专利名称：固体电解电容器的制造方法
技术领域：
本发明涉及各种电子设备上的固体电解电容器的制造方法。
背景技术：
如按制造过程的顺序说明现有技术的固体电解电容器的构成，则由以下所述的构成(1)把使铝或钛等多孔质化的阀金属片体的厚度方向的单面或中间的芯部作为电极，在阀金属片体的多孔质部的表面上形成电介体被膜。(2)在电介体被膜的表面形成电介体层。(3)在集电体层上设置用金属的电极层而构成电容器元件。(4)层叠电容器元件。(5)将已层叠的电容器元件的电极部或电极层汇总连接在外部端子上。(6)最后形成外装，以显现出外部端子。
上述的现有技术的固体电解电容器可以使与大容量等效串联电阻(equivalent series veries vesistance)(以下称为ESR)降低，但与一般的固体电解电容器一样，必须通过外部端子安装在电路板上。
这样与半导体部件相同，在电路基板上表面安装的固体电解电容器中，在构成实际电路状态的ESR和等效串联电感(equivalent seriesinductance)(以下称ESL)特性，因存在端子长和配线长而变大，产生使高频响应特性变劣这样的问题。
为了解决这样的课题，建议在固体电解电容器的表面上配置阴阳两个电极，并将半导体部件等直接安装在固体电解电容器表面上，从而获得使ESR和ESL下降的固体电解电容器。
发明内容
本发明的目的是提供象上述那样能与半导体直接连接，从而能实现高频响应特性优良的大容量固体电解电容器的固体电解电容器制造方法。
为此，本发明的固体电解电容器的制造方法包括下述步骤在已使通过腐蚀单面多孔质化的铝箔多孔质化的面上形成抗蚀膜后，在规定的位置上形成通孔，在该铝箔非多孔质化的面(以下称平坦面)和通孔的内壁上形成绝缘膜，接着在除去抗蚀膜后，在已多孔质化的部分上形成电介体被膜，在该电介体被膜上形成电解质后，在上述通孔内形成通孔电极，接着，在固体电解质层上形成集电体层后，在平坦面的绝缘膜的规定位置上形成开口部，在该绝缘膜的开口部和通孔电极的显现出的面上形成连接端子。
图1是本发明固体电解电容器的立体图。
图2是本发明的固体电解电容器的剖面图。
图3是本发明固体电解电容器的局部放大剖面图。
图4是在本发明的固体电解电容器的铝箔的多孔质部分上已形成抗蚀膜的状态的剖面图。
图5是在本发明固体电解电容器的铝箔的规定位置上已形成通孔的状态的剖面图。
图6是在本发明固体电解电容器的铝箔非多孔质化的面(以下称为平坦面)和通孔的内壁上已形成绝缘膜的状态的剖面图。
图7是在本发明固体电解电容器的铝箔非多孔质化的部分已形成电介体被膜的状态的剖面图。
图8是在本发明固体电解电容器的铝箔的电介体被膜上已形成固体电解质层状态的剖面图。
图9是本发明固体电解电容器的通孔内已形成通孔电极的状态的剖面图。
图10是在本发明固体电解电容器的固体电解层上已形成集电体层的状态的剖面图。
图11是本发明固体电解电容器的绝缘膜上已形成开口部的状态的剖面图。
图12是在本发明固体电解电容器的开口部上已形成连接端子的状态的剖面图。
图13是在本发明固体电解电容器的电容元件上已形成外装的状态的剖面图。
图14是在本发明固体电解电容器的外装上已形成外部端子和连接凸部的状态的剖面图。
图15是在本发明的另一固体电解电容器的绝缘膜上已形成抗蚀膜的状态的剖面图。
图16是在本发明的另一固体电解电容器上已图形形成抗蚀膜的状态的剖面图。
图17是在本发明的又一固体电解电容器的通孔内已形成通孔电极的状态的剖面图。
图18是在本发明的又一固体电解电容器的铝箔的电介体被膜上已形成固体电解质层的状态的剖面图。
图19是在本发明不同的固体电解电容器的铝箔的平坦面上已形成绝缘膜和在通孔内已形成绝缘膜的状态的剖面图。
图20是在本发明不同的固体电解电容器的铝箔的多孔部上已形成电介体被膜的状态的剖面图。
图21是本发明不同的固体电解电容器的铝箔的电介体被膜上已形成固体电解质的状态的剖面图。
