专利名称：电路板及其制造方法、复制芯片、复制源基板、电光装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及电路基板间的复制技术的改良、使用该技术的显示装置(电光装置)及其制造方法。
背景技术：
在像素驱动中使用薄膜晶体管的显示装置(电光装置)例如在薄膜晶体管驱动液晶显示装置、薄膜晶体管驱动有机电致发光显示装置、薄膜晶体管驱动发光二极管显示装置、薄膜晶体管驱动电泳显示装置等中，在多数情况下，由薄膜晶体管构成装置全体的一部分，此外的大部分由布线和支撑基板等构成。当使薄膜晶体管和布线或支撑基板为一体，经过同一制造工艺制造这样的显示装置(薄膜晶体管驱动液晶显示装置)时，需要用于制造薄膜晶体管的高级、复杂的制造工艺，所以一般制造成本变得昂贵。可是，只为了布线和支撑基板，不需要高级、复杂的制造工艺，制造成本是低价的。如果分别生成薄膜晶体管和支撑基板，只对必要的部分配置薄膜晶体管，就能降低薄膜晶体管驱动显示装置的制造成本。
对于这样的希望，开发了通过在复制源基体材料上隔着剥离层形成由薄膜晶体管等元件构成的被复制层，把它一起接合到复制目标基体材料上，向剥离层照射光，使其产生剥离，使复制源基体材料从剥离层脱离，在复制目标基体材料的所需位置形成元件的复制方法。例如在特开平10-125931号公报中(专利文献1)描述了这样的复制方法。通过使用上述的复制方法，能只在必要的部分配置薄膜晶体管，所以，如果作为全体平均，能降低薄膜晶体管驱动显示装置的制造成本。
特开平10-125931号公报当使用上述的复制方法，把由包含薄膜晶体管的电路等构成的被复制体(复制芯片)向所需复制目标基体材料(例如构成显示装置的基板等)复制时，一般是通过分别在被复制体和复制目标基体材料上彼此对应形成焊盘电极(担负电连接的连接端子)，进行被复制体中包含的元件和复制目标基体材料中包含的布线等之间的电连接。这时，可靠地进行被复制体上设置的焊盘电极和复制目标基体材料上设置的焊盘电极的导通对于谋求包含复制目标基板而构成的显示装置的最终制品的合格品率的提高、成本的降低、耐久性等性能的提高是重要的课题。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供当在被复制体和复制目标基体材料之间设置焊盘电极，电连接两者时，能确保良好的导通状态的技术。
为了实现所述目的，本发明的电路板的制造方法包括在第一基板上形成包含由层叠膜形成的薄膜电路、作为用于连接该薄膜电路和其他电路的连接端子而使用的多个第一焊盘电极的复制芯片的复制芯片形成步骤；形成包含电路布线、连接在该电路布线上并且与形成在所述复制芯片中的所述第一焊盘电极分别对应而配置在复制对象区中的多个第二焊盘电极的第二基板的复制目标基板形成步骤；通过把所述第一基板上的所述复制芯片向所述第二基板上的所述复制对象区中复制，把所述薄膜电路连接在所述电路布线上，形成电路板的复制步骤；所述多个第一焊盘电极跨所述复制芯片的一面全体配置，各第一焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线而形成，由此，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各焊盘电极中形成为大致相同。
这里，本发明的“复制芯片”是指当使用上述的复制技术，具体而言，使用首先在成为复制源的基板上形成被复制体，然后向与复制源基板不同的复制目标基板(例如构成最终制品的基板)复制的剥离复制技术时，成为作为被复制体的最小单位的状态，例如包含由各种元件和它们的组合构成的电路，承担规定的功能。
当使作为这样的被复制体的复制芯片和成为复制目标的基板(第二基板)之间存在焊盘电极，进行电路的形成时，希望从复制时的对位精度的情况，在某种程度上确保焊盘电极的大小(接触面积)。因此，常常跨复制芯片的一面(复制面)的全体，取很大面积，配置焊盘电极，但是这时，复制芯片一侧焊盘电极(第一焊盘电极)跨薄膜电路的各部形成，所以很难避免在表面上产生凹凸。这样的焊盘电极的表面的凹凸容易变成导致复制时的接触不良的原因。
因此，在本发明中，形成焊盘电极，使焊盘电极的表面产生的凹凸部分的最高部即在最高部分的高度在各焊盘电极中变为基本相同。由此，能使复制芯片向复制目标基板上的复制对象区域复制时的接触面为基本相等的高度，所以能确保良好的状态。
希望所述多个第一焊盘电极在形成所述薄膜元件或薄膜布线时，通过附加高度调整膜，调整了所述凹凸部分的最高部的高度。由此，凹凸部分的最高部高度的调整变得容易。例如能利用形成上述的薄膜元件等时使用的半导体膜、导体膜或设置在它们之间的绝缘膜等形成这样的高度调整膜。这时，因为薄膜元件等的形成时一起形成高度调整膜，所以不会导致步骤的增加或复杂化，很方便。此外，也可以在用于形成薄膜元件的薄膜之外，另外设置高度调整膜。
希望在所述复制目标基板形成步骤中，所述多个第二焊盘电极覆盖存在于其下方的所述电路布线而形成，由此，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各第二焊盘电极中形成为大致相同。由此，复制目标基板(第二基板)上的复制对象区域不平坦，在形成在这里的第二电极的表面产生凹凸时，也能使复制目标基板上的复制对象区域中与复制芯片的接触面为基本相等的高度，所以能确保良好的导通状态。
希望所述多个第二焊盘电极在形成所述电路布线时，通过附加高度调整膜，调整了所述凹凸部分的最高部的高度。由此，凹凸部分的最高部的高度调整变得容易。例如能利用形成上述的电路布线时使用的导电膜、绝缘膜形成这样的高度调整膜。这时，因为能在电路布线的形成时一起形成高度调整膜，所以不会引起步骤的增加或复杂化。此外，也可以在用于形成电路布线的薄膜之外，另外形成高度调整膜。
