显示装置及其制造方法

专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置，包括在大玻璃衬底之上形成的例如晶体管的有源元件，以及进一步涉及一种制造这种显示装置的方法。
背景技术：
包括玻璃衬底之上的薄膜晶体管(以下也称为TFT)的显示板，即有源矩阵驱动显示板已经通过使用光掩模的光线曝光方法通过使各种薄膜形成图案而制造。
对于这种显示板，可以从一个母体玻璃衬底得到多个显示板的有效大规模生产的技术已经得到应用。母体玻璃的尺寸已经从1990年代早期第一代的300mm×400mm增大到2000年第四代的680mm×880mm或730mm×920mm。因此，生产技术已经得到改进，使得可以从一个母体玻璃衬底得到若干显示板。
在母体玻璃衬底小的情况下，使用光线曝光装置已经可以相对容易地形成图案。但是，母体玻璃衬底已经变得更大；因此，母体玻璃衬底的整个表面不能通过一次曝光加以处理。因此，已经发展了这样一种方法或者其它方法，其中将施涂光致抗蚀剂的区域分成多个区块；对每个区块进行光线曝光；由此衬底的整个表面可以通过反复的光线曝光过程曝光。(参考文献日本专利公开号11-326951)。
本发明的公开内容但是，在第五代中，母体玻璃衬底进一步扩展到尺寸为1000mm×1200mm或1100mm×1300mm，并且进一步预期在下一代中具有1500mm×1800mm或更高的尺寸。因此，通过常规形成图案方法已经变得难以以低成本制造具有优良生产率的显示板。另外，当如以上参考文献进行多个光线曝光时间时，加工时间增加并且研发可以加工这种较大衬底的光线曝光装置需要巨额投资。
另外，在其中各种类型薄膜在衬底整个表面之上形成以及随后蚀刻掉薄膜留下小区域的方法中，存在花费材料成本较高以及需要处理大量液体废物的问题。
本发明的一个目的是提供一种显示装置，其可以通过改进材料使用效率的简化制造方法制造。本发明的另一个目的是提供一种该显示装置的制造方法。本发明的另一个目的是提供改进图案粘合性的制造技术。
鉴于以上问题，根据本发明，通过一种可以有选择地形成图案的方法形成图案。特别在本发明中，优选的是图案可以通过在基础预处理之后有选择地形成图案的方法形成。另外，基预处理可以在通过可以有选择地形成图案的方法形成图案之后进行。基础预处理可以改进图案粘合性。
可以形成光催化剂用于基础预处理。另外，光催化剂可以在其中将要形成图案的区域中有选择地形成。
作为基础预处理的另一种方式，Ti等的导电薄膜可以通过溅射形成。另外，Ti可以有选择地施加在其中将要形成图案的区域之上，例如TiOx薄膜。另外，可以在Ti上进行氧化处理在表面上形成TiOx。除TiOx之外，钛酸锶(SrTiO3)、硒化镉(CdSe)、钽酸钾(KTaO3)、硫化镉(CdS)、氧化锆(ZrO2)、氧化铌(Nb2O5)、氧化锌(ZnO)、氧化铁(Fe2O3)、氧化钨(WO3)也可以用作光催化剂。
光催化剂表示具有光催化作用的材料。当用紫外光区域(波长等于或低于400nm，优选等于或低于380nm)的光线辐射时，光催化剂被激活。精细图案可以通过喷墨法在光催化剂上喷射包含在溶剂中的导体形成。
作为基础预处理的又一种方式，例如偶联剂等的有机薄膜可以通过涂布等形成。给出硅烷基偶联剂和氟基偶联剂作为硅烷基偶联剂的实例。如同TiOx薄膜一样，有机薄膜可以在其中将要形成图案的区域中有选择地形成。
作为这种基础预处理的结果，可以改进图案粘合性以及可以使图案更精细。
作为用于有选择地形成图案的方法，可以使用液滴喷射方法(包括喷墨技术)，通过该方法，其中混合导电薄膜或绝缘薄膜材料的组合物的液滴(液点)被有选择地喷射。
作为喷墨技术，可以使用压电系统。压电系统也被用于喷墨打印机，因为液滴的可控性高以及可以随意选择油墨种类。压电系统有两种类型MLP(多层压电)型和ML Chip(多层陶瓷超整合压电片段)型。或者，根据溶剂的材料，可以使用利用所谓热法的喷墨技术，所述热法为其中将加热元件加热产生气泡由此挤出溶液。
这种喷射组合物液点的工艺可以优选在减压下进行。在喷射组合物之后以及组合物到达目标物之前，蒸发组合物的溶剂；由此可以省略干燥和烘焙组合物的步骤。如果该工艺在减压下进行，那么导体表面上不形成氧化物膜等，这是优选的。施加组合物的工艺可以在氮气气氛或有机气体气氛中进行。
在这种情况下，组合物以液点的形式、具有一系列液点的圆柱形形式等喷射。以液点或圆柱形的形式喷射组合物的方法可以仅称为滴落。换句话说，多个液点可以连续喷射以形成线；但是，在任一种情况下，喷射组合物集体表示为“滴落”。
作为导体，可以使用金(Au)、银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、钯(Pd)、钨(W)、镍(Ni)、钽(Ta)、铋(Bi)、铅(Pb)、铟(In)、锡(Sn)、锌(Zn)、钛(Ti)和铝(Al)的任何一种；其合金；其分散纳米粒子；或卤化银颗粒。具体地，可以使用具有低电阻的银或铜。应指出，在使用铜的情况下，可以形成包含氮或硼化镍(NiB)的绝缘薄膜的阻挡薄膜，以防止铜扩散进入半导体薄膜等。
另外，ITO(氧化铟锡)、其中2％到20％氧化锌(ZnO)混入氧化铟的IZO(氧化铟锌)、其中2％到20％二氧化硅(SiO2)混入氧化铟的ITSO 、有机铟、有机锡、氮化钛(TiN)等也可以用作透明导电薄膜。
优选的是用有机材料或用另一种导体涂布导体颗粒的表面，以使导体颗粒有效分散进组合物中。涂布表面的材料可以具有分层结构。涂布表面的材料可以优选是导电性的。在其中涂布表面的材料是绝缘的情况下，通过热处理等将它们除去。
图24A显示从喷嘴滴落的包含Cu 301的液点。Cu 301的表面可以涂有导体302，例如镍(Ni)或硼化镍(NiB)。例如，如图24B所示，Cu 301可以涂有导体302，例如镍(Ni)或硼化镍(NiB)；另外，镍(Ni)或硼化镍(NiB)的表面可以涂有Ag 303。结果，可以防止由于加热等引起的Cu的热扩散。
以这种方式有选择地形成的图案包括用于使电极形成图案的掩模，例如栅极、源极和漏极以及像素电极；布线，例如源极布线和漏极布线；半导体薄膜；等等。
根据本发明，图案可以通过可以在制造显示装置所需的图案形成方法的至少一个步骤中有选择地形成图案的方法形成。在图案形成方法的步骤中，通过使用可以有选择地形成图案的方法可以简化制造过程以及可以改进材料的使用效率。
本发明的显示装置为一种其中TFT连接到夹在电极之间的发光元件的显示装置，所述发光元件中有机材料或介质包括有机材料和无机材料的混合物，产生称为电致发光(以下也称为“EL”)的冷光。上述目标通过使用液滴喷射方法完成这种显示装置实现。
根据本发明，图案通过液滴喷射方法形成，使得图案粘合性得到改进；另外，薄膜晶体管等的结构不受限制。因此，薄膜晶体管可以具有结晶半导体薄膜或者非晶半导体薄膜的结构。例如，可以使用具有称为底栅型结构或具有称为顶栅型结构的薄膜晶体管，其中底栅型为栅极设置在半导体薄膜之下，而顶栅型为栅极设置在半导体薄膜之上。
对于连接到包括在薄膜晶体管中的任一个电极的栅极、源极、漏极和布线的任何一个，可以通过在液滴喷射方法情况下的基础预处理改进粘合性。
通过使用液滴喷射方法，可以简化制造工艺以及可以改进材料的使用效率。由此，晶体管等可以在第五代或以后的母体玻璃衬底之上形成。通过使用液滴喷射方法形成布线等使感光法简化。因此，光掩模变得多余，并且可以实现减少设备成本。另外，光刻工艺不是必需的；由此可以减少制造时间。
当通过液滴喷射方法形成掩模等时，可以改进材料的使用效率以及可以实现减少成本和液体废物处理时间。因此，优选的是对大母体玻璃衬底应用液滴喷射方法。另外，多个显示板可以从一个母体衬底制造；由此显示装置的价格可以预期下降。
因此，即使对于第五代或以后的大母体玻璃衬底，也可以通过使用液滴喷射方法形成有利的生产线。
根据本发明，粘合性可以通过形成图案之前或之后的基础预处理改进。
附图简述

图1A到1D为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖图。
图2A到2D为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖图。
图3A到3C为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图4A到4C为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图5A到5C为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图6A到6D为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图7A到7C为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图8A和8B为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图9A和9B为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图10为显示用于形成本发明薄膜晶体管的装置的俯视图。
图11A和11B为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图12A和12B为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图13A到13F为显示本发明显示装置的像素电路的电路图。
图14为显示本发明显示装置的像素的俯视图。
图15A和15B均为显示本发明显示装置的像素的剖视图。
图16为显示本发明显示装置的像素的俯视图。
图17A和17B均为显示本发明显示装置的像素的剖视图。
图18为显示本发明的液滴喷射系统的视图。
图19A和19B均显示本发明的电视接收机。
图20A和20B为显示本发明的电子设备的视图。
图21为显示本发明显示装置的像素的保护电路的电路图。
图22为显示本发明薄膜晶体管的制造步骤的剖视图。
图23A到23C为显示用于形成本发明薄膜晶体管的装置的视图。
图24A和24B均显示本发明的液点的形式。
图25A到25C为描绘本发明的数字摄像机的视图。
图26显示本发明的液滴喷射系统。
实施本发明的最佳模式本发明的实施方案模式将在下面参考附图进行描述。虽然本发明已经通过实施方案模式和参考附图进行充分描述，但是应理解，各种变化和改进对于本领域技术人员来说将是显而易见的。因此，除非这种变化和改进脱离以下限定的本发明的精神和范围，它们应以被包括在其中的形式构成。在描述实施方案模式的附图中，对于相同组件共同给出相同标记数字，并且该组件将不重复描述。
以下实施方案模式将描述其中喷墨技术用作液滴喷射方法；TiOx薄膜用作基础预处理的光催化剂；以及Ag用作栅极、源极和漏极材料的情况。
实施方案模式1在本实施方案模式中，一种方法实例用于形成第一和第二薄膜晶体管。
首先，如图1A所示，制备具有绝缘表面的衬底100。例如，玻璃衬底，例如硼硅酸钡玻璃或硼硅酸铝玻璃；石英衬底；不锈钢衬底、本体半导体(bulk semiconductor)薄膜等可以用作衬底100。另外，与由另一种材料形成的衬底相比，由柔性合成树脂，例如丙烯酸类或由聚对苯二甲酸乙二醇酯(PET)、聚萘二甲酸乙二醇酯(PEN)和聚醚砜(PES)代表的塑料形成的衬底通常具有低耐热温度。但是，如果其可以承受制造工艺的加工温度，那么可以使用这种衬底。具体地，在形成包括非晶半导体薄膜的薄膜晶体管的情况下，可以容易地使用由合成树脂制造的衬底，所述非晶半导体薄膜不需要使半导体薄膜结晶的加热过程。
