[0037]检测器241可以接收激活命令ACT和输入地址IADD，对正常字线WL0至WLN中的每个在预设时段期间被激活了多少次进行计数，并且检测正常字线WL0至WLN之中的激活数等于或大于参考数的正常字线以作为频繁激活的字线HWL。此外，检测器241可以储存预设时段期间的激活历史，以及检测正常字线WL0至WLN之中的激活频率等于或大于参考频率的正常字线以作为频繁激活的字线HWL。激活历史可以包括通过顺序地储存在预设时段期间哪个正常字线被激活所获取的数据。检测器241可以将通过上面描述的两种方法中的一种或更多种所检测到的正常字线确定为频繁激活的字线HWL。供作参考，参考数和参考频率可以被设定成存储器单元可能遭遇字线扰动的程度。
[0038]例如，当参考数被设定成105时，检测器241可以将在预设时段期间被激活了 10 5次或更多次的正常字线检测为频繁激活的字线HWL。可替选地，当参考频率被设定成存储器件的每五个激活操作两次或更多次时，检测器241可以将在预设时段期间在存储器件的每五次激活操作被激活两次或更多次的正常字线检测为频繁激活的字线HWL。
[0039]供作参考，通过利用定时器，可以把预设时段设定成与特定时间相对应。可替选地，可以通过利用计数器对激活命令ACT和刷新命令进行计数以设定与参考频率相对应的预设数。
[0040]当检测到频繁激活的字线HWL时，比较器242可以储存与频繁激活的字线HWL的地址相对应的输入地址IADD。然后，比较器242可以对当前输入的输入地址IADD与储存的地址进行比较，并且在当前输入的输入地址IADD与储存的地址相同时，激活替代信号RE。当检测信号DET被激活时，比较器242可以储存输入地址IADD。在储存了对应的地址之后，比较器242可以响应于激活命令ACT来对输入地址IADD与储存的地址进行比较，并且当输入地址IADD与储存的地址相同时，激活替代信号RE。当存储器件被复位时，即，当复位信号RST被激活时，比较器242可以移除储存的地址。然后，比较器242可以被复位。
[0041]字线控制器243可以响应于激活命令ACT来激活与输入地址IADD相对应的字线，并且响应于预充电命令PRE来对激活的字线进行预充电。然而，当输入了激活命令ACT且替代信号RE被激活时，字线控制器243可以激活冗余字线RWL，而不是激活与输入地址IADD相对应的字线。
[0042]当检测信号DET被激活时，字线控制器243可以激活与输入地址IADD相对应的字线，即，频繁激活的字线HWL，然后当频繁激活的字线HWL被激活时激活冗余字线RWL。
[0043]当频繁激活的字线HWL被激活时，耦接至频繁激活的字线HWL的存储器单元的数据可以被传送至对应的位线(在图2中未示出)，然后由位线感测放大器(在图2中未示出)放大。因而，位线可以被驱动至与相应的存储器单元的数据相对应的电压。这时，当与正常字线WL0至WLN共享位线感测放大器的冗余字线RWL被激活时，位线的数据可以被写入耦接至冗余字线RWL的存储器单元。尽管在对存储器件进行操作时，经由字线复制操作用冗余字线代替正常字线，但是该操作可以在不丢失耦接至替代的正常字线的存储器单元中所储存的数据的情况下执行。以下将参照图3A和图3B详细描述字线复制操作。
[0044]当在存储器件执行大量激活-预充电操作时检测到频繁激活的字线HWL时，字线控制单元240可以将频繁激活的字线HWL的数据复制至冗余字线RWL中。然后，当激活命令ACT和对应于频繁激活的字线HWL的地址IADD输入至存储器件时，字线控制单元240可以激活冗余字线WRL，而不是激活频繁激活的字线HWL。当存储器件被复位时，可以重新检测或替换频繁激活的字线HWL。
[0045]存储器件可以用冗余字线替代频繁激活的字线，并且将频繁激活的字线的数据复制至冗余字线中。因而，存储器件可以减少字线扰动引起的数据丢失，并且可以减少错误，从而改善了其可靠性。
[0046]图3A和图3B是用于描述图2中所示的存储器件的字线复制操作的示图。
[0047]图3图示了与图2的第K字线WKL相对应的频繁激活的字线HWL，冗余字线RWL、多个位线对BL0/BLB0至LM/BLBM以及与相应的位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM相对应的多个位线感测放大器310〈0>至310〈M>。频繁激活的字线HWL和冗余字线RWL中的每个可以耦接至多个存储器单元MC。存储器单元MC中的每个可以包括切换元件或选择元件S和单元电容器C。
[0048]图3B图示了描述字线复制操作所需的信号的波形。在图3B中，HWL表示指示频繁激活的字线HWL的状态的波形，RWL表示指示冗余字线RWL的状态的波形，BL表示指示位线BL(例如，BL0至BLM之一)的状态的波形，以及BLB表示指示互补位线BLB(例如，BLB0至BLBM之一)的状态的波形。图3B图示了高数据储存在耦接至频繁激活的字线HWL的存储器单元MC中的情形。
[0049]首先，当频繁激活的字线HWL在第一时间点T1被激活时，由于储存在耦接至频繁激活的字线HWL的存储器单元MC的单元电容器C中的电荷的原因，在相应的位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中出现了分钟电位差Δ V。