希望所述多个第一焊盘电极在与所述最高部对应的区域中的所述层叠膜的膜结构分别相同。此外，希望所述第二焊盘电极在与所述最高部对应的区域中的所述层叠膜的膜结构分别相同。这里，在本发明中，“膜结构相同”是指膜厚、膜材料、制膜方向等任意或全部相同。这样，通过使最高部的膜结构相同，能使各焊盘电极的最高部的各种特性(例如，导电率和机械强度)更均质，所以能谋求导电状态的进一步提高、可靠性的提高。
此外，本发明的电路板的制造方法包括在第一基板上形成包含由层叠膜形成的薄膜电路、作为用于连接该薄膜电路和其他电路的连接端子而使用的多个第一焊盘电极的复制芯片的复制芯片形成步骤；形成包含电路布线、连接在该电路布线上并且与形成在所述复制芯片中的所述第一焊盘电极分别对应而配置在复制对象区中的多个第二焊盘电极的第二基板的复制目标基板形成步骤；通过把所述第一基板上的所述复制芯片向所述第二基板上的所述复制对象区中复制，把所述薄膜电路连接在所述电路布线上，形成电路板的复制步骤；所述多个第一焊盘电极跨所述复制芯片的一面全体配置，各第一焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线而形成；所述多个第二焊盘电极与所述多个第一焊盘电极的配置对应，跨所述复制对象区的全体配置，各第二焊盘电极覆盖存在于其下方的所述电路布线而形成；形成了所述第一焊盘电极和第二焊盘电极，使相对配置成为一组的第一和第二焊盘电极的各自的表面上生成的凹凸部分的最高部的高度合计基本一定。
如上所述，希望要在某种程度上确保分别形成在复制芯片和复制目标基板(第二基板)上的焊盘电极的大小(接触面积)，所以跨薄膜电路或电路布线的各部形成，很难避免在表面形成凹凸。这样的焊盘电极的凹凸容易成为引起复制时的接触不良的原因。
因此，在本发明中，关于相对配置成为一组的第一和第二电极，分别形成第一和第二焊盘电极，使各焊盘电极表面产生的凹凸部分的最高部的高度合计基本一定。由此，使相对配置的第一和第二焊盘电极分别相对配置，能确保良好的导通状态。
此外，在本发明中，关于第一和第二焊盘电极，希望使用上述的高度调整膜，调整最高部的高度。关于第一和第二焊盘电极，希望最高部的膜结构相同。基于采用相关结构的效果如上所述。
此外，在上述的本发明中，复制步骤包括在形成在复制芯片中的第一焊盘电极和形成在第二基板上的第二焊盘电极之间形成粘合层的步骤。由此，能更牢固并且可靠地连接第一和第二焊盘电极。此外，适合使用具有导电性的粘合剂、包含导电性粒子而构成的各向异性导电膜，形成粘合层。
此外，复制芯片形成步骤包括形成存在于第一基板和复制芯片之间，具有通过能量的付与而产生状态变化，与复制芯片的固定程度减弱的性质的剥离层的步骤。由此，在复制时，能容易地从第二基板剥离复制芯片。此外，在能量的付与方法中，考虑到提供热的方法和进行光照射的方法等各种方法，但是特别希望基于使用了激光的光照射的方法。根据基于光照射的方法，能进行向任意区域的能量付与，能进行正确的对位。
此外，本发明是一种复制芯片，在第一基板上形成作为至少包含由层叠膜形成的薄膜电路、用于连接该薄膜电路和其他电路的多个焊盘电极的复制单位，从该第一基板复制到形成了布线的第二基板上，其中所述多个焊盘电极跨所述复制芯片的一面全体配置，各焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线而形成，由此，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各焊盘电极中形成为大致相同。
通过采用有关结构，能使复制芯片向复制目标基板(第二基板)上的复制对象区域复制时的接触面为基本相等的高度，所以能确保良好的导通状态。
此外，本发明还提供一种在基板上形成有多个上述本发明的复制芯片的复制源基板。此外，该复制源基板最好还包括存在于基板和复制芯片之间，具有通过能量的付与而产生状态变化，与所述复制芯片的固定程度减弱的性质的剥离层。
此外，本发明还提供一种使用根据上述发明的制造方法制造的电路板而制造的电光装置。更具体而言，是组合上述的电路板和由该电路板控制动作的电光元件而构成的电光装置。或者，本发明还提供一种使用上述的复制芯片或复制源基板而制造的电光装置。由此，能提高电光装置的合格品率，降低成本，提高耐久性等的性能。此外，在本发明的“电光装置”中包含具有电致发光(EL)元件、电发光元件、等离子体发光元件、电泳元件、液晶元件等各种电光元件而构成的显示装置。
此外，本发明还提供一种把上述本发明的电光装置作为显示部使用的电子仪器。这里，在电子仪器中包含摄影机、移动电话、个人计算机、便携式信息终端装置(或PDA)、其他各种仪器。通过使用本发明的电光装置，能提供电子仪器成品率、成本的降低和耐久性等。
图1是概略表示有机EL显示装置的结构的图。
图2是说明像素的结构的图。
图3是表示芯片的内部结构的平面图。
图4是说明焊盘电极的图。
图5是说明焊盘电极的高度的图。
图6是说明形成在像素上的焊盘电极的图。
图7是说明形成在像素上的焊盘电极的图。
图8是说明本实施例的制造方法的图。
图9是说明本实施例的制造方法的图。
图10是说明使用各向异性导电膜形成粘合层时的图。
图11是表示能应用有机EL显示装置的电子仪器的具体例的图。
图12是说明被对向配置的成对的各焊盘电极的最高部高度的合计基本变为一定时的图。
图中20、30-布线；34-芯片(复制芯片)；36、36a～36j、54a～54j-焊盘电极(连接端子)；36d-1、36d-2、36f-1、36f-2、56d-1、56d-2、56f-1-最高部；40-像素电极；42-公共电极；44-发光层；100-有机EL(电致发光)显示装置；101-像素。
具体实施例方式
下面，说明应用了本发明的一个实施例的薄膜晶体管驱动型的显示装置。在本实施例中，作为薄膜晶体管驱动型的显示装置的一个例子，说明包含电光元件的一种即有机EL元件而构成的有机EL显示装置。
图1是概略表示本实施例的有机EL显示装置结构的图。图1所示的有机EL显示装置100的结构为把多个包含三个颜色像素1、2、3的像素(基本像素)101排列为矩阵状。
