高频电路元件的制作方法

专利名称：高频电路元件的制作方法
技术领域：
本发明涉及具有多个共振器的高频电路元件。这样的高频电路元件可以作为通信系统中所使用的高频信号处理装置的滤波器及分波器而良好地使用。
背景技术：
高频电路元件具有作为构成共振器的基本要素，是高频通信系统中不可缺少的要素。例如，移动通信系统由于要求有效地利用高频频带，所以要求具有作为窄带滤波器功能的高频电路元件。而且，在移动通信的基站及通信卫星中，强烈要求窄频带、低损失，且小型、耐大电力的滤波器的开发。
而且，在近年来取得进步的毫米波及准毫米波带的无线通信系统中，虽然历来是使用导波管的滤波器，但目前强烈要求小型、低损失的滤波器。
在现在所使用的共振器滤波器等高频电路元件中，使用传送线路结构。使用传送线路结构的高频电路元件是小型化的，能够适用于微波、毫米波等高频区域。而且，这样的高频电路元件，由于具有在基板上形成的二维结构，容易与其它的线路及元件进行组合，所以得到了广泛的应用。
作为平面传送线路结构的代表例，报导了通过在圆板型共振器的一部分外围上设置突起部并结合偶极子振荡模式(dipole mode)，发挥滤波器特性的高频电路元件(美国专利5172084号说明书)。
本发明者发明了图7所示的多段共振器滤波器，在日本专利2000-77905号公报中有说明。该滤波器设置有配置为直线状的3个椭圆形导体2a、2b、2c，和结合于椭圆形导体2a的两个结合端子6a、6b。
根据上述滤波器，虽然能够在显示滤波器特性的曲线中制作衰减极，但却难以在所希望的频率内以所希望的衰减量制作衰减极。这是由于必须根据椭圆形导体2a、2b、2c之间的结合程度、滤波器特性，以及滤波器损失量来综合考虑而调节衰减极的频率及衰减量。
还有，在日本专利特开平8-46413号公报及日本专利特开平10-308611号公报中公开了设置有圆板型导体或椭圆形导体的高频电路元件。这些高频电路元件具有难以精密地控制透过特性的问题。
本发明是鉴于上述问题而提出，其目的在于提供构成容易的高频电路元件，实现所希望的频率与衰减量。

发明内容
本发明的高频电路元件，设置有具有主面的基板；和多个包含有在所述基板的主面上串联结合地配置的第一共振器、第二共振器及第三共振器的共振器，其特征在于所述各个第一、第二及第三共振器分别由所述基板支撑的导体所形成，所述第一、第二及第三共振器各自的共振模式包含在与所述基板的主面平行的面内正交的方向上振动的两个基本共振模式，所述第二共振器配置于所述第一共振器与第三共振器之间，所述第二共振器的基本共振模式的振动方向，对于所述第一共振器及/或第三共振器的基本共振模式的振动方向形成大于0°、小于90°的角度。
在优选的实施方式中，所述第二共振器是由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，所述第二共振器的两个基本共振模式的振动方向分别与椭圆形状的长轴及短轴相平行。
在优选的实施方式中，所述第一及第三共振器各自分别由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，所述第一及第三共振器各自的两个基本共振模式的振动方向，分别与椭圆的长轴及短轴相平行。
在优选的实施方式中，设置有用于将高频信号输入到所述多个共振器中的某一个的输入结合端子、以及用于从所述多个共振器的另外的某一个输出所述高频信号的输出结合端子。
在优选的实施方式中，与所述输入结合端子相结合的共振器以及与所述输出结合端子相结合的共振器各自分别由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，在从所述椭圆的长轴或短轴与所述椭圆的交点离开的位置上，所述输入结合端子与所述共振器相结合，且在从所述椭圆的长轴或短轴与所述椭圆的交点离开的位置上，所述输出结合端子与所述共振器相结合。
在优选的实施方式中，所述第一共振器与所述输入结合端子直接相连接，所述第三共振器与所述输出结合端子直接相连接。
在优选的实施方式中，进而设置有包围所述基板的金属框体，配置有贯通所述金属框体的螺丝。
在优选的实施方式中，所述导体由超导材料形成。


