专利名称：传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。
背景技术：
目前，用于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件的尺寸基本上均为六英寸以下，同时承载部件的壁比较厚。尺寸小影响传输承载能力，部件壁厚使得热导率低，不利于温度、气流的均匀性。这些缺陷均影响晶片器件的质量和生产成本的降低。
制约半导体器件发展的重要原因之一在于此种部件多以石英玻璃、单晶硅、多晶硅材料为主。其中石英玻璃软化点低(1100℃)，易发生高温蠕变造成晶片变形粘结。在1200℃以上的扩散过程中，尤其是晶圆尺寸的变大，石英因高温负重过大而产生变形，在晶圆自动化输送过程中无法对位，石英玻璃材料已远远不能满足晶片制造工艺的需要。该特性限制了传输承载部件的形状厚，尺寸小，无法做到六英寸以上，形状厚而笨拙。而如果采用单晶硅、多晶硅做出大尺寸的晶舟，由于高温强度低，易发生脆性断裂，不耐化学腐蚀，加工难度大。
大直径晶片每片可分割成几百个芯片，为提高生产效率和节约成本向大直径发展是近年的趋势。由于近年来，晶片尺寸从4吋(105mm)发展至12吋(达到300mm以上)，线宽从2微米发展到90纳米，对于制造过程中的气氛均匀性和纯净度的要求更趋严格。对每一种直径的晶片都需要想对应的尺寸的传输承载部件。所以用碳化硅大口径薄壁异型部件替代传统部件已成半导体器件发展的必然趋势。
发明内容
要解决的技术问题为了避免现有技术的不足之处，本实用新型提供了一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，采用碳化硅材料制成、结构形状为弧形主体且根据情况可以提供大尺寸的传输承载部件。
技术方案本实用新型的技术特征在于在一个用碳化硅材料做成的弧形主体2的内部两端刻槽4，晶片1放在弧形主体2内部或插在弧形主体内部刻槽两个以上4。
在两端的刻槽4上可以插入档片1。
弧形主体2的底部可以磨平或制成平面，可以增加传输承载部件的稳定性。
弧形主体2的端部还可以打孔3，用于传输承载过程中方便勾取部件。
弧形主体2的弧度等于或小于π。
在两端槽4的内部还可以刻若干比槽4细的槽。
有益效果本实用新型的有益效果是，采用碳化硅材料做成的这种壁薄弧形部件，可以实现大尺寸传输承载部件，增加了部件单位长度内晶片的承载量。由于没有高温蠕变现象，晶片可以紧密地排列在部件内，可以实现晶片与晶舟内弧紧密配合有利于稳定传输，且在高温无变形粘结现象。碳化硅材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50～100倍，降低了半导体器件制造成本。
图1弧形部件结构图1-档片2-弧形主体3-孔4-槽具体实施方式
现结合附图对本实用新型作进一步描述以用于半导体功率器件制造工艺中4英寸晶片扩散部件为例。
弧形主体2采用高纯碳化硅材料，弧的外径＝114mm、弧的内径＝105mm；内部两端的刻槽4为槽的内径＝109mm 槽宽＝3mm；弧形主体2的长度＝170mm；弧形主体2的端部孔3直径＝12mm，端部与孔中心距＝12mm；挡片直径＝109mm、挡片厚＝3mm；利用本传输承载部件制作4英寸晶片，无高温蠕变，有较高的传输承载能力。由于降低了整体部件的壁厚，热导率高，利于温度、气流的均匀性。稳定晶片工艺参数，提高工艺温度，缩短工艺时间，提高了使用寿命，降低器件的生产成本。
权利要求1.一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于在一个用碳化硅材料做成的弧形主体(2)的内部两端刻槽(4)。
2.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于在两端的刻槽(4)上可以插入档片(1)。
3.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于弧形主体(2)的底部可以磨平或制成平面。
4.根据权利要求1或2所述的传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于弧形主体(2)的端部还可以打孔(3)。
5.根据权利要求1或2所述的传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于弧形主体(2)的弧度等于或小于π。
6.根据权利要求1所述的传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，其特征在于在两端槽(4)的内部还可以刻若干比槽(4)细的槽。
专利摘要本实用新型涉及一种传输承载晶片的高纯碳化硅弧形部件，属于半导体器件制造过程氧化、扩散、LPCVD工艺中晶片的传输承载部件。技术特征在于采用碳化硅材料制成、结构形状为弧形主体且根据情况可以提供大尺寸的传输承载部件。在一个用碳化硅材料做成的弧形主体的内部两端刻槽，晶片放在弧形主体内部或插在弧形主体内部刻槽两个以上。有益效果是，可实现大尺寸传输承载部件，增加了单位长度内晶片的承载量。由于没有高温蠕变现象，晶片可以紧密地排列在部件内，可实现晶片与晶舟内弧紧密配合有利于稳定传输，且在高温无变形粘结现象。碳化硅材料耐化学腐蚀，使用寿命与石英玻璃、单晶硅、多晶硅提高了50～100倍，降低了半导体器件制造成本。
文档编号H01L21/68GK2743967SQ20042004210
公开日2005年11月30日 申请日期2004年6月29日 优先权日2004年6月29日
发明者陈刚, 刘定冕, 刘磊磊 申请人:西安希朗材料科技有限公司