各颜色像素中，例如颜色像素1与红色对应，颜色像素2与绿色对应，颜色像素3与蓝色对应。使用内置了包含多个薄膜晶体管(TFT)的驱动电路(薄膜电路)的芯片驱动各像素101。
图2是说明像素101的结构的图。图2(a)表示像素101的平面图，图2(b)表示图2(a)的A-A’剖视图。此外，在图2(a)中，为了便于说明，省略显示了构成要素的一部分。
如图2所示，像素101在由玻璃等绝缘材料构成的基板10上，从下层开始按顺序层叠形成第一布线层12、第二布线层14、发光元件层16。此外，在图2(a)中，为了说明第一和第二布线层的结构，省略显示了第二布线层14的一部分和发光元件层16。
第一布线层12由形成在基板10上的布线20、用于电连接该布线20和第二布线层14中包含的布线(后面描述)之间而设置的开口部22构成。通过该开口部22，第二布线层14中包含的布线与布线20局部接触，谋求了两者的电连接。此外，在各布线之间形成绝缘部件(例如，氧化硅等)。此外，在图2(a)中，省略表示了该绝缘部件。
第二布线层14包含形成在第一布线层12上的布线30、用于电连接该布线30和发光元件层16中包含的电极(后面描述)之间的插头32、用于驱动发光元件层16的芯片34、用于电连接该芯片34和信号线30之间的由多个焊盘36构成的焊盘群38。此外，在图2(a)中虽然省略了图示，但是在各信号线30或各插头32之间形成绝缘部件(例如，氧化硅等)。此外，在图2(a)中，省略了关于芯片34的图示，但是该芯片34形成在上述的焊盘群38上。
在本实施例中，由第一布线层和第二布线层形成电路布线。此外，芯片34由多个薄膜晶体管构成，具有分别独立控制1个像素101内包含的各颜色像素1、2、3的功能。该芯片34形成在与基板10不同的其他基板(复制源基板)上，然后，从复制源基板剥离，复制到基板10上。
此外，该芯片34与“复制芯片”对应。后面将详细描述该复制方法的细节。
发光元件层16具有形成在第二布线层14上的三个像素电极40、与该像素电极40相对形成的公共电极42、配置在各像素电极40和公共电极42之间的三个发光层44、形成在公共电极42上的保护层46。此外，在各像素电极40或各发光层44之间形成绝缘部件(例如，氧化硅等)。由各像素电极40、层叠在其上的各发光层44、公共电极42形成3个发光元件(电光元件)，由各发光元件分别构成三个颜色像素1、2、3。通过上述的芯片34，通过各像素电极40对各发光层44分别独立供给电流，分别独立开关各色像素1、2、3。
下面，已具体实例，详细说明本实施例的芯片34的内部结构。
图3是表示芯片34的内部结构的平面图。在图3中，为了容易理解芯片34内包含的薄膜晶体管(TFT)或薄膜布线等的结构，省略表示这些薄膜晶体管等的上表面上设置的构成要素。关于省略了图示的构成要素，后面加以说明。
如图3所示，芯片34包含在右侧区域在上下方向排列形成的三个开关薄膜晶体管ST1、ST2、ST3、在左侧区域在左右方向排列形成的3个驱动薄膜晶体管DT1、DT2、DT3。
在本实施例中，对于一个颜色像素，由把一个开关薄膜晶体管和一个驱动薄膜晶体管组合构成的像素电路驱动。具体而言，图3所示的开关薄膜晶体管ST1按照输入信号(扫描信号)使驱动薄膜晶体管DT1工作。驱动薄膜晶体管DT1控制流向构成颜色像素1的发光层44的电流。同样，通过组合了开关薄膜晶体管ST2和驱动薄膜晶体管DT2的像素电路控制流向构成颜色像素2的发光层44的电流。通过组合了开关薄膜晶体管ST3和驱动薄膜晶体管DT3的像素电路控制流向构成颜色像素3的发光层44的电流。
上述的各开关薄膜晶体管和各驱动薄膜晶体管包含第一薄膜布线层；具有形成薄膜晶体管的有源区等的半导体膜，形成在第一薄膜布线层上的半导体层；和形成在该半导体层上的第二薄膜布线层。在图3中，为了容易区别各层，对第一薄膜布线层表示为全白，对半导体层用向右下的粗阴影线表示，对第二薄膜布线层用向右上的细阴影线表示。此外，在各层的层间形成由SiO2等构成的绝缘层。
下面，参照图3，对第一薄膜布线层、半导体层、第二薄膜布线层，进一步详细说明其结构。
第一薄膜布线层50包含薄膜布线50a～50d。薄膜布线50a兼任各开关薄膜晶体管ST1、ST2、ST3的栅电极，并且与第二布线层中包含的薄膜布线54a电连接。对于该薄膜布线50a，通过经过薄膜布线54a供给扫描信号，能控制各开关薄膜晶体管ST1、ST2、ST3的动作。
此外，薄膜布线54a在图3中省略了图示，但是实际上与设置在第二薄膜布线层的上方的焊盘(负责电连接的连接端子)电连接，通过该焊盘电极，从芯片34的外部向布线54a传递扫描信号。后面将详细说明焊盘电极。这样，在本实施例中，通过把向各开关薄膜晶体管ST1、ST2、ST3供给扫描信号的布线公共化，成为一条公共布线，不但减小第一布线层的形成所需面积，而且削减焊盘电极的数，从而实现芯片34的尺寸的缩小。由于焊盘电极数(换言之，连接点)减少，减少了在复制时发生连接不良的频度。
薄膜布线50b与半导体膜52a电连接，担负把从开关薄膜晶体管ST1供给的电流向驱动薄膜晶体管DT1传输的功能，并且兼任驱动薄膜晶体管DT1的栅电极。
薄膜布线50c通过第二布线层中包含的布线54d与半导体膜52b电连接，担负把从开关薄膜晶体管ST2供给的电流向驱动薄膜晶体管DT2传输的功能，并且兼任驱动薄膜晶体管DT2的栅电极。
薄膜布线50d与半导体膜52c电连接，担负把从开关薄膜晶体管ST3供给的电流向驱动薄膜晶体管DT3传输的功能，并且兼任驱动薄膜晶体管DT3的栅电极。
半导体层包含半导体膜52a～52k。半导体膜52a的一端一侧与薄膜布线54b连接，另一端一侧与薄膜布线50b连接，担任开关薄膜晶体管ST1的有源区。半导体膜52b的一端一侧与薄膜布线54c连接，另一端一侧与薄膜布线54d连接，担任开关薄膜晶体管ST2的有源区。半导体膜52c的一端一侧与薄膜布线54e连接，另一端一侧与薄膜布线50d连接，担任开关薄膜晶体管ST3的有源区。
