专利名称：用于步进机对准的自补偿记号装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及在步进机中制造在晶片上的集成电路。更具体地，本发明涉及用于将步进机射域(stepper shot)和晶片对准的精细对准标记的装置。
利用公知技术例如光刻法在硅晶片上整体制造集成电路芯片。利用这些技术，将在集成电路芯片的指定层中限定元件和互连的尺寸和形状的图案应用到晶片。应用到晶片的图案被布置为初缩掩模版(reticle)图象的阵列或矩阵。晶片步进机保持晶片上并通过透镜将初缩掩模版的图案图象投射到晶片上。将其上投射图象的晶片上的面积定义为步进机射域。
现在参照现有技术图1，图1示出了步进机100的侧视图。步进机100包括光源122、掩蔽叶片124、初缩掩模版126、透镜128和台面112。光源122通过掩蔽叶片124的开口126a、通过初缩掩模版126上的图案126a的透明部分、通过透镜128投射光并投射到位于台面112上的晶片133上。由此，初缩掩模版126上的图案126a就复制到晶片133上，典型地按5∶1缩小。位于初缩掩模版126的内部或中心部分上的图案穿过透镜128的中心部分128a。同样，位于初缩掩模版126的外部或外围部分的图案126b穿过透镜128的外部128b。
实质上通过在晶片133上形成在一层的上面层叠另一层的多个互连层而形成集成电路。因为层的互连，产生确保晶片133上的图案被精确定位并形成图案的需要。常规的方法依赖晶片133、台面112、透镜128和初缩掩模版126的精确对准来精确制造集成电路。
几种误差引起的变量会影响利用光刻法精确形成晶片上图象。这些变量中包括旋转对准误差、平移对准误差和透镜畸变误差。可以通过步进机的不同部分校正这些误差引起的各种变量中的每一种。需要分开误差的类型并独立测量它们以致不会混淆误差测量，并使每个变量的校正结果将不会抵触并能够取得预期效果。
对于由初缩掩模版126相对于晶片133(或反之亦然)的旋转移动引起的旋转对准误差，这里的讨论具有特别的意义。如上所述，希望从其它误差引起的变量中分出旋转误差以便补偿旋转误差的真实测量值。
现在参照现有技术图2，示出了晶片133和步进机射域的顶视图，在此分别由箭头30和32表示仪器的正面和背面。对准标记14和16位于晶片133上以便在集成电路形成之前保证晶片133和初缩掩模版126(图1)的最终对准是正确的。对准标记14和16位于步进机射域12的划线(scribe line)区内。步进机射域12可以由多个集成电路芯片或单个芯片组成。完成多个步进机射域直到曝光整个晶片133。
现有技术图2A说明了仅利用两个对准标记14和16的装置。对准标记14用于获得y方向偏移，对准标记16用于获得x方向偏移。在现有技术中，对准标记14和16距它们希望的位置或取向(如控制软件所规定)中的偏差认为是平移误差，实际上它可以是旋转误差或透镜畸变误差。
为了在现有技术中实施旋转误差的测量，就需要现有技术图2B中示出的附加对准标记18。现有技术设计指南指明对准标记18必须位于它不妨碍与y坐标轴上的y方向测量记号(例如对准标记14)。因此，对准标记14和对准标记18不相互对准并在y方向上以偏移量20分开。测量偏移量20的量以确定旋转误差量。也就是，例如，在没有旋转误差的情况下偏移量20的量是已知的。如果按顺时针方向旋转步进机射域12，那么相对于该量的偏移量20的数量将增加，并且增加的数量会转换为旋转误差的测量值。
因此，在现有技术中，为了确定旋转误差的量需要获得全部三个对准标记14、16和18以及距所测量的它们希望的位置值的偏差。在一些步进机执行中，获得用于多个射域的标记以便获得需要确定旋转误差的测量值。因此，必须获得对准标记14、16和18并对每个晶片进行多次测量。获得标记、获得测量、和计算旋转误差所需的时间和工艺努力可能限制步进机的生产量。