优选的是衬底表面预先通过化学机械抛光(CMP)加以抛光，以便改进平整性。作为用于CMP的抛光剂(料浆)，例如可以使用一种料浆，其中通过热分解氯化硅气体得到的烘制二氧化硅颗粒分散在添加KOH的水溶液中。
根据需要，基础薄膜可以在衬底100之上形成。形成基础薄膜是为了防止包含在衬底100中的碱金属，例如Na或碱土金属扩散进半导体薄膜中并对半导体元件特性产生不利影响。通过使用能够抑制碱金属或碱土金属扩散进半导体薄膜中的绝缘薄膜，例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅、二氧化钛或氮化钛，可以由此形成基础薄膜。基础薄膜可以通过使用钛等导电薄膜形成。在这种情况下，导电薄膜在有些情况下在制造步骤中通过热处理等而氧化。特别地，基础薄膜的材料可以选自与栅极材料具有高粘合性的材料。例如，当Ag用作栅极时，优选形成氧化钛(TiOx)的基础薄膜。应指出，基础薄膜可以具有单层结构或分层结构。
基础薄膜不是必须提供的，只要可能防止杂质扩散进半导体薄膜中。如在本实施方案模式中，当半导体薄膜在栅极之上形成，其间具有栅极绝缘薄膜时，并不需要基础薄膜，因为栅极绝缘薄膜可以防止杂质扩散进半导体薄膜中。在使用包含少许碱金属或碱土金属的衬底，例如玻璃衬底或塑料衬底的情况下，提供基础薄膜防止杂质扩散是有效的。同时，当使用石英衬底等时，其中杂质扩散不会产生很多问题，所以不需要提供基础薄膜。
此后，光催化剂101在整个表面之上形成以进行基础预处理，以便形成用作栅极的导电薄膜(以下称为栅极)。光催化剂可以通过使用溶胶-凝胶法的浸涂、旋涂、喷墨、离子电镀、离子束法、CVD、溅射、RF磁控溅射、等离子喷涂法或阳极氧化法形成。另外，在光催化剂由包括多种金属的氧化物半导体制造的情况下，光催化剂可以通过混合并熔融组成元素的盐形成。在通过例如浸涂或旋涂的涂布形成光催化剂的情况下，当必须除去溶剂时，光催化剂可被烘焙或干燥。具体地，在预定温度(例如150℃到500℃)对其进行加热。
在本实施方案模式中，TiOx薄膜通过使用溶胶-凝胶溶液涂布作为光催化剂在整个表面之上形成。TiOx可以具有金红石型、锐钛矿型或板钛矿型结晶性；或者可以具有非结晶性。随后，在150℃加热十分钟。另外，可以在250℃到500℃加热一小时。
TiOx薄膜可以改进栅极的粘合性。
TiOx薄膜可以在要提供有栅极的区域之上有选择地形成。在这种情况下，栅极可以被制造得更精细，以便有选择地形成其中TiOx牢固粘合到栅极的区域。TiOx可以通过在整个表面之上施加TiOx以及随后通过湿蚀刻或干蚀刻除去必要部分而有选择地施加。另外，在整个表面之上施加TiOx之后，通过选择性光线曝光可以实施活化，以便改进与栅极的粘合性。
或者，Ti等的导电薄膜可以通过用于基础预处理的溅射形成。因此，栅极的粘合性可以改进，以及栅极可以被制造得更精细。如同TiOx薄膜一样，Ti可以有选择地施加到要提供有栅极的区域。另外，通过使Ti氧化可以在表面之上形成TiOx。
或者，例如偶联剂的有机薄膜可以通过用于基础预处理的喷墨形成。硅烷基偶联剂、氟基偶联剂等可以用作偶联剂。结果，可以改进栅极的粘合性或可以实现栅极的小型化。另外，如同TiOx薄膜一样，有机薄膜可以在要提供有栅极的地区有选择地形成。
为基础预处理形成的薄膜也可以用作基础薄膜。因此，TiOx薄膜可以作为基础薄膜以及光催化剂形成。
作为又一种基础预处理，等离子体处理可以在要提供有栅极的表面上进行。等离子体处理在如下条件下进行空气、氧气或氮气用作处理气体，压力为几十托到1000托(133000Pa)，优选100托(13300Pa)到1000托(133000Pa)，进一步优选700托(93100Pa)到800托(106400Pa)。即，在常压或接近常压的压力状态下施加脉冲电压。此时，等离子体密度为1×1010m-3到1×1014m-3，处于所谓电晕放电或辉光放电的状态。进行等离子体处理可以优选不与要提供有栅极的表面接触。因此，栅极的粘合性可以改进，以及栅极可以被制造得精细。如同TiOx薄膜一样，要提供有栅极的区域可以有选择地用等离子体处理。
栅极103通过喷墨将包括混入溶剂的导电性材料的液点滴入第一薄膜晶体管形成区域11和第二薄膜晶体管形成区域12而形成。在本实施方案模式中，滴落其中银(Ag)导电性材料分散在十四烷溶剂中的液点。在此点，液点从喷墨系统的喷嘴104滴落在其中要形成栅极的区域之上。如同通过如此从喷嘴滴落液点而拉制形成栅极。
然后，当需要除去液点的溶剂时，进行用于烘焙或干燥的热处理。具体地，热处理可以优选在例如200℃到300℃的预定温度下，在包含氧气的气氛中进行。此时，固定加热温度以便不在栅极表面上产生不平整性。如在本实施方案模式中，在使用具有银(Ag)的液点的情况下，热处理在包含氧气或氮气的气氛中进行。例如，氧气的组分比设定为10％到25％。相应地，有机材料，例如包含在溶剂液点中的粘合剂的热固性树脂被分解；由此可以得到不包含有机材料的银(Ag)。因此，可以改进栅极表面的平整性以及可以降低电阻率值。
除银(Ag)之外，栅极可以由选自钽、钨、钛、金、钼、铝和铜(Cu)的元素，或合金材料或主要包含该元素的化合物材料制造。导电薄膜可以通过溅射或等离子体CVD替代喷墨形成。由掺杂有例如磷的杂质元素的多晶硅薄膜或AgPdCu合金代表的半导体薄膜可以用作由溅射或等离子体CVD形成的导电薄膜。
栅极可以具有单层结构或分层结构。例如，通过喷墨施加包含Ag的液点以形成底部导电薄膜，以及通过喷墨或溅射可以施加Cu以形成顶部导电薄膜。通过应用像Cu的低电阻材料，可以减少导线电阻，以及可以防止由于导线电阻的热或信号延迟。基础预处理可以在底部导电薄膜上进行，以及顶部导电薄膜可以在其后形成。因此可以改进特别是通过喷墨形成的底部导电薄膜和顶部导电薄膜之间的粘合性。
电镀可以用于形成具有分层结构的栅极。例如，第二导电薄膜可以通过电镀或化学镀在由喷墨形成的第一导电薄膜周围形成。具体地，Cu可以通过电镀在由喷墨施加的Ag周围施加。或者，Cu可以通过其中电流是不必要的化学镀在由喷墨施加的Ag周围施加。结果，可以减少导线电阻，以及可以防止由于导线电阻的热或信号延迟。具体地，在精细地形成第一导电薄膜的情况下，优选形成第二导电薄膜，使得可以降低导线电阻。另外，在形成高度扩散性导体，例如Cu的情况下，可以优选形成阻挡薄膜以覆盖Cu，防止其扩散。氮化硅、二氧化硅、硼化镍(NiB)可以用作阻挡薄膜。
在这种情况下，电镀可以通过将衬底浸入其中溶解了金属的溶液中进行。另外，在使用大母体玻璃衬底的情况下，电镀可以通过在该衬底之上使其中溶解了金属的溶液流动进行。由此，用于电镀的装置不需要很大。
如在本实施方案模式中，基础预处理可以优选在特别通过喷墨形成导电薄膜之前进行。
另外，可以形成绝缘薄膜或导电薄膜以覆盖栅极。氮化硅或二氧化硅可以用作绝缘薄膜，硼化镍(NiB)可以用作导电薄膜。因此，可以阻止栅极氧化，以及其表面可以被进一步平整。
如图1B所示，形成用作栅极绝缘薄膜105的绝缘薄膜(以下也称为栅极绝缘薄膜)以覆盖栅极。绝缘体，例如二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅可以作为栅极绝缘薄膜通过等离子体CVD或溅射形成。应指出，包括绝缘薄膜材料，例如聚酰亚胺的液点可以通过喷墨喷射形成栅极绝缘薄膜。如在本实施方案模式中，当栅极由银(Ag)制造时，优选的是氮化硅薄膜用作与作为栅极绝缘薄膜的Ag接触的绝缘薄膜。在使用包含氧的绝缘薄膜的情况下，存在栅极表面因为通过与银(Ag)反应形成氧化银而变得粗糙的风险。
栅极绝缘薄膜可以具有单层结构或分层结构。例如，可以形成其中氮化硅、二氧化硅和氮化硅依次层叠的栅极绝缘薄膜。另外，栅极绝缘薄膜可以在基础预处理之后形成，用于改进栅极和栅极绝缘薄膜之间的粘合性。例如，TiOx薄膜和栅极绝缘薄膜可以依次层叠在栅极之上。这里，该TiOx薄膜也用作绝缘薄膜。
如在本实施方案模式中，基础预处理可以优选在特别通过喷墨形成导电薄膜之后进行。
半导体薄膜106在栅极绝缘薄膜之上形成。半导体薄膜可以通过等离子体CVD、溅射、喷墨等形成。半导体薄膜的厚度可以优选为25nm到200nm(优选30nm到60nm)。硅锗替代硅可以用作半导体薄膜材料。在使用硅锗的情况下，锗的浓度优选为约0.01原子％到4.5原子％。
半导体薄膜可以由非晶半导体、其中晶粒分散在非晶半导体中的半非晶半导体、其中在非晶半导体中可见0.5nm到20nm晶粒的微晶半导体、有机半导体或结晶半导体形成。其中可以看到0.5nm到20nm晶粒的微晶状态称为微晶体(μc)。
使用硅作为半非晶半导体材料的半非晶硅(也称为SAS)可以通过硅化物气体的辉光放电分解得到。除硅化物气体之外，SAS也可以使用氟(F2)形成。作为代表性硅化物气体，使用SiH4；此外可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。SAS可以容易地通过用氢气或者氢气和一种或多种选自氦、氩、氪和氖的稀有气体元素稀释硅化物气体形成。优选稀释硅化物气体，使得稀释比为10倍到1000倍。SAS也可以通过用氦气稀释Si2H6和GeF4形成。
通过辉光放电分解形成薄膜的反应优选在减压下进行，并且压力可以为约0.1Pa到133Pa。用于辉光放电的功率可以为1MHz到120MHz，优选为13MHz到60MHz的高频功率。衬底加热温度优选为300℃或更少，以及更优选推荐100℃到250℃的衬底加热温度。
使用硅作为非晶半导体材料的非晶硅(也称为AS)可以使用硅化物气体形成。作为代表性硅化物气体，除SiH4之外，可以使用Si2H6、SiH2Cl2、SiHCl3、SiCl4、SiF4等。硅化物气体可以用氢气或者氢气和一种或多种选自氦、氩、氪和氖的稀有气体元素稀释。在本实施方案模式中，非晶硅薄膜通过等离子体CVD作为半导体薄膜形成。
这种SAS或AS可以具有单层结构或分层结构。在分层结构的情况下，通过改变薄膜形成气体的种类或流速可以不暴露于空气连续形成SAS或AS。例如，具有分层结构的SAS可以通过首先应用硅化物气体和氟基气体，以及然后用氢气基气体替换氟基气体形成。
随后，用作通道保护薄膜的绝缘薄膜(以下称为通道保护薄膜)108在半导体薄膜之上形成。有机材料或无机材料可以用作通道保护薄膜的材料。聚酰亚胺、丙烯酸类、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷或光刻胶材料可以用作有机材料。形成具有骨架结构的硅氧烷，所述骨架结构由硅(Si)和氧(O)键形成，包含氢作为取代基，或包含氟、烷基和芳烃的至少一种作为取代基。聚硅氮烷用包含具有硅(Si)和氮(N)键的聚合物材料的液态材料形成。作为无机材料，可以使用二氧化硅或氮化硅。
通道保护薄膜可以通过喷墨或等离子体CVD形成。在使用喷墨的情况下，通道保护薄膜可以在半导体薄膜之上有选择地形成。当在等离子体CVD的情况下，需要蚀刻通道保护薄膜。这里，可以使用已经在通道保护薄膜之上形成的掩模蚀刻该通道保护薄膜。例如，掩模可以通过使用栅极作为掩模从背面曝光，在通道保护薄膜之上形成，或者掩模可以通过喷墨在通道保护薄膜之上有选择地形成。
接下来，形成具有一定导电性的半导体薄膜。具有一定导电性的半导体薄膜可以通过等离子体CVD、溅射、喷墨等形成。优选的是提供具有一定导电性的半导体薄膜，自此半导体薄膜和电极之间的接触电阻降低；但是半导体薄膜不是必须形成的。在本实施方案模式中，具有n型导电性的n型半导体薄膜109通过等离子体CVD形成。
