包含半导体纳米晶体的发光器件的制作方法

专利名称：：包含半导体纳米晶体的发光器件的制作方法
技术领域：
：本发明涉及包含半导体纳米晶体的发光器件。联邦政府资助的研究开发根据NationalScienceFoundation的GrantDMR-9808941，美国政府可具有本发明的某些权利。
背景技术：
：发光器件能够用于，例如，显示器(例如平板显示)、屏幕(例如计算机屏幕)、以及其他需要发光的装置。因而，发光器件的亮度是器件的一个重要特征。低工作电压和高效率也可为发光器件所期望的特征。发光器件响应器件的有源元件(activecomponent)的激发，从而能够释放光子。通过在器件有源元件(例如电致发光元件)上施加电压，能够激发发射。电致发光元件可以是聚合物，例如共轭有机聚合物或包含电致发光部分(moiety)的聚合物或有机分子层。典型地，通过器件各层间受激电荷的辐射复合，发光能够发生。发射光具有发射特征谱(emissionprofile)，该特征谱包括最大发射波长，以及发射强度，以亮度测得的(坎德拉/平方米，(cd/m2)或能量通量(powerflux)(W/m2))。器件的发射特征谱和其他物理特性可受到材料电子结构(例如能隙)的影响。发光器件的亮度、发光颜色的范围、效率、工作电压和工作半衰期可随器件的结构而改变。
发明内容通常，发光器件可包含多个半导体纳米晶体。半导体纳米晶体是典型地用有机配位体层修饰的纳米级无机半导体粒子。这些零维半导体结构显示出强烈地量子限制效应(quantumconfinementeffect)，可用于设计自下而上(bottom-up)化学方法，以建立电学和光学性能随纳米晶体的尺度和组成可调的复合(complex)异质结构(heterostructure)。半导体纳米晶体可用作发光器件中的发光体(lumophore)。由于半导体纳米晶体具有窄的发射线宽，其光致发光有效且发射波长可调，所以可为理想的发光体。可将半导体纳米晶体分散在溶液中，从而适宜于薄膜沉积技术，例如旋涂(spin-casting)、滴涂(drop-casting)和浸涂(dipcoating)。然而，由这些沉积技术所得的净(neat)半导体纳米晶体固体在固体发光器件中具有较差的电学传输性能(electricaltransportproperty)。在发光器件中，可使用半导体纳米晶体单层，而不使用净固体。单层提供了有利的半导体纳米晶体发光性能，同时将对电学性能的影响降到了最小。典型地是将半导体纳米晶体单层从溶液中自组装(self-assembled)出来，例如通过旋涂、L-B(Langmuir-Blodgett)技术或滴涂。用于沉积半导体纳米晶体单层的一些技术会制约所用基板，需要添加影响该层电学或光学性能的化学制剂，使基板服从于苛刻的条件，或限制能够以某种方式生长的器件的类型。此外，这些技术不容许对单层进行横向图案化。这两种特性使得现有技术对于在单一基板上装配多色LED或对于器件设计(deviceengineering)并不理想。利用微接触印刷(microcontactprinting)可在基板上沉积半导体纳米晶体。有利地，微接触印刷容许在表面上微米级(例如，小于1mm、小于500μm、小于200μm或小于100μm)图案化特征。能够以更大的尺度应用图案特征，例如1mm或更大、1cm或更大、1m或更大或10m或更大。特别是，可通过微接触印刷沉积半导体纳米晶体单层。这种方法容许将图案化的半导体纳米晶体膜干施(dryapplication)(即，无溶剂)于基板上，从而对基板没有溶解性和表面化学的要求。半导体纳米晶体单层的微接触印刷可用于制作包含半导体纳米晶体的饱和色红光、绿光和蓝光LED，可用于将多个具有不同颜色的这种LED置于单一基板上，并可用于以微米级(＜100μm)形成LED图案。沉积过程是可缩放的(scalable)，并能够容许在较大的表面积上廉价制作LED。一方面，制作器件的方法包括将纳米材料置于涂布器(applicator)的表面上，并使涂布器表面接触包含第一电极的基板，由此将至少一部分纳米材料转移到基板上，并配置与第一电极相对的第二电极。