此外，需要用于获得标记14、16和18对准范围的适当聚焦以便获得具有计算旋转误差所需的精度的标记。这种聚焦可以对每个晶片或按其它频率(例如，每隔一个晶片，每隔五个晶片，等等)进行。完成聚焦任务所需的任何速率、时间可进一步限制步进机的生产量。
因此，就需要一种能够适当地补偿集成电路制造工艺中的旋转误差的方法和/或系统。还需要一种能够满足上述需要并能够节约测量和工艺时间的方法和/或系统，由此可能改善步进机的生产量。
本发明的一个目的是提供一种对于上述需要的新型解决方案以及一种方法及其系统，该方法和系统能够适当地补偿集成电路制造工艺中的旋转误差。本发明还提供一种能够满足上述需要并能够节约测量和工艺时间的方法和/或系统，由此可能改善步进机的生产量。
根据第一方面，本发明适合一种利用每个步进机射域四个精细对准标记来制造集成电路的方法及其系统。根据第二方面，本发明提供一个具有每个步进机射域四个精细对准标记的晶片。根据另一方面，本发明适合用于在晶片上形成四个精细对准标记的初缩掩模版。
在四个侧边的步进机射域的每个侧边上的划线之内形成四个对准标记。根据本发明，步进机射域的相对侧边上的对准标记处于镜像位置。在一个实施例中，对于正方形或矩形步进机射域，对准标记位于步进机射域各侧的中点处。在另一个实施例中，对准标记处于步进机射域的每个角。
在一个实施例中，每个对准标记包括具有预定尺寸(例如，长和宽)的多个矩形。在一个实施例中，利用正光刻胶工艺形成对准标记，因此对准标记由清晰视野的实心(例如，铬)矩形组成。在另一个实施例中，利用负光刻胶工艺形成对准标记，因此对准标记由其中形成矩形窗口(例如，无铬的区域)的暗视野(例如，铬)背景组成。
因为相邻步进机射域的划线重叠，形成在一个范围中的第二对准标记将与形成在先前范围中的第一对准标记重叠(例如，第一步进机射域中的右侧标记将被相邻的步进机射域中的左侧标记重叠)。在没有旋转误差(步进机射域相对于晶片没有旋转)的情况下，将对准第一和第二标记，并且组成对准标记的矩形将保持它们的预定尺寸。
另一方面，在步进机射域相对于晶片旋转的情况下，在相邻的步进机射域中的第一和第二标记就不会对准，并且组成标记的矩形的尺寸将改变相应于旋转量的量。那就是，在清晰视野中的实心矩形的情况下，矩形的宽度将减少相应于旋转误差的量的量。在暗视野中的清晰矩形的情况下，矩形的宽度将增加相应于旋转误差的量的量。
然而，根据本发明，对于绕相对于晶片其中心处旋转步进机射域的情况(或反之亦然)，即使旋转，矩形的中心线由此对准标记将保持不变化，由此在不需要测量的情况下补偿旋转误差。因此，根据本发明通过设置四个对准标记将全面地消除旋转误差的影响。
对于其中步进机射域绕它的侧边之一的中心处(例如，绕范围的左侧中心)旋转，则旋转误差就减少一半。因此，根据本发明，后者情况的旋转误差就最小化并且将因此消耗预期重叠要求的较小部分。
因此，根据本发明，相邻步进机射域的对准标记的重叠产生的对准标记将补偿绕步进机射域中心处的旋转。因此，就没有必要为了确定旋转误差获取对准标记，就能节约时间、减少工艺并因此可能增加步进机的生产量。此外，因为本发明的对准方法采用每个步进机射域四个对准标记，所以相对于常规方法能够增加制造工艺的精度。
本领域普通技术人员在读了下面的各种
中的优选实施例的详细描述后，本发明的这些和其它目的和优点将变得明显。
