专利名称：液晶显示装置的制作方法
技术领域：
本发明是关于一种液晶显示装置，特别是关于一种平面内切换型(In Plane Swiching，IPS)液晶显示装置。
背景技术：
液晶显示装置，是平面显示装置中的一种，其经过几十年来的发展，不仅在笔记本电脑的应用上一统天下并随着其增长而增长，还在如监视器等领域占据越来越大的份额。而其渐成主流的背后动力，是技术的显著进步带来的显示效果的提高及价格的下降。
从简单矩阵驱动到主动矩阵驱动，液晶显示装置的显示对比度有了明显的提高，为了克服先前技术中液晶垂直扭转导致的视角较小的缺陷，许多公司都研发出相关的广视角技术，而平面内切换技术就是其中颇具优势的一种。其原理为像素电极和公共电极构成一平行于基底的电场，使液晶分子在和基底平行的平面内转动以改变光线的穿透率，可达到较大的观察视角。其典型结构为相互平行并交错排列的梳齿状的像素电极和公共电极，该梳齿状电极结构只有一单域电场，通电时液晶分子只有一个偏转方向，从不同视角观察，对比度不高且易产生色差。
一种现有技术平面内切换型液晶显示装置的一像素区域P可参照2002年10月1日公告的美国专利第6459465号，如图1所示，该像素区域P具有数据线115，垂直于数据线115的闸极线113，和数据线115平行的公共线135，薄膜晶体管(Thin Film Transistor，TFT)120，公共电极133和像素电极131，该薄膜晶体管120设置在该数据线115和该闸极线113的交界处，其进一步包括分别和该闸极线113、数据线115及像素电极131连接的闸极121、源极123及汲极125，该公共电极133和该公共线135连接。其像素电极131和公共电极133相互平行交错排列，相对于普通梳齿状电极而言，其改进为像素电极131和公共电极133是弯折条形，产生一双域电场。
请参照图2，是图1所示II区的放大图。由于该像素电极131和公共电极133是折线形，因此，在加电压时，该像素电极131和公共电极133之间产生一双域电场，在该电场作用下液晶分子130沿两个方向偏转，使该像素在显示效果上被分成两个区域，在较偏的观察视角下，两个区域引起的色差可相互补偿，因此和普通梳齿状电极相比，采用此结构电极的液晶显示装置有较好的广视角特性。
但是，在折线的弯折处，电场方向为两个电场方向叠加，该处的液晶分子偏转方向不确定，不能正常偏转，穿透率低，使得光线不能正常通过，导致该平面内切换型液晶显示装置亮度降低。
发明内容为克服现有技术的液晶显示装置具有色差、亮度低、视角特性不佳的问题，本发明提供一种减少色差、亮度高、有较佳视角特性的液晶显示装置。
本发明解决技术问题所采用的技术方案是提供一种液晶显示装置，其包括一透明上基底；一和该上基底相对设置的下基底；一位于上基底和下基底之间的液晶分子层；形成在上基底或下基底之上的多个像素区域；设置在闸极线和数据线交叉处的薄膜晶体管，其闸极和闸极线连接，源极和数据线连接；像素电极和公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列；其中，该像素电极和公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。
相较于现有技术，由于本发明液晶显示装置的像素电极和公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由折线型结构和曲线型结构两种弯曲结构构成，且弯曲部分中外凸部分是折线型，凹陷部分是曲线型，该像素电极的曲线型凹陷部分对应公共电极的折线型外凸部分，其消除了现有技术折线弯折处液晶偏转异常的现象从而提高亮度；同时其产生多域电场，使得液晶分子在电场作用下向不同的方向偏转，观察时由于不同方向的液晶分子相互补偿，可消除色差，因此其在各个方向的视角特性更优。
图1是现有技术液晶显示装置一像素区域的平面示意图。
图2是图1所示II区的放大示意图。
图3是本发明液晶显示装置第一实施方式一像素区域的平面示意图。
图4是图3沿IV-IV方向的到面图。
图5是图4所示V区的放大示意图。
图6是本发明液晶显示装置第二实施方式一像素区域的剖面图。
具体实施方式请参阅图3和图4，分别是本发明液晶显示装置第一实施方式一像素区域的平面示意图及沿IV-IV方向的剖面图，并以图4所示定义上下左右的方向。该液晶显示装置包括一透明上基底201，一和该上基底201相对设置的下基底202，位于上基底201和下基底202之间的液晶层203，多个设置在下基底202上并相互垂直的闸极线211及数据线212，多个设置在该闸极线211和该数据线212交叉处的薄膜晶体管220，至少一公共线213，连接区231，和该闸极线211平行的连接线232，像素电极233及公共电极243，位于闸极221上的闸极绝缘层262及钝化层261。
该薄膜晶体管220包括闸极221、源极222及汲极223。该公共线213位于下基底202且和该闸极线211平行，该像素电极233和公共电极243相应于该像素区域设置，在本实施方式中其均匀设置在下基底202上，该钝化层261形成在源极222、汲极223及闸极绝缘层262上。该公共电极243和该像素电极233相互平行交错排列，其所平行的方向和闸极线211垂直，该像素电极233及公共电极243为弯曲形状，该弯曲部分由折线型结构和曲线型结构两种弯曲结构构成，且弯曲部分中外凸部分是折线型，凹陷部分是曲线型，该像素电极233的曲线型凹陷部分对应公共电极243的折线型外凸部分。
