光刻装置和检测物体的正确夹紧的方法

专利名称：光刻装置和检测物体的正确夹紧的方法
技术领域：
本发明涉及一种光刻投影装置，其包括至少一个可在其上夹紧物体的支撑结构，支撑结构和夹紧在该支撑结构上的物体形成了隔腔；以及与所述隔腔相通的供给装置，所述供给装置构造并设置成可为所述隔腔提供流体。
背景技术：
通常在光刻投影装置中，至关重要的是能够检测物体是否已被正确地放置在支撑结构上。例如晶片台上的晶片或掩模台上的掩模均是这种情况。为此，支撑结构和/或物体设计成使得能与放置于该支撑结构上的物体一起形成一个封闭的空间。在大气状况下工作的光刻装置中，物体通常通过抽空所述封闭空间而与支撑结构相连或被“夹紧”。然后通过测量该空间内的压力或该空间的流量来检测物体在支撑结构上的存在。当存在物体时，压力或流量与不存在物体时不同。然而，对于在相对较高的真空状况下工作的光刻装置如采用远紫外线辐射(EUV)的光刻装置来说，这一原理并不可行。
在这种真空环境下，夹紧通过静电力来实现。已经提出了电容性测量来检测物体是否已被正确地放置或具有良好的接触。由于对电磁干扰的敏感性，或者由于很多种物体材料均具有不同的电性质，使得其电容存在着不同的变化，因此这种测量同样并不能很好地实行。
从上述中可以清楚，现有技术中存在的问题是在真空状况下判定物体是否已被正确地放置于支撑结构上，例如将晶片放置在晶片台上，所谓的“机械手夹紧(handler clamp)”或“曝光针”，或将掩模放置在夹盘上。
例如在美国专利US6576483B1中提出了一种用于所述问题的解决方案，其中公开了一种用于支撑和夹紧半导体晶片的系统。这种已知的系统包括电极和夹子，晶片被夹在它们之间。电极包括朝向晶片背侧打开的细槽，使得该细槽将所述背侧暴露在通过设于电极中的一个或多个孔而供应的气体中。所述孔又与气体供给装置相连。这种已知系统的细槽具有一定的尺寸，使得与其正确位置偏离超过一定阈值的晶片会部分地暴露出该细槽，因此气体就会从该细槽中泄漏出来。供给装置包括用于检测从细槽中泄漏出来的气体的气流检测器，并可提供偏离了其正确位置的晶片的相应检测。
在美国专利US6401359B1中提出了一种类似的解决方案，其中公开了能够检测供应到晶片和支撑所述晶片的安装架之间的空间内的传热气体的泄漏以便确定所述晶片是否被正确地放置在所述安装架上的系统。在US6401359B1中所公开的系统采用了流量计来执行所述检测。流量计测量所述气体的流率，并通过比较器将其与阈值进行比较。
已知系统的一项缺点在于，当它在采用高度真空的光刻装置中使用时，放置不当的晶片或掩模的实际检测可能会花费较长的时间，即可能会有无法接受的气体量被释放到所述物体周围的真空空间中。

发明内容
因此，本发明的一个目的是提供一种光刻装置，它能够在真空状况下至少部分地消除上述缺点或至少提供一种已知系统的替代物。
特别是，本发明的一个目的是提供一种光刻装置，其中能够快速地确定支撑结构如晶片台或掩模台上的物体如晶片或掩模的正确放置，而不受任何电磁干扰和所述物体的电特性的影响。
这一目的通过下述光刻装置来实现。该光刻装置包括至少一个可在其上夹紧物体的支撑结构。支撑结构和夹紧在该支撑结构上的物体形成了一个隔腔，供给装置与所述隔腔相通。所述供给装置构造并设置成可为所述隔腔提供流体，其中供给装置包括设置成可测量流体流速和流体压力中的至少一个随时间的变化的仪表，以便检测所述物体是否被正确地夹紧在所述支撑结构上。