在附图中图1是可以实现本发明的步进机的一个实施例的侧视图；图2A和2B示出了根据现有技术的对准标记装置；图3是根据本发明的步进机的一个实施例的方框图；图4a示出根据本发明的一个实施例的集成电路芯片的常规布局图；图4b示出根据本发明的一个实施例的对准标记排列；图4c示出根据本发明的另一个实施例的对准标记排列；图5示出根据本发明的一个实施例的对准标记中的标记图案；图6a说明根据本发明的一个实施例的没有旋转误差的对准标记中的标记记号；图6b说明根据本发明的一个实施例的绕步进机射域的中心按顺时针方向情况下旋转对准标记中的标记记号；图6c是根据本发明的一个实施例的绕步进机射域的左侧中心按顺时针方向旋转情况下对准标记中的标记记号；图7是根据本发明的一个实施例的用于在晶片上形成对准标记的工艺步骤的流程图，以及图8说明根据本发明的一个实施例的具有对准标记的晶片的俯透视图。
现在将详细地介绍附图中说明的例子的本发明的优选实施例。当结合优选实施例描述本发明时，应当理解本发明并不限于这些实施例。相反，本发明意在覆盖包括在由所附权利要求限定的本发明的精神和范围之内的可替换选择、修改和等价方案。此外，在本发明的以下的详细描述中，阐述大量的具体细节是为了提供对本发明的完全理解。然而，很显然对于本领域普通技术人员之一来讲，不需要这些具体细节就可以实现本发明。在另一种情况下，没有详细描述公知的方法、步骤、元件和电路以便不会使本发明的方面变得晦涩。
下面将详细描述一些部分，即关于步骤、逻辑单元、工艺以及用于在晶片上制造集成电路操作的其它象征性陈述。这些描述和陈述是将晶片制造领域的普通技术人员利用的方法最有效地转换为本领域其他普通技术人员自身的工作的手段。本申请中，步骤、逻辑单元、工艺等构想为导致所需结果的步骤或指令的自组成顺序。步骤是物理量的所需物理操作。通常，尽管不是必要的，但这些量的形式为可被存储、转换、合并、比较或者由计算机系统操作的电信号或磁信号以便制造集成电路。
然而，应当清楚，所有这些术语和相似术语将联系到合适的物理量并仅仅是应用于这些物理量的常规标志。除非具体说明，否则从下列讨论中明了，理解在本发明中，利用术语例如“接纳”、“执行”、“形成”、“重叠”等的讨论，涉及集成电路制造的操作和工艺(即，图7的工艺700)。
现在参考图3，图3示出了根据本发明的一个实施例的步进机202的方框图。步进机202包括耦合到台面移动装置210的台面208、处理器212、信号收发器204和存储器214。在台面208上放置晶片206用于在步进机202中处理。
存储器214包含由处理器212执行的程序指令。存储器214可以是固定存储器例如只读存储器(ROM)、或暂时存储器例如随机存取存储器(RAM)。存储器214还可以是能够包含程序指令的任何类型的存储器，例如硬驱动、CD ROM或快闪存储器。处理器212可以是现有的系统处理器或微处理器、专用数字信号处理(DSP)处理器单元、或专用控制器或微控制器。或者，可以利用状态机实现执行程序指令。
信号收发器204耦合到处理器212。信号收发器204是一个辐射电磁束例如激光的源。此外，信号收发器204是用于电磁信号例如由晶片206反射的返回光束的接收器。
图4A示出了在晶片(例如，图3的晶片206)上的单个集成电路芯片元件400的常规布局。虽然用正方形形状说明芯片元件400，但是应当理解芯片元件400可以为矩形形状。芯片元件400包括集成电路芯片401，该集成电路芯片401由输入/输出(I/O)焊盘区402、保护环403和划线404包围。划线404包含插头和在由晶片制造集成电路芯片期间所用的制造标记(例如，图4B或4C的对准标记)。当在制造期间芯片元件400绕芯片206步进时，划线404从一侧到另一侧并且从上至下重叠。即，一个步进机射域中的划线段由相邻的步进机射域的划线段重叠。例如，由相邻的步进机射域划线的左侧部分重叠第一步进机射域划线的右侧部分。
图4B示出根据本发明的一个实施例的步进机射域410中的晶片206上的对准标记420a、420b、430a和430b的排列。尽管用正方形形状说明步进机射域410，但是应当理解步进机射域410可以为矩形形状。对准标记420a、420b、430a和430b布置在步进机射域410的划线内(例如，图4A的划线404)。本领域普通技术人员应当理解图4B说明的对准标记的排列同样对应于用于形成步进机射域410中的晶片206上的对准标记420a、420b、430a和430b的初缩掩模版上的标记图案。
