专利名称：异丙醇晶片干燥器改良结构的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种异丙醇晶片干燥器改良结构，尤其涉及一种干燥过程中可带动晶片旋转，而增大异丙醇蒸气带走晶片表面水气几率的异丙醇晶片干燥器。
在一般的晶片制程中，如以化学药剂去除光阻剂或进行蚀刻后，必须清洗晶片表面的残留液，而造成晶片表面残留部分水气，但这些水气可能会在晶片封装制程中造成粘着不易、脱层、封装体变形，甚至导致晶片操作时短路烧毁或工作性能异常。公知的异丙醇晶片干燥器结构是一种将晶片垂直置放于晶片支撑杆上的凹槽中，并将异丙醇蒸气以平行晶片表面的方向流动而带走晶片表面水气，降低晶片表面的水气含量的结构。但由于一般晶片，尤其是系统整合晶片(SOC)的电路布局分作很多区块，而这些区块中的电路布局形状会有凹型或与异丙醇蒸气流动方向垂直的图形，可能容易残存水气。因此，目前公知的异丙醇晶片干燥器结构存在有缺陷，有待加以改进。
有鉴于此，本实用新型的主要目的正是针对上述缺陷，提供一种异丙醇晶片干燥器改良结构，其主要设有数个晶片支撑杆，该晶片支撑杆分别具有数个彼此平行的凹槽，使数个晶片能置放于其上，在该干燥器内至少增设有一个转轴，该转轴与晶片支撑杆互相平行排列，晶片边缘与转轴接触。借此，在注入异丙醇蒸气以带入水气的过程中，该晶片能受转轴带动而旋转，但不使晶片完全脱离晶片支撑杆的凹槽。
由上可知，本实用新型的异丙醇晶片干燥器改良结构，其主要是在异丙醇晶片干燥器结构内，增设一转轮与晶片边缘相接触，并借助转动转轮使晶片同步转动，但不使晶片脱离支撑杆的凹槽，借此，可改变电路布局形状与异丙醇蒸气流动方向的夹角，以增加异丙醇蒸气带走晶片表面水气的几率，而充分排除晶片表面的水气。
为进一步了解本实用新型的详细流程及技术内容，以下配合附图和实施例对本实用新型进行详细说明。
图1为本实用新型的异丙醇晶片干燥器改良结构的前视图；图2为本实用新型的晶片支撑杆与晶片装设关系的侧面示意图；图3为本实用新型的转轴与晶片装设关系的侧面示意图；图4为本实用新型的异丙醇蒸气带走水气受阻碍的立体视图；图5为显示图4晶片转动后异丙醇蒸气可轻易地带走水气的立体现图。
参考图1与图2所示，本实用新型所提供的异丙醇晶片干燥器改良结构的较佳实施例，其主要是由数个晶片支撑杆1和至少一个转轴2所构成。该数个晶片支撑杆1与具有动力而可旋转的转轴2互相平行排列，每一个晶片支撑杆1上分别具有数个彼此平行的凹槽11，各个晶片支撑杆1上的凹槽11位置相互对应着，以供数个晶片3可同时置入各个晶片支撑杆1上的任一凹槽11中，并使任一个晶片3边缘与转轴2接触。另外，异丙醇蒸气4的流动方向平行于晶片3表面的方向。
参考图3所示，本实用新型所提供的异丙醇晶片干燥器改良结构的较佳实施例中，借助转轴2的旋转，可带动晶片3转动，但不使晶片完全脱离支撑杆1的凹槽11，以使晶片3上电路布局形状中的晶方5与异丙醇蒸气4流动方向垂直而阻碍带走水气的状况(如图4所示)转变为异丙醇蒸气4容易带走晶片3上电路布局形状中的晶方5水气的状况(如图5所示)，以增加异丙醇蒸气带走晶片表面水气的几率，而充分排除晶片表面水气。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例，并非用以限制本实用新型，所以凡在不背离本实用新型精神的情况下所作的任何修饰或变更，皆应包括在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1.一种异丙醇晶片干燥器改良结构，其主要是设有数个晶片支撑杆，该晶片支撑杆分别具有数个彼此平行的凹槽，使数个晶片能置放于其上，其特征在于该干燥器内至少增设有一个转轴，该转轴与晶片支撑杆互相平行排列，晶片边缘与转轴接触。
专利摘要一种异丙醇晶片干燥器改良结构，其主要由数个晶片支撑杆和至少一个转轴所构成，该数个晶片支撑杆与转轴互相平行排列，各个晶片支撑杆分别具有数个彼此平行的凹槽，以供数个晶片置放于其上，而晶片边缘与转轴接触，借此，于注入异丙醇蒸气以带入水气的过程中，该晶片能受转轴带动而旋转，以增加去除水气的能力。
文档编号H01L21/02GK2476099SQ01219760
公开日2002年2月6日 申请日期2001年4月20日 优先权日2001年4月20日
发明者荘娟茹, 蔡榮辉, 曾素玲 申请人:矽统科技股份有限公司