通过将(回填)气体泵送到物体(如晶片)和支撑结构(如晶片台或上述支撑结构)之间的空间内，就可以如上所述地检测到晶片在晶片台上的正确放置。这是因为，如果回填气体能够从隔腔中逸出，那么晶片就未被正确地放置，这种逸出可通过测量该空间内的压力和/或到该空间的流量来确定。通过测量流体的流速或压力的变化，就不再需要等待且观察是否达到了流体流速或压力的预期端值。当物体并未在支撑结构上正确地夹紧时，流速不会达到(近似)零值，或者压力不会达到其预期端值而是一个更低的值。这意味着对于放置不当的物体而言，流速或压力随时间的变化将与物体被正确地夹紧的情况不同，即更小一些。这种测量几乎紧接于开始对隔腔供应流体之后进行。在为正确夹紧的物体确定了所述隔腔内的流体流速和/或压力的典型过程曲线时，随时间的早期测量将揭示流速或压力的测量值、即该值的实际过程曲线是否与所述确定的过程曲线相对应。
在另一实施例中，所述仪表是与控制单元相连的流速计，该控制单元设置成可接收表示了所述流体的流速的值，并设置成可确定所述流体的流速随时间的变化和将所述变化与所述变化的预定值进行比较。这就使得能够在较早的阶段检测晶片是否被正确地放置。如果晶片被正确地放置，那么流速将会比晶片未被正确地放置时下降地更快。最终，对于正确放置的晶片而言流速将在一段有限的时间内达到零，而对于未被正确放置的晶片而言流速只是接近于零。
在另一实施例中，所述仪表是与控制单元相连的压力计，该控制单元设置成可接收表示了所述流体压力的值，并设置成可确定所述流体的压力随时间的变化和将所述变化与所述变化的预定值进行比较。同样，压力差将随时间的变化而增大，这使得能够检测晶片是否被正确地放置。在晶片被正确地放置的情况下，能够更快速地达到任何预定的压力(以及预定的最终压力)。
在另一实施例中，所述至少一个支撑结构包括用于支撑可根据所需图案来使投影光束形成图案的图案形成装置的第一支撑结构，以及用于固定衬底的第二支撑结构，其中所述装置还包括用于提供辐射投影光束的辐射系统和用于将形成了图案的光束投影到衬底的目标部分上的投影系统，所述图案形成装置或所述衬底中的至少一个被夹紧在第一支撑结构或第二支撑结构上。
在另一实施例中，所述流体为含有氩气的气体。氩气是一种惰性气体，其优点是不容易与其周围环境发生反应，并且与用于泄漏检测的氦气截然不同。也可以采用例如氮气和氧气的气体。
在另一实施例中，供给装置能够在预定的时间内将隔腔内的压力从第一级别提高到第二级别，并在之后将该压力从第二级别降低到第三级别。物体压力的暂时性提高用作测试，以确定夹紧力在存在有加速度的期间是否能充分地夹紧该物体，这种加速度状况会在光刻投影装置的运输过程中施加在物体上。
本发明还涉及一种检测由支撑结构和夹紧于所述支撑结构上的物体形成了隔腔的支撑结构上的物体是否被正确夹紧的方法，所述方法包括-对所述隔腔提供流体尤其是气体；-测量所述流体的流速和所述流体的压力中的至少一个随时间的变化。
本发明还涉及一种可由根据本发明的光刻投影装置中的控制单元来加载的计算机程序产品，所述计算机程序产品包括允许所述控制单元执行上述方法的指令和数据。
本发明还涉及一种带有上述计算机程序产品的数据载体。
本发明还涉及一种可用于根据本发明的光刻装置的支撑结构。