图22是在本发明不同的固体电解电容器的绝缘膜内已形成通孔的状态的剖面图。
具体实施例方式
本发明的固体电解电容器的制造方法包括介电体形成步骤，包含在介电体被膜上的固体电解质层的形成、在上述通孔内的通孔电极的形成、和在固体电解质层上的集电体层的形成的元件形成步骤，和包含在铝箔平坦面绝缘膜的规定位置上的开口部的形成以及在该绝缘膜的开口部和通孔电极上形成的接线端子的端子形成步骤，其中所述电介体形成步骤包括在铝箔已多孔质化的部分(以下称多孔质化部)形成抗蚀膜后在规定位置上形成通孔的工序、在该铝箔非多孔质化的面(以下称平坦面)和通孔的内壁上形成绝缘膜的工序，接着除去抗蚀膜在多孔质化部上形成电介体被膜的工序。按照本发明，因直接与半导体部件连接，可以容易产生高频特性优良的固体电解电容器。特别是通过使中间工序多样化组合可以实现很多有利效果。下面列举几个获得的效果即通过防止在铝箔的平坦面上形成固体电解质，而可以确实进行阴阳极分开。通过防止铝箔的平坦面的通孔电极的突出，且防止固体电解质形成，而能确实进行阴阳极分离。一次可以形成很多开口部。可以提高通孔电极与铝箔间的绝缘可靠性等。
另外，因为用感光树脂薄膜具有粘接性的有机薄膜中的某一种作为抗蚀膜，而可以通过图形加工在与通孔一致的位置上形成孔，或者可以变成为抗蚀剂确实不浸入在通孔内的构成，从而能在电介体被膜上和通孔内形成固体电解质层。作为抗蚀膜的形成方法，可以通过从浸渍、旋涂、丝网印刷、薄膜粘贴法中选择出最适合使用的抗蚀剂的形成方法，在绝缘层上确实形成抗蚀膜。
另外，因为在两面上涂布抗蚀膜后形成图形后用湿蚀剂法形成通孔，所以使形成工艺容易，可以一次形成许多孔。作为形成通孔的方法，可以通过从激光加工法、冲孔加工法、钻孔加工法和放电加工法中根据通孔直径和孔数选择最佳的孔加工方法来低成本地形成通孔。
另外，因为倒圆铝箔已多孔质化的面的通孔的边缘，所以可以减少绝缘不良。
另外，因为用电沉积法作为形成绝缘膜的方法，所以可以使形成工艺容易并且容易形成薄的绝缘膜。另外，利用电沉积法形成绝缘性的树脂作为第一层，然后形成混合有微凝胶微粒子、碳微粒子和氧化钛微粒子的绝缘性树脂作为第二层，因此在第一层上很薄地形成高电阻率的树脂后使边缘覆盖性高的绝缘树脂附着在第二层上，而因膜厚形成均匀而可以形成没有绝缘不良的通孔内壁的绝缘膜。另外，通过采用在为形成通孔电极而填充导电性粘接剂后使粘接剂硬化的方法，可以制造工艺容易且生产率高的电容器。
另外，作为阴阳极分离方法，在形成电介体被膜后，在已形成绝缘膜的整个面上形成抗蚀层，在电介体被膜上形成固体电解质后，除去抗蚀膜，借此可以防止在铝箔的平坦面上形成固体电解质，确实分离阴阳极。或者在形成电介体被膜后在通孔内形成通孔电极后，在形成绝缘膜的整个面上形成抗蚀膜在通孔内形成通孔电极后，除去抗蚀膜，借此可以防止铝箔的平坦面的通孔电极的突出，并且防止固体电解质形成，从而可以确实分离阴阳极。
另外，利用激光加工法、研磨法中的一种方法，通过使激光器的输出、研磨备件最佳化，可以容易地形成开口部。并且在绝缘膜形成前在铝箔的平坦面上的规定位置上形成抗蚀部，形成集电体后，通过剥离抗蚀部，可以一次容易地形成许多开口部。
并且通过用导电性粘接剂形成连接端子，可以实现高生产率。并且通过用电镀、非电解镀中的一种方法，可以容易地一次形成许多连接端子。
另外，通过用包括含π电子共轭高分子的导电性高分子的组成物，可以制成耐热性能优良，ESR比较低的固体电解质电容器。另外，通过化学聚合、电解聚合形成导电性高分子，可以实现高生产率。另外，作为其它方法，涂布导电性高分子粉末的悬浮液并干燥后，通过电解聚合形成导电性高分子，可以使电介体被膜的应力变得比较低。或者通过热分解硝酸锰生成二氧化锰，可以用已确立的技术可靠地生产。或者也可在通过热分解解硝酸锰生成二氧化锰后电解聚合生成高导电性高分子。