图1(a)是表示本发明高频电路元件的第一实施方式的平面图，图1(b)是沿1-1’线的截面图，图1(c)是详细表示第一共振器21的导体图案及输入结合端子31的平面图，图1(d)是详细表示第二共振器22的平面图。
图2是表示上述实施方式中高频电路元件的频率特性的图。
图3是比较例中高频电路元件的平面图。
图4是表示图3所示高频电路元件的频率特性的图。
图5(a)～(c)是表示本发明高频电路元件中共振器的各种配置例的平面图。
图6是表示本发明高频电路元件的第二实施方式的截面图。
图7是表示现有技术的高频电路元件的平面图。
具体实施例方式
实施方式1下面参照图1(a)～(d)，对本发明高频电路元件的第一实施方式加以说明。
如图1(a)及(b)所示，本实施方式的高频电路元件设置有具有主面的基板1；在基板1的主面上串联结合配置的第一共振器21、第二共振器22、第三共振器23以及第四共振器24。
各共振器21、22、23、24分别由基板1的主面上形成的椭圆形导体图案所形成，各共振器21、22、23、24的共振模式包含在与基板1的主面平行的面内相互垂直的方向上共振的两个基本共振模式(偶极子振荡模式)。在本说明书中，对于圆形或椭圆形的平面型共振器中基本共振模式中的共振频率最低的基本共振模式称为“偶极子振荡模式”。圆形的平面型共振器中共振模式存在与圆形导波管的传送模式中的电场分布相对应的特定情况(参考文献J.Watkins“Circular resonantstructures in microstrip，”Electron.Lett.5，21，pp.524(1969))。根据这样的对应，在本说明书中将“偶极子振荡模式”称为“TM11模式”。
图1所示共振器21、22、23、24中偶极子振荡模式的方向在各椭圆的长轴及短轴的方向相等。就是说，在图1(a)中，指向两个方向的箭头51、52的方向表示第二共振器22中两个独立的偶极子振荡模式的方向。而且，箭头50表示第一共振器21中的一个偶极子振荡模式的方向。
在具有圆形状的圆板型共振器中，两个独立的偶极子振荡模式为衰减的状态，两个偶极子振荡模式具有同样的共振频率。与此相比，在椭圆型共振器中，由于两个偶极子振荡模式的衰减解除，所以其共振频率分别具有由椭圆的长轴及短轴所规定的不同的值。因此，根据椭圆型共振器，通过分别利用两个模式，可以作为一个共振器来使用，也可以作为共振频率不同的两个共振器来使用。
在本实施方式中，第一共振器21的基本共振模式的振动方向(箭头50)与第四共振器24的基本共振模式的振动方向平行，但第二共振器22的基本共振模式的振动方向(箭头51)对于第一共振器21的基本共振模式的振动方向(箭头50)形成大于0°小于90°的角度。而且，第三共振器23的基本共振模式的振动方向与第二共振器22的基本共振模式的振动方向(箭头51)平行，对于第四共振器24的基本共振模式的振动方向形成大于0°小于90°的角度。
如图1(b)所示，本实施方式中共振器21～24的结构，是由在基板1的主面上形成金属膜(例如厚度为0.1～10μm)构成的导体图案来规定的。在基板1的背面，形成由金属膜构成的接地平面(例如厚度为0.1～10μm)。
基板1是由陶瓷等介电材料所形成，其尺寸例如为15mm×4mm×1.5mm。在优选实施方式中，上述金属膜是采用真空蒸镀等薄膜沉积技术在基板1的主面上沉积。导体图案的形状及位置，可通过使用掩膜的蚀刻及剥离(lift-off)法而任意规定。
构成各共振器21、22、23、24的椭圆形导体图案，通过间隙部61、62、63而串联连接，形成平面微波传送线路。
在串联配置的多个共振器21、22、23、24中，配置于一端的第一共振器21上由输入结合点41连接有输入结合端子31。在串联配置的多个共振器21、22、23、24中，配置于另一端的第四共振器24上由输出接合点42连接有输出结合端子32。在本实施例中，通过输入结合端子31输入高频信号(例如频率为15GHz～20GHz)，通过输出结合端子32输出滤波后的高频信号成分。
如图1(c)所示，输入结合端子31连接于从第一共振器21的椭圆长轴(与箭头50平行的轴)仅倾斜角度a的位置，即椭圆的第二象限(图1(c)中椭圆的左上部分)的圆周上。与此相对，输入结合端子32连接于从共振器24的椭圆长轴仅倾斜角度a的椭圆的第四象限(图1(c)中椭圆的右下部分)的圆周上。就是说，输入结合端子31与输出结合端子32都结合于共振器21、24的外周与共振器21、24的轴(长轴或短轴)的交点以外的位置。