现在参考图4B，对准标记420a和420b位于步进机射域410的相对侧并位于镜像位置。在本实施例中，对准标记420a和420b位于步进机射域410的相对侧的中点。同样，对准标记430a和430b位于步进机射域410的另外两个相对侧的镜像位置。在本实施例中，对准标记430a和430b位于步进机射域410的相对侧的正中央。应当理解，在其它实施例中，对准标记420a、420b、430a和430b可以位于步进机射域410侧边中点以外的位置，只要对准标记420a和420b位于相对侧的镜像位置，并且对准标记430a和430b位于另外两个相对侧的镜像位置。
图4C示出了根据本发明的另一个实施例的对准标记440a、440b、440c和440d的排列。在该实施例中，对准标记440a、440b、440c和440d位于步进机射域410的各个角处。
参考图4A、4B和4C，当芯片元件400绕晶片206步进时，如上所述，每个步进机射域410的划线404由相邻的步进机射域重叠。因此，划线404中的对准标记同样由相邻的步进机射域的对准标记重叠。例如，第一步进机射域中的对准标记430b由第一步进机射域的右侧相邻的下一个步进机射域中的对准标记430a重叠。
如将看到的，利用四个对准标记和它们在步进机射域的划线中的镜像位置的排列，提供一种有效并精确用于分出并补偿旋转误差的方法和系统(参考下面的图6A至6C)。此外，利用每个步进机射域的四个对准标记将提高对准操作的精度。另外，借助本发明描述排列的四个对准标记，可以均衡或降低透镜畸变误差。
图5示出了根据本发明的一个实施例的对准标记(例如，图4A和4B的标记)中的标记图案500a和500b。标记图案500a包括清楚视野512中的多个实心的(典型地，铬)矩形510。标记图案500b包括实心(典型地，铬)背景522中的多个清楚的矩形520。利用公知的正光刻胶或负光刻胶工艺形成对准图案500a和500b。
尽管在每个对准图案500a和500b中示出了六个矩形，应当理解根据本发明可以采用任何数目的这种矩形。此外，根据本发明可以采用其它类型的标记图案和设计；在US-A 5,316,984中由P.Leroux描述了一种这样的设计并且受让给本发明的受让人。还应当理解，图5的标记图案对应于用于在步进机射域410中晶片206上形成标记图案500a和500b的初缩掩模版上的标记图案。(图4B和图4C)继续参考图5，可以精确确定矩形510和520的尺寸。典型地，矩形510和520的宽度为4微米，长度为30微米。然而，本发明并不局限于这些尺寸，可以采用不同的尺寸。
根据本发明的一个实施例，图6A说明没有旋转误差情况下的对准标记(例如，图4B和4C的对准标记)中标记记号(例如，矩形510)的对准。回忋前面描述，根据本发明，一个步进机射域的对准标记将由随后的相邻的步进机射域的对准标记重叠。例如，由与第一步进机射域右侧相邻的随后步进机射域的对准标记430a重叠第一步进机射域的对准标记430b。为了在此讨论，将重叠的对准标记形成的对准标记称作“重叠标记”或“结果标记”。
在不存在旋转误差的情况下，对准标记430a(来自第二步进机射域)的标记记号(例如，矩形510)和对准标记430b(来自第一步进机射域)的标记记号将精确对准。结果，在重叠标记中的每个矩形510的规定尺寸将不会改变(例如，每个矩形510将仍然测量为4微米×30微米)。因此，在重叠标记中的每个矩形510的中心(矩心)将不会改变，重叠标记的矩心也不会改变。