另外，通过用碳微粒子的悬浮液和导电性粘接剂形成的方法，可以制成比在固体电解质上直接涂布粘接剂的场合ESR低的固体电解电容下面利用实施方式和附图具体说明本发明的固体电解电容器及其制造方法(实施方式1)用图1～14说明本发明的实施方式1。图1是本发明实施方式一中的固体电解电容器的立体图，图2是本发明实施方式一中的固体电解电容器的剖面图，图3是其主要部分的放大剖面图。
首先按制造工序依次说明本发明的片状电容器元件1的构造。腐蚀铝箔2的单面，在已多质化的铝箔2的多孔质化的部分(以下称为多孔质部3)上形成抗蚀膜4。接着，在铝箔2的规定位置形成通孔5，在铝箔2未形成多孔质化的面(以下称平坦面)和通孔5的内壁上形成绝缘膜6后，除去抗蚀膜4，在多孔质部3上形成电介体被膜7。
接着，在电介体被膜7上形成固体电解质层8后，在上述通孔5内形成通孔电极9，接着，在固体电解质层8上形成集电体层10。
最后，在铝箔2的平坦面的绝缘膜的规定位置上形成开口部11，在绝缘膜6的开口部11和通孔电极9的显出面上形成连接端子12。
在已制成的电容器元件1的侧面和集电体层10面上形成外装13，接着在外装13上形成与铝箔2电连接的第一外部端子14和与集电体层10电连接的第二外部端子15，在通孔电极9上和连接端子12上形成连接突起16而制成固体电解电容器。
下面利用图4至图14详细说明本发明的固体电解电容器的制造方法。如图4所示，在已通过腐蚀上述单面多孔质化的铝箔2的多孔质部3上形成抗蚀膜4，利用浸渍法、旋涂法、丝网印刷法作为该方法，在多孔质部上涂感光树脂并使其硬化可以获得抗蚀膜4。另外，也可以把具有粘接性的有机薄膜作为抗蚀膜使用，这时在多孔质部3上用薄膜贴合法形成。
接着，如图5所示，在铝箔2的规定位置形成通孔5。可以用湿蚀剂法作为能成批形成通孔5的方法。另外，激光加工法、冲孔加工法、钻孔加工法、放电加工法，适用于加工尺寸精度更高且与通孔5的形成部分的材料无关的形成法。利用这些方法，可以形成100um以下的微细的通孔5。
用湿蚀剂法在铝箔2的两面上形成在通孔5的形成部位设置有开口部的抗蚀膜后，用湿蚀剂形成孔，通过除去抗蚀膜形成通孔5。另外通过湿蚀刻等倒圆铝箔2的多孔质部3的通孔5的边缘，可以使后面工序形成的绝缘膜6的可靠性进一步提高。
接着，如图6所示，通过用电沉积法形成绝缘性的涂料，可以在铝箔2的平坦面和形成的通孔5的内壁上形成绝缘膜6。因为由电沉积法形成绝缘膜形成工艺可以形成致密均匀的薄膜，所以绝缘膜6不会埋没通孔5的全部，而只覆盖内壁地形成。
另外，在形成电介体被膜7的表面一侧的通孔5的边缘部有使绝缘膜6形成得薄的可能性。作为解决这个问题、实现比较高的绝缘可靠性的手段而言，对边缘部的倒圆加工是有效的。另外，通过电沉积混合有边缘覆盖性高的微凝胶、碳微粒子和氧化钛微粒子的绝缘性树脂可以更有效地解决这个问题。
在此，所谓微凝胶是通过在聚合物中添加具有10um以下粒径的高分子材料，提高聚合物粘度的物质，并且是不容易流动和具有提高边缘覆盖性效果的物质。但在电沉积在100um以下的微细孔5的内壁上的场合下，只用边缘覆盖性高的混合树脂使电沉积层形成得厚，有可能使通孔5被电沉积树脂埋上。在此，使利用电沉积的绝缘膜6的形成工艺分成二次，在层上附着薄的高电阻率的树脂，接着，在第二层上附着混合有边缘覆盖性高的微凝胶、碳微粒子和氧化钛微粒子的绝缘性树脂，借此可以形成绝缘不良率少的通孔5内壁的绝缘膜6。
接着，如图7所示，除去抗蚀膜后，通过在生成液中阳极化，可以在铝箔2的多孔质部3上形成电介体薄膜。接着，如图8所示，在电介体被膜7上形成固体电解质层8。作为形成方法有通过使聚吡咯和聚噻吩等的π电子共轭分子和/或含其它导电性高分子的组成物，化学聚合或电解聚合形成高分子层。固体电解质层8也可以通过化学聚合导电性高分子预先涂布后用电解聚合或只用化学聚合形成。另外，也可以涂布非电性高分子的粉末悬浮液并干燥后，用电解聚合导电性高分子形成，或使其浸渍硝酸锰后加热分解生成二氧化锰，然后通过电解聚合导电性分子形成，另外，作为已确立的固体电解质层8的形成技术，有通过热分解硝酸锰生成二氧化锰的方法，该方法可以获得致密的电解质层，能够因自由控制厚度而实现提高生产率和可靠性。