与输入结合端子31及输出结合端子32相连接的共振器21、24的结合度，在角度a为0°时最高。当角度a为90°时，结合度为0。因此，通过将角度a在0°以上不足90°(0°≤a＜90°)之间进行调整，能够得到所希望的结合度。由于通过这样调节角度a能够在大范围内调节结合度，所以能够提高电路设计的自由度。
从上述输入结合端子31向第一共振器21输入的高频信号在第一共振器21形成共振状态。该共振状态在上述角度为0°时，由在椭圆的长轴方向振动(极化)的偶极子振荡模式所规定，角度为0°＜a＜90°时，由独立的模式的重叠所规定。具体地，能够由长轴方向极化的偶极子振荡模式与短轴方向极化的偶极子振荡模式的重叠而表现共振状态。在图1(c)所示的例中，角度a越接近0°，长轴方向极化的偶极子振荡模式的成分起支配作用越显著，角度a越接近90°，短轴方向极化的偶极子振荡模式的成分的支配作用越显著。
在图1(a)的布局中，具有同一形状的各共振器21、22、23、24的各个椭圆的长轴方向与共振器配置方向(L方向)大体平行。因此，第一共振器21中长轴方向极化的偶极子振荡模式与后段的共振器22、23、24顺次结合而传播。
如图1(c)所示，第一共振器21的椭圆具有长轴方向的直径d1、短轴方向的直径d2。而且，如图1(d)所示，第二共振器22的椭圆具有长轴方向的直径d3、短轴方向的直径d4。
第一共振器21中长轴方向极化的偶极子振荡模式具有取决于长轴方向的直径d1的共振频率。同样，关于短轴方向极化的偶极子振荡模式，具有取决于长轴方向的直径d2的共振频率。在本实施方式中，实现透过由直径d1所规定的中心频率的高频信号的滤波器。因此，其他共振器22、23、24中椭圆长轴方向的直径，与直径d1相一致地设计。
这样，在本实施方式中，为了仅利用长轴方向的偶极子振荡模式，不是将各共振器21、22、23、24的导体图案设计为圆形，而是设定为椭圆。以下在本说明书中将“1-(短轴长/长轴长)”称为“椭圆率”。该椭圆率为0时，形状为圆。所以，本实施方式中的各共振器的椭圆导体，都具有比0大的椭圆率。在本发明中，椭圆率必须大于等于0.01％，优选大于等于1％。而且，也可以将椭圆率设定为10％以上。
这样将椭圆率设定为大于0的理由，是为了使短轴方向的偶极子振荡模式的共振频率离开回路所利用的频率频带(本实施方式的“透过频带”)。就是说，对于长轴方向的偶极子振荡模式，以所希望的频率进行共振的方式设定d1，对于短轴方向的偶极子振荡模式，以不影响回路的频率进行共振的方式设定d2。所以，对于椭圆率的大小，以长轴方向的偶极子振荡模式的频率、和偶极子振荡模式对回路不造成影响的频率进行共振的方式设定d2。所以，“椭圆率”是取决于共振频率(透过频带的中心频率)和后面说明的衰减极的频率之间的差异来设定为何种程度的大小，来适宜地决定。
还有，关于共振器之间的结合，通过适当地决定间隙部61、62、63的间隔，能够调整相邻的共振器中偶极子振荡模式彼此之间的结合度，两端的共振器21、24的长轴方向的偶极子振荡模式的结合度也能够通过角度a来调整。所以，本结构的高频电路元件，通过适当地设定角度a、长轴直径d1及间隙部61、62、63的间隔，就能够作为4段的共振器结合滤波器而工作。
如上所述，在本实施方式中是沿L方向直线状地配置有4个共振器21、22、23、24，但第二共振器22与第三共振器23的长轴方向，对于第一共振器21及第四共振器24的长轴方向、即L方向仅倾斜角度b地配置。通过这样的配置，第一共振器21的长轴方向的偶极子振荡模式，与第二共振器22的长轴方向的偶极子振荡模式52，都可通过倾斜角度b的调整而结合。同样，第三共振器23的短轴方向的偶极子振荡模式也能够与共振器21、22、24的长轴方向的偶极子振荡模式稍微结合。
该角度b是相结合的两个共振器之间应该透过的高频成分的基本共振模式的极化方向(振动方向)所形成的角度。该角度设定为比0°大、45°以下。
通过共振器的上述模式结合，相当于短轴方向的偶极子振荡模式的共振频率的频率成分信号，能够由短轴方向的偶极子振荡模式所吸收，由相当于短轴方向的偶极子振荡模式的共振频率的频率做出衰减极。