因此，根据本发明，当在重叠标记中的矩形510的尺寸不改变时，将提供一个没有旋转误差的指示。相反地，当对准标记430b(来自第一步进机射域)和对准标记430a(来自第二步进机射域)对准时，同样提供一个没有旋转误差的指示。结果，就不需要确定旋转误差所需的测量和计算，就节约了制造时间和工艺时间，并可能改善步进机的产量。
图6B说明根据本发明的一个实施例的对准标记(例如图4B和4C的对准标记)的标记记号(例如，矩形510)的情况，其中存在绕每个步进机射域中心的顺时针旋转。图6B还说明这种情况，其中第一步进机射域被适当对准(没有旋转误差)，相邻的第二步进机射域绕其中心旋转。作为任一情况的结果，第二步进机射域的对准标记430a将不会与第一步进机射域的对准标记430b精确对准。因此，(第二步进机射域的)对准标记430a的(左侧)标记记号(例如，矩形630)将不会与(第一步进机射域的)对准标记430b的标记记号(例如，矩形632)对准。
根据正光刻胶工艺，将形成由矩形630和632重叠产生的阴影矩形510。因此，重叠标记的矩形510的尺寸将减少(即，根据旋转量，它的宽度将小于4微米)。然而，由于其中旋转绕步进机射域的中心出现，矩形510的中心(矩心)将不会改变，结果重叠标记的矩心也不会改变。应当注意，对于负光刻胶工艺，矩形630和632重叠产生的矩形510的尺寸将增加(即，根据旋转量，它的宽度将大于4微米)。
因此，根据本发明，当存在绕步进机射域的中心旋转时，因为重叠标记的矩心没有改变，所以旋转的影响被抵消。也就是说，在重叠标记中的每个合成矩形510的矩心、以及由此的重叠标记的矩心与步进机射域的中心保持一致。因此，通过发现重叠标记的矩心，步进机射域的旋转可被补偿，好象不存在旋转。由此，就不需要确定旋转误差所需的测量和计算，就节约制造时间和工艺时间，并可能提高步进机的产量。
图6C说明根据本发明的一个实施例，存在绕每个步进机射域的一侧的中心顺时针旋转情况下，对准标记(例如，图4B和4C的对准标记)的标记记号(例如，矩形510)。图6C说明这种情况，例如，其中第一步进机射域适当对准(没有旋转误差)，相邻的第二步进机射域绕其左侧中心旋转。作为任一情况的结果，第二步进机射域的对准标记430a将不会与第一步进机射域的对准标记430b精确对准。因此，(第二步进机射域的)对准标记430a的(左侧)标记记号(例如，矩形640)将不会与(第一步进机射域的)对准标记430b的标记记号(例如，矩形642)对准。
根据正光刻胶工艺，将形成由矩形640和642重叠产生的矩形510。因此，重叠标记的矩形510的尺寸将减少(即，根据旋转量，它的宽度将小于4微米)。注意，对于负光刻胶工艺，矩形630和632的重叠产生的矩形510的尺寸将增加(即，根据旋转量，它的宽度将大于4微米)。
在步进机射域绕其侧边之一的中心旋转的情况下，在重叠标记中的每个合成矩形510的矩心将与步进机射域的中心不一致。由此重叠标记的矩心将与步进机射域的中心不一致。因此，对于这种类型的旋转，就可能需要补偿测量和用于旋转误差。然而，在通常情况下，绕步进机射域一侧中心的旋转并不象绕步进机射域的中心旋转的频率一样发生。而且，根据本发明，旋转误差值将减少二分之一。因此，这种类型的旋转误差就不会消耗重叠预期(overlay budget)的显著部分。由此，在相对于现有技术的大量实例中，可允许忽略该旋转误差，于是步进机性能将不会受负面影响并能潜在地改善。
因此，根据本发明，当存在绕步进机射域中心的旋转时，因为重叠标记的矩心没有改变，所以就抵消了旋转的影响。也就是说，在每个合成矩形510的矩心、以及由此的重叠标记的矩心就与步进机射域的中心保持一致。由此，就不需要确定旋转误差所需的测量和计算，就节约制造时间和工艺时间，并可能提高步进机的产量。在其他情况下，当出现绕步进机射域一侧的中心的旋转时，旋转误差值被减少并因此可不是重叠重叠预期要求的显著部分。
