专利名称：一种具有新型触头的真空灭弧室的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种电子真空器件，更具体地讲，本实用新型是涉及一种电子真空器件方面的具有新型触头的真空灭弧室，在国际专利分类表中应分为H01G小类。
背景技术：
目前，有关真空灭弧室的关键部件一触头的设计大多采用Cu-Cr二元合金的平板状和“ ”字型结构。由于形状和结构上的不足，在126KV以上高压等级的真空灭弧室领域，存在着熔焊显著的缺点。此外，在截流值、抗电压、开断次数等电气性能上也存在问题，再由于环保原因而必须停用六氟化硫开关，现在已陷入真空灭弧室(真空开关管)难于进入126KV以上高压领域的困境。
发明内容
及具体实施方式
本实用新型的目的在于针对已有技术的不足，提供一种适用于126KV以上高压领域的、能够解决熔焊问题的、在截流值、抗电压、开断次数等电气性能上有所提高的具有新型触头的真空灭弧室。
本实用新型的目的是通过下述技术方案实现的所述灭弧室包括通过中间封接环(13)封接在一起的圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)。在中间封接环(13)的里侧连接一个中间屏蔽罩(5)，所述中间屏蔽罩(5)为圆筒形且与圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)同轴。在所述中间屏蔽罩(5)的里侧有一对同轴的静触头(14)和动触头(12)，所述的静触头(14)和动触头(12)且与中间屏蔽罩(5)同轴。在所述静触头(14)的左侧依次分布有静导电杆(16)、静均压罩(15)、端屏蔽罩(2)、静端封接环(1)和静端盖板(17)。在所述的动触头(12)的右侧依次分布有动导电杆(9)、波纹管保护罩(6)、波纹管(11)、动端封接环(7)、动端盖板(10)和导向套(8)。主要特点在于由Cu(余量)-Ti(0.05-0.08％)-Co(0.05-1.00％)-Te(0.05-1.00％)-Cr(20-40％)五组元合金形成的静触头(14)和动触头(12)分别连接在静导电杆(16)和动导电杆(9)上，在所述的静触头(14)和动触头(12)上分别均布有“S”形跑弧槽(18)，在“S”形跑弧槽(18)之间的所述的触头面上均布有跑弧面(19)。
在具体实施例中在所述的静触头(14)和动触头(12)的中心点上分别有一个工程焊接点(20)。
所述的“S”形跑弧槽(18)的数量≥3，所述的跑弧面(19)的数量≥3。
所述的“S”形跑弧槽(18)为六个，所述的跑弧面(19)为六个。
由于采用上述技术方案，本实用新型不但解决了触头的熔焊问题，而且在截流值、抗电压、开断次数等电气性能上有了明显的提高，对切合电容器组、异相接地以及在126KV高压等级真空灭弧室使用中出现的各种问题有了一个综合性的解决方案。
以下结合附图和实施例对本实用新型进一步说明，其中附
图1是真空灭弧室总体结构的全剖图。
附图2是本实用新型的触头的俯视图。
附图3是连接有导电杆的本实用新型的触头的正视图。
从附图1中可以看到本实用新型的具体结构，因为是全剖图，所以能够清楚地看到有关真空灭弧室的具体零部件，其中1静端封接环、2端屏蔽罩、3绝缘外壳、4绝缘外壳、5中间屏蔽罩、6波纹管保护罩、7动端封接环、8导向套、9动导电杆、10动端盖板、11波纹管、12动触头、13中间封接环、14静触头、15静均压罩、16静导电杆、17静端盖板。在该附图中可以看到所述灭弧室包括通过中间封接环(13)封接在一起的圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)。在中间封接环(13)的里侧连接一个中间屏蔽罩(5)，所述中间屏蔽罩(5)为圆筒形且与圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)同轴。在所述中间屏蔽罩(5)的里侧有一对同轴的静触头(14)和动触头(12)，所述的静触头(14)和动触头(12)且与中间屏蔽罩(5)同轴。在所述静触头(14)的左侧依次分布有静导电杆(16)、静均压罩(15)、端屏蔽罩(2)、静端封接环(1)和静端盖板(17)。在所述的动触头(12)的右侧依次分布有动导电杆(9)、波纹管保护罩(6)、波纹管(11)、动端封接环(7)、动端盖板(10)和导向套(8)。上面为已有技术，此处不再赘述。
