专利名称：复合磁性体、片状物品的制法、电磁波吸收片材及其制法的制作方法
技术领域：
本发明涉及用于高频区电磁噪声应对部件的复合磁性体、电磁波吸收片材及其制造方法等。
背景技术：
以个人电脑、游戏机器或便携信息终端所代表的数字电子机器为首的电子装置，伴随着电路的高频化、高性能化进行着高密度化，无源元件容易受到半导体元件等放射噪声的有源元件的影响。过去，作为该应对措施，利用了铁氧体心和对应于准微波带的电波吸收体，但伴随电子机器的小型化，要求应对噪声的部件小型化、薄型化、高性能化。
另一方面，为了满足EMC标准，满足在100-400MHz附近的噪声标准成为重要课题，对应于该带区的电波吸收体和小型EMI应对部件的需求扩大。特开2000-4097号公报公开了在退火处理扁平磁性粉，使残余应力降低后，取向(定向)成面内方向，在有机结合剂的玻璃转变温度Tg以上的温度在垂直于片材的面的方向加压，据此谋求共振频率的低频化，在100MHz以下的频率可实现高磁导率的复合磁性片材的制造方法。可是，这样的有机结合剂和扁平磁性粉的复合磁性体片材的磁导率(也称为导磁率)在100MHz下至多为20左右，得到高磁导率困难。
特开平11-74140号公报公开了以使用扁平状的软磁性粉，通过挤压成型成型成板状为特征的压粉磁心的制造方法。在该方法中，由于扁平状软磁性粉在挤压方向定向，因此有能够提高磁导率的优点，但当要制造厚度薄于0.4mm的片材时，需要在从窄喷嘴挤压的同时，施加张力以拉伸减薄，高磁导率化变得困难。即，为了在从窄喷嘴挤压时赋予拉伸的柔软性，有必要增多树脂量，降低在挤压温度下的粘性，为此，磁性粉的填充量减少，得不到高磁导率。
不采用挤压，而是采用印刷叠层法或刮刀法来减薄的方法也被公开。
特开平11-176680号公报中公开的，是使用长宽比(aspect ratio)为5-40的扁平状软磁性金属粉和粘合剂，采用印刷叠层法制作厚度500μm以下的片材，将该片材重叠成厚度10mm以下，再加压成型并冲切，制成磁心的方法。可是，即使使用该方法，由于在溶剂以外使用多量的有机粘合剂，很难使软磁性金属粉的占空因数高于75％，另外，不能避免伴随成型的应力劣化，也不能实施能够有效消除残余应力的热处理，因此作为结果，在100MHz附近的高频下不能够得到高的磁导率。
又，特开2000-243615号公报公开了用由扁平状软磁性粉和结合剂、溶剂组成的浆状混合物进行成膜的复合磁性体的制造方法，对于该方法，特征是，对去除了应力应变的扁平状软磁性粉不再施加应力应变而制造复合磁性体，但这样，对扁平状软磁性粉本身不施加变形应力的方法，增大材料的占空因数困难，而且具有不能在原理上避免树脂固化收缩导致的应力发生等缺点，因此不能期待在100MHz附近的高频下得到高的磁导率。
现有的技术都是基于这样的技术思想减小扁平状软磁性金属粉的残余应力后，在成型工序中，重点放在考虑不对该扁平状软磁性金属粉施加过大的应力，这样的技术思想，具有实质上不能增大金属粉的占空因数，而且成型体的残余应力未变小的双重缺点，在提高在数十MHz至数GHz区的高频下的复数磁导率上有极限。
本发明的目的在于，解决该问题点，提供高频、特别是在满足高频EMC标准上有问题的100-400MHz的噪声衰减效果优良的、厚度薄的(例如0.4mm以下的)复合磁性体和片状物品的制造方法等。并且，本发明的目的还在于，解决该问题点，提供在高频下具有优良的磁导率的电磁波吸收片材及其制造方法。
发明内容
以此为目的，本发明提供一种复合磁性体，其是由软磁性金属相和介于软磁性金属相之间的绝缘相构成，其中该复合磁性体是将含有扁平状软磁性金属粉和在其表面形成的绝缘膜的磁性粉末压接接合而形成的，绝缘膜构成绝缘相，并且扁平状软磁性金属粉构成软磁性金属相。根据本发明的复合磁性体，可使软磁性金属相相对于复合磁性体的占空因数(也称为占积率)在50％以上，甚至可达75％以上。
本发明人为解决上述目的而进行锐意开发的过程中，研讨了在电子机器内部容纳片状的电波吸收体的情况。于是，该场合下，就必然需要电波吸收体、与构成电子机器的基底或其他电路元件的绝缘。于是，本发明提供对以上的复合磁性体进一步制成电绝缘层的电磁波吸收片材。该电磁波吸收片材的特征是，具备将含有扁平状软磁性金属粉和在其表面形成的绝缘膜的磁性粉末通过在其厚度方向层叠，从而形成所规定的厚度的软磁性层、和覆盖软磁性层表面的电绝缘层。在此，上述复合磁性体形成电磁波吸收片材的软磁性层。其次，形成该软磁性层的扁平状软磁性金属粉的厚度例如定为0.1-1μm。
另外，软磁性层的扁平状软磁性金属粉最好有大致一定的方向定向。又，软磁性层的厚度可定为5-100μm，电绝缘层的厚度可定为50μm以下。电绝缘层可按后述的那样采用各种的手法形成。
又，软磁性层中的扁平状软磁性金属粉的占空因数可定为75％以上，软磁性层在100MHz下的复数磁导率的实数部分可定为30以上。
绝缘膜可含有无机聚合物、氧化物或氮化物。并且，绝缘膜还可采用作为无机聚合物的聚硅氨烷系、作为有机绝缘材料的偶合剂、作为无机绝缘材料的二氧化硅溶胶、氧化钛溶胶、氧化镁溶胶、氧化铝溶胶、粉末玻璃和氮化硼、绢云母之中的1种以上来形成。
本发明的电磁波吸收片材，具备具有层状的软磁性金属相和介于软磁性金属相之间的绝缘相，并且厚度为5-100μm的磁性层、和在磁性层两面形成的厚度50μm以下的绝缘层。
这样的电磁波吸收片材，在一面侧与磁性层接触的绝缘层的另一面侧还可再装有由导电性材料构成的导电层。该导电层，用其他绝缘层覆盖与接触绝缘层的一侧相反的一侧的面为好。
绝缘层，既可通过由电绝缘材料形成的薄膜贴附于磁性层而形成，也可采用电绝缘性树脂涂覆磁性层而形成。对于后者，也有增强磁性层的效果，形成绝缘层的电绝缘性树脂进入形成磁性层的磁性粉末的间隙也可以。