半导体膜52d与薄膜布线54g、54f分别连接，并且与后面描述的焊盘电极(这里未图示)连接，担任驱动薄膜晶体管DT1的有源区。半导体膜52e与薄膜布线54h、54i分别连接，并且与后面描述的焊盘电极(这里未图示)连接，担任驱动薄膜晶体管DT2的有源区。半导体膜52f与薄膜布线54j、54k分别连接，并且与后面描述的焊盘(这里未图示)连接，担任驱动薄膜晶体管DT3的有源区。
半导体膜52g形成在薄膜布线54c的下层，用于调整形成在该薄膜布线54c的上层上的焊盘电极高度。同样，半导体膜52h形成在薄膜布线54e的下层，用于调整形成在该薄膜布线54e的上层上的焊盘电极高度。此外，半导体膜52i、52j、52k分别同样是电极，用于调整分别形成在薄膜布线54b、54a、54k上的焊盘电极高度。此外，后面将详细描述焊盘电极的细节(特别是焊盘电极“高度”的规定方法等)。
这样，在本实施例中，当形成担任薄膜晶体管的有源区的半导体膜时，一起形成用于调整焊盘电极高度的半导体膜即“高度调整膜”。由此，不会导致制造步骤的增加和复杂化，就能适当调整焊盘电极的高度。此外，除了使用半导体膜时，也可以利用薄膜布线或绝缘膜等形成高度调整膜。
第二薄膜布线层包含布线54a～54k。这里，关于形成在第二薄膜布线层的上方，担负芯片34的内部电路和外部的电连接的焊盘电极，包含与薄膜布线54a～54k的连接关系，加以说明。
图4是说明焊盘电极的图。如图4所示，在芯片34的第二薄膜布线层上方设置有10个焊盘电极56a～56j。这些焊盘电极56a～56j与上述的像素101中包含的各焊盘36(参照图2)一对一对应构成。把图4所示的芯片34颠倒，把各焊盘电极56a等与上述的图2所示的像素101中包含的焊盘群38的各焊盘电极36相对粘贴在一起，进行芯片34的复制。后面描述芯片34的复制方法。
焊盘电极56a通过形成在第二薄膜布线层上的绝缘膜上的开口部55a与薄膜布线54a电连接。通过该焊盘电极56a，从外部向薄膜布线54a提供扫描信号，驱动开关薄膜晶体管ST1～ST3。焊盘电极56b通过形成在薄膜布线54b上的绝缘膜上的开口部55b与薄膜布线54b电连接。通过该焊盘电极56b从外部向薄膜布线54b供给电流，向开关薄膜晶体管ST1的有源区供给电流。焊盘电极56c通过形成在薄膜布线54c上的绝缘膜上的开口部55c与薄膜布线54c电连接。通过该焊盘电极56c从外部向薄膜布线54c供给电流，向开关薄膜晶体管ST2的有源区供给电流。焊盘电极56d通过形成在薄膜布线54e上的绝缘膜上的开口部55d与薄膜布线54e电连接。通过该焊盘电极56d从外部向薄膜布线54e供给电流，向开关薄膜晶体管ST3的有源区供给电流。
焊盘电极56e通过形成在薄膜布线54f上的绝缘膜上的开口部55e与薄膜布线54f电连接。通过该焊盘电极56e从外部向薄膜布线54f供给电流，向驱动薄膜晶体管DT1的有源区供给电流。焊盘电极56f通过形成在薄膜布线54g上的绝缘膜上的开口部55f与布线54g电连接。该焊盘电极56f与上述的焊盘电极36之一电连接。而且，从驱动薄膜晶体管DT1输出的电流通过薄膜布线54g、焊盘电极56f、与该焊盘电极56f电连接的焊盘电极36提供给颜色像素1。
焊盘电极56g通过形成在薄膜布线54h上的绝缘膜上的开口部55g与布线54h电连接。通过该焊盘电极56g从外部向薄膜布线54h供给电流，向驱动薄膜晶体管DT2的有源区供给电流。焊盘电极56h通过形成在薄膜布线54i上的绝缘膜上的开口部55h与薄膜布线54i电连接。该焊盘电极56h与上述的焊盘电极36之一电连接。而且，从驱动薄膜晶体管DT2输出的电流通过薄膜布线54i、焊盘电极56h、与该焊盘电极56h电连接的焊盘电极36提供给颜色像素2。
焊盘电极56i通过形成在薄膜布线54j上的绝缘膜上的开口部55i与薄膜布线54j电连接。通过该焊盘电极56i从外部向薄膜布线54j供给电流，向驱动薄膜晶体管DT3的有源区供给电流。焊盘电极56j通过形成在薄膜布线54k上的绝缘膜上的开口部55j与薄膜布线54k电连接。该焊盘电极56j与上述的焊盘电极36之一电连接。而且，从驱动薄膜晶体管DT3输出的电流通过布线54k、焊盘电极56i、与该焊盘电极56i电连接的焊盘电极36提供给颜色像素3。
下面，说明芯片34上设置的各焊盘56a～56j的高度。
图5是说明焊盘电极高度的图。具体而言，图5(a)从图3和图4所示的B-B’方向观察焊盘电极56d的剖视图，图5(b)从图3和图4所示的C-C’方向观察焊盘电极56f的剖视图。
如图5(a)所示，焊盘电极56d具有两处离芯片34的底面的高度(离开的距离)最高的部分即“最高部”。而且，这两处最高部56d-1、56d-2分别为离开芯片34的底面的高度为L1。此外，如图5(b)所示，焊盘电极56f具有1处的最高部56f-1，该最高部56f-1离开芯片34的底面的高度为L1。关于未图示的其他焊盘电极56a等，也至少具有1处离开芯片34的底面的高度为L1的最高部。
即多个焊盘电极56a～56j形成在层叠薄膜布线层或半导体层而形成的薄膜电路的上表面上，所以与外部(具体而言，相对配置的各含盘电极34)的接触面变为非平坦。因此，在本实施例中，各焊盘电极至少分别具有1处最高部，并且把各焊盘电极形成为这些最高部变为基本相同的高度L1。这样，为了进行调整使最高部的高度基本在L1变为相同，把对薄膜电路的结构没有直接贡献的半导体膜(或者绝缘膜)作为高度调整膜而适当形成。
此外，在图5所示的例子中，把芯片34的底面作为“基准面”，规定了各最高部的高度L1，但是基准面并不局限于此，可以把能作为公共的基准的其他平面(例如，薄膜布线50a的形成面、半导体膜52e的形成面等)作为基准面。
下面，详细说明与形成在上述的芯片34上的各焊盘电极56a～56j一对一对应，而形成在各像素101上的多个焊盘电极36。