图7是根据本发明的一个实施例的用于在晶片206(图4B和4C)上形成对准标记(例如，图4B和4C的对准标记)的工艺700中的步骤流程图。用于工艺700的步骤的许多指令、步骤的数据输入和输出采用存储器并采用图3中所示的控制器硬件。例如，通过存储器214和处理器212控制晶片206、台阶208和信号收发器204以完成工艺700中所需的步骤。图3的可替换实施例同样可应用于实现工艺700的步骤。此外，在本实施例中工艺700被用于步进仪器中，本发明非常适合需要晶片对准的其它设备。在本实施例中，存储器214中的软件不必对工艺700进行修正。
虽然本实施例的工艺700示出了步骤的具体顺序和数量，本发明也适合可替换实施例。例如，本发明非常适合包括比工艺700更多或更少步骤的实施例。同样，根据应用可以修正步骤的顺序。此外，虽然示出的工艺700是一个串行工艺，它还可实现为连续工艺或并行工艺。
在图7的步骤710中，在步进机202处接纳晶片206(图3)。
在图7的步骤720中，同样参考图4A、4B和4C，操作第一步进机射域410。根据本发明，在步进机射域410的划线404中形成四个对准标记。在一个实施例中，四个对准标记位于如图4B所示位置；即，对准标记420a和420b位于步进机射域410的相对侧边上的镜像位置，对准标记430a和430b位于类似位置。在另一个实施例中，四个对准标记440a-b位于如图4C所示位置。
在图7的步骤730中，同样参考图4A、4B和4C，操作具有四个对准标记的第二步进机射域410。第二步进机射域的划线404段重叠第一步进机射域的划线404段，使得第二步进机射域的对准标记重叠第一步进机射域的对准标记。例如，第二步进机射域的划线404的左侧部分可以重叠第一步进机射域的划线404的右侧部分，在这种情况下，其中第二步进机射域的对准标记430a将重叠第一步进机射域的对准标记430b。
根据本发明，如果步进机射域没有旋转，(第二步进机射域的)对准标记430b将与(第一步进机射域的)对准标记430a精确对准。
如果一个或两个步进机射域绕它们的中心旋转，那么(第二步进机射域的)对准标记430b将不与(第一步进机射域的)对准标记430a精确对准。然而，重叠结果形成的重叠标记的矩心仍将代表范围的中心。因此，就不需要测量或计算旋转误差的值，通过发现重叠标记的矩心就能够补偿第二步进机射域的旋转。
如果一个或两个步进机射域绕它们的侧边之一约中心旋转，那么(第二步进机射域的)对准标记430b将不与(第一步进机射域的)对准标记430a精确对准。此时，由于旋转误差，重叠结果形成的重叠标记的矩心将与射域的中心不同；然而，相对于常规方法，旋转误差值将减少一半。
图8说明根据本发明的一个实施例的具有多个对准标记836的晶片830的俯透视视图。晶片830分割为由射域840示例的多个射域。图8中，为了说明，射域850、852、860、862、870、872、880和882具有位于它们的每个侧边的中点的四个对准标记836，如上述图4B所述。然而，应理解，根据本发明每个射域840具有四个对准标记836。
继续参考图8，借助实例仅考虑相邻射域850和852，对准标记836位于范围850的右侧和射域852的左侧。如上所述，通过将射域852的左侧标记和射域850的右侧标记重叠形成对准标记836。因此，对准标记836实际上由形成在两个不同射域中的标记组成。
一般地，当将步进机和晶片对准时，就选择用于对准的确定的射域数。典型地，可以选择8个射域用于对准。然而，根据本发明，如前面所述，相邻范围均分对准标记。相应地，诸如对准标记836的标记实质上代表两个射域(即，射域850和852)。由此，根据本发明，当仍保持精度的当前水平时，用于对准而选择的多个范围可以减少为一半。另一方面，如果选择用于对准的射域数不减少，精度能够增加一倍。因此，本发明的另一个优点是在不降低精度的情况下可以有利地增加产量，或者在不降低产量下提高精度。
