL的存储器单元MC中。然后，当输入针对频繁激活的字线HWL的访问请求时，可以访问冗余字线RWL，而不是访问频繁激活的字线HWL。供作参考，用于执行字线复制和替代操作的存储器件1010的配置可以以与参照图2至图4描述的相同方式设定。
[0093]存储系统可以将频繁激活的字线的数据复制至冗余字线中，并且用冗余字线替代频繁激活的字线，从而防止了字线扰动引起的问题。
[0094]根据本发明的实施例，存储器件可以用具有更高的抗字线扰动性的字线代替频繁激活的字线，从而防止了存储器单元的数据被字线扰动损坏。
[0095]尽管出于说明性目的已经描述了各种实施例，但是对于本领域的技术人员将显然的是，在不脱离如在所附权利要求中限定的本发明的精神和范围的情况下，可以作出各种改变和修改。
[0096]通过本发明的实施例可以看出，本发明提供了下面技术方案:
[0097]技术方案1.一种存储器件，包括:
[0098]多个正常字线，其被布置在距离彼此第一距离处；<