另外，本发明提供制造上述复合磁性体所代表的片状物品的方法。该方法的特征在于，具备在扁平状软磁性金属粉表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序，和在扁平状软磁性金属粉表面形成了绝缘膜的磁性粉末在堆积的状态下赋予加压力，从而将磁性粉末相互接合的接合工序。
在以上的接合工序中，希望扁平状软磁性金属粉塑性变形。另外，在本发明的片状物品的制造方法中，可将分级成40-120μm的范围的扁平状软磁性金属粉表面形成了绝缘膜的磁性粉末提供给接合工序。通过使用分级成该范围的软磁性金属粉，能够得到磁特性优良的片状物品。
本发明的片状物品的制造方法发展成电磁波吸收片材的制造方法。本发明的电磁波吸收片材的制造方法，其特征在于，具备堆积含有扁平状软磁性金属粉和在其表面形成的绝缘膜的磁性粉末的工序、通过对堆积的磁性粉末赋予加压力来将磁性粉末相互接合，生成片状生成物的工序、在片状生成物表面形成由电绝缘材料构成的绝缘层的工序。
在形成绝缘层的工序中，包括将由电绝缘材料形成的薄膜被覆于片状生成物表面。被覆的薄膜在片状生成物上的固定可采用粘接、压接和热压接的任意方法。此外，也可将含有电绝缘材料(例如电绝缘性树脂)的涂覆材料涂布于片状生成物表面。在此，通过将片状生成物浸渍于电绝缘性树脂中，使电绝缘性树脂附着于片状生成物表面也认为包含在涂布这一概念中。所涂布的涂覆材料可采用适于该涂覆材料的方法固化。
另外，在生成片状生成物的工序中，扁平状软磁性金属粉可通过轧制使之塑性变形。
在堆积含有扁平状软磁性金属粉和在其表面形成的绝缘膜的磁性粉末的工序中，可经筛落下使磁性粉末堆积，也可经喷雾喷出磁性粉末来堆积。
本发明也可作为电磁波吸收片材的制造方法而获得，该制造方法的特征是，具备通过混合扁平状软磁性金属粉和绝缘材料来对上述扁平状软磁性金属粉施行绝缘，得到含有上述扁平状软磁性金属粉和在其表面形成的绝缘膜的磁性粉末的绝缘处理工序、使在绝缘处理工序中得到的磁性粉末堆积于基底上后，轧制(压延)，使之定向，得到例如厚度为5-100μm的片状生成物的轧制定向工序、热处理片状生成物，缓和构成磁性粉末的扁平状软磁性金属粉的残余应力的热处理工序、在片状生成物表面形成由电绝缘材料构成的绝缘层的绝缘层形成工序。
在绝缘处理工序之前，最好对扁平状软磁性金属粉施行消除应力处理。还有，片状生成物在热处理工序的热处理温度定为400-800℃，优选为500-800℃，更优选为600-800℃，热处理气氛优选为惰性气体、氮气或氢气。
图1是表示电磁波吸收片材的构成的图。
图2是表示构成电磁波吸收片材的磁性层的示意图。
图3是本发明实施方案的电磁波吸收片材的制造工序图。
图4是与以往的磁性片材对比地显示本发明的磁性片材的放大截面，(A)是本发明(占空因数87％)的磁性片材的放大截面图，(B)是本发明(占空因数78％)的磁性片材的放大截面图，(C)是以往的由扁平状软磁性金属粉和树脂(氯化聚乙烯)构成的磁性片材的放大截面图，(D)是压制成型了扁平状软磁性金属粉和聚氨酯树脂、BN粉的混合粉的磁性片材的放大截面图。
图5是表示本发明实施例1的、使用了全氢化聚硅氨烷(perhydropolysilazane)溶液4重量％的厚度20μm的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图6是对添加了2、3、4、5重量％的全氢化聚硅氨烷溶液的试样，表示在100MHz下的复数磁导率的图表。
图7是与以往的树脂复合片材的情况对比地表示本发明实施例1的，使用了全氢化聚硅氨烷溶液4重量％的厚度20μm的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图8是改变热处理温度，并表示本发明实施例2的使用了全氢化聚硅氨烷溶液4重量％的厚度20μm的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图9是表示本发明实施例2的厚度20μm的试样的复数磁导率的图表。
图10是表示本发明实施例3的厚度15μm的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图11是表示本发明实施例4的厚度25μm的试样的复数磁导率的图表。
图12是表示本发明实施例5的厚度25μm的试样的复数磁导率的图表。
图13是表示本发明实施例6的厚度30μm的试样的复数磁导率的图表。
图14是表示本发明实施例7的使用9种分级粉制作的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图15是与使用了非扁平状粉的情况对比地显示本发明实施例8的，使用了扁平粉的试样的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
图16是表示本发明实施例9的施行了树脂涂覆处理的片状试样的强度试验结果的曲线图。
图17是表示本发明实施例10的具有绝缘层的电磁波吸收片材的复数磁导率的频率依赖性的曲线图。
具体实施例方式
以下说明本发明的实施方案。
如图1(a)所示，本实施方案的电磁波吸收片材1为在磁性层(软磁性层)10两面具有绝缘层(电绝缘层)20的构成。在此，磁性层10作为整体最好具有5-100μm的厚度。还有，绝缘层20作为整体为50μm以下，更优选为15μm以下。
此外，如图1(b)所示，电磁波吸收片材1可在磁性层10的两侧的绝缘层20的一方，按接触与该绝缘层20和磁性层10接触的一侧相反的一侧的面的方式，设置导电体层30。该导电体层30是由铜和碳等导电性材料形成的，是用于使电磁波吸收片材1接地的。此情况下，导电体层30进一步通过作为其他绝缘层的绝缘层20覆盖。
图2示意地表示构成电磁波吸收片材1的磁性层10。磁性层10通过紧密地堆积多数的扁平状磁性粉末11而形成。再者，在本实施方案中说明了磁性层10与绝缘层20组合得到的电磁波吸收片材1，但作为片状的复合磁性体可单独存在是不用说的。