因此本发明提供一种能够适当补偿在集成电路制造工艺中的旋转误差的方法及其系统。本发明还提供一种能够节省测量时间和工艺时间并由此能够提高步进机产量的方法和系统。
因此描述了本发明的优选实施例，用于步进机对准的自补偿记号设计。虽然已经描述了本发明的具体实施例，应当理解本发明并不应限于这种实施例，而是根据下面的权利要求解释。
权利要求
1.一种利用步进机制造集成电路的晶片，所述晶片包括第一区，用于接纳四侧边的步进机射域，所述步进机射域具有沿它的周界的划线；以及布置在所述划线内的四个对准标记，所述对准标记用于将所述步进机射域和所述第一区对准；其中一个对准标记位于所述步进机射域的每个侧边上，并且其中所述步进机射域的第一侧边上的对准标记和与所述第一侧边相对的所述步进机射域第二侧边上的对准标记位于镜像的位置。
2.引用权利要求1的晶片，其中所述步进机射域的相对侧边具有相同的长度，并且其中对准标记位于所述步进机射域的侧边的每个中点处。
3.引用权利要求1的晶片，其中对准标记位于所述步进机射域的每个角处。
4.引用权利要求1、2或3的晶片，其中根据正光刻胶工艺形成所述对准标记。
5.引用权利要求1、2或3的晶片，其中根据负光刻胶工艺形成所述对准标记。
6.引用权利要求1-5中的任何一个的晶片，进一步包括与所述第一区相邻的第二区，所述第二区用于接纳具有沿其周界的划线的第二步进机射域，其中所述第二步进机射域的所述划线段与所述第一步进机射域的所述划线段重叠，以致所述第二步进机射域的对准标记与所述第一步进机射域的对准标记重叠。
7.引用权利要求1的晶片，其中所述对准标记中的每个包括多个矩形。
8.一种在晶片上形成对准标记所用的初缩掩模版，所述初缩掩模版包括四侧边区域，包括用于在所述晶片上形成集成电路的第一图案，所述区域具有沿它的周界的划线；以及第二图案，布置在所述划线之内，并包括用于在步进机射域中在所述晶片上形成四个对准标记的四个对准标记图案；其中，一个对准标记图案位于所述区域的每个侧边上，并且其中在所述区域的第一侧边上的对准标记图案和在与所述第一侧边相对的所述区域的第二侧边上的对准标记图案位于镜像的位置。
9.引用权利要求8的初缩掩模版，其中所述区域的相对侧边为相同的长度，并且其中所述对准标记图案中的每个位于所述区域的侧边的中点。
10.引用权利要求8的初缩掩模版，其中所述四个对准标记图案中的每个位于所述区域的角处。
11.引用权利要求8、9或10的初缩掩模版，其中所述对准标记图案包括多个矩形形状的掩模。
12.在步进机中，一种用于在晶片上形成对准标记的方法，所述方法包括步骤a)接纳所述晶片；b)根据覆盖具有沿其周界的划线的四个侧边区域的图案掩模操作第一步进机射域；c)在所述第一步进机射域的所述划线内形成四个对准标记，其中在所述第一步进机射域的每个侧边上布置一个对准标记，并且其中在所述第一步进机射域的第一侧边上的对准标记和与所述第一侧边相对的第二侧边上的对准标记位于镜像位置；d)操作与所述第一步进机射域相邻的第二步进机射域并利用所述步骤b)的所述图案掩模，其中所述第二步进机射域的划线段重叠所述第一步进机射域的所述划线段；以及e)在所述第二步进机射域的所述划线内形成四个对准标记，使得所述第二步进机射域的对准标记重叠所述第一步进机射域的对准标记。
全文摘要
一种利用每个步进机射域(410)的四个精细对准标记(420a、420b、430a、430b)的晶片对准系统。四个对准标记布置在四个侧边的步进机射域的每个侧边上的划线(404)内。步进机射域的相对侧边上的标记位于镜像的位置。这样能够补偿旋转误差。
文档编号H01L21/027GK1422395SQ01807939
公开日2003年6月4日 申请日期2001年12月13日 优先权日2000年12月14日
发明者P·勒鲁 申请人:皇家菲利浦电子有限公司