接着，就如图9所示的那样，在通孔5内形成通孔电极9的工序进行说明。可以用混合有Ag膏、Cu膏等导电性的粒子的导电性粘接剂作为形成通孔电极的电极材料充填后使其硬化的方法。
接着，如图10所示，在固体电解质层8上形成集电体层10。集电体层10用碳微粒子的悬浮液和银膏为主要成分的导电性粘接剂制成碳层和银膏层的层叠构造，借此可以有效地引出电荷。
接着，如图11所示，在形成在铝箔2的平坦面上形成的边缘膜的规定位置通过YAG激光器或研磨等加工方法制成开口部11，另外，作为其它形成开口部11的方法，也可以在绝缘膜6形成之前在铝箔2的平坦面上的规定位置上形成抗蚀部并形成集电层后，利用剥离抗蚀部的方法形成开口部11然后，如图12所示，用导电性粘接剂或电镀、非电解镀中的一种方法在绝缘膜6的开口部11的露出表面上形成连接端子12。
另外，如图13所示那样，为了通过从电绝缘、耐湿性和外部应力上保护电容元件1提高可靠性而利用环氧树脂在电容元件1的周围形成外装13。接着，如图14所示，在外装13上形成与铝箔2电连接的第一外部端子14和与集电层10电连接的第二外部端子15，制成电容元件1的完成品。
另外，最好在提高与连接在电容器部上的半导体部件或电子器件连接的可靠性和电性能时，形成连接端子12和连接在通孔电极9上的凸起16。
通过以上方法制成固体电解电容器，可以与半导体部件直接连接，并且可以容易生产高频特性优良的固体电容器。
(实施方式2)下面参照图15～16说明本发明的实施方式2。图15～16是用于说明本发明的实施方式2中的固体电解电容器制造工序的主要工序图。
在已通过腐蚀单面多孔质化的铝箔2的多孔质部3上形成抗蚀膜4后，在规定的位置上形成通孔5。接着，在该铝箔2非多孔质化的面(以下称为平坦面)和通孔5的内壁上形成绝缘膜6，接着，在除去抗蚀膜4后，在多孔质部3上形成电介体被膜7。以上的工序与实施方式1的方法相同。
接着，在上述电介体被膜7上设置固体电解质层8时，在通孔直径比80um更大的场合，存在固体电解质层8形成在铝箔2的平坦面上的绝缘膜6上的可能性。
为了解决这个问题，首先如图15所示的那样，在通过浸渍法、旋涂法、丝网印刷法在绝缘膜6上涂布感光树脂后使其硬化，获得第二抗蚀膜17。另外，也可以使用具有粘接性的有机薄膜作为第二抗蚀膜17，在这时用薄膜贴合法在绝缘膜6的面上形成第二抗蚀膜。接着，如图16所示的那样，利用光工艺或机械加工法等在与通孔5一致的地方的第二抗蚀膜17上以规定的尺寸形成孔。
接着，用与实施方式1同样的方法形成固体电解质层8和通孔电极9后，通过除去抗蚀膜17，使固体电解质层8不形成在铝箔2的平坦面上，可以确实实现阴阳极分离。
然后，与实施方式1相同，在固体电解质层8上设置集电层10，在上述铝箔2的平坦面上已形成的绝缘膜6的规定位置上形成开口部11，在该绝缘膜6的开口部11和通孔电极9的显出面上形成连接端子12。
通过这样的实施方式2的固体电解电容器的制造方法，可以防止固体电解质层8扩展到未形成的铝箔2的开口部11的固体电解质层8的开口部11上，从而可以确实分离阴阳极。
(实施方式3)下面参照图17至18具体说明本发明的实施方式3。图17至18是用于说明本发明的实施方式3中的固体电解电容器制造工艺的主要工序图。
在已通过腐蚀单面多质化的铝箔2的多孔质部3上形成抗蚀膜4后，在规定位置形成通孔5。接着，在该铝箔2非多孔质化的面(以下称平坦面)和通孔5的内壁上形成绝缘膜6，接着除去抗蚀膜4后，在多孔质部3上形成电介体被膜7。以上工序与实施方式1相同。