各个磁性粉末11是用由扁平状软磁性金属粉构成的软磁性金属相12，和由形成于软磁性金属相12表面的绝缘膜构成的绝缘相13形成的复合磁性体。据此，在相互邻接的软磁性金属相12之间介以绝缘相13。据此，磁性层10为，在扁平状软磁性金属粉表面形成了绝缘膜的磁性粉末11通过在其厚度方向层状地叠层而形成成为规定的厚度的构成。
首先说明构成软磁性金属相12的扁平状软磁性金属粉。
扁平状软磁性金属粉为坡莫合金(Fe-Ni合金)、含钼超坡莫合金(Fe-Ni-Mo合金)、铁硅铝磁性合金(Fe-Si-Al合金)、Fe-Si合金、Fe-Co合金、Fe-Cr合金、Fe-Cr-Si合金等，其长宽比优选为10-200，更优选为10-150。
扁平状软磁性金属粉的厚度(轧制前的厚度)希望为0.1-1μm。扁平状软磁性金属粉的厚度不到0.1μm在制造上是困难的，操作也变难。还有，当扁平状软磁性金属粉的厚度超过1μm时，致使在高频下的磁特性降低，故不优选。另外，即使压接接合扁平状软磁性金属粉，厚度也几乎不发生变化。所以，扁平状软磁性金属粉压接接合后的厚度也在0.1-1μm的范围。
下面说明构成绝缘相13的绝缘膜。
如图2所示，在扁平状软磁性金属粉的整个表面均匀地形成绝缘膜是理想的，但即使在扁平状软磁性金属粉表面有未形成绝缘膜的部分，在压接接合后如果形成可作为绝缘相13而发挥功能的程度的绝缘膜也可。
混合扁平状软磁性金属粉和绝缘材料，通过施加规定的处理，在扁平状软磁性金属粉表面形成绝缘膜。作为绝缘材料可使用有机绝缘材料、无机绝缘材料。更详细地讲，优选无机聚合物系的全氢化聚硅氨烷等聚硅氨烷系材料，也可将硅烷系和钛酸酯系偶合剂、作为无机绝缘体的二氧化硅溶胶、氧化钛溶胶、氧化镁溶胶、氧化铝溶胶、粉末玻璃、氮化硼等作为绝缘材料使用，也可将它们与全氢化聚硅氨烷组合使用。
此外，图1所示的绝缘层20是由绝缘材料形成的层，例如，通过将树脂薄膜粘合于磁性层10、或者将绝缘材料涂布于磁性层10表面来形成。
作为用于赋予电磁波吸收片材1表面以电绝缘性的绝缘材料，树脂是合适的，其中，优选强度和绝缘性、进而阻燃性优良的物质。作为形成绝缘层20的材料的具体例子，有酚醛树脂、脲醛树脂、蜜胺树脂、Teflon(注册商标)、聚酰亚胺、聚氯乙烯、阻燃聚乙烯、阻燃聚丙烯、阻燃聚苯乙烯、聚亚苯基硫醚、阻燃PET、阻燃PBT、阻燃聚烯烃、硅氧烷树脂、环氧树脂等树脂，在添加用于提高阻燃性的阻燃剂的场合，使用非卤素系的阻燃剂为好。
图3是表示本实施方案的电磁波吸收片材1的制造工序的图。
首先，在粉碎工序中，将平均粒径为数十μm的软磁性金属的雾化粉在甲苯等有机溶剂中，例如使用搅拌磨机粉碎，得到厚度0.1-1μm、长宽比10-200的扁平状软磁性金属粉。此时的扁平状软磁性金属粉的粒度分布未必需要尖锐，具有2峰的分布也可以。
粉碎工序后，转移到热处理工序。在该热处理工序中，在惰性气体、氮气或氢气中对扁平状软磁性金属粉例如在600℃进行60分钟的热处理。据此，在去除由于扁平化软磁性金属粉的粉碎工序引起的应变的同时，去除在粉碎中混入到软磁性金属粉的氧和碳。该热处理工序不是必需的，但扁平状软磁性金属粉的应变(磁应变)小为优选，因此希望先于后面叙述的绝缘处理工序，对扁平状软磁性金属粉施行热处理，去除扁平状软磁性金属粉的应变。
其次，转移到绝缘处理工序(绝缘膜形成工序)。在该工序中，混合扁平状软磁性金属粉和绝缘材料(液状或微细粉)，采用规定的方法合成绝缘膜，制作绝缘处理粉，即为在扁平状软磁性金属粉表面形成了绝缘膜的磁性粉末11。该绝缘处理工序，根据绝缘材料的种类不同处理的方法也不同。下面叙述以下绝缘材料①全氢化聚硅氨烷的场合、②偶合剂(硅烷系、钛酸酯系等)的场合、③其他氧化物溶胶、BN(氮化硼)的场合各自的处理方法。
①在绝缘材料为全氢化聚硅氨烷的场合，使用混合装置混合扁平状软磁性金属粉和全氢化聚硅氨烷。混合后，例如在大气中或氮气中于300℃进行保持60分钟的热处理。全氢化聚硅氨烷在大气中热处理时向SiO2转化，在氮中热处理时向Si3N4转化。
②在绝缘材料为偶合剂(硅烷系、钛酸酯系等)的场合，使用湿式处理法被覆金属粉表面。湿式处理是在用溶剂稀释成50-100倍的偶合剂之中搅拌混合扁平状软磁性金属粉，同时使溶剂飞散，进行表面处理的方法。
③在绝缘材料为其他氧化物溶胶、BN的场合，使用混合装置直接混合(干式混合)扁平状软磁性金属粉和绝缘材料。
接着，转移到轧制定向工序(接合工序)。在轧制定向工序中，首先将形成了绝缘膜的扁平状软磁性金属粉相互之间压接接合(磁性粉末11)。具体讲，用筛筛磁性粉末11，同时使之落下，使之大致均等地堆积于基底上。另外，此时，不使用筛，而是经喷雾向基底上喷磁性粉末11，据此也能够使磁性粉末11堆积于基底上。
接着，用轧制辊在磁性粉末11大致均匀地堆积的基底上轧制，使绝缘处理粉在与基底平行的朝向定向(轧制定向工序)。采用该工序，可得到厚度5-100μm的、形成磁性层10的磁性片材(复合磁性体)。对于该磁性片材(复合磁性体)，根据需要施行冲切加工也可以(冲切加工工序)。
在轧制定向工序中，从位于距离基底表面3mm以上上方的筛等保持容器自由落下绝缘处理粉(磁性粉末11)，在使绝缘处理粉(磁性粉末11)面内定向的之后上进行轧制，能够改善轧制后的定向度。
另外，通过适宜选择筛的网眼尺寸，改变绝缘处理粉(磁性粉末11)的粒度，可将最终得到的磁性片材(复合磁性体)的磁特性设定在任意的范围。筛的网眼尺寸的优选范围为20-120μm。更优选的范围是40-120μm，进一步优选的范围是53-106μm。
将形成磁性层10的磁性片材(复合磁性体)的厚度设定为5-100μm是基于以下的原因。即，为了通过烧结在高频下得到充分大的磁导率，所以当片材的厚度薄于5μm的场合，磁性片材(复合磁性体)的必要性小。另一方面是因为下述的制约条件当片材的厚度超过100μm时，在电机器筐体内部的窄空间容纳具有磁性层10的电磁波吸收片材1变得困难。