这里所用的用语“图案形成装置”应被广义地解释为可用于使入射辐射光束的横截面具有一定图案的装置，此图案与将在衬底的目标部分中产生的图案相对应；用语“光阀”也可用于此上下文中。一般来说，所述图案对应于将在目标部分中形成的器件如集成电路或其它器件(见下文)中的某一特定功能层。这种图案形成装置的例子包括-掩模。掩模的概念在光刻技术中是众所周知的，其包括例如二元型、交变相移型、衰减相移型的掩模类型，以及各种混合式掩模类型。将这种掩模放入辐射光束中会导致照射在掩模上的辐射根据掩模上的图案而产生选择性的透射(在透射掩模的情况下)或反射(在反射掩模的情况下)。在采用掩模的情况下，支撑结构通常为掩模台，其保证可将掩模固定在入射辐射光束内的所需位置上，并且如有需要可使掩模相对于光束运动；-可编程的镜阵列。这种装置的一个示例是具有粘弹性控制层和反射面的矩阵寻址的表面。此装置的基本原理是(例如)反射面的可寻址区域将入射光反射为衍射光，而非寻址区域将入射光反射为非衍射光。采用合适的滤光器可从反射光束中滤掉所述非衍射光，只留下衍射光；这样，光束根据矩阵寻址的表面的寻址图案而形成图案。可编程的镜阵列的另一实施例采用微型镜的矩阵设置，通过施加合适的局部电场或通过采用压电致动装置可使各微型镜围绕某一轴线各自倾斜。同样，这些镜子是矩阵寻址的，使得寻址镜将以不同于非寻址镜的方向反射所入射的辐射光束；这样，反射光束根据矩阵寻址镜的寻址图案而形成图案。可利用合适的电子装置进行所需的矩阵寻址。在上述两种情况中，图案形成装置可包括一个或多个可编程的镜阵列。在采用可编程的镜阵列的情况下，所述支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的；和
-可编程的LCD阵列。如上所述，在这种情况下支撑结构例如可为框架或台，其可根据要求为固定的或可动的。
为简便起见，本文的余下部分在某些位置具体地集中到涉及掩模和掩模台的示例上；然而，在这些示例中讨论的基本原理应在上述图案形成装置的更广泛的上下文中进行理解。
光刻投影装置例如可用于集成电路(IC)的制造中。在这种情况下，图案形成装置可产生与IC的单个层相对应的电路图案，而且此图案可成像于已涂覆有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底(硅晶片)上的目标部分(例如包括一个或多个管芯)上。通常来说，单个晶片包含相邻目标部分的整个网络，它们通过投影系统一次一个地连续地被照射。在现有装置中，在采用掩模台上的掩模来形成图案时，在两种不同类型的机器之间存在着差异。在一种光刻投影装置中，通过将整个掩模图案一次性地曝光在目标部分上来照射各目标部分；这种装置通常称为晶片分档器或步进-重复装置。在通常称为步进-扫描装置的另一种装置中，通过沿给定的基准方向(“扫描”方向)在投影光束下渐进地扫描掩模图案并以平行于或反向平行于此方向的方向同步地扫描衬底台来照射各目标部分；通常来说，由于投影系统具有一个放大系数M(通常小于1)，因此衬底台被扫描的速率V为掩模台被扫描的速率的M倍。
在采用光刻投影装置的制造工艺中，图案(例如掩模中的图案)被成像在至少部分地覆盖有一层辐射敏感材料(抗蚀剂)的衬底上。在此成像步骤之前，可对衬底进行各种工序，例如涂底层、抗蚀剂涂覆和软焙烘。在曝光后可对衬底进行其它工序，例如曝光后焙烘(PEB)、显影、硬焙烘和对所成像的特征进行测量/检查。此工序排列用作使器件例如IC的单个层形成图案的基础。随后可对这种形成了图案的层进行各种加工，例如蚀刻、离子注入(掺杂)、金属化、氧化、化学机械抛光等，所有这些工序均用于完成单个层的加工。如果需要多个层，那么必须对各个新层重复进行整个工序或其变型。最后，在衬底(晶片)上设置器件阵列。随后这些器件通过例如切片或切割技术而相互分开，以便将这些单个的器件安装在与引脚相连的载体等上。