如图1C所示，形成用于使半导体薄膜106和n型半导体薄膜109形成图案为所需造型的掩模111。优选的是通过喷墨形成掩模以便改进材料的使用效率以及减少成本和液体废物量。另外，掩模可以通过光刻法形成。另外，在通过喷墨形成掩模的情况下，光刻法工艺可被简化。例如，形成光掩模以及曝光的步骤是多余的，可以实现减少设备费用和制造时间。在本实施方案模式中，掩模通过喷墨形成。包含掩模材料的液点从喷嘴104施加到要提供有掩模的区域之上。
作为掩模材料，为无机材料(例如二氧化硅、氮化硅或氮氧化硅)、光敏或非光敏有机材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸类、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、聚乙烯醇、苯并环丁烯或光刻胶材料)。例如，在使用聚酰亚胺通过喷墨形成掩模的情况下，优选聚酰亚胺可以通过喷墨施加到所需部分以及随后可以在150℃到300℃进行烘焙热处理。
如图1D所示，半导体薄膜106和n型半导体薄膜109通过干蚀刻或湿蚀刻使用掩模进行蚀刻。蚀刻之后，进行等离子体处理等以除去掩模。应指出，掩模可以不必除去，使得掩模可以用作绝缘薄膜。
如图2A所示，形成用作源极和漏极的导电薄膜(以下称为源极和漏极)。包含金、银、铜、铝、钛、钼、钨或硅元素的薄膜，或者包含以上元素的合金薄膜可以用作导电薄膜。导电薄膜可以通过喷墨、CVD或溅射形成。在本实施方案模式中，源极和漏极115通过喷墨喷射包含溶剂中的导体的液点形成。具体地，电极可以以图1A中所示的栅极的类似方式形成；施加其中银(Ag)导体分散在十四烷溶剂中的液点。这里，液点从喷嘴104喷射到源极和漏极之上，以便施加到所需区域之上。如同栅极一样，源极和漏极可以具有单层结构或分层结构。
在使用Ag用于源极和漏极的情况下，如在本实施方案模式中，氮化硅薄膜可以作为用作保护薄膜的绝缘薄膜形成。由此可以避免栅极表面粗糙。
或者，基础预处理可以在形成用作源极和漏极的导电薄膜之前和/或之后进行。结果，源极和漏极的粘合性可以改进。例如，TiOx薄膜或Ti薄膜可以在半导体薄膜之上很薄地形成，以及源极和漏极可以通过喷墨形成。
然后，如果必要，液点的溶剂可以像栅极一样通过烘焙或干燥热处理除去。在使用包含银(Ag)的液点的情况下，如在本实施方案模式中，热处理可以在包含氧气和氮气的气氛中进行。例如，氧气的组成比可以设定在10％到25％。
另外，源极或漏极可以如上加以电镀。
如图2B所示，n型半导体薄膜109可以通过使用源极和漏极作为掩模加以蚀刻；这样防止源极和漏极对n型半导体薄膜短路。在这一点，通道保护薄膜将在一定程度上被蚀刻。由此，可以完成用作第一和第二薄膜晶体管的有源元件。
随后，接触孔通过干蚀刻或湿蚀刻在栅极绝缘薄膜中形成，使得第一薄膜晶体管的源极或漏极与第二薄膜晶体管的栅极连接。在这一点，形成掩模(未示出)，以及接触孔可以通过使用掩模在栅极绝缘薄膜中形成。掩模可以通过喷墨或光刻法形成。接触孔可以通过使用源极或漏极作为掩模在栅极绝缘薄膜中形成。在这种情况下，在其中不形成源极和漏极的区域之上除去栅极绝缘薄膜。
然后，在接触孔之上形成用于连接第一薄膜晶体管的源极或漏极与第二薄膜晶体管的栅极的导电薄膜116。包含金、银、铜、铝、钛、钼、钨或硅元素的薄膜，或者包含以上元素的合金薄膜可以用作导电薄膜。在本实施方案模式中，导电薄膜通过喷墨形成。因此，包含导电性材料的液点从喷嘴104喷射到要具有导电薄膜的区域之上。
在这种情况下，导电薄膜116可以作为源极或漏极的一部分形成。
在形成栅极绝缘薄膜之前，导电薄膜可以形成圆柱形以便将第一薄膜晶体管的源极或漏极连接到第二薄膜晶体管的栅极。形成栅极绝缘薄膜之后，将栅极绝缘薄膜背蚀刻(etch-backed)以便曝光圆柱形导电薄膜的边缘。第一薄膜晶体管的源极或漏极与第二薄膜晶体管的栅极可以通过圆柱形导电薄膜连接。在这种情况下，不需要在栅极绝缘薄膜中形成接触孔。
如上所述，完成其中已经提供源极和漏极的薄膜晶体管。本实施方案模式中的薄膜晶体管是所谓的底栅薄膜晶体管，其栅设置在半导体薄膜下面。具体地，该薄膜晶体管叫做提供有通道保护薄膜的通道保护型。提供有多个这种晶体管的衬底称为TFT衬底。
如图2C所示，圆柱形导电薄膜117在第二薄膜晶体管的源极或漏极之上形成。包含金、银、铜、铝、钛、钼、钨或硅元素的薄膜，或者包含以上元素的合金薄膜可以用作圆柱形导电薄膜。该圆柱形导电薄膜可以通过喷墨、CVD或溅射形成。在本实施方案模式中，该圆柱形导电薄膜通过喷墨形成。在喷墨的情况下，液点从喷嘴104喷射到要提供有导电薄膜的区域之上。这里，液点可以优选滴落数次，以便形成圆柱形导电薄膜到所需高度。另外，优选的是每当施加液点时进行热处理。导电薄膜通过热处理烘焙，以及可以得到合适的硬度；由此可以容易地形成圆柱形导电薄膜。如果包含导体的液点粘度合适，则圆柱形导电薄膜可以通过一次或几次液点施加形成。
如图2D所示，形成绝缘薄膜(以下称为中间层绝缘薄膜)118。有机树脂或无机树脂可以用作中间层绝缘薄膜。聚酰亚胺、丙烯酸类、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷或光刻胶材料可以用作有机材料。二氧化硅或氮化硅可以用作无机材料。另外，中间层绝缘薄膜可以通过例如旋涂、浸涂的涂布；等离子体CVD或者喷墨形成。如果母体玻璃衬底较大，则将难以应用旋涂。因此，可以将大母体玻璃倾斜布置，使得包含中间层绝缘薄膜材料的溶液从衬底上缘施加。优选，可以通过形成中间层绝缘薄膜改进平整性。
另外，基础预处理可以在形成源极和漏极之后进行，以改进源极和漏极以及中间层绝缘薄膜的粘合性。
然后，形成像素电极119以连接圆柱形导电薄膜117。根据需要，将中间层绝缘薄膜背蚀刻以曝光圆柱形导电薄膜的末端部分。像素电极可以通过溅射或喷墨形成。另外，像素电极可以由透光或不透光材料形成。例如，ITO等可以用作透光材料，以及金属薄膜可以用作不透光材料。作为像素电极的特定材料，可以使用氧化铟锡(ITO)、其中2％到20％氧化锌(ZnO)混入氧化铟的氧化铟锌(IZO)、其中2％到20％的二氧化硅(SiO2)混入氧化铟的ITO-SiOx(为方便起见称为ITSO或NITO)、有机铟、有机锡、氮化钛(TiN)等。在本实施方案模式中，像素电极可以通过溅射由NITO形成。在使用NITO用于像素电极的情况下，NITO可以优选在中间层绝缘薄膜之上形成氮化硅薄膜之后形成。
接下来，可以形成用作分隔或隔断的绝缘薄膜120，以覆盖像素电极119的末端部分。可以使用无机材料(例如二氧化硅、氮化硅、氮氧化硅)、光敏或非光敏有机材料(例如聚酰亚胺、丙烯酸类、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯或光刻胶材料)、硅氧烷、聚硅氮烷或其层压结构。作为有机材料，可以使用正型光敏有机树脂或负型光敏有机树脂。例如，在使用正型光敏丙烯酸类作为有机材料的情况下，光敏有机树脂通过光线曝光蚀刻，形成在上端部分具有曲率的开口。这一点可以避免以后要形成的电致发光层的不连续性等。这种状态下的TFT衬底称为模块TFT衬底。
图22中显示具有通过电镀形成的分层结构的栅极剖视图。由铜形成的导电薄膜102通过电镀在栅极103周围形成。其它结构如图2D，并且其说明从略。
另外，由铜制成的导电薄膜可以在源极或漏极周围形成。
图23中显示电镀的一种模式，以及将描述由大母体玻璃衬底得到四个面板的切割情况。
如图23A所示，例如通过喷墨法在与栅极103相同的层施加Ag，形成用于供给电流的导电薄膜180。导电薄膜180可以由不同于栅极的材料形成，或者可以由要进行电镀的Cu形成。在此，Cu可以优选应用在由Ag形成的栅极上。因此，Cu可以通过电镀均匀地形成。
如图23B所示，衬底100固定到工作台184，以及在衬底之上依次设置用于施涂其中溶解金属的溶液的机头181、用于洗涤其中溶解金属的溶液的机头182和用于喷洒气体进行干燥的机头183。通过如此设置多个喷嘴，可以得到连续处理以及可以改进生产率。在通过电镀施涂Cu的情况下，硫酸铜和稀硫酸的溶液可以用作其中溶解了金属的溶液。氧气、氮气或其混合物可以用作进行干燥的气体。另外，可以喷洒热气用于加速干燥。
在这种情况下，衬底100沿着箭头方向移动，以及电镀可以在大母体玻璃衬底上进行。衬底100和机头181、182和183可以相对移动。
如图23C所示，衬底100固定于工作台184以及倾斜地布置具有θ角度。角θ可以为0°＜θ＜90°，优选45°＜θ＜80°。另外，溶液可以用高压以90°＜θ＜120°的角度从机头181喷洒。类似地，洗液从机头182喷洒，气体用高压从机头183喷洒。在这种情况下，溶液滴液不在衬底100上流动；因此可以避免溶液的不均匀。因为衬底如上倾斜设置，所以即使母体玻璃衬底较大，也可以避免电镀装置较大。
另外，工作台184包括导体和绝缘体185。导体之一用作阳极，其它用作阴极。电镀可以通过向它们通电进行。工作台184可以分别带有导体和绝缘体。
另外，不同于本实施方案模式，电镀可以通过将衬底100浸入其中溶解了金属的溶液中进行。
另外，导电薄膜102可以通过化学镀围绕栅极形成，所述化学镀由于溶液中金属离子还原而不需要电流。在这种情况下，用于通电的导电薄膜180是多余的。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要处理的液体废物量的减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式2在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，在中间层绝缘薄膜中提供的接触孔以不同方式形成。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图3A所示，第一和第二薄膜晶体管如上述实施方案模式形成。在本实施方案模式中，形成中间层绝缘薄膜118以便覆盖第一和第二薄膜晶体管，而不形成圆柱形导电薄膜。
随后，在中间层绝缘薄膜之上形成掩模。掩模可以通过喷墨或光刻法形成。在本实施方案模式中，掩模通过喷墨形成。当掩模通过喷墨形成时，光刻法工艺可以简化。换句话说，不需要形成光掩模、光线曝光等步骤。因此，设备投资成本可以减少并且制造时间可以缩短。这里，包含掩模材料的液点从喷嘴104滴落到其中要形成掩模的区域之上。
然后，接触孔122通过使用掩模的干蚀刻在中间层绝缘薄膜中形成。接触孔在连接第二薄膜晶体管的源极或漏极的部分中形成。
如图3B所示，圆柱形导电薄膜123在接触孔中形成。包含金、银、铜、铝、钛、钼、钨或硅元素的薄膜，或者包含以上元素的合金薄膜可以用作圆柱形导电薄膜。该圆柱形导电薄膜可以通过喷墨、CVD或溅射形成。在本实施方案模式中，该圆柱形导电薄膜通过喷墨形成。在喷墨的情况下，液点从喷嘴104喷射到要具有导电薄膜的区域之上。此时，液点可以优选滴落数次，以便形成圆柱形导电薄膜到所需高度。在本实施方案模式中，每当施加液点时不必进行热处理，因为接触孔的侧壁可以隔断。