将磁性片材的厚度设定为5μm-0.4mm是基于以下的原因。即，为了通过烧结在高频下得到充分大的磁导率，所以当片材的厚度薄于5μm的场合，本发明的磁性片材(复合磁性体)的必要性小。另一方面，当片材的厚度超过0.4mm时，在配置于筐体内部的电缆屏蔽罩、便携信息终端内部或液晶的配置背光的窄空间附近使用电磁波吸收片材1变得困难。所以，片材的厚度定为5μm-0.4mm。更优选的片材厚度设定为10μm-0.2mm。通过将片材的厚度设定为该范围，成形变得容易，并且在高频下能够得到高的磁导率。
再者，以轧制为例来说明轧制定向工序(接合工序)，该工序并不限于轧制。如果是赋予构成磁性粉末11的扁平状软磁性金属粉塑性变形的程度的加压力，则也可以使用冲压加工等其他加压成型的方法，但在加压的方面最优选轧制。
其次，对冲切加工的磁性片材(复合磁性体)施行热处理，缓和扁平状软磁性金属粉的塑性变形后的残余应力(热处理工序)。为了避免扁平状软磁性金属粉的显著氧化，将热处理气氛规定为Ar等惰性气体气氛中、氮气或氢气氛中为好。
另外，热处理温度设定为400-800℃范围。当热处理温度不到400℃时，残余应力的缓和效果少，另一方面，当热处理温度超过800℃时，在扁平状软磁性金属粉表面形成的绝缘膜的绝缘功能受损。再者，热处理时间定为1小时左右为好。
经由以上工序，得到本实施方案的厚度5-100μm的片状磁性层10作为片材状生成物。
接着，在磁性层10两面形成绝缘层20。
对此，可通过将预先形成所规定的厚度的片状的绝缘片材粘合于磁性层10上，可将它作为绝缘层20。此时，形成绝缘层20的绝缘片材采用上述的材料形成即可。
为了将形成绝缘层20的绝缘片材粘合于磁性层10，可单纯地使用在片状磁性层10的表面、或者形成绝缘层20的绝缘片材上涂布的粘接剂。作为粘接剂，优选有绝缘性、耐热性的环氧系、硅氧烷系。再有，象所谓的层压薄膜，在形成绝缘层20的绝缘片材表面形成粘接剂层，将它与片状磁性层10压接也是可能的。此情况下，也可采用所谓热压接方式在将片状磁性层10与绝缘层20压接时通过施加热，来熔融绝缘层20的粘接剂层。
另外，不使用粘接剂，也可将就将形成绝缘层20的绝缘片材与磁性层10热压接。
此外，为了形成绝缘层20，将上述的材料直接涂布于磁性层10表面，也可使其固化。也就是说，是通过绝缘材料的涂覆来形成绝缘层20的。
作为在此情况下使用的涂覆剂，优选硅氧烷树脂系、硅氧烷橡胶系、环氧系、环氧与硅氧烷复合系、丁缩醛系、丙烯酸酯系、乙基纤维素系、聚丙烯系、苯乙烯-丁二烯系、聚丁烯系等树脂。另外，还可使用上述的偶合剂、粘接剂。
在形成磁性层10的磁性片材表面形成作为绝缘层20的树脂层时，可适宜地采用将形成磁性层10的磁性片材浸渍于树脂中、或者经喷雾向形成磁性层10的磁性片材喷树脂等的方法。在将形成磁性层10的磁性片材浸渍于树脂中的场合，用甲苯、二甲苯、乙醇、丙酮等溶液稀释树脂，调整树脂溶液，在该树脂溶液中浸渍形成磁性层10的磁性片材3-20分钟左右即可。
如上述那样，将作为绝缘层20的绝缘薄膜粘合于磁性层10的场合，通过该绝缘薄膜，能够谋求对形成磁性层10的磁性片材的增强作用。
还有，为了形成绝缘层20而涂布树脂的场合也同样地能够谋求对形成磁性层10的磁性片材的增强作用。
再者，通过粘合绝缘片材来形成绝缘层20的场合，为了增强，还可如上述那样涂布树脂。再有，该场合也可使用树脂以外的物质提高形成磁性层10的磁性片材强度。
此外，也有树脂含浸于磁性片材内部，结果在磁性片材表面未形成树脂层的情况，即使在该情况下，在磁性片材内部由于树脂起使磁性粉末11相互结合的功能，因此能够提高磁性片材的强度。另外，也可使用树脂以外的物质提高磁性片材的强度。
通过在磁性层10两面顺序形成这样的绝缘层20，得到图1所示的电磁波吸收片材1。
再者，本实施方案的电磁波吸收片材1的磁特性在测定工序进行。测定结果在实施例的部分叙述。
下面使用图4说明本实施方案的形成磁性层10的磁性片材的扁平状软磁性金属粉的占空因数。
图4(A)、(B)是本实施方案的形成磁性层10的磁性片材的放大截面图，图4(C)、(D)是以往的磁性片材的放大截面图。
图4(C)所示的以往的复合磁性体由扁平状软磁性金属粉和树脂(氯化聚乙烯)构成。另外，图4(D)所示的以往的磁性片材是压制成型扁平状软磁性金属粉和聚氨酯树脂、BN粉的混合粉得到的。对于图4(C)、(D)所示的以往的磁性片材，调查扁平状软磁性金属粉的占空因数，结果其占空因数(体积％)至多为40％。
另一方面，对于图4(A)、(B)所示的本实施方案的形成磁性层10的磁性片材，调查扁平状软磁性金属粉的占空因数，结果图4(A)为87％，图4(B)为78％。由该结果可推测，本实施方案的形成磁性层10的磁性片材可使扁平状软磁性金属粉的占空因数在75％以上，进而，使扁平状软磁性金属粉的占空因数超过90％也是可能的。扁平状软磁性金属粉的占空因数的优选范围为60-90％，更优选的范围为70-85％。当扁平状软磁性金属粉的占空因数不到50％时，磁特性降低。另一方面，当扁平状软磁性金属粉的占空因数超过95％时，成型性降低。
本实施方案的形成磁性层10的磁性片材由于软磁性金属相12、即扁平状软磁性金属粉的占空因数为75％以上，因此磁特性良好。再者，在本实施方案中，扁平状软磁性金属粉的占空因数是也考虑扁平状软磁性金属粉表面的硅氧化物而算出的值。
观察本实施方案的形成磁性层10的磁性片材的截面，可确认厚度0.1-1μm的扁平状软磁性金属粉塑性变形、扁平状软磁性金属粉层状地层叠。另外，各个扁平状软磁性金属粉成为用氧化物或氮化物绝缘的结构。即证实，本实施方案的形成磁性层10的磁性片材变成在层状软磁性金属相12之间介在绝缘相13的结构。其次，本实施方案的形成磁性层10的磁性片材为可同时实现小的反磁场和小的涡电流的结构，采用本实施方案的形成磁性层10的磁性片材，在100MHz下可实现比以往的复合磁性体显著大的复数磁导率。