[0050]当位线感测放大器310〈0>至310〈M>在第二时间点T2被激活时，位线感测放大器310<0>至310〈M>可以放大对应的位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM的分钟电位差Δ V。然后，位线BL的电压可以被驱动至对应于高数据的电压VH，而互补位线BLB的电压可以被驱动至对应于低数据的电压VSS。
[0051]在第三时间点T3，可以在频繁激活的字线HWL激活的状态下激活冗余字线RWL。当冗余字线RWL激活时，加载在位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的数据可以被写入至耦接至冗余字线RWL的存储器单元MC。
[0052]当字线复制操作完成时，频繁激活的字线HWL和冗余字线RWL可以在第四时间点T4被预充电至接地电压VSS的电平。
[0053]图4是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0054]参见图4，单元阵列250可以包括多个正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL。正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MC。
[0055]正常字线WL0至WLN可以布置在彼此距离第一距离D1处，以及冗余字线RWL可以布置在正常字线WLO至WLN之间或者布置成挨着与正常字线WLO至WLN之中的设置在最外面位置的字线WLN。图4图示了后者的情形。冗余字线RWL可以与与其相邻设置的正常字线WLN分隔开第二距离D2，该第二距离D2大于第一距离D1。第二距离D2可以被设定这样的距离:使得耦接至冗余字线RWL的存储器单元MC的数据不受冗余字线RWL的激活-预充电操作影响。
[0056]由于字线之间距离由于半导体工艺的小型化的原因而缩小，所以出现了字线扰动。因而，正常字线WL0至WLN可以布置在通常使用的距离D1处，而冗余字线RWL可以布置在与相邻字线WLN相距第二距离D2处。于是，在使单元阵列250的面积最小化时，可以把冗余字线RWL设计成具有更高的抗字线扰动性。
[0057]参见图4，已经描述了单元阵列250包括一个冗余字线RWL，以及与冗余字线RWL相邻布置的字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，字线RWL的位置和数目可以改变。
[0058]例如，单元阵列250可以包括两个或更多个冗余字线，并且冗余字线可以分别代替不同的正常字线。冗余字线中的每个可以布置在与其相邻的冗余字线或与正常字线距离第二距离D2处。此外，冗余字线RWL可以布置在字线WLX和WLX+1之间，其中，X是小于N的整数。这时，冗余字线RWL与邻近冗余字线RWL的正常字线WLX和WLX+1之间的距离可以被设定成第二距离D2。
[0059]图5是在图2中所示的单元阵列250的示图。
[0060]参见图5，单元阵列250可以包括正常字线WL0至WLN、冗余字线RWL和虚设字线DWL。正常字线WL0至WLN和冗余字线RWL可以对应于相同位线对BL0/BLB0至BLM/BLBM中的每个。正常字线WL0至WLN中的每个和冗余字线RWL可以耦接至多个存储器单元MC。[0061 ] 正常字线WL0至WLN可以被顺序地布置，而冗余字线RWL可以布置在正常字线WL0至WLN之间，或者布置在正常字线WL0至WLN的最外面位置。图5图示了后者的情形。虚设字线DWL可以布置在冗余字线RWL和正常字线WL0至WLN之中的与冗余字线RWL相邻的字线WLN之间。虚设字线DWL是未使用的字线，并且可以布置在冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻的字线WLN之间，使得相邻字线WLN的激活-预充电操作对耦接至冗余字线RWL的存储器单元MC无影响。与冗余字线RWL相邻的字线可以指示除了虚设字线DWL之外的与该冗余字线布置得最接近的字线。
[0062]如上所述，由于字线之间的距离由于半导体工艺的小型化的原因而缩小，所以出现了字线扰动出现。因而，由于虚设字线DWL布置在冗余字线RWL和与冗余字线RWL相邻的字线WLN之间时，所以可以增加冗余字线RWL和相邻字线WLN之间的距离，并且可以阻断相邻字线WLN的激活-预充电操作的影响。通过这样的方法，在使单元阵列250的面积最小化时，可以把冗余字线RWL设计成具有更高的抗字线扰动性。
[0063]参见图5，已经描述了单元阵列250包括一个冗余字线RWL，并且与冗余字线RWL相邻布置的字线WLN是正常字线WL0至WLN之中的设置在最外面位置的正常字线WLN。然而，根据设计，可以改变冗余字线RWL的位置和数目。
[0064]例如，单元阵列250可以包括两个或更多个冗余字线，以及冗余字线可以分别代替不同的正常字线。这时，虚设字线可以布置在冗余字线中的每个和正常字线之间或者冗余字线中的每个冗余字线和与该每个冗余字线相