图6和图7是说明形成在像素101上的焊盘电极36的图。图6是放大表示包含图2所示的像素101内的焊盘电极36的区域的图。这里，为了便于说明，为了容易区别各焊盘电极36，置换焊盘电极36a～36j和符号。各焊盘电极36a～36j分别与芯片34上的焊盘电极56a～56j对应。此外，图7(a)表示从图6所示的D-D’方向观察焊盘电极36d的剖视图，图7(b)表示从图6所示的E-E’方向观察焊盘电极36f的剖视图。
如图7(a)所示，具有2处离形成了像素部101的基板10底面的高度为最高的部分即“最高部”。
而且，这2处最高部分别离基板10的底面的高度为L2。此外，如图7(b)所示，焊盘电极36f具有2处最高部36f-1、36f-2，这些最高部36f-1、36f-2的高度变为L2。而且在其他未图示的焊盘电极36a，也分别至少具有1处离基板10的底面的高度为L2的最高部。
即多个焊盘电极34a～34j形成在层叠布线层或绝缘层而形成的电路布线的上表面上，所以与外部(具体而言，相对配置的各焊盘电极56a)的接触面变为非平坦。因此，在本实施例中，各焊盘电极分别至少具有1处最高部，并且形成各焊盘电极，使它们的最高部变为基本相同的高度L2。此外，多个焊盘电极34a～34j在与最高部对应的区域中的层叠膜的膜结构分别相同。
此外，在图7所示的例子中，虽然未特别设置高度调整膜，但是有时根据焊盘电极的形成位置也有必要设置。这时，为了把最高部的高度调整为在L2变为相同，把对电路布线的结构没直接贡献的绝缘膜作为高度调整膜而适当形成，就可以了。具体的方法与上述的焊盘电极56a的情形(参照图5)同样。
本实施例的芯片34具有上述的结构，下面，说明本实施例的有机EL显示装置的制造方法。在本实施例中，使用在复制源基板上形成多个上述的芯片34，然后把该芯片34从第一基板剥离，复制到构成有机EL显示装置的基板上的复制技术。在以下的说明中，着眼于芯片34的复制方法详细说明。
图8和图9是说明本实施例的制造方法的图。该复制方法包含以下说明的第一步骤～第五步骤。
<第一步骤>
第一步骤如图8(a)所示，在复制源基板60上形成剥离层(光吸收层)62。
复制源基板60希望具有光能透射的透光性。由此，能通过复制源基板向剥离层照射光，通过光照射，能迅速正确地使剥离层剥离。这时，希望光的透射率为10％以上，更希望为50％以上。该透射率越高，光的衰减(损失)越小，以更小的光量就能使剥离层62剥离。
此外，复制源基板60希望由可靠性高的材料构成，特别希望由耐热性优异的材料构成。其理由在于在形成作为被复制体的芯片34时，根据其种类或形成方法，有时工艺温度升高(例如350～1000℃左右)，即使在这种情况下，只要复制源基板60的耐热性优异，可扩大在向复制源基板60上形成芯片34时的温度条件等成膜条件的设定范围。由此，在复制源基板上制造多个芯片时所需的高温处理成为可能，能制造可靠性高，高性能的元件或电路。
因此，当复制源基板60在芯片34的形成时的最高温度为Tmax时，希望由变形点为Tmax以上的材料构成。具体而言，复制源基板60的构成材料希望变形点为350℃以上，更希望在500℃以上。作为这样的材料，列举出石英玻璃、锥形7059、日本电气玻璃OA-2等耐热性玻璃。
此外，复制源基板60的厚度虽然未特别限制，但是通常希望为0.1～5.0mm左右，更希望为0.5～1.5mm。如果复制源基板60的厚度更厚，则强度进一步上升，如果更薄，则当复制源基板60的透射率低时，更难产生光的衰减。
此外，当复制源基板60的光透射率高时，其厚度可以超过所述上限值。此外，为了能均匀照射光，复制源基板60的厚度希望是均匀的。
这样，在复制源基板中存在各种条件，但是复制源基板与成为最终制品的复制目标基板不同，能重复利用，所以即使使用比较高价的材料，通过重复使用，也能减小制造成本的上升。
剥离层62具有吸收照射的光，在其层内和/或界面上产生剥离(以下称作“层内剥离”、“界面剥离”)的性质，希望通过光的照射，构成剥离层62的物质的原子间或分子间的键力消失或减少，即产生磨损，达到层内剥离和/或界面剥离。
也有通过光的照射，从剥离层62放出气体，表现分离效果的情形。即存在剥离层62中包含的成分变为气体放出的情形；剥离层62吸收光，一瞬间变为气体，放出蒸汽，有助于分离的情形。作为这样的剥离层62的组成，例如列举出以下的A～F中所述的组成。
(A)非晶体硅(a-Si)在该非晶体硅中可以包含氢(H)。这时，H的含量希望为2原子％以上左右，更希望为2～20原子％左右。
(B)氧化硅或硅酸化合物、氧化钛或钛酸化合物、氧化锆或锆酸化合物、氧化镧或镧酸化合物等各种氧化物陶瓷、介电体(强介电体)或半导体。
(C)PZT、PLZT、PLLZT、PBZT等陶瓷或介电体(强介电体)或半导体。
(D)氮化硅、氮化铝、氮化钛等氮化物陶瓷。
(E)有机高分子材料作为有机高分子材料，可以是具有-CH-、-CO-(酮)、-CONH-(氨基化合物)、-NH-(酰亚胺)、-COO-(酯)、-N＝N-(偶氮)、-CH＝N-(希夫氏碱)(通过光的照射，它们的键被切断)的材料，特别是具有很多这些键的材料。此外，有机高分子材料可以是在构成式中具有芳香族炭化氢(1或2以上的苯环或它的锁合环)。
作为这样的有机高分子材料的具体例，列举出聚乙烯、聚丙烯等聚烯、聚酰亚胺、聚酰胺、聚酯、聚甲基丙烯酸甲酯(PMMA)、聚苯撑硫化物(PPS)、聚酯磺(PES)、环氧树脂等。
(F)金属作为金属，列举出Al、Li、Ti、Mn、In、Sn、Y、La、Ce、Nd、Pr、Gd、Sm或至少包含它们中的一种的合金。另外，也能用含氢合金构成剥离层。当对剥离层使用含氢合金时，伴随着光的照射，放出氢，由此，促进剥离层的剥离。
此外，也能用含氮合金构成剥离层。当对剥离层使用了含氮合金时，伴随着光的照射，放出氮，由此，促进剥离层的剥离。也能使剥离层为多层膜构成的。多层膜例如可以是非晶体硅膜和其上形成的金属膜构成的。作为多层膜的材料，能由所述陶瓷、金属、有机高分子材料的至少一种构成。