<实施例>
以下用实施例详细叙述本发明的电磁波吸收片材1和构成其磁性层10(磁性片材、复合磁性体)。
(实施例1)如图3的工序图中所说明的那样，将作为软磁性金属粉的水雾化的平均粒径约20μm的4Mo坡莫合金粉(80Ni-4Mo-1Si-量为Fe(mol％))在使用甲苯作溶剂的介质搅拌磨机中进行粉碎扁平化，制成平均粒径约40μm、厚度0.2-0.6μm、长宽比30-120的扁平状软磁性金属粉(以下适当地叫做“扁平状粉”)。粉的平均粒径采用利用了光散射的粒度分布计(日机装(株)制的マイク口トラツク粒度分布计)测定。
其次，为了消除为扁平化上述金属粉而进行的粉碎所致的应变，以及为了去除在粉碎中混入到粉的氧、碳，在氢气中于600℃进行了60分钟的热处理。
作为形成绝缘相13的绝缘材料，使用了全氢化聚硅氨烷(东燃聚硅氨烷L110、20重量％二甲苯溶液)。将全氢化聚硅氨烷20重量％(wt％)二甲苯溶液相对于扁平状Mo坡莫合金粉的添加量定为4重量％。然后，用混合机(雷溃机、台式捏合机等)在室温混合扁平状Mo坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷30分钟。其后，在大气中于300℃保持60分钟，将全氢化聚硅氨烷转化成SiO2，在扁平状Mo坡莫合金粉表面形成了绝缘膜。
其次，用位于不锈钢基底上方10mm的位置的筛(开孔125μm以下)筛选绝缘处理的上述扁平状粉(磁性粉末11)，并使之大致均等地堆积于不锈钢基底上。使该不锈钢基底通过辊径50mm的2段冷轧辊进行轧制，使各扁平状粉在与上述基底平行的朝向定向，制成厚度约20μm的片状。
接着，为了消除扁平化金属粉时的粉碎导致的应变，以及为了去除在粉碎中混入到粉中的氧、碳，将该片材于氢气中在600℃热处理60分钟。
此后，为了片材的补强、以及附加绝缘性，使片材在室温固化型硅氧烷树脂的二甲苯溶液(20％)中浸渍约20分钟，其后，使之干燥，得到形成电磁波吸收片材1的片状生成物。
将该片状生成物冲切成圆环形状，用单匝法(ワンタ一ン法)测定复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的频率依赖性。作为代表例，图5示出了添加4重量％全氢化聚硅氨烷的试样No.3的μ-频率曲线。
另外，关于添加2、3、4、5重量％的试样，在100MHz的复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的值示于图6。再有，全氢化聚硅氨烷的绝缘处理时，除了大气中以外，也在氮中进行，其结果示于图6。
如图5和图6所示，由用全氢化聚硅氨烷绝缘处理的磁性粉末11构成的试样No.1-5，在100MHz下显示出50以上的μ’、40以上的μ”。另一方面，未施行绝缘处理的比较例1，在100MHz下显示μ’为9、μ”为12的均不充分的值。
又，比较在氮中进行了全氢化聚硅氨烷的绝缘处理的试样No.5和在大气中进行了全氢化聚硅氨烷的绝缘处理的试样No.3的复数磁导率，证实了试样No.3显示了良好的值。
接着，将试样No.3的复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的频率依赖性与冲切成同样形状的以往的树脂复合片材比较，并示于图7。再者，试样No.3是实施例1中特性最好的试样(全氢化聚硅氨烷溶液相对于扁平状软磁性金属粉为4重量％的试样)。图7所示的树脂复合片材(1)含有40体积％的扁平状软磁性金属粉，树脂复合片材(2)含有30体积％的扁平状软磁性金属粉。
看图7可证实，试样No.3与以往的树脂复合片材比，显示出显著大的复数磁导率。
又，将试样No.3浸渍于树脂中进行截面观察的结果，如图4(B)所示，观察到通过轧制处理而塑性变形的扁平状软磁性金属粉彼此层叠成层状的结构(占空因数78％)。
(实施例2)作为软磁性金属粉使用水雾化的平均粒径约30μm的2Mo坡莫合金粉(80Ni-2Mo-余量为Fe(mol％))，用与上述实施例1同样的方法制成平均粒径约50μm、厚度0.1-0.8μm、长宽比10-150的扁平状粉。再用同样的顺序进行绝缘处理，从冷轧辊通过，轧制进行定向处理，制作形成磁性层10的厚度约20μm的片状生成物。但是，添加的全氢化聚硅氨烷20重量％二甲苯溶液相对于扁平状粉为4重量％。将该片状生成物冲切成圆环形状，在氮气中于300℃、600℃、900℃热处理60分钟后，评价复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的频率依赖性。结果示于图8和图9。
如图8所示，在600℃热处理的试样(试样No.3)显示出良好的特性，但在900℃热处理的场合(比较例3)，由于丧失绝缘功能，因此频率特性显著地劣化。另外可看到，在300℃热处理的场合(比较例2)，温度过低，伴随着片状轧制、定向处理，发现扁平状粉的残余应力的缓和不充分。因此，可以说存在适于热处理的范围。
更详细地研讨的结果，根据绝缘材料的浓度、材质不同范围不尽相同，但证实了，在400-800℃特别优选550-700℃的热处理温度范围是有效的。
看图8，试样No.3(热处理温度600℃)，显示出μ’为70、μ”为68均为良好值。另一方面，绝缘材料的添加量与试样No.3相同的比较例2(热处理温度300℃)显示出μ’为7、μ”为9的复数磁导率，比较例3(热处理温度900℃)的μ’为7、μ”为12，显示出试样No.3的1/5左右的复数磁导率。
由以上结果可以说，通过使热处理温度为400-800℃，能够提高磁性层10的磁特性。