以下对本实施方式的具体结构进行更详细的说明。
在本实施方式中，作为基板1，可以使用Al2O3-MgO-Gd2O3-SiO2系的陶瓷填料与SiO2-Al2O3-B2O3-MgO-ZnO系的玻璃所构成的陶瓷材料(比介电常数5.6，fQ值33000)的薄板(厚度0.5mm)。
共振器的椭圆图案，设计成共振的中心频率为GHz。具体地，按照长轴直径为3mm左右，短轴直径为长轴直径的0.5～0.9倍的范围而适当地设定，输入输出线路3的线路宽度为0.8mm。导电体由厚度10μm的银薄膜所形成。共振器的数目及配置如图1(a)所示。角度a及b分别设定为20°及5°。
图2是表示上述结构的高频电路元件所表示的频率特性(对于频率的反射损失·插入损失的关系)的一例。这里所谓“反射损失”是指从输入结合端子31输入的信号反射的损失量，所谓“插入损失”是指从输入结合端子31输入的信号直至从输出结合端子32输出的损失量。
从图2可知，在中心频率附近，反射损失大，插入损失小。从中心频率偏离时，反射损失减小，插入损失增大。就是说，在中心频率附近能够得到较高的滤波效果。
而且，如图2所示，在相当于第二共振器22及第三共振器23中短轴方向的偶极子振荡模式的共振频率的频率中形成两个衰减极。存在有两个衰减极的理由在于，第二共振器22的椭圆短轴长度与第三共振器23的椭圆短轴长度具有不同的大小。例如在长轴长度为3mm的情况下，第二共振器22及第三共振器23的短轴长度分别为2.9mm及2.8mm。通过调节共振器的数目及椭圆的短轴长度，能够任意地设定衰减极的数目及位置(发生频率)。
为了形成这样的衰减极、急剧改变滤波特性，必须使第二共振器22及/或第三共振器23的椭圆长轴方向从第一共振器22及/或第四共振器24的椭圆长轴方向旋转。这是由于通过这样的旋转，能够引起椭圆短轴方向振动的共振模式。
根据本实施方式，由于这样的衰减器的存在，即使是相同段数的共振器，也能够得到更陡峭的滤波特性。
以往，为了形成这样的衰减极，一般是利用共振器的越级结合。假如是由本发明中所使用的共振器而实现这样的越级结合，则第一共振器21及第四共振器24的长轴方向的偶极子振荡模式彼此稍微结合即可。要实现这样的结合非常困难，且衰减极的频率精度不良。但是，根据本发明，能够以简单的结构形成衰减极。而且，由于衰减极的频率是由第二共振器22及第三共振器23的短轴方向的直径d4所决定，所以能够高精度地设定衰减极的频率。
作为比较例，制作了图3所示结构的高频电路元件，评价了其反射损失·插入损失特性。图4是表示其结果的图。将图2与图4进行比较可知，在本实施方式中，能够实现通过频带更窄的滤波特性。这样，通过频带变窄的理由在于，由于衰减极的存在使表示插入损失的频率依存性的曲线变得尖锐。
还有，图1(a)是表示设置有4个共振器21、22、23、24的滤波器的4段结构的滤波器，但本发明的共振器的段数并不限于4段，也可以是2段，也可以是5段以上。共振器21、22、23、24的导体图案，也并非一定是要椭圆形状，第二共振器22及第三共振器23中至少一个导体图案具有椭圆形状即可。而且，如果具有两个极化方向不同的两个以上的共振模式所实现的形式的导体图案，则各共振器的导体图案也没有必要是椭圆。例如，可以设定为在圆板状的导体图案的一部分上开设缺口(槽口)的结构。重要的是，在频率不同的两个以上的基本共振模式中，以一个基本共振模式结合各共振器，以与其他基本共振模式相对应的振动数形成衰减极。但是，与使用形成有缺口的圆板状导体的情况相比，使用椭圆状导体的情况具有容易高精度地控制衰减极的频率的优点。
还有，在本实施方式中，对于第一共振器21及第四共振器24，给出了满足d1＞d2关系的椭圆形状，但也可以是相反的d1＜d2的关系。在这种情况下，设定d1使椭圆短轴方向的偶极子振荡模式以所希望的频率进行共振，与此相比，设定d2使长轴方向的偶极子振荡模式以足够远离的频率共振。而且，也可以调节各轴的长度，使某一共振器中短轴方向的偶极子振荡模式和与其邻接的共振器中长轴方向的偶极子振荡模式相结合。