为简便起见，在下文中将投影系统称为“透镜”；然而，此用语应被广义地理解为包括各种类型的投影系统，例如包括折射光学系统、反射光学系统和反射折射光学系统。辐射系统也可包括根据任一种这些设计类型来进行操作以对辐射投影光束进行引导、成形和控制的部件，这些部件在下文中统称或单独地称为“透镜”。另外，光刻装置可以是具有两个或多个衬底台(和/或两个或多个掩模台)的那种类型。在这种“多级”装置中，可使用并联的附加台，或者可在一个或多个台上进行预备工序而将一个或多个其它的台用于曝光。
虽然在本文中将具体地参考IC制造中的光刻装置的使用，然而应当明确地理解，这种光刻装置还具有许多其它的可能应用。例如，它可用于集成光学系统、用于磁畴存储器的引导和检测图案、液晶显示面板、薄膜磁头的制造等。本领域的技术人员可以理解，在这种替代性应用的上下文中，本文中的“分划板”、“晶片”或“管芯”的任何使用均可分别被更通用的用语“掩模”、“衬底”和“目标部分”所代替。
在本文中，用语“辐射”和“光束”用于包括所有类型的电磁辐射，包括紫外线(UV)辐射(例如波长为365，248，193，157或126毫微米)和远紫外线(EUV)辐射(例如具有5-20毫微米范围内的波长)，以及粒子束，例如离子束或电子束。


下面将结合附图来说明本发明，附图只用于显示例子，并不限制保护范围，在附图中图1是光刻投影装置的示意性整体视图；
图2显示了本发明的一个实施例的示意性配置；图3是对于供给系统中的气体而言的流速与时间的曲线图；图4是供给系统中的压力与时间的曲线图，和图5显示了用于测试夹紧有效性的压力的暂时性提高。
具体实施例方式
图1示意性地显示了根据本发明的一个特定实施例的光刻投影装置1。该装置包括-用于提供波长为11-14毫微米辐射(例如EUV辐射)的投影光束PB的辐射系统Ex，IL。在此特定情况下，该辐射系统还包括辐射源LA；-设有用于固定掩模MA(如分划板)的掩模固定器的第一载物台(掩模台)MT，其与用于将掩模相对于物体PL精确定位的第一定位装置PM相连；-设有用于固定衬底W(如涂覆有抗蚀剂的硅晶片)的衬底固定器的第二载物台(衬底台)WT，其与用于将衬底相对于物体PL精确定位的第二定位装置PW相连；-用于在衬底W的目标部分C(例如包括一个或多个管芯)上对掩模MA的被照亮部分进行成像的投影系统(“透镜”)PL。
如这里所述，此装置为反射型(例如具有反射掩模)。然而通常来说，它也可以是透射型(例如带有透射掩模)。或者，此装置可以采用另一种图案形成装置，例如上述类型的可编程的镜阵列。
源LA(例如激光致等离子或放电等离子的EUV辐射源)产生辐射光束。此光束直接地或在穿过调节装置如光束扩展器Ex后被馈送给照明系统(照明器)IL。照明器IL可包括用于设定光束强度分布的外部和/或内部径向范围(通常分别称为σ-外部和σ-内部)的调节装置。此外，它通常还包括各种其它的部件，例如积分器IN和聚光器CO。这样，照射在掩模MA上的光束PB在其横截面上具有所需的均匀性和强度分布。
在图1中应当注意到，源LA可位于光刻投影装置的外壳内(例如当源LA为水银灯时通常是这样)，但也可远离光刻投影装置，源所产生的辐射光束被引入该装置中(例如借助于合适的导向镜)；当源LA为准分子激光器时通常为后一种情形。本发明和权利要求包括了这两种情况。