剥离层62的形成方法并未特别限定，按照膜组成和膜厚等各条件适当选择。例如，列举出CVD、溅射等各种气相成膜法、各种电镀法、旋转镀膜等涂敷法、各种印刷法、复制法、喷墨涂敷法、粉末喷涂法等，也能组合它们中的两个以上，形成剥离层。
此外，图8(a)中虽然未表示，但是可以按照复制源基板60和剥离层62性能，在复制源基板60和剥离层62之间设置用于提高两者的紧贴性的中间层。该中间层例如在制造时或使用时，发挥作为在物理上或化学上保护被复制层的保护层、绝缘层、阻止成分向被复制层的转移或来自被复制层的转移(移动)的阻碍层、反射层的功能中的至少一种。
<第二步骤>
下面，说明第二步骤。第二步骤如图8(b)所示，在剥离层62上形成多个芯片34。把由多个芯片34构成的层称作被复制层64。
在薄膜晶体管的制造中，要求某种程度的高温工艺，形成薄膜晶体管的基体材料有必要像复制源基板那样满足各种条件。在本实施例的制造方法中，能用满足各种条件的复制源基板制造薄膜晶体管后，把薄膜晶体管复制到不满足该制造条件的最终基板上。即在本实施例的制造方法中，具有作为最终基板，能使用由更廉价的材料构成的基板，能削减制造成本的优点；能使用具有挠性的柔性基板，最终基板的选择范围变大的优点。
这里，说明被复制层64中的各芯片34的分离。作为各芯片34的分离方法，考虑到通过蚀刻分离的方法，特别是不设置用于分离的结构的方法、只分离剥离层的方法和通过在复制源基板上形成规定的结构从而容易分离为各被复制体的方法。这里，说明完全分离各芯片34的方法。
如图8(c)所示，为了把各芯片34分别分离，在相当于芯片34的区域的外周通过湿蚀刻或干蚀刻等形成成为凹部结构的沟62c，把各芯片34残留为岛状。该沟62c在基板的厚度方向，切割被复制层64的全部以及剥离层62的全部(参照图8(c))或一部分(参照图8(d))。该切割可以是比只以被复制层64为对象的更浅的。该沟62c除了如图8(d)所示，蚀刻形成到剥离层62的一部分，也可以如图8(c)所示，完全蚀刻剥离层62，使各芯片34和其正下方的剥离层62以相同形状残留为岛状。形成同样的芯片34，以等间隔进行蚀刻，把各被复制体配置在复制源基板60上，在剥离步骤(后面描述的步骤4和5)中，能容易地只复制所需的芯片34。
通过预先切割被复制层64，能使剥离体的一部分沿着该区域的形状整齐地剥离，能防止该区域在剥离时被破坏。此外，能使伴随着剥离的被复制层64的破断不波及相邻区域。此外，通过在膜厚方向切割，即使用于把特定的芯片34接合到复制目标基体材料上的粘合层的接合力弱时，也能剥离芯片34。此外，成为复制对象的区域的外观明确，所以基板间的复制时的对位变得容易。
此外，如图8(e)所示，也可以进行过蚀刻，使剥离层62向芯片34的接合面积比被复制体的剥离层接合面的全面积还小。这样，通过对剥离层62过蚀刻，剥离层的面积减小，所以在向剥离层62照射光进行剥离时，能用小的力可靠地剥离，并且通过缩小剥离层62，能减少剥离时所必要的光能。
如图8(d)所示，只蚀刻被复制层64，形成沟62c，使剥离层62保持连续而残留。如果能对形成了芯片的区域无遗漏地付与能量，就能使该区域的剥离层62可靠地产生剥离，所以，即使在剥离层62自身上不设置裂缝，也能只使所需的被复制体剥离。
<第三步骤>
接着，如图9(a)所示，一边把复制源基板60的形成芯片34一侧的面和复制目标基板66的复制芯片34一侧的面对齐，一边重叠，通过按照必要附加按压力，有选择地只把应该复制的芯片34通过具有导电性的粘合层68接合到复制目标基板66上。
这里，在本实施例中，在上述的基板10上形成第一布线层12，在该第一布线层12上形成了布线30和焊盘电极36的状态的基板(参照图2)相当于图9(a)所示的复制目标基板66。而且，使该复制目标基板66中包含的各焊盘电极36和成为复制对象的芯片34上设置的各焊盘56a电极接触，进行芯片34的粘贴。
作为构成上述的粘合层68的粘合剂的合适的例子，列举出反应固化型粘合剂、热固化型粘合剂、紫外线固化型粘合剂等光固化型粘合剂等各种固化型粘合剂。作为粘合剂的组成，例如，可以是环氧类、丙烯酸脂类、硅类等任意的材料。此外，当使用市场上销售的粘合剂时，使用的粘合剂通过添加适当的容积，调节为适合于涂敷的粘度。
在本实施例中，粘合层68只在应该复制的芯片34上形成，或者只在与应该复制的芯片34对应的复制目标基板66上形成。能应用各种印刷法或液体喷出法，实施这样的粘合层68的局部形成。在液体喷出法中，存在利用压电体的变形，喷出液体的压电喷射法；或通过热产生气泡，使液体喷出的方法等。在本实施例中，例示了使用喷墨涂敷(液体喷出)法的粘合层68的形成。
此外，如图10所示，也适合使用包含导电性粒子而构成的各向异性导电膜形成粘合层69。这时，没必要在各焊盘电极上分别设置粘合层，所以并不这么要求对位精度。
<第四步骤>
接着，如图9(b)所示，从复制源基板60和复制目标基板66的接合体的复制源基板60一侧，通过只向应该复制的芯片34的剥离层62有选择地照射光L，只在支撑应该复制的芯片34的剥离层62产生剥离(层内剥离和/或界面剥离)。
剥离层62的层内剥离和/或界面剥离产生的原理是由于在剥离层62的构成材料中产生磨损，此外，剥离层62中包含的气体的放出，还有照射之后产生的熔化、蒸发(气化)等相变。
这里，磨损是指吸收了照射光的固定材料(剥离层62的构成材料)在光化学上或在热方面被激励，其表面和内部的原子或分子的键被切断，被放出，主要表现为剥离层62的构成材料的全部或一部分产生熔化、蒸发(气化)等相变的现像。此外，有时由于所述相变，变为微小气泡状态，键力下降。
剥离层62产生层内剥离或界面剥离、或者双方，这些被剥离层62的组成或其他各种原因左右，作为原因之一，列举出照射的光的种类、波长、强度、到达深度等条件。
作为照射的光L，如果能使剥离层62产生层内剥离和/或界面剥离，就可以任意的，例如X射线、紫外线、可见光、红外线、激光等。