如图3C所示，如上述实施方案模式，形成像素电极119以便连接圆柱形导电薄膜。然后，形成用作隔断或分隔的绝缘薄膜120，以覆盖像素电极的末端部分。因此，可以形成模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使液点在某种程度上不以直线喷射，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式3在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，中间层绝缘薄膜以不同方式形成。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图4A所示，第一和第二薄膜晶体管如上述实施方案模式形成，以及形成中间层绝缘薄膜以覆盖第一和第二薄膜晶体管。在本实施方案模式中，中间层绝缘薄膜通过喷墨形成。形成中间层绝缘薄膜125使得不覆盖第二薄膜晶体管的源极或漏极之一，其连接到像素电极。这里，包含绝缘薄膜材料的液点从喷嘴104喷射到要具有中间层绝缘薄膜的区域之上。如图4A所示的这种中间层绝缘薄膜可以通过适当设定液点粘度形成。因此，不需要用于将像素电极连接到中间层绝缘薄膜的接触孔。
如图4B所示，像素电极119在中间层绝缘薄膜的开口126之上形成。像素电极可以通过溅射或喷墨形成。另外，像素电极可以由透光或不透光材料形成。例如，ITO等可以用作透光材料，以及金属薄膜可以用作不透光材料。作为像素电极的特定材料，可以使用氧化铟锡(ITO)、其中2％到20％氧化锌(ZnO)混入氧化铟的氧化铟锌(IZO)、其中2％到20％的二氧化硅(SiO2)混入氧化铟的ITO-SiOx(为方便起见称为ITSO或NITO)、有机铟、有机锡、氮化钛(TiN)等。在本实施方案模式中，包含透明导电材料的液点从喷嘴104喷射形成像素电极119。
如图4C所示，可以形成用作隔断或分隔的绝缘薄膜120，以便覆盖像素电极的末端部分和开口之上的像素电极(还总称为一部分像素电极)。这里，形成绝缘薄膜120以覆盖平坦区域之外的一部分像素电极，使平坦区域中的像素电极曝光。因此，可以防止以后形成的电致发光层的不连续性。另外，可以在中间层绝缘薄膜的开口之上形成电致发光层，而不形成绝缘薄膜120。因此，可以形成模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式4在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，接触孔和中间层绝缘薄膜以不同方式形成。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图5A所示，第一和第二薄膜晶体管如上述实施方案模式形成。形成液体排斥性并具有圆柱形造型的有机薄膜128之后，中间层绝缘薄膜118通过喷墨形成以覆盖薄膜晶体管。此时，中间层绝缘薄膜不在有机薄膜上形成，因为有机薄膜排斥中间层绝缘薄膜。
有机薄膜可以由例如PVA(聚乙烯醇)或FAS(氟烷基硅烷)通过喷墨形成。另外，有机薄膜用等离子体、激光、电子束等处理。因此，有机薄膜的液体排斥性可以改进。至于细节，可以参考日本专利申请号2003-344880。
如图5B所示，有机薄膜128可以通过干蚀刻、湿蚀刻、使用常压等离子体的蚀刻、水洗或者使用激光或电子束的处理有选择地除去。在本实施方案模式中，有机薄膜128通过水洗除去。因此，其中除去有机薄膜的区域可以用作接触孔129。
如图5C所示，形成像素电极119。像素电极可以通过溅射或喷墨形成。另外，像素电极可以由透光或不透光材料形成。例如，ITO等可以用作透光材料，以及金属薄膜可以用作不透光材料。作为像素电极的特定材料，可以使用氧化铟锡(ITO)、其中2％到20％氧化锌(ZnO)混入氧化铟的氧化铟锌(IZO)、其中2％到20％的二氧化硅(SiO2)混入氧化铟的ITO-SiOx(为方便起见称为ITSO或NITO)、有机铟、有机锡、氮化钛(TiN)等。在本实施方案模式中，包含透明导电材料的液点从喷嘴104滴落形成像素电极119。此时，控制从喷嘴104到接触孔之上的液点量。
然后，如上述实施方案模式，形成用作隔断或分隔的绝缘薄膜，以覆盖像素电极的末端部分。因此，可以形成模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。
当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式5在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，接触孔和中间层绝缘薄膜以不同方式形成。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图6A所示，第一和第二薄膜晶体管如上述实施方案模式形成。然后，在源极和漏极、通道保护薄膜和栅极绝缘薄膜等之上的要具有中间层绝缘薄膜的表面上，形成排斥中间层绝缘薄膜的薄膜136。例如，PVA(聚乙烯醇)或FAS(氟烷基硅烷)可以通过喷墨用作液体排斥性薄膜。
如图6B所示，有选择地形成掩模131。掩模可以由例如聚酰亚胺、聚乙烯醇等通过喷墨形成。液体排斥性的薄膜136使用掩模131有选择地除去。有机薄膜136可以通过干蚀刻、湿蚀刻、使用常压等离子体的蚀刻、水洗或者使用激光或电子束的处理除去。在本实施方案模式中，液体排斥性的薄膜通过在常压下使用氧气的等离子体处理除去。然后，用类似方法除去掩模131。在本实施方案模式中，掩模可以通过水洗除去。
如图6C所示，形成中间层绝缘薄膜118。中间层绝缘薄膜不在有选择地形成的液体排斥性薄膜上形成。由此形成开口135。
如图6D所示，像素电极119在开口135之上形成，以及可以形成用作隔断或分隔的绝缘薄膜120，以便覆盖像素电极的末端部分和开口之上的像素电极(还总称为一部分像素电极)。因此，可以形成模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式6在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，其中不提供通道保护薄膜的结构是不同的。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图7A所示，TiOx薄膜101如上述实施方案模式作为光催化剂在衬底100之上形成；栅极103在要具有第一和第二薄膜晶体管的区域和12中形成。另外，依次形成栅极绝缘薄膜105、半导体薄膜和n型半导体薄膜109。在如上通过等离子体CVD形成半导体薄膜和n型半导体薄膜的情况下，可以优选连续地形成半导体薄膜106、n型半导体薄膜109和栅极绝缘薄膜。在这种情况下，通过改变材料气体供应，薄膜可以不暴露于空气连续地形成。
然后，形成掩模111用于使半导体薄膜106和n型半导体薄膜109形成图案到所需形状。
如图7B所示，使半导体薄膜和n型半导体薄膜形成图案之后，绝缘薄膜130围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜形成。应指出，n型半导体薄膜必须连接到以后要形成的源极和漏极。因此，绝缘薄膜130在周围形成以使n型半导体薄膜曝光。
有机材料或无机材料可以用作绝缘薄膜130的材料。聚酰亚胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亚胺酰胺、苯并环丁烯、硅氧烷、聚硅氮烷或光刻胶材料可以用作有机材料。二氧化硅或氮化硅可以用作无机材料。绝缘薄膜130可以通过喷墨或等离子体CVD形成。
该绝缘薄膜130使围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜的步骤更少，以及使表面更平整。因此，可以防止以后要形成的源极和漏极之间的不连续性。其中绝缘薄膜130围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜形成的结构可以任意与其它实施方案模式结合。
然后，n型半导体薄膜109通过使用源极和漏极115作为掩模加以蚀刻。蚀刻n型半导体薄膜使得不短路源极和漏极。在这一点上，半导体薄膜往往被部分蚀刻。
接下来，接触孔通过蚀刻在栅极绝缘薄膜上形成，使得第一薄膜晶体管的源极或漏极连接到第二薄膜晶体管的栅极。栅极绝缘薄膜的接触孔可以根据以上实施方案模式形成。
可以在接触孔中形成用于连接第一薄膜晶体管的源极或漏极到第二薄膜晶体管的栅极的导电薄膜116。导电薄膜116可以根据以上实施方案模式形成。
由此，可以完成用作第一和第二薄膜晶体管的有源元件。
如上所述，完成其中已经提供源极和漏极的薄膜晶体管。本实施方案模式中的薄膜晶体管是所谓的底部栅薄膜晶体管，其栅在半导体薄膜下面提供。具体地，该薄膜晶体管叫做不具有通道蚀刻薄膜的通道蚀刻型。具有多个这种薄膜晶体管的衬底称为TFT衬底。
如图7C所示，圆柱形导电薄膜117在第二薄膜晶体管的源极或漏极上形成。然后，形成中间层绝缘薄膜118、像素电极119和用作隔断或分隔的绝缘薄膜120。可以根据以上实施方案模式形成圆柱形导电薄膜117、中间层绝缘薄膜118、像素电极119和用作隔断或分隔的绝缘薄膜120。另外，在图7C中，形成圆柱形导电薄膜117、中间层绝缘薄膜118、像素电极119等以便与实施方案形式1对应。但是，本实施方案模式可以任意与实施方案模式2到5的任何一个结合。这种状态下的TFT衬底称为模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式7在本实施方案模式中，将描述用不同于以上实施方案模式的方法形成第一和第二薄膜晶体管的实例。具体地，薄膜晶体管被称为顶部栅薄膜晶体管，在其每个中，栅极设置在半导体薄膜之上。其它结构类似于以上实施方案模式；因此说明从略。
如图8A所示，TiOx薄膜101在衬底100之上形成。同上如果必要，基础薄膜可以在衬底之上形成。例如二氧化硅、氮化硅、氮化硅氧化物、二氧化钛或氮化钛的绝缘薄膜可以用作基础薄膜。在本实施方案模式中，TiOx薄膜用作基础薄膜。
在其中要形成第一和第二薄膜晶体管的区域11和12中，形成源极和漏极115。源极和漏极可以根据以上实施方案模式形成。在本实施方案模式中，电极通过喷墨滴落包含Ag的液点形成。然后，根据需要形成n型半导体薄膜109。结果，源极和漏极以及半导体薄膜之间的电阻优选被降低。在形成n型半导体薄膜的情况下，必须蚀刻该n型半导体薄膜，以便源极和漏极不由于n型半导体薄膜而短路。
依次形成半导体薄膜106和栅极绝缘薄膜105。半导体薄膜和栅极绝缘薄膜可以通过使用不同材料气体连续形成。半导体薄膜和栅极绝缘薄膜可以根据以上实施方案模式形成。然后，形成掩模(未示出)，以及使n型半导体薄膜109、半导体薄膜106和栅极绝缘薄膜105形成图案到所需形状。
栅极103在半导体薄膜之上形成。栅极可以根据以上实施方案模式形成。在本实施方案模式中，包含Ag的液点通过喷墨施加。
并未示出保护薄膜；但是其可以优选在栅极之上形成。保护薄膜可以形成包括氮化硅、二氧化硅等的单层结构或分层结构。例如，可以形成其中氮化硅、二氧化硅和氮化硅依次层叠的保护薄膜。如在本实施方案模式中，在使用Ag用于栅极的情况下，氮化硅薄膜可以优选用作栅极绝缘薄膜，其是与Ag接触的绝缘薄膜。这是因为当使用包含氧的绝缘薄膜时，氧气与Ag反应并形成氧化银；因此，栅极的表面将是粗糙的。
可以形成用于连接第一薄膜晶体管的源极或漏极到第二薄膜晶体管的栅极的导电薄膜116。导电薄膜可以根据以上实施方案模式形成。
由此，可以完成用作第一和第二薄膜晶体管的有源元件。
如上所述，完成其中已经提供源极和漏极的薄膜晶体管。本实施方案模式中的薄膜晶体管是所谓的顶部栅薄膜晶体管，其栅在半导体薄膜之上提供。具有多个这种薄膜晶体管的衬底称为TFT衬底。