接着，在上述电介体被膜7上设置固体电解质层8，在通孔直径比80um更大的场合，存在固体电解质层8形成在铝箔2的平坦面上的绝缘膜6上的可能性。
作为用于解决这个问题的制造方法，如图17所示的那样，在通孔5内形成通孔电极9。作为形成通孔电极9的方法，可以用混合有Ag膏、Cu膏等导电性的粒子的导电性粘接剂充填使其硬化的方法。然后，如图18所示的那样，在上述电介体被膜7上形成固体电解质层8，接着，通过在固体电解质层8上形成集电体层10，使固体电解质层8不会形成在铝箔2的平坦面上。
另外，作为防止铝箔2的平坦面的通孔电极9溢出的方法，在形成电介体被膜7后，在形成绝缘膜6的整个面上形成第二抗蚀膜17。接着，在上述通孔5内形成通孔电极9后，在上述电介体被膜7上形成固体电解质层8后再形成集电体层10。然后通过除去第二抗蚀膜17，除了能防止固体电解质形成在铝箔2的平坦面外，还能防止通孔电极9的溢出。
接着，与实施方式1同样地在上述铝箔2的绝缘膜6的规定位置通过YAG激光等加工形成开口部11。另外，也可以在形成膜6之前用光硬化树脂等在铝箔2的平坦面上的规定位置预先形成预定抗蚀部，在形成集电体10后，用剥离抗蚀部的方法形成开口部11。然后在该绝缘膜6的开口部11的显出面和通孔电极9上形成连接端子12。
通过这样的实施方式3的固体电解电容器的制造方法，可以防止固体电解质扩展到后来形成的铝箔2的开口部11中，从而可以确实分离阴阳极。
(实施方式4)下面参照图19至20具体说明本发明的实施方式4。图19至20是用于说明本发明的实施方式4中的固体电解电容器制造工艺的主要工序图。
在已通过腐蚀单面多质化的铝箔2的多孔质部3上形成抗蚀膜4后，在规定的位置上形成第一通孔5。接着，在该铝箔2非多孔质化的面(以下称平坦面)和通孔5的内壁上形成绝缘膜6，接着除去抗蚀膜4。以上工序与实施方式1的方法相同。
在上述电介体被膜7上设置固体电解质层8，在通孔直径比80um更大的场合，存在固体电解质层8形成在已形成在铝箔2的平坦面上的可能性。
为了解决这个问题的本发明的制造方法，首先如图19所示的那样，在铝箔2的平坦面和通孔5内以完全埋入的方式形成绝缘膜6，绝缘膜6的形成用与实施方式1相同的方法制成。为了使绝缘膜6确实埋入而可以用数次电沉积绝缘性树脂的方法、绝缘树脂的丝网印刷、浇铸封装等方法形成。然后如图20所示的那样，在上述多孔质部3上形成电介体被膜7，接着，如图21所示的那样，在上述电介体被膜7上设置固体电解质层8，接着，如图22所示的那样，在绝缘膜6内形成通孔18。使固体电解质层8不会形成在铝箔2的平坦面上。
以下工序与实施方式1相同，即在第二通孔18内形成通孔电极9后，在固体电解质层8上设置集电体10，然后在铝箔2的绝缘膜6的规定位置上形成开口部11，在该绝缘膜6的开口部11和通孔电极9的显出面上形成连接端子12。
通过本发明实施方式4的固体电解电容器的制造方法，可以提高通孔电极9与铝箔2之间绝缘的可靠性，并且防止固体电解质层扩展到铝箔2的开口部11中，从而可以确实分离阴阳极。
如以上所说明的本发明的制造方法，因为能与半导体部件直接连接，所以容易制造高频特性优良的固体电解电容器。
权利要求
1.一种固体电解电容器的制造方法，包括使阀金属片多孔质化并在已多孔质化的表面上形成电介体被膜的介电质形成步骤、在上述电介体被膜上形成固体电解质层和集电体层的元件形成步骤1和形成与外部电极的连接端子的端子形成步骤；上述电介体形成步骤依次包括(A1)通过腐蚀阀金属片的单面制成多孔质化部的多孔质化工序、(A2)在上述已多孔质化的面上形成第一抗蚀膜的工序、(A3)在上述已多孔质化的面的规定位置上形成通孔的工序、(A4)在上述阀金属片未进行多孔质化的另一面和上述通孔的内壁上形成绝缘膜的工序、(A5)在除去第一抗蚀膜后在已多孔质的部分上形成电介体被膜的工序，上述元件形成步骤包括(B1)在上述电介体被膜上形成固体电解质层的电解质层形成工序、(B2)在上述通孔内形成通孔电极的通孔电极形成工序、(B3)在上述固体电解质层上形成集电体层的集电体层形成工序，上述端子形成步骤包括(C1)在上述阀金属片的另一面的绝缘膜的规定位置上形成开口部的工序、(C2)在上述开口部和上述通孔电极的表面上形成连接端的工序。