该闸极线211和该薄膜晶体管220的闸极221连接以传输扫描信号，该扫描信号被传送至像素电极233。闸极绝缘层262及钝化层261位于像素电极233和公共电极243之间，可隔离两者以避免其接触，像素电极233接收影像信号后，其和公共电极243之间的电位差使得两电极之间形成近似平行于上基底201及下基底202的电场，此电场使液晶层203中的液晶分子偏转而改变光线的穿透率以显示图像。由于像素电极233和公共电极243是由至少两个弯曲形结构组成的弯折线，其产生多域电场，使得液晶分子在电场作用下向不同的方向偏转，观察时由于不同方向的液晶分子相互补偿，可消除色差，因此其在各个方向的视角特性更优。
请参阅图5，是图3所示V区的放大示意图。该像素电极233及公共电极243是弯曲形状，且平行交错排列，该弯曲部分由折线型结构和曲线型结构两种弯曲结构构成，且弯曲部分中外凸部分是折线型，凹陷部分是曲线型，该像素电极233的曲线型凹陷部分对应公共电极243的折线型外凸部分，从而弯折处的线宽C比未弯折处的线宽D宽，弯折处的像素电极233和公共电极243之间的距离要比未弯折处短。当有电压施加于两者时，液晶层203中的液晶分子(未标示)沿电场方向偏转，由于弯折处的两电极之间的距离要比未弯折处短，防止此处的电场集中，从而消除了现有技术中的双域交界处的电场异常及其导致的液晶分子偏转异常，因此现有技术中的穿透率较低的情形可以避免，从而能达到较高的亮度。
本发明液晶显示装置的公共电极和像素电极对应每一像素区域，可以有如钝化层等隔离层存在于两电极之间，而使两电极位于不同层；或将公共电极和像素电极置于同一层以产生平行性更优的电场，此时像素电极和汲极的连接可通过如本发明连接区或其他方式实现。
本发明液晶显示装置的公共线、公共电极及像素电极可采用透明导电材料如氧化铟锡(Indium Tin Oxide，ITO)等。当采用透明材料时，可获得较高的开口率，因而会有较高的亮度。
本发明液晶显示装置也可包括一彩色滤光片(图未示)，设在任一基板上。该彩色滤光片包括多个像素，每一像素包括红、绿、蓝三个子像素。
请参阅图6，是本发明液晶显示装置第二实施方式的剖面图。其和第一实施方式不同之处在于公共电极343和像素电极333是形成在上基底301上。
本发明液晶显示装置公共电极及像素电极的弯曲部分的数量并不仅限于本发明实施方式所描述，其可根据公共电极243和像素电极233的间距及弯曲部分的大小不同而改变。
本发明液晶显示装置的像素电极和公共电极的平行方向和闸极线垂直。此时其公共线可和闸极线平行；也可采用和闸极线垂直的公共线，通过增加一和闸极线平行的公共连接线和公共电极连接。该公共线可以是一条，也可以是多条，其和公共电极可以是直接连接或通过其他连接方式构成电学连接。
权利要求
1.一种液晶显示装置，其包括一透明上基底；一和该上基底相对设置的下基底；一位于该上基底和下基底之间的液晶分子层；设置在上基底或下基底之上的多个闸极线及数据线；设置在该闸极线和数据线交叉处的薄膜晶体管，该薄膜晶体管包括闸极、源极及汲极，其闸极和闸极线连接，源极和数据线连接；形成在上基底或下基底之上的像素电极及公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列；其特征在于该像素电极和该公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。
2.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该两种弯曲结构分别是折线型结构和曲线型结构。
3.如权利要求2所述的液晶显示装置，其特征在于该弯曲部分中外凸部分是折线型，凹陷部分是曲线型。
4.如权利要求3所述的液晶显示装置，其特征在于该像素电极的曲线型凹陷部分对应公共电极的折线型外凸部分。
5.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该像素电极和公共电极是透明导电材料。
6.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该像素电极和公共电极位于同一层或不同层。
7.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该像素电极和薄膜晶体管汲极具有电学连接。
8.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该闸极线和数据线相互垂直。
9.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该数据线和像素电极是平行设置。
10.如权利要求1所述的液晶显示装置，其特征在于该液晶显示装置进一步包括一位于任一基底上的彩色滤光片，该彩色滤光片包括多个子像素。
全文摘要
本发明公开一种液晶显示装置，其包括相对设置的一透明上基底和一透明下基底；一位于上基底和下基底之间的液晶分子层；形成在上基底或下基底之上的像素电极及公共电极，该像素电极和公共电极平行交错排列，其中，该像素电极和该公共电极为弯曲形状，该弯曲部分由两种弯曲结构构成。
文档编号H01L29/786GK1797138SQ20041009193
公开日2006年7月5日 申请日期2004年10月29日 优先权日2004年10月29日
发明者林泽民, 陈鹊如, 彭家鹏 申请人:群康科技(深圳)有限公司, 群创光电股份有限公司