如图8B所示，圆柱形导电薄膜117在第二薄膜晶体管的源极或漏极上形成。然后，形成中间层绝缘薄膜118、像素电极119和用作分隔或隔断的绝缘薄膜120。可以根据以上实施方案模式形成圆柱形导电薄膜117、中间层绝缘薄膜118、像素电极119和用作隔断或分隔的绝缘薄膜120。另外，在图8B中，形成圆柱形导电薄膜117、中间层绝缘薄膜118、像素电极119等以便与实施方案形式1对应。但是，本实施方案模式可以任意与实施方案模式2到5的任何一个结合。这种状态下的TFT衬底称为模块TFT衬底。
关于本实施方案模式中显示的薄膜晶体管，通过喷墨形成至少一种导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模。因此，只要喷墨用于形成导电薄膜或不同于该导电薄膜的掩模的步骤，其它导电薄膜可以通过不同于喷墨的方法形成。当喷墨用于一个步骤时，材料的使用效率得以改进并且可以实现成本和要整理的液体废物量减少。特别地，当掩模通过喷墨形成时，与光刻法相比，工艺可以简化。因此，成本，例如设备成本，以及制造时间可以减少。
正如如此描述的，可以得到通过基础预处理制造的更精细的具有栅极、源极和漏极的薄膜晶体管。另外，在有选择地进行基础预处理的情况下，即使当液点在某种程度上不以直线喷射时，布线也可以沿着用基础预处理处理过的区域形成；由此，可以实现布线形成的直线性。
实施方案模式8在本实施方案模式中，将描述使中间层绝缘薄膜平整化的工艺。
如图9A所示，中间层绝缘薄膜118通过喷墨或涂布形成。可以根据以上实施方案模式选择中间层绝缘薄膜的材料。在本实施方案模式中，硅氧烷用于通过喷墨形成中间层绝缘薄膜。这里，施加包含有机材料的液点，以及中间层绝缘薄膜通过使用喷气装置150在加热之前进行平整化。例如，用于除去衬底杂质等的气刀可以用作喷气装置。空气、氧气或氮气可以用作气体。因此，即使中间层绝缘薄膜的表面上的微小不规则性也可以被平整化。平整化之后，进行加热以及进行烘焙。
圆柱形导体117的表面也可以通过使用喷气装置平整化。例如，在中间层绝缘薄膜中形成接触孔之后，当导电薄膜通过喷墨在接触孔中形成时，施加包含导电薄膜材料的液点；因此导电薄膜的表面可以使用喷气装置在加热之前平整化。平整化之后，进行加热以及进行烘焙。
导电薄膜形成之后，将导电薄膜加热到可以保持其圆柱形形状的程度。随后，在加热之前，导电薄膜和中间层绝缘薄膜的表面可以通过使用喷气装置进行平整化。平整化之后，进行加热以及进行烘焙。
另外，包含导电薄膜材料的若干液点被施加到要具有导电薄膜的区域上并形成中间层绝缘薄膜。在使其中包含导电薄膜材料的液点为液体排斥性的情况下，开口在液点之上的中间层绝缘薄膜中形成。然后，圆柱形导电薄膜通过将包含导电薄膜材料的液点施加到开口形成。然后，导电薄膜和中间层绝缘薄膜的表面可以通过使用喷气装置进行平整化。平整化之后，进行加热以及进行烘焙。
通过改进导电薄膜和中间层绝缘薄膜的表面的平整性，可以形成其中层叠绝缘薄膜和导电薄膜的多层布线。
在本实施方案模式中，中间层绝缘薄膜等的表面可以通过使用喷气装置进行平整化。其它结构可以任意与以上实施方案模式结合。
图9B中显示平整化工艺的全视图。在其中喷气装置150宽度大于具有中间层绝缘薄膜的衬底100宽度的情况下，即使在大母体玻璃衬底的情况下，生产率也优选得到改进。同时，即使在其中喷气装置150宽度小于衬底100宽度的情况下，大母体衬底也可以通过多重扫描加以平整化。图9显示其中喷气装置移动的情况；但是，可以使用任何结构，只要喷气装置与衬底相对移动。
这种平整化工艺可以在常压或减压下进行。另外，气氛控制可以通过使用氧气、氮气、稀有气体等在平整化腔中进行。更进一步，可以加热衬底，或者可以控制平整化腔的温度。
图10中显示联机制造系统，其中用于通过喷墨等施加液点的处理腔(施加处理腔)与平整化腔连接。
用于储存衬底的装载腔200具有其中喷射液滴的施加处理腔202，其间具有输送腔201。施加处理腔具有平整化腔204，其间具有输送腔203。衬底100依次输送通过装载腔、施加处理腔和平整化腔，并如以上实施方案模式所示处理。平整化工艺之后，可以进行施加处理。
作为图10中所示的平整化腔，喷气装置优选对于衬底倾斜布置。这是因为可以控制开始平整化的位置。
这种制造系统优选使其便于输送衬底。另外，在施加工艺和平整化工艺中控制气氛的情况下，优选的是使用联机制造系统；由此，可以不暴露于空气进行处理。
实施方案模式9在本实施方案模式中，将描述上述实施方案模式中所示的在模块TFT衬底之上形成电致发光层的情况。
如图11A所示，开口在用作隔断或分隔的绝缘薄膜120中形成，以便曝光像素电极(也称为发光元件的第一电极)119。绝缘薄膜中开口的末端部分是锥形的或弧形的。例如，在用正型光敏丙烯酸形成绝缘薄膜120的情况下，在上部具有曲率的开口可以通过曝光蚀刻光敏有机树脂形成。开口的锥形或弧形形状防止以后要形成的电致发光层等发生破坏。
优选的是在形成绝缘薄膜120之后在常压或减压下进行热处理。热处理可以在100℃到450℃，优选250℃到350℃的温度下进行。可以除去绝缘薄膜120内部或表面上吸收的水份。
应指出，在本实施方案模式中，NITO用作像素电极；因此像素电极119在氮化硅薄膜132在中间层绝缘薄膜之上形成之后形成。
电致发光层133在中间层绝缘薄膜120的开口中形成。在热处理中间层绝缘薄膜120之后，优选的是通过真空沉积或液滴喷射方法，在减压下不暴露于空气形成电致发光层。另外，在形成电致发光层之前，绝缘薄膜120可以通过等离子体处理成为液体排斥性的。在本实施方案模式中，绝缘薄膜120的开口用等离子体处理。有机材料(包括低分子量材料和高分子量材料)或者有机材料和无机材料的复合材料可以用作电致发光层材料。电致发光层可以通过喷墨、涂布或沉积形成。高分子量材料可以优选通过喷墨或涂布施加。低分子量材料可以优选通过沉积，特别是真空沉积施加。在本实施方案模式中，使用低分子量材料通过真空沉积形成电致发光层。
单峰激发态和三峰激发态可以用作电致发光层中形成的分子激发子种类。基态通常为单峰激发态，来自单峰激发态的发光称为荧光。来自三峰激发态的发光称为磷光。来自电致发光层的发光包括两种激发态的发光。另外，荧光和磷光可以混合，以及它们的任何一个可以根据各自RGB的冷光性能(例如发光亮度或持续时间)加以选择。
通常，电致发光层通过从像素电极119侧依次层压HIL(空穴注入层)、HTL(空穴传输层)、EML(发光层)、ETL(电子传输层)、EIL(电子注入层)形成。应指出，电致发光层可以使用单层结构或不同于层压结构的组合结构。
具体地，分别使用CuPc或PEDOT用于HIL、α-NPD用于HTL、BCP或Alq3用于ETL以及BCP:Li或CaF2用于EIL。例如，掺杂有对应于每个RGB发光的掺杂剂(DCM等用于R，DMQD等用于G)的Alq3可以用于EML。
应指出，电致发光层不限于以上材料。例如，空穴注入特征可以通过使例如氧化钼(MoOx:x＝2到3)的氧化物与α-NPD或红荧烯共蒸发增强，而不是使用CuPc或PEDOT。
在本实施方案模式中，用于发红(R)、绿(G)和蓝(B)光的材料均通过使用用于电致发光层141的气相沉积掩模等的汽相沉积有选择地形成。在进行喷墨的情况下，可以不使用掩模而应用发红(R)、绿(G)和蓝(B)光的材料。
在形成每个RGB电致发光层的情况下，高清晰度显示可以通过使用滤色片完成。这是因为在每个RGB的发光光谱中通过滤色片可以将宽峰校正成锐利的。
形成每个RGB的电致发光层的情况如上所述；但是可以形成单色发光的电致发光层。在这种情况下，组合滤色片或色彩转换层以显示全色。例如，当形成用于发白光或橙光的电致发光层时，可以提供滤色片或组合色彩转换层的滤色片以获得全色显示。滤色片或色彩转换层可以例如在第二衬底(密封衬底)上形成，以及附着于衬底。滤色片和色彩转换层都可以通过喷墨形成。
单色发光显示可以通过形成单色发光的EL层进行。例如，大面积彩色显示装置可以通过使用单色发光形成。无源矩阵结构适合于大面积彩色型，其可以主要显示文字和符号。
如图11B所示，发光元件的第二电极134随后形成，以便覆盖电致发光层133和绝缘薄膜120。
考虑到功函数，必须选择第一电极119和第二电极134的材料。第一电极和第二电极可以为阳极或阴极，取决于像素结构。在本实施方案模式中优选的是第一电极为阴极和第二电极为阳极，因为第二薄膜晶体管的极性为n-通道型。相反，当第二薄膜晶体管的极性为p-通道型时，优选的是第一电极为阳极和第二电极为阴极。
以下，将描述用作阳极和阴极的电极材料。
优选的是使用具有高功函数(功函数4.0eV或更高)的金属、合金、导电性化合物、其混合物等作为用作阳极的电极材料。作为特定材料，可以列举ITO(氧化铟锡)、其中2％到20％的氧化锌(ZnO)混入氧化铟的IZO(氧化铟锌)、ITSO(NITO)、金、铂、镍、钨、铬、钼、铁、钴、铜、钯、金属材料氮化物(例如氮化钛)等。
同时，优选的是使用具有低功函数(功函数3.8eV或更少)的金属、合金、导电性化合物、其混合物等作为用作阴极的电极材料。作为特定材料，可以列举属于元素周期表中1族或2族的元素，也即碱金属，例如锂或铯，碱土金属，例如镁、钙或锶，包括它们的合金(Mg:Ag或Al:Li)或化合物(LiF、CsF或CaF2)，或过渡金属，包括稀土金属。
在本实施方案模式中其中阴极需要透光的情况下，阴极可以通过非常薄地形成这种金属或包括这种金属的合金，以及在其上层压ITO、IZO、ITSO或另一种金属(包括合金)形成。
从电致发光层发射的光线方向可以通过使用用于第一电极或第二电极的透光或不透光阳极材料或阴极材料加以选择。例如，在用透光材料形成第一电极和第二电极的情况下，可以进行双发射显示，其中来自电致发光层的光线被发射到衬底170侧和密封衬底171侧。此时，通过使用高度反射导电薄膜用于在不是发光方向侧上提供的不透光电极，可以有效利用光线。
第一电极和第二电极可以通过汽相沉积、溅射、喷墨等形成。
在通过溅射用ITO或ITSO或其堆叠体形成第二电极的情况下，由于溅射可能损坏电致发光层。为了减少由于溅射的损坏，优选在电致发光层的上表面上形成氧化物，例如氧化钼(MoOx:x＝2到3)。因此，用作HIL等的氧化物，例如氧化钼(MoOx:x＝2到3)或氧化钛(TiOx)在电致发光层上表面上形成。EIL(电子注入层)、ETL(电子传输层)、EML(发光层)、HTL(空穴传输层)、HIL(空穴注入层)和第二电极可以以这种顺序从第一电极侧进行层压。换句话说，可以形成包括有机材料和无机材料的电致发光层。此时，第一电极用作阴极和第二电极用作阳极。
因为在本实施方案模式中第二薄膜晶体管的极性为n-通道型，考虑到电子移动方向，优选的是使用第一电极、EIL(电子注入层)、ETL(电子传输层)、EML(发光层)、HTL(空穴传输层)、HIL(空穴注入层)和第二电极的结构，其中第一电极为阴极和第二电极为阳极。
在本实施方案模式中，由于中间层绝缘薄膜，高平整性得以实现，和优选可以向电致发光层施加均匀电压。
然后，包含氮的第二绝缘薄膜、包含氮的碳薄膜(CNx)、DLC薄膜等可以通过溅射或CVD作为第二电极之上的保护薄膜形成。另外，由例如苯乙烯聚合物的有机材料形成的薄膜可以在包含以上无机材料的薄膜之上形成。由此，可以防止水份和氧气渗透。特别地，当NITO用作第二电极时，可以优选形成氮化硅薄膜并用作保护薄膜。另外，显示区域的两侧可以用第一电极、第二电极和另一个电极覆盖，由此防止氧气和水份渗透。