其中，在容易产生剥离层62的剥离(磨损)，并且能实现高精度的局部照射的方面，希望是激光。作为激光，希望是具有波长100nm～350nm的激光。这样，通过使用激光，提高了光照射精度，而且能高效进行剥离层62的剥离。
作为使这样的激光产生的激光装置，适合使用受激准分子激光器。受激准分子激光器在短波区输出高能量，所以能以极短时间使剥离层62产生磨损，因此，在相邻的复制目标基板66和第一基板等上基本不发生升温，能在芯片34不会产生劣化、损伤的前提下，剥离剥离层62。
或者，使剥离层62发生例如气体放出、气化、升华等相变，提供分离特性时，照射的激光的波长希望为350nm～1200nm左右。该波长的激光能使用YAG、气体激光等在一般加工领域广泛使用的激光光源和照射装置，能以廉价并简单地进行光照射。此外，通过使用这样的可见光区波长的激光，复制源基板60具有可见光透光性就可以了，能扩展复制源基板60的选择自由度。
此外，照射的激光的能量密度，特别是受激准分子激光时的能量密度希望为10～5000mJ/cm2左右，更希望100～500mJ/cm2左右。此外，照射时间希望为1～1000nsec左右，更希望为10～100nsec左右。能量密度越高，或照射时间更长，容易发生磨损，而能量密度越低，或照射时间更短，能降低由于透过剥离层62的照射光而对芯片34产生不良影响的可能性。
<第五步骤>
接着，如图9(c)所示，在复制源基板60和复制目标基板66上，通过在使双方分开的方向作用力，从复制目标基板66取下复制源基板60。通过所述第四步骤应该复制目标基板66上的芯片34的剥离层62从芯片34剥离，所以这些应该复制的芯片34与复制源基板60切断。此外，应该复制的芯片34通过粘合层68接合在复制目标基板66上。
此外，在所述第四步骤中，希望剥离层62完全产生剥离，但是应该复制的芯片34的粘合层68的接合强度比基于残存的剥离层62的接合力更大，结果，当复制源基板60和复制目标基板66分离时，如果应该复制的芯片34可靠地复制到复制目标基板66一侧，则可以只使剥离层62的一部分产生剥离。
这样，被复制体的复制由通过剥离层的剥离而减弱的剥离层的结合力、应用于被复制体的粘合层的结合力的相对力关系决定。如果基于剥离层的剥离充分，则即使粘合层的结合力弱，被复制体的复制也是可能的，相反，如果基于剥离层的剥离不充分，但是粘合层的结合力高，就能复制被复制体。
如图9(c)所示，通过从复制目标基板66剥离复制源基板60，把芯片34复制到复制目标基板66上的所需位置。然后，通过形成覆盖芯片34的绝缘部件，形成图2所示的布线层14，再在布线层14上形成发光元件层16，就形成了有机EL显示装置100。
此外，在复制到复制目标基板66上的芯片34中，有时附着了剥离层62的残余成分，希望完全除去它。用于除去残存的剥离层62的方法例如能从洗净、蚀刻、灰化、研磨等方法、或组合它们的方法中适当选择。
同样，当在结束了芯片34的复制的复制源基板60的表面附着了剥离层62的剥离残余成分时，能与所述复制目标基板66同样除去。由此，能把复制源基板60再利用(循环)。这样，通过再利用复制源基板60，能省去制造成本的浪费。这在使用由石英玻璃等高价材料、稀有材料构成的复制源基板60时特别有效。
这样，在本实施例中，对于设置在芯片34一侧的焊盘电极、设置在复制目标基板66(形成了像素101的基板10)一侧的焊盘电极，形成各焊盘电极，使其表面的凹凸部分的最高部即最高部分的高度变为大致相同。由此，能使芯片34向基板10上的复制对象区域复制时的接触面为基本相等的高度，所以能确保良好的导通状态。
下面，说明包含本实施例的有机EL显示装置100的各种电子仪器。图11是表示能应用本实施例的有机EL显示装置100的电子仪器的具体例的图。
图11(a)是移动电话的应用例，该移动电话230具有天线部231、声音输出部232、声音输入部233、操作部234和本实施例的有机EL显示装置100。这样，能把本发明的显示装置作为显示部利用。
图11(b)是摄影机的应用例，该摄影机240具有受像部241、操作部242、声音输入部243、本实施例的有机EL显示装置100。这样，能把本发明的显示装置作为寻像器或显示部利用。
图11(c)是便携式个人计算机的应用例，该个人计算机250具有相机部251、操作部252、本实施例的有机EL显示装置100。这样，能把本发明的显示装置作为显示部利用。
图11d(d)是头盔式显示器的应用例，头盔式显示器260具有带子261、光学系统容纳部262和本实施例的有机EL显示装置100。这样，能把本发明的显示装置作为图像显示源利用。
此外，本发明的显示装置100并不局限于上述例子，例如能应用于带显示功能的传真装置、数字相机的寻像器、便携式TV、电子记事本等各种电子仪器中。
此外，本发明并不局限于上述的实施例的内容，在本发明的宗旨的范围内，能做各种变更。例如，在上述的实施例中，作为本发明的电光装置的一例，使各焊盘电极56a～56j中包含的“最高部”的高度都为L1，并且使各焊盘电极36a～3 6j中包含的“最高部”的高度都为L2，但是关于相对配置成一组的焊盘电极，形成各焊盘电极，使表面上产生的凹凸部分的最高部的合计变为基本一定，也能取得与所述实施例同样的效果。
图12是说明相对配置成一组的各焊盘电极的最高部的部分合计变为基本一定的情形的图。在图12中，分别相对配置、成对形成焊盘电极136a和焊盘电极156a、焊盘电极136b和焊盘电极156b。此外，在图12中，省略了对形成在各焊盘电极的下方的层叠膜的表示。
形成在复制芯片134一侧的各焊盘电极中，焊盘电极156a的最高部的高度为L11，焊盘电极156b的最高部的高度为L12，两者的高度不同。此外，形成在基板110一侧的各焊盘电极中，焊盘电极136a的最高部的高度为L21，焊盘电极136b的最高部的高度为L22，两者的高度不同。可是，如果着眼于成对的焊盘电极的最高部的高度，则形成了各焊盘电极，焊盘电极136a和焊盘电极156a的最高部高度的合计与焊盘电极136b和焊盘电极156b的最高部高度的合计基本相同。