(实施例3)作为软磁性金属粉使用水雾化的平均粒径约30μm的2Mo坡莫合金粉(80Ni-2Mo-余量为Fe(mol％))，用与上述实施例1同样的方法制成平均粒径约50μm、厚度0.1-0.8μm、长宽比10-150的扁平状粉。再用与实施例1同样的顺序将该扁平状软磁性金属粉和全氢化聚硅氨烷进行绝缘处理。
其次，为了使被绝缘的扁平状软磁性金属粉(磁性粉末11)均等地堆积于不锈钢基底上，使磁性粉末11分散于甲苯中，转移到喷雾容器内，从基底的300mm上方按达到大致均匀的厚度的方式进行喷雾，使基底上堆积磁性粉末11。通过甲苯的挥发，堆积的磁性粉末11干燥后，使基底通过辊径50mm的2段冷轧辊，进行轧制、定向处理，制作形成磁性层10的厚度约15μm的片状生成物。但是，添加的全氢化聚硅氨烷20重量％二甲苯溶液相对于扁平状粉为4重量％。将该片状生成物在氮中于600℃热处理60分钟后，冲切成圆环形状制成试样，评价其复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的频率依赖性。结果示于图10。
如图10所示，采用喷雾堆积磁性粉末11的试样，与使用筛堆积磁性粉末11的实施例1的试样(试样No.1)同样，显示出良好的特性。
(实施例4)使用与实施例1同样的平均粒径40μm的扁平状4Mo坡莫合金粉，使绝缘材料变化成硅烷偶合剂、钛酸酯偶合剂，采用与上述实施例1同样的方法冷轧，得到约25μm的片状生成物，冲切成圆环形状。其后，进行热处理，测定试样(试样No.4、5)在100MHz下的复数磁导率。将结果与配合比、热处理条件一起示于图11。用公知的湿式法对偶合剂进行绝缘处理。
看图11，试样No.4、5显示出μ’为30以上、μ”为40以上的均为良好的值。因此可知，关于硅烷系偶合剂、钛酸酯系偶合剂也可很好地用作为绝缘材料。
(实施例5)进一步使用与实施例1同样的扁平状4Mo坡莫合金粉，用全氢化聚硅氨烷进行绝缘处理，再与二氧化硅溶胶混合，以实施例1同样的方法冷轧，制成约25μm的片状。冲切该片状生成物，其后，测定热处理的试样(试样No.6)在100MHz下的复数磁导率。将结果与配合比、热处理条件一起示于图12。
看图12可知，与以往的树脂复合片材比较例4、5相比，试样No.6显示出显著优良的复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)。因此证实，用全氢化聚硅氨烷进行绝缘处理，再与二氧化硅溶胶混合的方法也有效。
(实施例6)使用与实施例1同样方法制作而成的平均粒径约40μm的扁平状4Mo坡莫合金粉，混合该扁平状4Mo坡莫合金粉和作为绝缘材料的氮化硼(BN)、二氧化硅溶胶，绝缘处理后，以上述实施例1同样的方法通过冷轧辊，进行轧制和定向处理，制成厚度约30μm的片状。将该片状生成物冲切成圆环状，将其于氮气中650℃热处理60分钟后，评价得到的试样(试样No.7)的复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)。将配合比和得到的结果示于图13。
比较试样No.7和在实施例1中制作的比较例1的磁特性，试样No.7显示出高约3倍的复数磁导率。可是，比较试样No.7和在实施例1中制作的试样No.1的磁特性可知，试样No.1显示出良好的复数磁导率。
由以上结果可知，全氢化聚硅氨烷作为绝缘材料是合适的。
(实施例7)作为软磁性金属粉使用水雾化的平均粒径约30μm的2Mo坡莫合金粉，用与上述实施例1同样的方法制成平均粒径约130μm、厚度0.1-0.8μm、长宽比10-150的扁平状粉。再相对于扁平状粉添加4重量％的全氢化聚硅氨烷20重量％二甲苯溶液，进行了绝缘处理。
其次，用具有各种网眼尺寸的筛将施行了绝缘处理的扁平状粉(磁性粉末11)按如下得到9种分级粉。使这些分级粉通过冷轧辊，进行轧制和定向处理，制作厚度约20μm的片状生成物。将该片状生成物冲切成圆环形状，在氮气中于500℃热处理60分钟后，评价复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)。其结果示于图14。
分级粉(μm)20-32、32-38、38-45、45-53、53-63、63-75、75-90、90-106、106以上(106under)。
如图14所示，根据扁平状粉的分级尺寸、即粒度不同而磁特性变化。例如，在使用20-45μm的分级粉的场合，可使在100MHz下的μ’为30-60左右。还有，在使用45-106μm的分级粉的场合，可使在100MHz下的μ’为60以上。特别是在使用63-106μm的分级粉的场合，在100MHz下的μ’达到80以上备受关注。
另外，在使用45-106μm的分级粉的场合，对于在100MHz下的μ’，也证实了显示出60以上的良好值。
由以上结果可知，通过使扁平状粉的粒度为40-120μm左右，可得到磁特性良好的磁性片材(复合磁性体)。
(实施例8)作为软磁性金属粉使用水雾化的平均粒径约30μm的2Mo坡莫合金粉，用与上述实施例1同样的方法制成平均粒径约130μm、厚度0.1-0.8μm、长宽比10-150的扁平状粉。
再相对于该扁平状粉添加4重量％的全氢化聚硅氨烷20重量％二甲苯溶液，进行了绝缘处理。
接着，用网眼尺寸38μm、63μm的筛将绝缘处理的扁平状粉(磁性粉末11)分级。使这些分级粉通过冷轧辊，进行轧制和定向处理，制成厚度约20μm的片状生成物。然后，将该片状生成物冲切成圆环形状，在氮气中于500℃热处理60分钟后，评价复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)。再者，作为比较例，作为软磁性金属粉原样地直接使用水雾化的平均粒径约50μm的2Mo坡莫合金粉，除此以外，采用与上述同样的工序得到厚度约20μm的片状生成物。仍然同样地测定了磁特性。其结果示于图15。再者，观察比较例的片状生成物证实，轧制后也维持着水雾化的不定形状的粉末的状态。
