具有减小的感测延迟和改善的感测余量的sram读取缓冲器的制造方法_4

文档序号:9872515阅读:来源:国知局
任一个)。
[0072]结合所描述的实施例,计算机可读介质(例如,存储器632)存储可由处理器(例如,处理器610)执行以访问SRAM单元(例如,SRAM单元102、202、216中的任一个或SRAM阵列612中的任何SRAM单元)的指令(例如,指令654)。访问SRAM单元包括将存储在SRAM单元处的值反相以生成反相值。该值由与SRAM单元相关联的读取缓冲器(例如,读取缓冲器104、204、218中的任一个)的反相器(例如,读取缓冲器104、204、218的反相器中的任一个)来反相。访问SRAM单元进一步包括基于该反相值来控制读取缓冲器的开关(例如,开关126、212、226中的任一个)的控制端子(例如,控制端子128、214、228中的任一个)。
[0073]上文公开的设备和功能性可被设计和配置在存储于计算机可读介质上的计算机文件(例如,RTL、GDSI1、GERBER等)中。一些或全部此类文件可被提供给基于此类文件来制造设备的制造处理人员。结果产生的产品包括半导体晶片,其随后被切割为半导体管芯并被封装成半导体芯片。这些芯片随后被用在上文描述的设备(诸如移动设备600)中。图7描绘了电子设备制造过程700的特定解说性实施例。作为特定示例,半导体管芯可包括图1的器件100。
[0074]参照图7,物理器件信息702在制造过程700处(诸如在研究计算机706处)被接收。物理器件信息702可包括表示包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元的半导体器件(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的至少一种物理性质的设计信息。例如,物理器件信息702可包括经由耦合至研究计算机706的用户接口 704输入的物理参数、材料特性、以及结构信息。研究计算机706包括耦合至计算机可读介质(诸如存储器710)的处理器708,诸如一个或多个处理核。存储器710可存储计算机可读指令,其可被执行以使处理器708将物理器件信息702转换成遵循某一文件格式并生成库文件712。
[0075]在一特定实施例中,库文件712包括至少一个包括经转换的设计信息的数据文件。例如,库文件712可包括被提供以与电子设计自动化(EDA)工具720联用的半导体器件库,该半导体器件库包括包含耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元的器件,诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合。
[0076]库文件712可在设计计算机714处与EDA工具720协同使用,设计计算机714包括耦合至存储器718的处理器716,诸如一个或多个处理核。EDA工具720可被存储为存储器718处的处理器可执行指令,以使得设计计算机714的用户能够设计包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元的电路,诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合。例如,设计计算机714的用户可经由耦合至设计计算机714的用户接口 724来输入电路设计信息722。电路设计信息722可包括表示半导体器件(诸如耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合))的至少一种物理性质的设计信息。作为解说,电路设计性质可包括特定电路的标识以及与电路设计中其他元件的关系、定位信息、特征尺寸信息、互连信息、或表示半导体器件的物理性质的其他信息。
[0077]设计计算机714可被配置成转换设计信息(包括电路设计信息722)以遵循某一文件格式。作为解说,该文件格式化可包括以分层格式表示关于电路布局的平面几何形状、文本标记、及其他信息的数据库二进制文件格式,诸如图形数据系统(GDSII)文件格式。设计计算机714可被配置成生成包括经转换的设计信息的数据文件,诸如包括描述耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的信息以及其他电路或信息的GDSII文件726。为了解说,数据文件可包括对应于包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的片上系统(SoC)的信息。数据文件可进一步包括与SoC内的附加电子电路和组件有关的信息。SoC可对应于图6的片上系统设备622。
[0078]GDSII文件726可以在制造过程728处被接收,从而根据GDSII文件726中的经转换信息来制造耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元,诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合。例如,设备制造过程可包括将⑶SII文件726提供给掩模制造商730以创建一个或多个掩模,诸如用于与光刻处理联用的掩模,其被解说为代表性掩模732。掩模732可在制造过程期间被用于生成一个或多个晶片734,晶片734可被测试并被分成管芯,诸如代表性管芯736。管芯736包括包含耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的器件。