然后，如图12A所示，密封衬底151使用密封剂153附着于衬底。衬底和密封衬底之间形成的间隙154可以用氮气填充，或者可以具有干燥剂。另外，该间隙可以用高度吸水性的发光树脂填充。在本实施方案模式中，空洞在密封衬底151上形成以及该中空用干燥剂152填充。绝缘薄膜120的上部可以具有干燥剂，使得不屏蔽来自电致发光层的光线。另外，干燥剂可以在密封剂上部提供。因此，可以阻止氧气和水份渗入密封剂。
因此，可以完成发光模块。
通过使用各向异性导电薄膜160连接FPC(柔性印制电路)161，衬底之上的布线可以连接到密封剂外侧提供的外接端子162。外接端子由属于包括IC芯片或结晶半导体薄膜的集成电路的信号线驱动电路或扫描线驱动电路形成。在本实施方案模式中，在使用微晶半导体作为半导体薄膜材料的情况下，形成一部分电路的扫描线激励电路或选择器电路(模拟开关)等可以在一个衬底之上形成。在使用结晶半导体薄膜的情况下，扫描线驱动电路和信号线驱动电路可以在一个衬底之上形成。信号线驱动电路或扫描线驱动电路可以分别连接到像素区域。
由此，可以制造其中外接端子连接到发光模块的发光装置。
实施方案模式10在本实施方案模式中，将描述像素电路和其性能。
在图13A中所示的像素中，信号线410和电源线411和412纵向排列，以及扫描线414横向排列。该像素进一步包括转换TFT 401、驱动TFT 403、电流控制TFT 404、电容402和发光元件405。
图13C中所示的像素与图13A中所示的像素具有相同结构，除了驱动TFT 403的栅极连接到纵向排列的电源线412。也即，图13A和13C显示等效电路图。但是，电源线在其中电源线412纵向排列(图13A)和其中电源线412横向排列(图13C)的两种情况之间的不同导电层上形成。两个像素均在图13A和13C中显示，以便清楚区别连接到图13A和图13C中驱动TFTs 403的栅极的布线处于不同的层。
图13A和13C每个中，驱动TFT 403和电流控制TFT 404在像素中串联，以及驱动TFT 403的通道长度L(403)/通道宽度W(403)对电流控制TFT 404的通道长度L(404)/通道宽度W(404)的比率可以设定为L(403)/W(403)∶L(404)/W(404)＝5000到6000∶1。
驱动TFT 403在饱和区中运行并控制发光元件405中的电流量，而电流控制TFT 404在线性区域中运行并控制是否向发光元件405提供电流。考虑到制造，驱动TFT 403和电流控制TFT 404优选具有相同导电率。在本实施方案模式中晶体管为n-通道型。对于驱动TFT403，可以使用耗尽型晶体管而不是增强型晶体管。根据具有上述结构的本发明，电流控制TFT 404的Vgs中的微小变化不对发光元件405中的电流量起作用，因为电流控制TFT 404在线性区域中运行。因此，发光元件405中的电流量可以通过在饱和区中运行的驱动TFT 403测定。对于以上结构，有可能提供一种显示装置，由于TFTs特性变化的亮度的变化被减少以及图像质量得以改进。
图13A到13D中的转换TFT 401控制向像素输入视频信号。当转换TFT 401开启时，视频信号输入像素。视频信号的电压保持在电容402中。虽然像素包括图13A和13C中的电容402，但是本发明不限于此。当栅电容等可以替换电容保持视频信号时，不必提供电容402。
图13B中所示的像素具有与图13A中所示的像素类似的结构，除了增加用于释放存储电荷的擦除TFT 406和扫描线415。类似地，图13D中所示的像素具有与图13C中所示的像素相同的结构，除了增加擦除TFT 406和扫描线415。
擦除TFT 406通过增加的扫描线415控制开启/关闭。当擦除TFT406开启时，电容402中保持的电荷释放，由此使电流控制TFT 404关闭。也即，向发光元件405供电可以通过配置擦除晶体管406强制中止。这就是为什么擦除TFT 406被称作擦除晶体管的原因。因此，通过采用图13B和13D中所示的结构，发光周期可以与将信号写入所有像素之前的编写周期同时或者略微之后开始；由此可以改进占空率。
在图13E中所示的像素中，信号线410和电源线411纵向排列。扫描线414横向排列。该像素进一步包括转换TFT 401、驱动TFT 403、电容402和发光元件405。图13F中所示的像素具有与图13E中所示的像素类似的结构，除了增加擦除TFT 406和扫描线415。应注意通过配置擦除晶体管406，图13F的结构也可以使占空率改进。
如上所述，可以采用不同的像素电路。特别地，在其中薄膜晶体管由非晶半导体薄膜形成的情况下，优选的是形成大半导体薄膜用于驱动TFT。因此，关于以上像素电路，其中来自电致发光层的光线通过密封衬底放出的顶部发射型是优选的。
在其中像素密度增加的情况下，这种有源矩阵发光装置被认为优于低压驱动，因为每个像素都具有TFT。
在本实施方案模式中描述其中每个像素都具有TFT的有源矩阵发光装置；但是也可以形成其中每条线路提供TFT的无源矩阵发光装置。无源矩阵发光装置具有高孔径比，因为每个像素不具有TFT。因此，当无源矩阵显示装置用于向电致发光层两侧发光的发光装置时，透光率增加。
实施方案模式11在本实施方案模式中，将描述图13E中所示的等效电路图的俯视图。
在本实施方案模式中，第一和第二薄膜晶体管为底部栅型。接触孔通过干蚀刻使用第一薄膜晶体管的源极和漏极在栅极绝缘薄膜中形成，由此将第一薄膜晶体管的源极或漏极连接到第二薄膜晶体管的栅极。其它形成薄膜晶体管的方法可以根据以上实施方案模式进行；因此详细说明从略。
如图14所示，转换TFT 401、驱动TFT 403的栅极和扫描线803通过喷墨或溅射在TiOx薄膜之上在一层中形成。在通过喷墨形成栅极等的情况下，粘合性可以由于TiOx薄膜改进。
并未示出；但是，转换TFT 401、驱动TFT 403的栅极绝缘薄膜、半导体薄膜和n型半导体薄膜依次形成并且然后形成图案到所需形状。
转换TFT 401、驱动TFT 403的源极和漏极、信号线804和电源线805通过喷墨或溅射在一层中形成。在通过喷墨形成源极和漏极等的情况下，粘合性可以通过基础预处理改进。
然后，n型半导体薄膜通过使用源极和漏极加以蚀刻。
栅极绝缘薄膜通过使用源极和漏极、信号线804和电源线805加以蚀刻。因此，驱动TFT的栅极露出；由此栅极可以由导电薄膜806连接到转换TFT的源极或漏极。导电薄膜可以通过喷墨形成。
接下来，形成像素电极使得连接到驱动TFT的源极或漏极。在本实施方案模式中，像素电极807通过喷墨使用NITO形成。
电容402由在与驱动TFT的栅极相同层形成的导电薄膜、栅极绝缘薄膜和与电源线相同层中的导电薄膜形成。
在本实施方案模式中，驱动晶体管包括非晶半导体薄膜；因此驱动TFT的通道宽度可以优选设定的大些。
图15A显示对应于图14中的A-B的剖视图。
TiOx薄膜101在衬底100之上提供。用作栅极823和扫描线803的导电薄膜设置在要具有转换TFT 401的TiOx薄膜区域之上以及在其中扫描线和信号线交叉的交叉区域800之上。
另外，依次层叠形成图案到所需形状的栅极绝缘薄膜811、半导体薄膜812和n型半导体薄膜813。
用作信号线804、源极和漏极814的导电薄膜在要具有转换TFT401的区域中的栅极绝缘薄膜之上以及其中扫描线和信号线交叉的交叉区域800之上形成。
不同于图15A，绝缘薄膜816在形成信号线804、源极和漏极814之前形成，如图15B所示。绝缘薄膜可以通过喷墨形成，以及可以在交叉区域800中的扫描线803之上以及围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜提供。通过在扫描线803之上形成绝缘薄膜816，可以避免信号线和扫描线之间短路。另外，通过围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜提供绝缘薄膜816，可以防止源极和漏极814发生破坏。
接下来，显示其中使用顶部栅薄膜晶体管的情况的俯视图。
不同于图14，转换TFT 401的源极和漏极、信号线804和电源线805首先在一层中形成，如图16所示。在本实施方案模式中，源极和漏极、信号线804以及电源线805通过喷墨形成。在通过喷墨形成源极、漏极等的情况下，粘合性可以通过基础预处理改进。
然后，依次形成半导体薄膜和栅极绝缘薄膜并且形成图案到所需形状。另外，根据需要，n型半导体薄膜可以在源极和漏极与半导体薄膜之间的界面形成。
然后，转换TFT 401和驱动TFT 403的每个栅极以及扫描线803在一层中形成。在本实施方案模式中，栅极和扫描线803通过喷墨形成。在通过喷墨形成栅极等的情况下，粘合性可以通过基础预处理改进。
驱动TFT 403的栅极由导电薄膜806连接到转换TFT的源极或漏极。导电薄膜可以通过喷墨形成。
接下来，形成像素电极使得连接到驱动TFT 403的源极或漏极。在本实施方案模式中，像素电极807通过喷墨使用NITO形成。
应指出，图16中不提供电容；但是如图14中可以提供电容。
在本实施方案模式中，驱动晶体管包括非晶半导体薄膜；因此驱动TFT的通道宽度可以优选设定的大些。
图17A显示图16中的A-B的剖视图。
TiOx薄膜101在衬底100之上提供。TiOx薄膜可以用作基础薄膜。包括源极和漏极814的导电薄膜在要具有转换TFT 401和驱动TFT403的TiOx薄膜区域之上提供。
n型半导体薄膜813形成图案到所需形状，依次层叠半导体薄膜812、栅极绝缘薄膜811。n型半导体薄膜不是必须提供的。
用作栅极的扫描线803和导电薄膜在要具有转换TFT 401的区域中的栅极绝缘薄膜之上以及其中扫描线和信号线交叉的交叉区域800之上形成。
不同于图17A，绝缘薄膜816在形成扫描线803和栅极之前形成，如图17B所示。绝缘薄膜可以通过喷墨形成，以及可以在交叉区域中或围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜提供。通过在交叉区域中形成绝缘薄膜816，可以避免扫描线和信号线之间短路。另外，通过围绕半导体薄膜和n型半导体薄膜提供绝缘薄膜816，可以防止源极和漏极814发生破坏。
实施方案模式12在本实施方案模式中，通过使用图13E中所示的等效电路，将描述扫描线和信号线具有二极管作为保护电路的情况。
图21中，转换TFT 401、驱动TFT 403、电容402、发光元件405在像素部分500中提供。信号线410具有二极管561和562。二极管561562根据以上如转换TFT 401或驱动TFT 403一样的实施方案模式形成；每个二极管具有栅极、半导体层、源极、漏极等。二极管561和562通过将栅极连接到漏极或源极作为二极管工作。
连接二极管的布线554和555在与栅极相同的层中形成。因此，需要在栅绝缘层中形成接触孔以便将布线554和555连接到每个二极管的源极或漏极。
栅极绝缘薄膜中的接触孔可以通过使用由喷墨形成的掩模蚀刻形成。在这种情况下，如果采用常压喷射蚀刻，可以进行局部喷射工艺；由此不需要在衬底的整个表面之上形成掩模。
包括在扫描线414的二极管可以具有类似结构。
根据如上所述本发明，二极管可以与像素部分的TFT同时形成。另外，二极管的位置不限于本实施方案模式，以及二极管可以在驱动电路和像素之间形成。
实施方案模式13在本实施方案模式中，将描述液滴喷射系统。