而且，由于利用了第二共振器22及第三共振器23中短轴方向的偶极子振荡模式，所以如图2所示，在比通过频带(共振频率附近)高的频率频带形成衰减极。如果想在比通过频带低的频率频带设定衰减极的情况下，与上述相反，可满足d3＜d4的关系，设定d3使短轴方向的偶极子振荡模式与通过频带相吻合，设定d4使长轴方向的偶极子振荡模式与衰减极的频率相吻合。同样，欲在通过频带的两侧制作衰减极时，通过上述的组合也能够容易实现。
图5(a)～(c)是表示本实施方式中共振器的其它配置例平面图。在图5(a)所示的例中形成了设置有第一～第三共振器21、22、23的3段共振器结构。第一共振器22的椭圆长轴方向与第三共振器23的短轴方向相平行，但第二共振器22的椭圆长轴方向与其它共振器椭圆长轴方向之间形成超过0°的角度。
在图5(b)所示的例中，形成了设置有第一～第五共振器21、22、23、24、25的5段共振器结构。在该例中，第一共振器21、第三共振器23及第五共振器25，具有其长轴朝向同一方向的椭圆的导体图案，第二共振器22及第四共振器24，具有其长轴相互相反地旋转的椭圆导体图案。
在图5(c)所示的例中，第一～第四共振器21、22、23、24具有长轴方向逐渐旋转的椭圆导体图案。
这样，在本实施方式中，通过各共振器的配列的组合，能够由多种布局来实现所追求的滤波特性，提高设计的自由度。
在图1所示的高频电路元件中，全部的共振器都具有椭圆的导体图案，但也可以是多个共振器中的一部分由圆板型导体图案或具有其它形状的导体图案所形成。还有，在全部的共振器是由圆板型的导体图案所形成的情况下，需要在至少一部分的共振器的导体图案中形成缺口，激励在两个相互垂直的方向上极化的两个共振模式。
优选各共振器的导体图案具有圆滑的外形，但也可以是具有直线的外形。
(实施方式2)以下参照图6对本发明的高频电路元件的第二实施方式加以说明。图6是本实施方式中高频电路元件的横向截面图。
在本实施方式中，基板1及共振器21、22、23、24的结构自身都与第一实施方式具有同样的结构，与第一实施方式的不同点在于进而设置有包围基板1的金属框体8。
本实施方式的金属框体8中，在位于基板1的上面侧的部分(共振器2面向的一侧)设置有贯通金属框体8的金属制的螺丝9。
共振器21、22、23、24中共振的两个偶极子振荡模式的电磁场的一部分从共振器21、22、23、24的上方泄漏。在本实施方式中，利用该泄漏的电磁场对偶极子振荡模式的共振频率进行微调整。具体地，在存在泄漏电磁场的区域配置螺丝9，可通过控制该螺丝9的先端位置微量调整偶极子振荡模式的共振频率。
通过采用这样的结构，能够缓和电路图案的加工精度，而且，能够提高制造阶段的成品率。
而且，由于通过由金属框体8包围基板1的全体，能够防止从共振器21、22、23、24所放射的电磁波，所以具有能够减少电路的损失，防止与其它电路的干涉的优点。
在本实施方式中，列举的是使用由金属制的螺丝9的例子，但并非一定是金属螺丝，即使是在共振器的上方设置由介电材料构成的螺丝、或金属棒、介电体棒等，也能够调整共振频率，达到同样的效果。而且，还可以通过在两个共振器之间的间隙部61、62上配置螺丝9，调整共振器之间的结合度。
(其它实施方式)使用超导体作为构成本发明的共振器的导体图案，能够进一步提高效果。一般地，如果使用超导体作为共振器的导体材料，导体损失变得非常小，能够使共振器的Q值飞速提高。但是，使用超导体时，在导体中的最大电流密度超过了对于该超导材料所具有的高频电流的临界电流密度的值的情况下，超导性会遭到破坏，使共振器不能动作。如上所述，在本发明的共振器中，由于能够将最大电流密度抑制得较低，所以通过超导体构成导体，与以往的结构的共振器相比，能够处置更大电力的高频信号，其结果是，即使是对于大电力的高频信号，也能够实现具有高Q值的共振器，所以有效性非常高。
在上述各实施方式中，在基板中是使用Al2O3-MgO-Gd2O3-SiO2系的陶瓷填料与SiO2-Al2O3-B2O3-MgO-ZnO系的玻璃所构成的陶瓷材料(比介电常数5.6，fQ值33000)，但本实施方式中适合使用的基板材料并不限于上述材料，也可以使用包含单晶介电体材料及树脂材料等一般的介电体材料。但是，为了发挥低损失、陡峭的过滤特性，必须使用介电损失小的材料。而且，为了使形状小型化，使用介电率大的材料是有效的。
