专利名称：微米级芯片尺寸封装散热结构的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。
背景技术：
近年来，集成电路或分立器件消费产品需求量大增，其种类也相应增加。圆片厂的金属线减小，芯片封装产品在不影响产品的性能和可靠性的前提下走向小型化等半导体行业技术的进步，是满足此类需求的重要支柱。
多年来，芯片裸晶封装已经被广泛应用，这是目前外形最小的，几乎没有包装或防护材料的一种封装形式。这种封装的面积是和芯片面积一样大的。
在本发明作出以前，传统的芯片封装，其封装散热结构是在芯片本体的硅基材或基岛背面加装金属散热片，芯片包封在里面，芯片所产生的热量通过外露基岛间接散热。因此其散热功能或导热功能较差。
发明内容
本发明的目的在于克服上述不足，提供一种具有较佳散热功能或导热功能的微米级芯片尺寸封装散热结构。
本发明的目的是这样实现的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，包括芯片本体、设置于芯片本体硅基材正面的电路焊垫，植置于电路焊垫顶面的金属凸点，其特征在于于芯片本体硅基材背面植上金属层；于硅基材背面金属层上制作金属凸块，在芯片背面形成热交换区域，与空气产生散热功能。
本发明微米级芯片尺寸封装散热结构，所述的芯片本体硅基材背面金属层有单层或多层。
本发明微米级芯片尺寸封装散热结构，所述的芯片本体硅基材背面金属层上金属凸块有单层或多层。
本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。
图1为本发明微米级芯片尺寸封装散热结构芯片本体硅基材背面植置金属层后示意图。
图1为本发明微米级芯片尺寸封装散热结构制作完成后示意图。
具体实施例方式参见图1，本发明一种微米级芯片尺寸封装散热结构，主要由芯片本体1、设置于芯片本体1硅基材正面的电路焊垫2，植置于电路焊垫顶面的金属凸点3，植置于芯片本体1硅基材背面的单层或多层金属层4；制作于硅基材背面金属层4上的单层或多层金属凸块5组成。
所述的芯片本体硅基材背面金属层4材料为Ti或Cu、Ni、Au、Tiw中的一种或数种；
所述的芯片本体硅基材背面金属层上金属凸块5材料为Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一种或数种；所述的电路焊垫顶面金属凸点3材料为Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一种或数种。
具体制作方法在裸芯片封装工艺中，在芯片本体背面硅基材上，采用溅射、蒸镀或电镀或化学镀工艺，将单层或多层金属植入，如图1；再在硅基材背面金属层上，采用溅射、光刻、蚀刻、蒸镀或电镀或化学镀工艺，制作单层或多层金属凸点，如图2。
权利要求
1.一种微米级芯片尺寸封装散热结构，包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于于芯片本体(1)硅基材背面植上金属层(4)；于硅基材背面金属层(4)上制作金属凸块(5)。
2.根据权利要求1所述的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，其特征在于所述的芯片本体硅基材背面金属层(4)有单层或多层。
3.根据权利要求1或2所述的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，其特征在于所述的芯片本体硅基材背面金属层上金属凸块(5)有单层或多层。
4.根据权利要求2所述的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，其特征在于所述的芯片本体硅基材背面金属层(4)材料为Ti或Cu、Ni、Au、Tiw中的一种或数种。
5.根据权利要求3所述的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，其特征在于所述的芯片本体硅基材背面金属层上金属凸块(5)材料为Cu或Sn、Ni、Ag、Au、Tiw中的一种或数种。
6.根据权利要求1或2所述的一种微米级芯片尺寸封装散热结构，其特征在于所述的电路焊垫顶面金属凸点(3)材料为Au或Ag、Cu、Sn、Ni、Pd中的一种或数种。
全文摘要
本发明涉及一种微米级芯片尺寸封装散热结构，是应用在集成电路芯片或功率分立器件芯片，或圆片级芯片尺寸封装技术领域。包括芯片本体(1)、设置于芯片本体(1)硅基材正面的电路焊垫(2)，植置于电路焊垫顶面的金属凸点(3)，其特征在于于芯片本体(1)硅基材背面植上金属层(4)；于硅基材背面金属层(4)上制作金属凸块(5)。本发明的特点是改变传统外露基岛的封装方式，将芯片以倒装封装工艺，使裸芯片直接散热。因此具有较佳散热功能或导热功能。
文档编号H01L23/34GK1794445SQ200510095349
公开日2006年6月28日 申请日期2005年11月9日 优先权日2005年11月9日
发明者王新潮, 赖志明 申请人:江阴长电先进封装有限公司