附图2是本实用新型的触头的俯视图，在该图2中示出了触头的具体结构。本实用新型的主要特点在于由Cu(余量)-Ti(0.05-0.08％)-Co(0.05-1.00％)-Te(0.05-1.00％)-Cr(20-40％)五组元合金形成的静触头(14)和动触头(12)分别连接在静导电杆(16)和动导电杆(9)上，在所述的静触头(14)和动触头(12)上分别均布有“S”形跑弧槽(18)，在“S”形跑弧槽(18)之间的所述的触头面上均布有跑弧面(19)。在附图2所示出的触头的最佳实施例中，所述的“S”形跑弧槽(18)的数量为六个，所述的跑弧面(19)的数量为六个，且六等分均布。由于“S”形跑弧槽(18)的类似田埂形状的设计，由原来的直线分布改为平滑的“S”形的曲线分布，延长了灭弧室的燃弧、灭弧的路径，降低了电场的分布梯度，抑制了电流的分布速度和分布方向，使电场和电流密度分布更为均匀，能够保证在大功率下使电场强度和电流密度趋于尽可能小的最佳值。正是基于上述原因，本实用新型克服了已有技术熔焊显著的缺点，提高了真空灭弧室的各项电气指标，其中最为突出的是提高了真空灭弧室的使用寿命。同理，由于在“S”形跑弧槽(18)之间的均布的跑弧面的设计，也相应地延长了灭弧室的燃弧、灭弧的路径，降低了电场的分布梯度，抑制了电流的分布速度和分布方向，使电场和电流密度分布更为均匀，避免了电场和电流密度局部过大的缺点，也为克服熔焊问题和提高灭弧室的电气指标作出了贡献。须要指出，由于使用了五组元合金触头，尤其是Ti和Te的加入，在合金组织中产生新的Cu2Ti相和Cu2Te相，由于其脆性相的作用，可以有效地防止熔焊问题。因为使用了五组元合金触头，由机械混合物升华为真正意义上的合金，同时还兼存了机械混合物的原有特性，相应地提高了真空灭弧室的电气性能。
附图3是连接有导电杆的本实用新型的触头的正视图。在该附图中清楚地显示了触头与导电杆的连接关系。
实验证明，由于本实用新型采用了新型结构的触头的技术方案，使得已有技术原有的在开断、燃弧、灭弧、截流、抗熔焊、切合电容器组等一系列的技术指标上顾此失彼的问题得到了圆满的解决，达到和谐兼顾的效果，明显地提高了真空灭弧室的寿命。
权利要求1.一种具有新型触头的真空灭弧室，所述灭弧室包括通过中间封接环(13)封接在一起的圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)；在中间封接环(13)的里侧连接一个中间屏蔽罩(5)，所述中间屏蔽罩(5)为圆筒形且与圆筒形的绝缘外壳(3)和绝缘外壳(4)同轴；在所述中间屏蔽罩(5)的里侧有一对同轴的静触头(14)和动触头(12)，所述的静触头(14)和动触头(12)且与中间屏蔽罩(5)同轴；在所述静触头(14)的左侧依次分布有静导电杆(16)、静均压罩(15)、端屏蔽罩(2)、静端封接环(1)和静端盖板(17)；在所述的动触头(12)的右侧依次分布有动导电杆(9)、波纹管保护罩(6)、波纹管(11)、动端封接环(7)、动端盖板(10)和导向套(8)；其特征在于由Cu(余量)-Ti(0.05-0.08％)-Co(0.05-1.00％)-Te(0.05-1.00％)-Cr(20-40％)五组元合金形成的静触头(14)和动触头(12)分别连接在静导电杆(16)和动导电杆(9)上，在所述的静触头(14)和动触头(12)上分别均布有“S”形跑弧槽(18)，在“S”形跑弧槽(18)之间的所述的静触头(14)和动触头(12)的面上分别均布有跑弧面(19)。
2.根据权利要求1所述的具有新型触头的真空灭弧室，其特征在于在所述的静触头(14)和动触头(12)的中心点上分别有一个工程焊接点(20)。
3.根据权利要求1所述的具有新型触头的真空灭弧室，其特征在于所述的“S”形跑弧槽(18)的数量≥3，所述的跑弧面(19)的数量≥3。
4.根据权利要求1、3所述的具有新型触头的真空灭弧室，其特征在于所述的“S”形跑弧槽(18)的数量为六个，所述的跑弧面(19)的数量为六个。
专利摘要一种具有新型触头的真空灭弧室，其包括通过中间封接环封接在一起的绝缘外壳，在中间封接环的里侧连接中间屏蔽罩，所述屏蔽罩和绝缘外壳同轴。在中间屏蔽罩里侧有一对同轴的静、动触头，所述静、动触头与中间屏蔽罩同轴。在静触头左侧依次分布有静导电杆、静均压罩、端屏蔽罩、静端封接环和静端盖板。在动触头的右侧依次分布有动导电杆、波纹管保护罩、波纹管、动端封接环、动端盖板和导向套。其特点是由五组元合金形成的触头连接在导电杆上，在触头上均布有“S”形跑弧槽，在“S”形跑弧槽之间的触头面上均布有跑弧面。本实用新型使灭弧室的各项技术指标实现了兼顾的效果，明显地提高了真空灭弧室的使用寿命。
文档编号H01H33/66GK2540681SQ0224405
公开日2003年3月19日 申请日期2002年8月9日 优先权日2002年8月9日
发明者吴学栋, 朱玉京 申请人:吴学栋, 朱玉京