涂布器的表面可包含含有凸起(elevation)和凹陷(depression)的图案。纳米材料可包含多个半导体纳米晶体。多个半导体纳米晶体能够在基板上形成层。该层可以是半导体纳米晶体的多层、单层或局部单层(partialmonolayer)。纳米材料能够在基板上形成层。该层可以是所述纳米材料的多层、单层或局部单层。所述纳米材料能够在基板上形成图案该方法可包括在将纳米材料置于涂布器表面之前，对涂布器表面进行修饰(modify)。对涂布器表面的修饰可包括使涂布器表面与所选组分接触，以在与基板接触时从涂布器中释放出至少一部分纳米材料。所述组合物可包括芳族有机聚合物。该方法可包括将第二纳米材料置于第二涂布器的表面上，并使第二涂布器的表面接触基板，由此将至少一部分第二纳米材料转移到基板上。第一和第二纳米材料可各自独立地包含多个半导体纳米晶体。第一多个半导体纳米晶体的发射波长可以不同于第二多个半导体纳米晶体的发射波长。该方法可包括将第三多个半导体纳米晶体置于第三涂布器的表面上，并使第三涂布器的表面接触基板，由此将至少一部分第三多个半导体纳米晶体转移到基板上。第三多个半导体纳米晶体的发射波长可以不同于第一多个半导体纳米晶体和第二多个半导体纳米晶体的发射波长。能够在基板的非重叠预定区域中使用第一、第二、第三多个半导体纳米晶体。第一、第二、第三多个半导体纳米晶体的发射波长可选自紫外、蓝、绿、黄、红或红外发射波长或以上发射波长的组合。图案的特征可具有小于10毫米、小于1毫米、小于100微米或小于1微米的尺度。图案的特征可具有至少1厘米，至少10厘米，或至少100厘米的尺度。基板可包括在电极之上的包含空穴传输材料的层。该方法可包括在纳米材料之上形成的包含电子传输材料的层。可在包含电子传输材料的层上使用第二电极材料。将纳米材料置于涂布器的表面上可包括旋涂(spincoating)、刮涂(bladecoating)、狭缝式涂布(slotcoating)、浸涂(dipcoating)、喷涂(spraycoating)、棒式涂布(rodcoating)、逆向辊涂(reserverollcoating)、正向辊涂(forwardrollcoating)、气刀涂(airknifecoating)、刀辊涂(knifeoverrollcoating)、凹版式涂布(gravure)、微凹版式涂布(microgravure)、挤出涂布(extrusioncoating)、坡流涂布(slidecoating)、帘幕式涂布(curtaincoating)或以上涂布方法的组合。涂布器的表面可以基本上没有凸起和凹陷。可将涂布器安装在转鼓(rotatabledrum)上另一方面，发光器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。预定区域可形成图案。器件可包括第二预定区域，所述第二预定区域包含半导体纳米晶体的第二单层。半导体纳米晶体的第一单层的发射波长可以不同于第二单层的发射波长。器件可包括包含空穴传输材料的层，该层接近第一电极并处于第一和第二电极之间。器件还可包括包含电子传输材料的层，该层接近第二电极并处于第一和第二电极之间。可将包含半导体纳米晶体单层的预定区域置于包含空穴传输材料的层和包含电子传输材料的层之间。另一方面，发光的方法包括提供一种器件，该器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域，以及在第一电极和第二电极之间施加电压。施加电压可包括在第一电极和第二电极之间通过电流。另一方面，显示器包括多个发光器件，其中至少一个发光器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。显示器可包括第二发光器件，该器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。第一发光器件的发射波长可以不同于第二发光器件的发射波长。