2.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述元件形成步骤依次包括上述电解质层形成工序、上述通孔电极形成工序和上述集电体层形成工序。
3.如权利要求2所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述元件形成步骤还包括在上述电解质层形成工序之前在已形成上述绝缘膜的面上形成第二抗蚀膜的工序，并包括继上述电解质层形成工序后除去上述第二抗蚀膜的工序。
4.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述元件形成步骤依次包括上述通孔电极形成工序、上述电解质层形成工序和上述集电体层形成工序。
5.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述元件形成步骤还包括在形成上述通孔电极形成工序之前在已形成上述绝缘膜的面上形成第二抗蚀膜的工序，并且依次包括上述通孔电极形成工序、上述电解质层形成工序、上述集电体层形成工序和除去第二抗蚀膜的工序。
6.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质形成步骤包括在已多孔质化的面上形成上述第一抗蚀膜的同时在非多孔质化的另一面的规定位置上形成第三抗蚀膜的工序、上述元件形成步骤依次包括上述电解质层形成工序、上述通孔电极形成工序和上述集电体层形成工序，上述端子形成步骤包括除去上述第三抗蚀膜后在上述阀金属片的另一面的绝缘膜的规定位置上形成开口部。
7.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于电解质形成步骤包括在已多孔质化的面上形成上述第一抗蚀膜的同时在非多孔质化的另一面的规定位置上形成第三抗蚀膜的工序，上述元件形成步骤依次包括上述通孔电极形成工序、上述电解质层形成工序和上述集电体层形成工序，上述端子形成步骤包括除去上述第三抗蚀膜后在上述阀金属片的另一面的绝缘膜的规定位置上形成开口部的工序。
8.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电介体形成步骤包括为了掩埋上述阀金属片的非多孔质化的另一面和上述通孔而形成上述绝缘膜的工序，上述元件形成步骤依次包括上述电解质层形成工序、在已充满上述绝缘膜的通孔的内侧形成第二通孔的工序、在上述第二通孔内形成上述通孔电极的工序和上述集电体层形成的工序。
9.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于用感光树脂薄膜或具有粘接性的感光性薄膜作为上述抗蚀膜。
10.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述抗蚀膜用浸渍、旋转涂布、丝网印刷、薄膜粘贴法中的一种方法进行。
11.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述通孔形成工序是在已多孔质化的阀金属片的两面上涂布光刻胶并湿刻已形成图形的开口部的工序。
12.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述通孔形成工序用激光加工、冲孔加工、钻孔加工、放电加工中的一种方法进行。