这样，在图12所示的实施例中，形成了各焊盘电极，使关于成对的一组焊盘电极，最高部的高度合计分别变为一定。通过这样形成各焊盘电极，也能更可靠地确保电连接。
此外，在上述的实施例中，作为本发明的电光装置的一例，说明了有机EL显示装置，但是，本发明的应用范围并不局限于此，能应用于使用其它各种电光元件(例如，等离子体发光元件、电泳元件、液晶元件等)构成的电光装置。此外，本发明的应用范围并不局限于电光装置及其制造方法，也能广泛应用于使用复制技术形成的各种装置。
权利要求
1.一种电路板的制造方法，其特征在于包括在第一基板上形成包含由层叠膜形成的薄膜电路、和作为用于连接该薄膜电路与其他电路的连接端子而使用的多个第一焊盘电极的复制芯片的复制芯片形成步骤；形成包含电路布线、和与该电路布线连接的并且与形成在所述复制芯片中的所述多个第一焊盘电极分别对应而配置在复制对象区域中的多个第二焊盘电极的第二基板的复制目标基板形成步骤；通过把所述第一基板上的所述复制芯片向所述第二基板上的所述复制对象区域中复制，把所述薄膜电路连接在所述电路布线上，形成电路板的复制步骤；遍及所述复制芯片的一面的全体面配置所述多个第一焊盘电极，各第一焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各焊盘电极中大致相同。
2.根据权利要求1所述的电路板的制造方法，其特征在于所述多个第一焊盘电极在形成所述薄膜元件或薄膜布线时，通过附加高度调整膜，调整所述凹凸部分的最高部的高度。
3.根据权利要求1或2所述的电路板的制造方法，其特征在于在所述复制目标基板形成步骤中，形成所述多个第二焊盘电极，使其覆盖存在于其下方的所述电路布线，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各第二焊盘电极中大致相同。
4.根据权利要求3所述的电路板的制造方法，其特征在于所述多个第二焊盘电极在形成所述电路布线时，通过附加高度调整膜，调整所述凹凸部分的最高部的高度。
5.根据权利要求1～4中任意一项所述的电路板的制造方法，其特征在于所述多个第一焊盘电极在与所述最高部对应的区域中的所述层叠膜的膜结构分别相同。
6.根据权利要求1～4中任意一项所述的电路板的制造方法，其特征在于所述多个第二焊盘电极在与所述最高部对应的区域中的所述层叠膜的膜结构分别相同。
7.一种电路板的制造方法，其特征在于包括在第一基板上形成包含由层叠膜形成的薄膜电路、和作为用于连接该薄膜电路与其他电路的连接端子而使用的多个第一焊盘电极的复制芯片的复制芯片形成步骤；形成包含电路布线、和与该电路布线连接的并且与形成在所述复制芯片中的所述多个第一焊盘电极分别对应而配置在复制对象区域中的多个第二焊盘电极的第二基板的复制目标基板形成步骤；通过把所述第一基板上的所述复制芯片向所述第二基板上的所述复制对象区域中复制，把所述薄膜电路连接在所述电路布线上，形成电路板的复制步骤；遍及所述复制芯片的一面的全体面配置所述多个第一焊盘电极，各第一焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线；所述多个第二焊盘电极对应所述多个第一焊盘电极的配置，被配置在遍及所述复制对象区域的全体区域，各第二焊盘电极覆盖存在于其下方的所述电路布线；形成所述第一焊盘电极和第二焊盘电极，使相对配置成为一组的第一和第二焊盘电极的各自的表面上生成的凹凸部分的最高部的高度合计基本一定。
8.根据权利要求7所述的电路板的制造方法，其特征在于所述复制步骤包括在形成在所述复制芯片中的所述第一焊盘电极和所述形成在所述第一基板上的所述第二焊盘电极之间形成粘合层的步骤。
9.根据权利要求1～7中任意一项所述的电路板的制造方法，其特征在于所述复制芯片形成步骤包括形成存在于所述第一基板和所述复制芯片之间，具有通过能量的付与而产生状态变化，与所述复制芯片的固定程度减弱的性质的剥离层的步骤。
10.一种复制芯片，在第一基板上形成作为至少包含由层叠膜形成的薄膜电路、用于连接该薄膜电路和其他电路的多个焊盘电极的复制单位，从该第一基板复制到形成了布线的第二基板上，其特征在于遍及所述复制芯片的一面的全体面配置所述多个焊盘电极，各焊盘电极覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线，在表面生成的凹凸部分的最高部的高度在各焊盘电极中大致相同。
11.一种在基板上形成有多个权利要求10所述的复制芯片的复制源基板。
12.根据权利要求11所述的复制源基板，其特征在于所述复制源基板还包括存在于所述基板和所述复制芯片之间，具有通过能量的付与而产生状态变化，与所述复制芯片的固定程度减弱的性质的剥离层。
13.一种使用根据权利要求1～9中任意一项所述的制造方法制造的电路板而制造的电光装置。
14.一种把权利要求13所述的电光装置作为显示部使用的电子仪器。
全文摘要
本发明的复制芯片是一种在第一基板上形成至少包含由层叠膜形成的薄膜电路和用于连接该薄膜电路与其他电路的多个焊盘电极的复制单位，从该第一基板被复制到形成了布线的第二基板上的复制芯片，其中多个焊盘电极(56d，56f)遍及复制芯片的一面的全体进行配置，各焊盘电极(56d，56f)覆盖存在于其下方的构成所述薄膜电路的薄膜元件或薄膜布线而形成。由此，在表面生成的凹凸部分的最高部(56d－1、56d－2、56f－1)的高度在各焊盘电极(56d、56f)中形成为大致相同。从而，在被复制体和复制目标基体材料之间设置焊盘电极，进行两者的电连接时，能确保良好的导通状态。
文档编号H01L21/00GK1497664SQ20031010071
公开日2004年5月19日 申请日期2003年10月8日 优先权日2003年10月8日
发明者木村睦 申请人:精工爱普生株式会社