显示器可包括第三发光器件，该器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。第三发光器件具有不同于第二发光器件和第一发光器件的发射波长。显示器可包括第四发光器件，该器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。第四发光器件的发射波长可以不同于第三发光器件、第二发光器件和第一发光器件的发射波长。发光器件可具有小于10毫米、小于1毫米或小于100微米的尺度。显示器可包括背板(backplane)，该背板可包括有源矩阵电子设备(activematrixelectronics)或无源矩阵电子设备(passivematrixelectronics)。另一方面，显示器包括多个发光器件，这些发光器件包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包含半导体纳米晶体单层的预定区域。各发光器件的半导体纳米晶体可具有选自紫外、蓝、绿、黄、红或红外的发射波长，或以上发射波长组合的发射波长。从说明书和附图中，以及从权利要求书中，本发明的其他特征、目的、和优点将是明显的。图1为描述发光器件的示意图。图2为描述发光器件制作方法的图。图3为描述向基板施加材料的方法的图。图4A-4C为表面的原子力显微镜图像。图5A-5D为描述发光器件性能的图。图6A-6C为发光器件的照片。图7A-7H为发光器件性能的图示。具体实施例方式发光器件可包括隔开器件两电极的两层(或两层以上)。可基于材料传输空穴的能力或空穴传输层(HTL)，选择一层的材料。可基于材料传输电子的能力或电子传输层(ETL)，选择另一层的材料。电子传输层典型地包括电致发光层。当施加电压时，一个电极将空穴(正电荷载流子)注入到空穴传输层，而另一个电极将电子注入到电子传输层。注入的空穴和电子各自向带反电荷的电极移动。当电子和空穴定域(localize)在同一分子上时，形成激子(exciton)，激子可复合发光。发光器件可具有如图1所示的结构，其包括第一电极2、与电极2接触的第一层3、与层3接触的第二层4、以及与第二层4接触的第二电极5。第一层3可以是空穴传输层，第二层4可以是电子传输层。至少一层可以是非聚合的。可供选择地，在空穴传输层和电子传输层之间可包括单独的发射层(未在图1中示出)。该结构的一个电极与基板1相接触。各电极可与电源接触，以向该结构提供电压。当对异质结构上施加适当极性的电压时，通过异质结构的发射层可产生电致发光。第一层3可包括多个半导体纳米晶体，例如纳米晶体的基本上单分散群体。或者，单独的发射层可包括多个纳米晶体。包括纳米晶体的层可以是纳米晶体的单层。通过旋涂(spin-casting)包含HTL有机半导体分子和半导体纳米晶体的溶液，可制作包含半导体纳米晶体的发光器件，其中通过相分离在半导体纳米晶体单层之下形成HTL(例如，参见美国专利申请10/400,907和10/400,908，两者均提交于2003年3月28日，引入以上各专利申请的全文作为参考)。这种相分离技术可重复地将半导体纳米晶体单层置于有机半导体HTL和ETL之间，从而有效地发挥半导体纳米晶体良好的发光性能，同时使半导体纳米晶体对电学性能的影响降到最小。由这种技术制得的器件受到溶剂中杂质的限制，受到必须使用与半导体纳米晶体溶于相同溶剂中的有机半导体分子的限制。相分离技术不适于在HTL和HIL的顶部上沉积半导体纳米晶体单层(由于溶剂破坏下面的有机薄膜)。相分离方法也不容许控制发射不同颜色光的半导体纳米晶体在相同基板上的位置。类似地，相分离方法不容许在相同的基板上图案化发射不同颜色光的纳米晶体。基板可以是不透明或透明的。基板可以是刚性或柔性的。基板可以是塑料、金属或玻璃。第一电极可以是，例如高功函(workfunction)空穴注入导体，如铟锡氧化物(ITO)层。其他第一电极材料可包括镓铟锡氧化物、锌铟锡氧化物、氮化钛或聚苯胺。第二电极可以是低功函(例如，低于4.0eV)电子注入金属，例如Al、Ba、Yb、Ca、锂铝合金(Li:Al)或镁银合金(Mg:Ag)。