13.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述通孔形成工序还包括在已多孔质化的面的一侧形成的通孔边缘的倒圆加工工序。
14.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述形成上述绝缘膜的工序用电沉积法形成绝缘膜。
15.如权利要求14所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述形成上述绝缘膜的工序包括形成绝缘性树脂作为第一层的工序、形成混合微凝胶、碳微粒和氧化钛微粒后的绝缘性树脂作为第二层的工序。
16.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述通孔电极形成工序用导电性粘接剂形成上述电极。
17.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于形成上述开口部的工序用激光加工法或磨削法进行。
18.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述形成连接端子的工序用导电性粘接剂形成上述端子。
19.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于形成上述连接端子的工序用电镀、非电解镀中的一种方法进行。
20.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质层形成工序是用导电性高分子组成物形成上述固体电解质层的工序。
21.如权利要求20所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述导电性高分子是π电子共轭系高分子。
22.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质层形成工序是至少用化学聚合法和电解聚合中的一种方法的工序。
23.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质层形成工序，包括用导电性高分子粉末的悬浮液形成高分子膜的工序和电解聚合上述高分子膜的工序。
24.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质层形成工序包括通过热分解硝酸锰形成由二氧化锰组成的上述固体电解质层。
25.如权利要求24所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述电解质层形成工序包括继上述形成二氧化锰的工序后通过电解聚合形成导电性高分子的工序。
26.如权利要求1所述的固体电解电容器的制造方法，其特征在于上述集电体层形成工序包括用碳微粒子的悬浮液和导电性粘接剂形成集电体的工序。
全文摘要
是一种能与半导体部件直接连接并在高频特性上优良的大容量的固体电解电容器的制造方法，包括使阀金属片(2)多孔质化并在已多孔质化的表面(3)上形成电解体被膜(7)的电介体形成步骤、在上述电介体被膜上形成固体电解质层(8)和集电体层(10)的元件形成步骤和形成与外部电极的连接端子(16)的端子形成步骤，上述元件形成步骤包括在上述电介体被膜(7)上形成固体电解质层(8)的电解质层形成工序、在上述阀金属片(2)上已形成的通孔(5)中形成通孔电极(9)的通孔电极形成工序、和在上述固体电解质层(8)上形成集电体层(10)的集电体层形成工序。
文档编号H01G9/008GK1473338SQ02802860
公开日2004年2月4日 申请日期2002年8月30日 优先权日2001年9月10日
发明者藤井达雄, 中野慎, 御堂勇治, 三木胜政, 木村凉, 政, 治 申请人:松下电器产业株式会社