图18中，显示用于形成例如布线图案的液滴喷射系统的模式。液滴喷射装置823具有机头825，以及机头825具有多个喷嘴104。在本实施方案模式中，将描述使用具有两个机头的液滴喷射装置，每个机头具有10个喷嘴的情况。机头825连接到控制装置827，以及控制装置由计算机810控制；由此可以形成预定图案。形成图案可以从例如固定在工作台831等上的衬底100之上形成的标记841作为起点进行。另外，形成图案可以使用衬底100的边缘作为起点进行。起点用例如CCD的图像装置824探测，以及通过图像处理装置809将信息转换成数字信号。转换的数字信号由计算机810识别并且产生控制信号以及传输到控制装置827。在此，在衬底100之上形成的图案信息存储在存储介质808中。控制信号发送给基于信息的控制装置827；由此液滴喷射装置823的每个机头825；进一步的该机头的每个喷嘴可以分别控制。
因为喷嘴可以分别控制，包含不同材料的液点可以由某几个喷嘴施加。例如，用于施加包含导电性材料的液点的喷嘴和用于施加包含绝缘薄膜材料的液点的喷嘴可以在一个机头中提供。另外，在例如中间层绝缘薄膜的大面积上施加的情况下，包含绝缘薄膜材料的液点可以从所有喷嘴滴落以改进生产率。
整个液滴喷射装置823的宽度差不多等于或小于衬底100的宽度。特别地，在使用大母体玻璃衬底的情况下，认为整个液滴喷射装置823的宽度小于母体玻璃衬底的宽度。这里，图案可以通过使机头和衬底相对扫描若干次在大母体玻璃衬底上形成。
例如，如图26所示，在由大母体玻璃形成多个面板的情况下，整个液滴喷射装置823的宽度可以等于面板宽度。图26中，液滴喷射装置823垂直排列于扫描方向，形成三条线路。
图26中，其中要形成一个面板的大衬底100上的区域830用虚线表示。液滴喷射装置823包括具有与面板相同宽度的机头825a、825b和825c。图案通过使液滴喷射装置823曲折运动或往复运动形成。这里，机头和衬底可以相对扫描若干次。因为其它结构类似于图18，所以说明从略。
图26中，机头825a、825b和825c可以分别包含用于形成不同层的材料，或者可以包含一种材料。当一种材料从三个机头喷射形成图案化的中间层绝缘薄膜时，生产率改进。
实施方案模式14如下可以给出上述实施方案模式中描述的使用显示装置的电子设备实例摄像机；数字照相机；眼罩式显示器(头戴式显示器)；导航系统；音频再现装置(汽车音响、音响部件等)；膝上型个人电脑；游戏机；个人数字辅助设备(便携式电脑、移动电话、便携式游戏机、电子图书等)；包括记录介质的图像再现装置(具体地，能够再现记录介质的装置，例如数字多用途磁盘(DVD)和具有可以显示数据图像的显示器的装置)；等等。具体地，上述实施方案模式中描述的喷墨法优选用于具有大屏幕的大型电视等。这些电子设备的实际实例示于图19A和19B。
图19A显示大型EL显示装置，包括底板2001、载体2002、显示部分2003、扬声器2004、视频信号输入端2005等。显示部分2003具有包括像素部分和驱动电路部分的模块。像素部分具有通过上述实施方案模式描述的喷墨形成的发光元件和TFT。应指出，显示装置包括所有用于显示信息的显示装置，包括用于个人电脑、电视广播接收和广告的显示装置。
优选的是为像素部分提供起偏振片或循环起偏振片以改进对比度。例如，密封衬底依次具有四分之一波片、半波片和起偏振片。另外，可以在起偏振片之上提供抗反射膜。
图19B显示EL电视接收机主结构的方块图。具有上述实施方案模式所示结构的像素部分901在显示板中形成。例如，存在这种情况，其中扫描线驱动电路903和信号线驱动电路902通过TAB方法装配。作为另一种情况，扫描线驱动电路903和信号线驱动电路902通过COG方法装配在像素部分边缘上。作为又一种情况，TFT由SAS形成，信号线驱动电路902通过在衬底之上整体形成像素部分901和扫描线驱动电路903，以驱动IC的形式单独装配。
作为外电路结构，在其中视频信号输入的一侧，由调谐器904接收的信号包括放大视频信号的视频波放大器电路905；从中将信号输出转换成对应于红、绿和蓝每个色彩的彩色信号的视频信号处理电路906；将视频信号转换成驱动IC输入规格的控制电路907；等等。信号由控制电路907输出到扫描线驱动电路和信号线驱动电路。在数字驱动的情况下，信号分配电路908在控制电路和信号线驱动电路之间提供，以及可以具有其中输入数字信号通过分成m-段提供的结构。
在由调谐器904接收的信号中，音频信号被传输到音频信号放大器电路909，并且经由音频信号处理电路910为扬声器913提供输出。控制电路911接收接收台的控制信息(接收频率)或者来自输入部分912的量，并且向调谐器904或音频信号处理电路910发送信号。
电视接收机可以通过将包括这种外电路的显示部分引入底板2001完成。扬声器2004、视频信号输入端2005、操作转换器等作为其它附属设备提供。因此，根据本发明可以完成EL电视接收机。
当然，本发明不限于电视接收机，其适用于例如在车站、机场处的信息显示板等大面积显示媒介，或者街道上的广告显示板以及个人电脑监视器。
图20A显示个人数字辅助的移动电话，包括主体2101、底板2102、显示部分2103、音频输入部分2104、音频输出单元2105、操作键2106、天线2107等。显示部分2103具有包括像素部分和驱动电路部分的模块。像素部分具有通过上述实施方案模式描述的喷墨法形成的发光元件和TFT。另外，移动电话成本可以通过由一个大型母体玻璃衬底形成多个面板，形成显示部分2103而减少。
图20B显示片状移动电话，包括主体2301、显示部分2303、音频输入部分2304、音频输出部分2305、转换器2306、外接端口2307等。独立制造的耳机2308可以经由外接端口2307连接到移动电话。具有传感器的触板显示屏用作显示部分2303。一系列操作可以通过触摸显示部分2303上显示的触板操作键2309进行。显示部分2303具有具有像素部分和驱动电路部分的模块。像素部分具有通过上述实施方案模式描述的喷墨形成的发光元件和TFT。另外，片状移动电话成本可以通过由一个大型母体玻璃衬底形成多个面板，形成显示部分2303而减少。
通过形成本发明的显示部分，即使这种紧凑电子设备的若干面板也可以使用大母体玻璃衬底制造。由此，成本可以减少。
图25A显示数字摄像机，包括主体2601、显示区域2602、底板2603、外接端口2604、遥控接收部分2605、图像接收部分2606、电池2607、音频输入部分2608以及操作键2609。显示部分2602具有包括像素部分和驱动电路部分的模块。像素部分包括具有根据上述实施方案模式由喷墨形成的TFT的发光元件。另外，采用切割大母体玻璃衬底的技术形成显示部分2602；由此数字摄像机的成本可以减少。
特别地，在使用本实施方案模式的数字摄像机拍摄自己的情况下，双发射像素部分是优选的。因为双发射像素部分具有半透明性；由此不翻转底板2603就可以看到自己的图像。
例如，当受试者2610拍摄自己时，不翻转底板2603就可以在显示部分2602上显示自己的图像，如图25B所示。这里，从受试者的另一侧可以在显示部分2602中看到图25B的倒象，如图25C所示。
另外，在其中摄影师拍摄受试者2610的情况下，因为像素具有半透明性，所以摄影师和受试者2610可以在显示部分2602上看到图像。在这种情况下，可以选择摄影师和受试者2610分别看到图25B和图25C中的图像的哪个。
除数字摄像机之外，例如在用数字照相机拍摄自己的情况下，通过安装双发射像素部分可以不翻转底板看到自己的图像。在这种情况下，包括显示部分的底板是可折叠的，如图25A中所示数字摄像机；由此数字照相机的主体可以从包括显示区域的底板分离。
同样关于数字照相机，在其中摄影师拍摄受试者2610的情况下，双发射像素部分具有半透明性；由此摄影师和受试者可以在显示部分2602上看到图像。
如上所述，本发明的应用范围非常广泛，以及本发明可以应用于任何领域中的任何电子设备。另外，本实施方案模式的电子设备可以具有上述实施方案模式中所示的任何结构。
实施方案1在本实施方案中，评价在形成TiOx薄膜作为基础预处理的情况下导电薄膜的粘合性。
首先，Ti薄膜(1nm到5nm)通过溅射形成以及加热形成TiOx薄膜。热处理使用加热到230℃的烘箱。然后，测量TiOx薄膜的薄膜电阻。然后，因为电阻为1×106Ω/平方或更高，薄膜电阻不可测量；由此确认TiOx薄膜是绝缘的。
然后，包含Ag的液点通过喷墨施加在TiOx薄膜之上，形成16布线导电薄膜，每个长度为1cm，线宽为200μm到300μm，以及高度为400μm到500μm。另外，在230℃进行热处理。
对布线进行拉伸测试。拉伸测试中，将kapton带粘贴在布线上，以及评价布线被剥离还是未被除去。结果，布线未被剥离。
另外，将其中布线如上形成的衬底浸入0.5％HF溶液以及进行水洗。结果，布线全部保留没有被除去。
同时，在不形成TiOx薄膜而形成布线的情况下，当衬底浸入0.5％HF溶液时，大部分布线被除去以及仅保留一些布线。
当布线通过喷洒TiOx形成时，进行拉伸测试和0.5％HF溶液的浸渍试验；但是布线未被除去。
由此发现包含Ag的布线的粘合性由于基础预处理而改进。
本申请基于2003年11月14日在日本专利局提交的日本专利申请序列号2003-386020，在此将其内容引入作为参考。
权利要求
1.一种显示装置，包括包括第一栅极的第一晶体管；包括第二栅极的第二晶体管，所述第二栅极连接到第一晶体管的第一漏极；提供以覆盖第一和第二晶体管的绝缘薄膜；电致发光层的第一电极，其连接到第二晶体管的漏极；和电致发光层的第二电极，其在电致发光层之上提供。
2.一种显示装置，包括包括由液滴喷射方法形成的第一栅极的第一晶体管；包括第二栅极的第二晶体管，所述第二栅极连接到第一晶体管的第一漏极；提供以覆盖第一和第二晶体管的绝缘薄膜；电致发光层的第一电极，其连接到第二晶体管的漏极；和电致发光层的第二电极，其在电致发光层之上提供。
3.一种显示装置，包括包括由液滴喷射方法形成的第一栅极的第一晶体管；包括第二栅极的第二晶体管，所述第二栅极连接到第一晶体管的第一漏极；提供以覆盖第一和第二晶体管的第一绝缘薄膜；包含氮的第二绝缘薄膜，其形成以覆盖第一绝缘薄膜；电致发光层的阴极，其连接到第二晶体管的第二漏极；和电致发光层的阳极，其在电致发光层之上提供。
4.一种显示装置，包括包括由液滴喷射方法形成的第一栅极的第一晶体管；包括第二栅极的第二晶体管，所述第二栅极连接到第一晶体管的第一漏极；提供以覆盖第一和第二晶体管的第一绝缘薄膜；包含氮的第二绝缘薄膜，其形成以覆盖第一绝缘薄膜；电致发光层的阴极，其连接到第二晶体管的第二漏极；和电致发光层的阳极，其在电致发光层之上提供，其中阴极、电子注入层、电子传输层、发光层、空穴传输层和空穴注入层在电致发光层中依次层叠。
5.权利要求1至4任何一项的显示装置，其中第一和第二栅极的每一个在用基础预处理处理过的区域之上形成。
6.权利要求5的显示装置，其中基础预处理通过使用光催化剂进行。
7.权利要求1至4任何一项的显示装置，其中第一和第二栅极以及第一和第二漏极各自包含金、银、铜、铂、钯、钨、镍、钽、铋、铅、铟、锡、锌、钛或铝。
8.权利要求2至4任何一项的显示装置，其中喷墨用于液滴喷射方法。
9.权利要求1至4任何一项的显示装置，其中第一和第二晶体管各自包括非晶半导体或半非晶半导体。
10.权利要求1至4任何一项的显示装置，其中扫描线连接到第一晶体管的第一栅极，信号线连接到第一晶体管的第一漏极，以及为扫描线和信号线提供保护电路。
11.一种电视接收机，其中显示屏包括权利要求1至4任何一项的显示装置。
12.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过施加包含导体的组合物形成第一导电薄膜；在第一导电薄膜之上形成半导体薄膜；通过施加包含导体的组合物在半导体薄膜之上形成第二导电薄膜，由此形成薄膜晶体管；形成第一绝缘薄膜以便覆盖薄膜晶体管，在第一绝缘薄膜之上形成第一电极，形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