可用不透明的保护金属层覆盖诸如Mg:Ag的第二电极，所述保护金属层，例如，保护阴极层不被空气氧化的Ag层，或相对较薄的基本上透明的ITO层。第一电极可具有约500埃～4000埃的厚度。第一层可具有约50埃～1000埃的厚度。第二层可具有约50埃～1000埃的厚度。第二电极可具有约50埃至大于约1000埃的厚度。电子传输层(ETL)可以是分子基体(molecularmatrix)。分子基体可以是非聚合的。分子基体可包括小分子，例如，金属配合物。例如，金属配合物可以是8-羟基喹啉金属配合物。8-羟基喹啉金属配合物可以是铝、镓、铟、锌或镁配合物，例如，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。ETL中其他种类的材料可包括金属硫系(thioxinoid)化合物、二唑(oxadiazole)金属鳌合物，三唑(triazole)，联六噻吩(sexithiophene)衍生物，吡嗪(pyrazine)，以及苯乙烯基蒽(styrylanthracene)的衍生物。空穴传输层可包括有机发光体。所述有机发光体可以是苯胺，例如，N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TPD)。HTL可包括聚苯胺、聚吡咯、聚(亚苯基亚乙烯基)(phenylenevinylene)、铜酞菁、芳族叔胺或多核芳族叔胺、4，4′-二(9-咔唑基)-1，1′-联苯化合物或N，N，N′，N′-四芳基联苯胺。通过旋涂、浸涂、气相沉积或其他薄膜沉积方法，可将层沉积在其中一个电极的表面上。例如，参见M.C.Schlamp，etal.，J.Appl.Phys.，82，5837-5842，(1997)；V.Santhanam，etal.，Langmuir，19，7881-7887，(2003)；以及X.Lin，etal.，J.Phys.Chem.B，105，3353-3357，(2001)，引入以上各文献的全文作为参考。可将第二电极夹层(sandwich)、溅射或蒸镀到固体层的暴露表面上。可将一个或两个电极图案化。可通过电导路径将器件的电极连接至电源。当施加电压时，从器件中发出光。微接触印刷提供用于将材料施涂于基板上预定区域的方法。例如，参见A.KumarandG.Whitesides，AppliedPhysicsLetters，63，2002-2004，(1993)；以及V.SanthanamandR.P.Andres，NanoLetters，4，41-44，(2004)，引入以上各文献的全文作为参考。预定区域是基板上选择性施涂材料的区域。可对材料和基板进行选择，使材料基本上完全保持在预定区域内。通过选择形成图案的预定区域，可将材料施涂于基板上，使材料形成图案。所述图案可以是规则图案(例如阵列或一系列线)，或不规则图案。一旦在基板上形成材料图案，基板就可以具有包含材料的区域(预定区域)和基本上没有材料的区域。在一些情况下，材料在基板上形成单层。预定区域可以是不连续的区域。换言之，当将材料施涂于基板的预定区域时，可由基本上没有材料的其他部位将包括材料的部位隔开。通常，微接触印刷始于形成图案化的模具。模具的表面具有带凸起凹陷图案。例如通过用液态聚合物前体涂覆模具的图案化表面，形成具有凸起凹陷互补图案的印模，所述液态聚合物与图案化模具表面接触的同时被固化。然后可对印模涂墨，即，使印模与将在基板上沉积的材料接触。材料被可逆地附着到印模上。然后使涂墨的印模与基板接触。印模的凸起区域可接触基板，同时印模的凹陷区域可与基板分离。在涂墨的印模与基板接触的地方，油墨材料(或至少其一部分)从印模转移到基板上。由此，凸起凹陷图案从印模转移到基板上，形成在基板上包含材料和没有材料的区域。微接触印刷和相关技术，例如描述在美国专利5,512,131、6,180,239和6,518,168中，引入以上各专利的全文作为参考。图2描述了概括微接触印刷过程中基本步骤的流程图。