[0079]管芯736可被提供给封装过程738,其中管芯736被纳入到代表性封装740中。例如,封装740可包括单个管芯736或多个管芯,诸如系统级封装(SiP)安排。封装740可被配置成遵循一个或多个标准或规范,诸如电子器件工程联合委员会(JH)EC)标准。
[0080]关于封装740的信息可诸如经由存储在计算机746处的组件库被分发给各产品设计者。计算机746可包括耦合至存储器750的处理器748,诸如一个或多个处理核。印刷电路板(PCB)工具可作为处理器可执行指令被存储在存储器750处以处理经由用户接口 744从计算机746的用户接收的PCB设计信息742 WCB设计信息742可包括电路板上的经封装半导体器件的物理定位信息,该经封装半导体器对应于包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的封装740。
[0081]计算机746可被配置成转换PCB设计信息742以生成数据文件,诸如具有包括经封装的半导体器件在电路板上的物理定位信息、以及电连接(诸如迹线和通孔)的布局的数据的GERBER文件752,其中经封装的半导体器件对应于封装740,封装740包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元,诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合。在其他实施例中,由经转换的PCB设计信息生成的数据文件可具有GERBER格式以外的其他格式。
[0082]GERBER文件752可在板组装过程754处被接收并且被用于创建根据GERBER文件752内存储的设计信息来制造的PCB,诸如代表性PCB 756。例如,GERBER文件752可被上传到一个或多个机器以执行PCB生产过程的各个步骤。PCB 756可填充有电子组件(包括封装740)以形成代表性印刷电路组装件(PCA) 758。
[0083]PCA 758可在产品制造过程760处被接收,并被集成到一个或多个电子设备中,诸如第一代表性电子设备762和第二代表性电子设备764。作为解说性的非限定性不例,第一代表性电子设备762、第二代表性电子设备764、或这两者可以从下组中选择:移动设备、计算机、平板计算机、机顶盒、音乐播放器、视频播放器、娱乐单元、导航设备、通信设备、个人数字助理(PDA)、以及位置固定的数据单元,这些设备中集成了耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元,诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合。作为另一解说性的非限定性示例,电子设备762和764中的一者或多者可以是远程单元(诸如移动电话)、手持式个人通信系统(PCS)单元、便携式数据单元(诸如个人数据助理)、启用全球定位系统(GPS)的设备、导航设备、固定位置数据单元(诸如仪表读数装备)、或者存储或检索数据或计算机指令的任何其他设备、或其任何组合。尽管图7解说了根据本公开的教导的远程单元,但本公开并不限于这些解说的单元。本公开的实施例可合适地用在包括具有存储器和片上电路系统的有源集成电路系统的任何设备中。
[0084]包括耦合至具有反相器和开关的读取缓冲器的SRAM单元(诸如图1的器件100、图2的SRAM单元列200、图3的器件300、或其组合)的器件可被制造、处理、并纳入到电子设备中,如解说性过程700中所描述的。参照图1-7描述的实施例的一个或多个方面可在各个处理阶段被包括,诸如被包括在库文件712、⑶SII文件726、以及GERBER文件752内,以及被存储在研究计算机706的存储器710、设计计算机714的存储器718、计算机746的存储器750、在各个阶段(诸如在板组装过程754处)使用的一个或多个其他计算机或处理器的存储器(未示出)处,并且还被纳入到一个或多个其他物理实施例中,诸如掩模732、管芯736、封装740、PCA758、其他产品(诸如原型电路或设备(未示出))中、或者其任何组合。尽管描绘了从物理器件设计到最终产品的各个代表性生产阶段,然而在其他实施例中可使用较少的阶段或可包括附加阶段。类似地,过程700可由单个实体或由执行过程700的各个阶段的一个或多个实体来执行。
[0085]技术人员将进一步领会,结合本文所公开的实施例来描述的各种解说性逻辑框、配置、模块、电路、和算法步骤可实现为电子硬件、由处理器执行的计算机软件、或这两者的组合。各种解说性组件、框、配置、模块、电路、和步骤已经在上文以其功能性的形式作了一般化描述。此类功能性是被实现为硬件还是处理器可执行指令取决于具体应用和加诸于整体系统的设计约束。技术人员可针对每种特定应用以不同方式来实现所描述的功能性,但此类实现决策不应被解读为致使脱离本发明的范围。
[0086]结合本文所公开的实施例描述的方法或算法的各个步骤可直接用硬件、由处理器执行的软件模块或两者的组合来实现。软件模块可驻留在随机存取存储器(RAM)、闪存、只读存储器(ROM)、可编程只读存储器(PROM)、可擦式可编程只读存储器(EPROM)、电可擦式可编程只读存储器(EEPROM)、寄存器、硬盘、可移动盘、压缩盘只读存储器(⑶-ROM)、或本领域中所知的任何其他形式的非瞬态存储介质中。示例性的存储介质耦合至处理器以使该处理器能从/向该存储介质读写信息。替换地,存储介质可以被整合到处理器。处理器和存储介质可驻留在专用集成电路(ASIC)中。ASIC可驻留在计算设备或用户终端中。在替换方案中,处理器和存储介质可作为分立组件驻留在计算设备或用户终端中。
[0087]提供前面对所公开的实施例的描述是为了使本领域技术人员皆能制作或使用所公开的实
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