在实施方式中所使用的Al2O3-MgO-Gd2O3-SiO2系的陶瓷填料与SiO2-Al2O3-B2O3-MgO-ZnO系的玻璃所构成的陶瓷材料是具有较低介电率、介电损失非常小的材料，在强烈要求比毫米波带及准毫米波带等形状的小型化更低的损失性的情况下是有效的。
这样，比介电常数为10以下的材料，特别是对10GHz以上的高频区域特别有效。而且，在小型化要求比较显著的10GHz以下的频率带，反而希望比介电常数为10以上的材料，例如Ba(Mg，Ta)O3等陶瓷材料(比介电常数为24)。而且，导电材料也并非一定要求是实施方式中所使用的银及超导体，也可以使用金及铜铝等金属材料，虽然多少有损失差异，但也是同样有效的。
产业上的利用可能性根据本发明，以严格的制度形成衰减极，由此，可使用平面型共振器简便地提供显示陡峭滤波特性的高频电路元件。
权利要求
1.一种高频电路元件，设置有具有主面的基板，和多个包含在所述基板的主面上串联结合地配置的第一共振器、第二共振器及第三共振器的共振器，其特征在于所述各个第一、第二及第三共振器分别由所述基板支撑的导体所形成，所述第一、第二及第三共振器各自的共振模式包含在与所述基板的主面平行的面内正交的方向上振动的两个基本共振模式，所述第二共振器配置于所述第一共振器与第三共振器之间，所述第二共振器的基本共振模式的振动方向，对于所述第一共振器及/或第三共振器的基本共振模式的振动方向形成大于0°、小于90°的角度。
2.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于所述第二共振器由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，所述第二共振器的两个基本共振模式的振动方向分别与椭圆形状的长轴及短轴相平行。
3.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于所述第一及第三共振器各自分别由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，所述第一及第三共振器各自的两个基本共振模式的振动方向，分别与椭圆的长轴及短轴相平行。
4.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于设置有用于将高频信号输入到所述多个共振器中的某一个的输入结合端子、以及用于从所述多个共振器的另外的某一个输出所述高频信号的输出结合端子。
5.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于与所述输入结合端子相结合的共振器以及与所述输出结合端子相结合的共振器各自分别由与所述主面相平行的截面具有椭圆形状的导体所形成，在从所述椭圆的长轴或短轴与所述椭圆的交点离开的位置上，所述输入结合端子与所述共振器相结合，且在从所述椭圆的长轴或短轴与所述椭圆的交点离开的位置上，所述输出结合端子与所述共振器相结合。
6.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于所述第一共振器与所述输入结合端子直接相连接，所述第三共振器与所述输出结合端子直接相连接。
7.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于进而设置有包围所述基板的金属框体，配置有贯通所述金属框体的螺丝。
8.根据权利要求1所述的高频电路元件，其特征在于所述导体由超导材料形成。
全文摘要
本发明的高频电路元件是包含具有主面的基板、和多个具有在上述基板的主面上串联结合而配置的第一共振器、第二共振器及第三共振器等共振器的高频电路元件。第一、第二及第三共振器各自由支撑于基板的导体所形成。第一、第二及第三共振器各自的共振模式包含在与所述基板的主面平行的面内正交的方向上振动的两个基本共振模式。第二共振器配置于第一共振器与第三共振器之间，第二共振器的基本共振模式的振动方向，对于第一共振器及/或第三共振器的基本共振模式的振动方向形成大于0°小于90°的角度。
文档编号H01P1/208GK1745496SQ20048000311
公开日2006年3月8日 申请日期2004年3月2日 优先权日2003年3月28日
发明者榎原晃 申请人:松下电器产业株式会社