光束PB随后与固定在掩模台MT上的掩模MA相交。在被掩模MA反射后，光束PB通过透镜PL，透镜PL将光束PB聚焦在衬底W的目标部分C上。借助于第二定位装置PW(以及干涉测量仪IF)，衬底台WT可精确地移动，例如将不同的目标部分C定位在光束PB的路径中。类似地，可用第一定位装置PM相对于光束PB的路径对掩模MA进行精确的定位，例如在将掩模MA从掩模库中机械式地重新取出之后或者在扫描过程中。通常来说，借助于图1中未明确描述的长行程模块(粗略定位)和短行程模块(精确定位)，可实现载物台MT，WT的移动。然而，在采用晶片分档器的情况下(与步进-扫描装置相反)，掩模台MT可只与短行程致动器相连，或被固定住。掩模MA和衬底W可分别采用掩模对准标记M1，M2和衬底对准标记P1，P2来对准。
所述装置可用于两种不同的模式中1.在步进模式中，掩模台MT基本上保持静止，整个掩模图案被一次性投影(即单次“闪光”)到目标部分C上。然后沿x和/或y方向移动衬底台WT，使得光束PB可照射不同的目标部分C；和2.在扫描模式中，除了给定的目标部分C没有在单次“闪光”中曝光之外，基本上采用相同的方案。作为替代，掩模台MT以速度ν沿给定方向(所谓的“扫描方向”，例如y方向)移动，从而使投影光束PB可在掩模图像上扫描；同时，衬底台WT以速度V＝Mν沿相同或相反的方向同时移动，其中M为透镜PL的放大系数(通常来说M＝1/4或1/5)。这样，可以对较大的目标部分C进行曝光而不会降低分辨率。
图2所示的实施例包括支撑结构，其具有其上设有夹具3的晶片夹盘2。在夹具3的表面上设有突起4，其为待夹紧于支撑结构上的物体形成了支撑面。在突起4之间存在着彼此相通的空间7。如图所示，晶片5置于夹具3上。晶片夹盘2、夹具3和晶片5的组件形成了一个包括有空间7的隔腔，该隔腔通过入口9和供给通道11与流体存储腔13相连。所用的流体最好为含有氩气的气体，下面将根据该优选实施例来介绍本发明。在晶片5和晶片夹盘2之间设有密封部分19，其设置成可防止气体进入到容纳了该组件的空间内。在供给通道11中设有仪表15，其用于测量通过供给通道11的气体流量或隔腔中的压力。通过在供给通道11中使用例如泵或(减压)阀21，就可以改变隔腔中的压力。
图2所示示例中的泵或阀21设置成可对隔腔提供所谓的“回填气体”。而且，在供给通道11的与真空腔25相连的支路中设有另一阀23。通过打开阀23，就可将存在于隔腔中的任何回填气体吸走。泵21设置成可以两种方式工作即它可增大和降低隔腔内的压力。在以后一种方式工作时，泵21将从隔腔中排出回填气体。在晶片夹盘2内设有电极17，其可对晶片5施加静电力，以便吸引晶片5并随后将晶片5夹紧在夹具3上。为此，对电极17提供来自电压源27的适当供应电压。在实践中，这一电极17可分成若干个电极面。一个电极面位于夹具3内并将晶片5吸引到夹具3上，另一电极面也位于夹具3内，夹具3被夹紧在晶片夹盘2上。另一电极面即接地电极位于晶片夹盘2和夹具3之间。
如果晶片5被正确地夹紧，那么隔腔应当是基本上不透气的。这里使用了用语“基本上不透气的”，这是因为实际上总是有非常少量的气体从隔腔中泄漏出来。
在将晶片5置于夹具3上之后，就通过仪表15来测量供给通道11中的流量或压力。随时间的变化来执行该测量，这样就可在一段时间内获取两次连续的测量。如果流量未足够快地达到最好应为零的预定值，和/或压力未足够快地达到作为端压力的预定压力，那么就可推断出在夹具3/密封部分19和晶片5之间存在着气体泄漏，这可能是由晶片5在夹具3上的放置不当所引起的。这将参考图3和4来更详细地讨论。