如图15所示，在1-10MHz下，在使用扁平状粉的场合，显示出μ’是使用非扁平状粉的场合的4-5倍。在100MHz下，使用了非扁平状粉的场合的μ’显示出20附近的值，而在使用扁平状粉的场合，μ’显示出40以上的值。
另外证实，在使用扁平状粉的场合，μ”的上升和峰值比使用非扁平状粉的场合更偏移向高频侧。
由以上结果可知，通过使用扁平状粉，能够得到磁特性大幅度改善的磁性片材(复合磁性体)。
(实施例9)作为软磁性金属粉使用水雾化的平均粒径约30μm的2Mo坡莫合金粉，用与上述实施例1同样的方法制成平均粒径约130μm、厚度0.1-0.8μm、长宽比10-150的扁平状粉。再相对于扁平状粉添加4重量％的全氢化聚硅氨烷20重量％二甲苯溶液，进行了绝缘处理。
其次，用位于不锈钢基底上方10mm的位置的筛(开孔106μm以下)筛选绝缘处理的上述扁平状粉(磁性粉末11)，同时使之大致均等地堆积于不锈钢基底上。使之通过辊径50mm的2段冷轧辊进行轧制，使各扁平状粉在与上述基底平行的朝向定向，制成厚度约20μm的片状生成物。将该片状生成物冲切成圆环形状，在氮气中于500℃施行60分钟的热处理。
继续，将10种热塑性树脂(树脂A-J)分别用甲苯调整成5重量％，制作10种树脂溶液。使用该树脂溶液，对片材状复合磁性体进行树脂涂覆处理(将片材状复合磁性体浸渍于树脂溶液中15分钟后，在室温干燥)。其后，进行的强度试验的结果示于图16。
如图16所示，进行了树脂涂覆处理的试样No.13-22，应力、延伸率均高于未进行树脂涂覆处理的试样No.12的值。特别是进行了丁缩醛系、丙烯酸酯系树脂浸渍的试样No.15、17-19、21，关于应力，显示出试样No.12的2.5-5倍的值，关于延伸率，显示出相对于试样No.12的1.5-4.5倍的值。
由以上结果可知，通过对磁性片材(复合磁性体)施行树脂涂覆处理，能够提高磁性片材的强度。另外证实，所被覆的树脂与构成磁性片材(复合磁性体)的磁性粉末11之间相结合。
另外，比较试样No.12、试样No.13-22的磁特性，结果由于都显示出同等的磁特性，因此可以说在对复合磁性体1施行了树脂涂覆处理的场合磁特性也不发生变化。
再有，测定试样No.13-22的厚度，结果一部分试样显示出与试样No.12相同的厚度。也就是说，由于在磁性片材(复合磁性体)内部存在空隙，树脂浸渍于其间隙中。
(实施例10)与实施例1同样，将平均粒径约20μm的4Mo坡莫合金粉在使用甲苯作溶剂的介质搅拌磨机中粉碎，制成平均粒径约40μm、厚度0.2-0.6μm、长宽比30-120的扁平状软磁性金属粉。作为绝缘材料使用了全氢化聚硅氨烷(东燃聚硅氨烷L110、20重量％(wt％)二甲苯溶液)。全氢化聚硅氨烷溶液相对于扁平状坡莫合金粉的添加量定为4重量％。用混合机在室温混合该扁平状坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷30分钟。其后，在大气气氛中于300℃保持60分钟，将全氢化聚硅氨烷转化成SiO2，在扁平Mo坡莫合金粉表面形成了绝缘膜。
其次，用位于不锈钢基底上方10mm的位置的筛(开孔125μm以下)筛选绝缘处理的扁平状粉(磁性粉末11)，同时使之大致均等地堆积于不锈钢基底上后，使之通过辊径50mm的2段冷轧辊进行轧制，使各扁平状粉在与上述基底平行的朝向定向，制成厚度约20μm的片状。
在氮气氛中于600℃对该片材热处理1小时后，为了片材的补强、赋予绝缘性，在两面涂布环氧系粘接剂，贴附厚度2μm的PET薄膜。
将它冲切成圆环状，用单匝法测定复数磁导率的频率依赖性。
其结果示于图17。如图17所示，该场合也显示出良好的频率特性。
(实施例11)与实施例1同样，将平均粒径约20μm的4Mo坡莫合金粉在使用甲苯作溶剂的介质搅拌磨机中粉碎，制成平均粒径约40μm、厚度0.2-0.6μm、长宽比30-120的扁平状软磁性金属粉。作为绝缘材料使用了全氢化聚硅氨烷(东燃聚硅氨烷L110、20重量％(wt％)二甲苯溶液)。全氢化聚硅氨烷溶液相对于扁平状坡莫合金粉的添加量定为4重量％。用混合机在室温混合该扁平状坡莫合金粉和全氢化聚硅氨烷30分钟。其后，在大气气氛中于300℃保持60分钟，将全氢化聚硅氨烷转化成SiO2，在扁平Mo坡莫合金粉表面形成了绝缘膜。
其次，用位于不锈钢基底上方10mm的位置的筛(开孔125μm以下)筛选绝缘处理的扁平状粉(磁性粉末11)，同时使之大致均等地堆积于不锈钢基底上后，使之通过辊径50mm的2段冷轧辊进行轧制，使各扁平状粉在与上述基底平行的朝向定向，制成厚度约20μm的片状。
在氮气氛中于600℃对该片材热处理1小时后，为了赋予片材的可挠曲性、绝缘性，在其表背两面配置厚度2μm的PET薄膜，再在220℃、10MPa的条件下施行2分钟热压接。
将它冲切成圆环状，用单匝法测定复数磁导率(实数部μ’、虚数部μ”)的频率依赖性。其结果，可得到具有μ’＝150、μ”＝26(在1MHz下)，μ’＝55、μ”＝45(在100MHz下)磁导率的磁性片材(复合磁性体)。并且，该片材即使弯曲90度也没有缺口、裂纹发生。
(实施例12)与实施例1同样，将平均粒径约20μm的4Mo坡莫合金粉在使用甲苯作溶剂的介质搅拌磨机中粉碎，制成平均粒径约40μm、厚度0.2-0.6μm、长宽比30-120的扁平状软磁性金属粉。作为绝缘材料使用了全氢化聚硅氨烷(东燃聚硅氨烷L110、20重量％(wt％)二甲苯溶液)。全氢化聚硅氨烷溶液相对于扁平状坡莫合金粉的添加量定为4重量％。用混合机在室温混合该扁平状软磁性金属粉和全氢化聚硅氨烷30分钟。其后，在大气气氛中于300℃保持60分钟，将全氢化聚硅氨烷转化成SiO2，在扁平Mo坡莫合金粉表面形成了绝缘膜。