13.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一导电薄膜；在第一导电薄膜之上形成半导体薄膜；通过液滴喷射方法在半导体薄膜之上形成第二导电薄膜，由此形成薄膜晶体管；形成第一绝缘薄膜以便覆盖薄膜晶体管，在第一绝缘薄膜之上形成第一电极，形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
14.权利要求12和13任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第一基础预处理步骤，其中第一导电薄膜在形成导电薄膜之前形成。
15.权利要求12和13任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第二基础预处理步骤，其中第二导电薄膜在形成导电薄膜之前形成。
16.权利要求14的制造显示装置的方法，其中第一基础预处理通过使用光催化剂进行。
17.权利要求15的制造显示装置的方法，其中第二基础预处理通过使用光催化剂进行。
18.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二栅极；在栅极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二源极以及第一和第二漏极，由此形成薄膜晶体管；在第二源极或第二漏极之上形成圆柱形导电薄膜；形成第一绝缘薄膜以覆盖圆柱形导电薄膜和薄膜晶体管；形成第一电极以在第一绝缘薄膜之上连接圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
19.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二栅极；在栅极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二源极以及第一和第二漏极，由此形成薄膜晶体管；形成第一绝缘薄膜以便覆盖薄膜晶体管；在第二源极或第二漏极之上的第一绝缘薄膜中形成接触孔；在接触孔中形成圆柱形导电薄膜；形成第一电极以连接圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
20.权利要求19的制造显示装置的方法，其中通过液滴喷射方法在第一绝缘薄膜之上形成掩模，以及通过使用掩模的蚀刻在第一绝缘薄膜中形成接触孔。
21.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二栅极；在栅极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二源极以及第一和第二漏极，由此形成薄膜晶体管；形成第一绝缘薄膜，以便在第二源极或第二漏极之上形成开口；在第一绝缘薄膜的开口中形成第一电极，形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的一部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
22.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二栅极；在栅极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二源极以及第一和第二漏极，由此形成薄膜晶体管；在第二源极或第二漏极之上形成圆柱形有机薄膜；形成第一绝缘薄膜以覆盖圆柱形有机薄膜和薄膜晶体管；除去圆柱形有机薄膜；形成第一电极以便在第一绝缘薄膜之上连接第二源极或第二漏极；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
23.权利要求22的制造显示装置的方法，其中第一绝缘薄膜对圆柱形有机薄膜是排斥的。
24.权利要求22的制造显示装置的方法，其中圆柱形有机薄膜通过水洗除去。
25.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二栅极；在栅极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二源极以及第一和第二漏极，由此形成薄膜晶体管；在第二薄膜晶体管的表面上形成对第一绝缘薄膜排斥的有机薄膜；在第二源极或第二漏极的一部分之上形成掩模；使用掩模除去有机薄膜；除去掩模之后，通过形成第一绝缘薄膜在第二源极或第二漏极的一部分之上形成开口；在开口中形成第一电极以便连接第二源极或第二漏极；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的一部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
26.权利要求18、19、21、22和25任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第一基础预处理步骤，其中第一和第二栅极在形成电极之前形成。
27.权利要求18、19、21、22和25任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第二基础预处理步骤，其中第一和第二源极以及第一和第二漏极在形成电极之前形成。
28.权利要求26的制造显示装置的方法，其中第一基础预处理通过使用光催化剂进行。
29.权利要求27的制造显示装置的方法，其中第二基础预处理通过使用光催化剂进行。
30.权利要求18、19、21、22和25任何一项的制造显示装置的方法，其中形成通道保护薄膜在第一和第二栅极之上与半导体薄膜接触。
31.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二源极以及第一和第二漏极；在第一和第二源极以及第一和第二漏极之上形成半导体薄膜；在半导体薄膜之上形成掩模；使用掩模使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二栅极，由此形成薄膜晶体管；在第二源极或第二漏极之上形成圆柱形导电薄膜。形成第一绝缘薄膜以便覆盖圆柱形导电薄膜和薄膜晶体管；形成第一电极以便连接第一绝缘薄膜之上的圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
32.权利要求31的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第一基础预处理步骤，其中第一和第二源极以及第一和第二漏极在形成电极之前形成。
33.权利要求31的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第二基础预处理步骤，其中第一和第二栅极在形成电极之前形成。
34.权利要求32的制造显示装置的方法，其中第一基础预处理通过使用光催化剂进行。
35.权利要求33的制造显示装置的方法，其中第二基础预处理通过使用光催化剂进行。
36.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二晶体管的第一和第二栅极；在第一和第二栅极之上形成半导体薄膜，其间具有栅极绝缘薄膜；通过液滴喷射方法在半导体薄膜之上形成第一和第二晶体管的第一和第二源极以及第一和第二漏极；通过蚀刻栅极绝缘薄膜形成接触孔，用于将第一晶体管的第一源极或第一漏极连接到第二晶体管的第二栅极；通过液滴喷射方法在接触孔中形成导电薄膜，由此形成薄膜晶体管；在第二晶体管的第二源极或第二漏极之上形成圆柱形导电薄膜；形成第一绝缘薄膜以覆盖圆柱形导电薄膜以及第一和第二薄膜晶体管；形成第一电极以连接第一绝缘薄膜之上的圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
37.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤通过液滴喷射方法形成第一和第二晶体管的第一和第二栅极；在第一和第二栅极之上形成半导体薄膜，其间具有栅极绝缘薄膜；使半导体薄膜形成图案；通过液滴喷射方法在图案化的半导体薄膜之上形成第一和第二晶体管的第一和第二源极以及第一和第二漏极；通过使用源极和漏极蚀刻栅极绝缘薄膜形成接触孔，用于将第一晶体管的第一源极或第一漏极连接到第二晶体管的第二栅极；通过液滴喷射方法在接触孔中形成导电薄膜，由此形成薄膜晶体管；在第二晶体管的第二源极或第二漏极之上形成圆柱形导电薄膜；通过液滴喷射方法形成第一绝缘薄膜以覆盖圆柱形导电薄膜以及第一和第二薄膜晶体管；形成第一电极以连接第一绝缘薄膜之上的圆柱形导电薄膜；形成第二绝缘薄膜以便覆盖第一电极的末端部分；通过液滴喷射方法在为第二绝缘薄膜提供的开口中形成电致发光层；和形成第二电极以便覆盖电致发光层。
38.权利要求36和37任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第一基础预处理步骤，其中第一和第二晶体管的栅极在形成电极之前形成。
39.权利要求36和37任何一项的制造显示装置的方法，其中该方法进一步包括第二基础预处理步骤，其中第一和第二晶体管的第一和第二源极以及第一和第二漏极在形成电极之前形成。
40.权利要求38的制造显示装置的方法，其中第一基础预处理通过使用光催化剂进行。
41.权利要求39的制造显示装置的方法，其中第二基础预处理通过使用光催化剂进行。
42.权利要求12、13、18、19、21、22、25、31、36和37任何一项的制造显示装置的方法，其中第一绝缘薄膜的表面通过喷洒气体平整化。
43.权利要求12、13、18、19、21、22、25、31、36和37任何一项的制造显示装置的方法，其中电致发光层通过液滴喷射方法形成。
44.一种制造显示装置的方法，包括以下步骤准备包括用于液滴喷射的第一处理腔和用于平整化的第二处理腔的处理系统；在第一处理腔中通过液滴喷射方法在目标物之上形成导电薄膜和绝缘薄膜；不暴露于空气将目标物转入第二处理腔；和在第二处理腔中使导电薄膜和绝缘薄膜平整化。
45.权利要求44的制造显示装置的方法，其中导电薄膜和绝缘薄膜的每一个在用基础预处理处理过的目标物区域之上形成。
46.权利要求45的制造显示装置的方法，其中基础预处理通过使用光催化剂进行。
47.权利要求13、18、19、20、21、22、25、31、36、37、43和44任何一项的制造显示装置的方法，其中喷墨用于液滴喷射方法。
全文摘要
本发明的一个目的是提供一种显示装置，其可以通过改进材料使用效率的简化制造方法制造。本发明的另一个目的是提供一种该显示装置的制造方法。本发明的另一个目的是提供改进图案粘合性的制造技术。鉴于以上问题，根据本发明，通过液滴喷射方法形成图案。特别在本发明中，基础预处理在通过液滴喷射方法形成图案之前/之后进行。作为这种基础预处理的结果，可以改进图案粘合性以及可以使图案更精细。
文档编号H01L29/786GK1906650SQ20048004041
公开日2007年1月31日 申请日期2004年11月5日 优先权日2003年11月14日
发明者山崎舜平, 前川慎志, 藤井岩, 桑原秀明, 舘村祐子 申请人:株式会社半导体能源研究所