设置了与电压源27、仪表15、泵21和阀23相连的控制单元29。控制单元29设置成可根据例如来自操作人员的设定来正确地操作这些部件，并且还接收测量值/工作条件。
而且，控制单元29具有输出端以便为操作人员提供适当的输出数据，例如用于打印机(未示出)、显示器(未示出)等的数据形式的输出数据。控制单元29可由带有适当软件的计算机来实现，或者由带有适当模拟电路和/或数字电路的控制器来实现。而且，控制单元29实际上可包括两个或多个子单元，它们均设计成可执行一项或多项任务。
在图3和4中详细地显示了用于检测晶片5的正确放置的过程。图3显示了代表两种情况下的随时间变化的流速之间的关系的曲线。曲线“a”表示了在晶片5被正确夹紧的情况下随时间变化的流速的过程曲线。可以看到，随着时间的过去，流速接近零，隔腔是基本上不透气的，即没有气体从隔腔中泄漏出来。另一方面，曲线“b”表示了晶片5未被正确夹紧且流速不接近(近似)零值的情况。这表明有气体从隔腔中泄漏出来，因此晶片5可能是放置不当。
对图4来说同样如此，其中显示了随时间变化的供给通道11中的测量压力。当晶片5被正确地放置的情况下，该压力接近于由直线“c”表示的最终压力P。当无法足够快地达到该最终压力(曲线“d”)时，这同样意味着可能存在晶片放置的问题。
从图3和4中可以清楚地看出，曲线b和d的斜率与各自相关的曲线a和c存在较大差异。曲线a的斜率等于(f2-f1)/(t2-t1)，而曲线b的斜率等于(f’2-f’1)/(t2-t1)。曲线c的斜率等于(p4-p3)/(t4-t3)，而曲线d的斜率等于(p’4-p’3)/(t4-t3)。
这意味着通过测量气体的流速或压力的变化，就可以快速地确定流速或压力的过程曲线是否与预期的过程曲线相一致。特别是，不再需要等待并观察是否达到了气体流速或压力的预期端值。变化或过程的测量可几乎紧接于对隔腔供应气体之后进行。当对一个正确夹紧的物体确定了气体流速和/或压力的典型过程曲线时，随时间变化的早期测量就可揭示流速或压力的测量值、即该值的实际过程曲线是否与所述确定的过程曲线相一致。
图5显示了为了确定晶片5和夹具3之间的夹紧有多牢固，可使用泵21从时间t5开始将隔腔内的气体压力暂时性地增大到较高的压力PE。从时间t6开始使压力回到初始压力(即t5之前的压力)PS。压力的这种增大(以及随后的压力降低，但后者并不是严格需要的)用于测试晶片5是否被足够牢固地夹紧并例如在运输过程中仍能保持夹紧。该测试如下所述地进行在压力增加的期间，由仪表15来准确地监控这一物理量，这样仪表15应为压力计。如果隔腔是(基本上)不透气的，那么仪表15就几乎立即显示出压力的增大。如果不是这样的话，那么就表示存在着泄漏，晶片5存在放置不当。
或者，仪表15可以是流速计。在压力增加后的一段时间内，当隔腔是(基本上)不透气的时流速必须为零，这表示晶片放置正确。自然，不同于图5所示脉冲形状的其它脉冲形状也是可以采用的。
虽然已经介绍了本发明的一个特定实施例，然而应当理解，本发明可以不同于上述的方式来实施。此说明书并不意味着限制了本发明。特别是，应当理解，本发明可在光刻装置的掩模部分或衬底部分中的一个或全部中使用。
权利要求