其次，用位于不锈钢基底上方10mm的位置的筛(开孔125μm以下)筛选绝缘处理的扁平状粉(磁性粉末11)，同时使之大致均等地堆积于不锈钢基底上后，使之通过辊径50mm的2段冷轧辊进行轧制，使各扁平状粉在与上述基底平行的朝向定向，制成厚度约20μm的片状。
在氮气氛中于600℃对该片材热处理1小时后，为了赋予强度、绝缘性和阻燃性，浸渍于柔软性无机涂覆材料(常磐电机株式会社制；FJ803)的20％溶液中10分钟。从溶液中提起该片材后，通过在室温使溶剂挥发，施行表面涂覆。其后，在空气中于80℃保持20分钟，固化该无机粘合剂。此时的磁性片材(复合磁性体)的强度显示出与图16所示的丁缩醛系、丙烯酸酯系同等的值。
以上说明了本实施方案和实施例，但本发明不限定于此，在保护范围内可作各种的变形、变更，这是本领域人员所通晓的。
如上详细所叙述，根据本发明，能够得到在高频、特别是在满足EMC标准上成为问题的数十MHz至数GHz的高频区比以往的磁性体和树脂复合片材高的复数磁导率和优良的电绝缘性。另外，由于还可同时满足片材厚度0.1mm以下，因此能够使EMI应对部件小型化。此外，由于也不需要将扁平状软磁性金属粉与树脂和溶剂混合而浆化，因此能够控制制造成本，在价格也有利。
权利要求
1.一种复合磁性体，其是由软磁性金属相和介于所述软磁性金属相之间的绝缘相构成，其中该复合磁性体是由含有扁平状软磁性金属粉和在该金属粉表面形成的绝缘膜的磁性粉末压接接合而形成的，所述绝缘膜构成所述绝缘相，且所述扁平状软磁性金属粉构成所述软磁性金属相。
2.一种电磁波吸收片材，其具备含有扁平状软磁性金属粉和在该金属粉表面形成的绝缘膜的磁性粉末通过在其厚度方向层叠、从而形成所规定的厚度的软磁性层，和覆盖所述软磁性层表面的电绝缘层。
3.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述软磁性层的所述扁平状软磁性金属粉在大致一定的方向定向。
4.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述软磁性层的厚度为5-100μm。
5.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述电绝缘层的厚度为50μm以下。
6.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述电绝缘层是由树脂材料构成的。
7.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，形成所述软磁性层的所述扁平状软磁性金属粉的厚度为0.1-1μm。
8.根据权利要求2所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述软磁性层中的所述扁平状软磁性金属粉的占空因数为75％以上。
9.一种电磁波吸收片材，其具备具有层状的软磁性金属相和介于该软磁性金属相之间的绝缘相，厚度为5-100μm的磁性层，和在所述磁性层的两面形成的厚度50μm以下的绝缘层。
10.根据权利要求9所记载的电磁波吸收片材，其进一步具备在一面侧与所述磁性层接触的所述绝缘层的另一面侧形成的、由导电性材料构成的导电层。
11.根据权利要求10所记载的电磁波吸收片材，其特征是，所述导电层中用其他绝缘层覆盖与接触所述绝缘层的一侧相反的一侧的面。
12.一种片状物品的制造方法，其具备在扁平状软磁性金属粉的表面形成绝缘膜的绝缘膜形成工序；和将在所述扁平状软磁性金属粉的表面形成了所述绝缘膜的磁性粉末在堆积的状态下赋予加压力、据此将所述磁性粉末相互接合的接合工序。
13.一种电磁波吸收片材的制造方法，其具备堆积含有扁平状软磁性金属粉和在该金属粉表面形成的绝缘膜的磁性粉末的工序；通过对堆积的所述磁性粉末赋予加压力而使该磁性粉末相互接合、生成片状生成物的工序；和在所述片状生成物的表面形成由电绝缘材料构成的绝缘层的工序。
14.根据权利要求13所记载的电磁波吸收片材的制造方法，其特征是，在形成所述绝缘层的工序中，包括将由所述电绝缘材料形成的薄膜被覆于所述片状生成物表面。
15.根据权利要求13所记载的电磁波吸收片材的制造方法，其特征是，在形成所述绝缘层的工序中，包括将含有所述电绝缘材料的涂覆材料涂布于所述片状生成物表面。
16.根据权利要求13所记载的电磁波吸收片材的制造方法，其特征是，在生成所述片状生成物的工序中，所述扁平状软磁性金属粉通过轧制而塑性变形。
17.一种电磁波吸收片材的制造方法，其具备通过混合扁平状软磁性金属粉和绝缘材料来对所述扁平状软磁性金属粉施行绝缘，得到含有所述扁平状软磁性金属粉和在该金属粉表面形成的绝缘膜的磁性粉末的绝缘处理工序；使所述磁性粉末堆积于基底上后，轧制，使之定向，得到片状生成物的轧制定向工序；热处理所述片状生成物，缓和构成所述磁性粉末的所述扁平状软磁性金属粉的残余应力的热处理工序；和在所述片状生成物的表面形成由电绝缘材料构成的绝缘层的绝缘层形成工序。
18.根据权利要求17所记载的电磁波吸收片材的制造方法，其特征是，在所述绝缘处理工序之前，对所述扁平状软磁性金属粉施行消除应力热处理。
全文摘要
本发明的目的在于，提供在高频下具有优良的磁导率的电磁波吸收片材及其制造方法。本发明将电磁波吸收片材制成在磁性层的两面具有绝缘层的构成。磁性层通过多数的磁性粉末塑性变形并致密地堆积而形成。各个磁性粉末制成用由扁平状软磁性金属粉构成的软磁性金属相，和由在软磁性金属相的表面形成的绝缘膜构成的绝缘相形成的复合磁性体。另外，可以在位于磁性层两侧的绝缘层的一方设置导电体层，并且也可以是由绝缘层覆盖该导电体层的结构。
文档编号H01F1/26GK1586098SQ0282224
公开日2005年2月23日 申请日期2002年11月8日 优先权日2001年11月9日
发明者若山胜彦, 唐津真弘, 长勤, 桥本康雄 申请人:Tdk株式会社