1.一种光刻装置(1)，包括-至少一个可在其上夹紧物体(W；MA；5)的支撑结构(MT；WT)，所述支撑结构(MT；WT)和夹紧在所述支撑结构(MT；WT)上的所述物体(W；MA；5)形成了隔腔，和-与所述隔腔相通的供给装置(11)，所述供给装置(11)构造并设置成可为所述隔腔提供流体，其中，所述供给装置(11)包括设置成可测量流体流速和流体压力中的至少一个随时间的变化的仪表(15)，以便检测所述物体(W；MA；5)是否被正确地夹紧在所述支撑结构(MT；WT)上。
2.根据权利要求1所述的装置(1)，其特征在于，所述仪表(15)是与控制单元相连的流速计，所述控制单元设置成可接收表示了所述流体的流速的值，并设置成可确定所述流体的流速随时间的变化和将所述变化与所述变化的预定值进行比较。
3.根据权利要求1所述的装置(1)，其特征在于，所述仪表(15)是与控制单元相连的压力计，所述控制单元设置成可接收表示了所述流体的压力的值，并设置成可确定所述流体的压力随时间的变化和将所述变化与所述变化的预定值进行比较。
4.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，其特征在于，所述至少一个支撑结构包括-用于支撑图案形成装置(MA)的第一支撑结构(MT)，所述图案形成装置(MA)用于根据所需的图案使投影光束(PB)形成图案，-用于固定衬底(W；5)的第二支撑结构(WT)，并且所述装置(1)还包括-用于提供辐射投影光束(PB)的辐射系统，和-用于将形成了图案的光束投影到所述衬底(W；5)的目标部分上的投影系统(PL)，并且所述图案形成装置(MA)或所述衬底(W；5)中的至少一个分别夹紧在所述第一支撑结构(MT)或第二支撑结构(WT)上。
5.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，其特征在于，所述流体为含有氩气的气体。
6.根据上述权利要求中任一项所述的装置(1)，其特征在于，所述供给装置(11)能够在预定的时间内将所述隔腔内的压力从第一级别提高到第二级别，并在之后将所述压力从所述第二级别降低到第三级别。
7.根据权利要求6所述的装置(1)，其特征在于，所述压力级别处于8毫巴到12毫巴的范围内，最好为10毫巴。
8.根据权利要求6或7所述的装置(1)，其特征在于，所述时间段处于1秒到30秒的范围内。
9.一种用于检测物体(W；MA；5)在支撑结构(MT；WT)上的正确夹紧的方法，其中所述支撑结构(MT；WT)和夹紧在所述支撑结构(MT；WT)上的所述物体(W；MA；5)形成了隔腔，所述方法包括-对所述隔腔提供流体尤其是气体；-测量所述流体的流速和所述流体的压力中的至少一个随时间的变化。
10.一种可由根据权利要求1到8中任一项所述的光刻装置(1)中的控制单元来加载的计算机程序产品，所述计算机程序产品包括允许所述控制单元执行根据权利要求9所述的方法的指令和数据。
11.一种带有根据权利要求10所述的计算机程序产品的数据载体。
12.一种用于根据权利要求1到8中任一项所述的光刻装置的支撑结构(MT；WT)。
全文摘要
公开了一种光刻装置(1)，其包括可夹紧物体(W；MA；5)的支撑结构(MT；WT)。支撑结构(MT；WT)和夹紧于其上的物体(W；MA；5)形成了隔腔。供给装置(11)与隔腔相连并为隔腔提供流体。供给装置(11)包括仪表(15)，其可测量流体的流速或压力中至少一个的变化。
文档编号H01L21/027GK1521567SQ200410005520
公开日2004年8月18日 申请日期2004年2月11日 优先权日2003年2月12日
发明者H·A·J·尼霍夫, H A J 尼霍夫 申请人:Asml荷兰有限公司