首先，采用标准半导体工艺技术制作硅底版(siliconmaster)，由此在硅表面上勾画图案，例如，凸起凹陷图案(或者，对于非图案化沉积，可使用空白Si底版)。然后对聚二甲基硅氧烷(PDMS，例如Sylgard184)前体进行混合、脱气，将其倒在底版上，并再次进行脱气，并容许其在室温下固化(或在室温以上，为了更快地固化)(步骤1)。然后表面包括硅底版图案的PDMS印模脱离底版，并将其切成预期的形状和大小。然后可用表面化学层任选地修饰该印模，所选表面化学层易于按照需要附着和释放油墨(步骤2)。表面化学层既可以是因油墨溶剂而溶胀的印模的阻挡层(barrier)，又可以是油墨的附着/释放层。通过化学气相沉积沉积的芳族有机聚合物可用作表面化学层。例如，参见S.Coe-Sullivan，etal.，AdvancedFunctionalMaterials，15，1117-1124(2005)，在此引入作为参考。通过化学气相沉积施涂表面化学层可得到成形印模的保形涂层(conformalcoating)。可对表面化学层进行选择，以适宜溶于氯仿溶剂的油墨展开。然后将油墨施涂到印模上(步骤3)。然后可使涂墨的印模接触基板，并轻压30秒，以使油墨转移到新的基板上(步骤4)。油墨可包括纳米材料。纳米材料可以是尺寸小于100nm的任何材料。纳米材料可以是，例如，纳米粒子(例如，二氧化硅纳米粒子，二氧化钛纳米粒子或金属纳米粒子)、半导体纳米晶体、纳米管(例如单壁或多壁碳纳米管)、纳米线、纳米棒或聚合物。例如，表面化学层可以是化学气相沉积的聚对二甲苯-C层。聚对二甲苯-C层的厚度可为，例如0.1～2μm，这取决于将被复制的图案(步骤2)。然后通过旋涂(spin-casting)半导体纳米晶体溶液对所述印模进行涂墨(步骤3)。该溶液可具有例如1-10mg/mL分散在氯仿中的半导体纳米晶体的浓度。可根据预期的结果改变浓度。然后可使涂墨的印模接触基板，并轻压30秒，以使油墨(即，半导体纳米晶体单层)完全转移到新的基板上(步骤4)。图2A和2B描述了经ITO涂覆的玻璃基板的制备。将包含有机半导体的空穴传输层和/或空穴注入层(分别为HTL和HIL)热蒸镀到ITO基板上。将图案化的半导体纳米晶体单层转移到该HTL层上，然后可加入器件的其余部分(例如，电子传输层(ETL)，电子注入层(EIL)，金属接点)(步骤5)。图3描述了用于在基板上形成材料图案的系统。液体涂布器100输送墨滴110，由此在印模135的印刷表面130上形成墨点120。可连续或间歇施加墨滴110。连续施加可在基板上形成连续的油墨特征，而间歇施加可在基板上形成油墨图案。通过控制时机(timing)和涂布器100施加的液滴大小，可控制图案的性质。印模135可以是，例如，安装在转鼓140周边的圆柱形印模。印模135(可以是纹理化印模或无特征印模)在触点160处接触基板150的表面155。随着转鼓140的转动(曲线箭头所指)，墨点120触到触点160，在此墨点转移到基板150的表面155上(向直箭头所指的方向移动)，形成转印墨点170。可配置鼓轮140和印模135，以在触点160处向基板150施加压力，以便于墨点120的转印。该系统能够连续运转。当电子和空穴定域在纳米晶体上时，能够以一种发射波长发生发射。发射具有对应于量子限制半导体材料带隙(bandgap)的频率。带隙为纳米晶体尺寸的函数。具有小直径的纳米晶体具有介于物质的分子和块体形态之间的特性。例如，基于小直径半导体材料的纳米晶体在整个三维空间可显示出电子和空穴的量子限制，由此使得材料的有效带隙随微晶尺寸的减小而提高。从而，随着微晶尺寸的减小，纳米晶体的光学吸收和发射移至蓝光或更高能量。纳米晶体的发射可以是窄的高斯发射带，通过改变纳米晶体的尺度、纳米晶体的组成或以上两者，可在光谱的紫外、可见或红外区域的整个波长范围内调节该发射带。例如，CdSe可在可见区域内调节，InAs可在红外区域内调节。纳米晶体群体的尺寸分布窄，这可在窄的光谱范围内实现发光。所述群体可以是单分散性的，并且可以呈现出在纳米晶体直径内小于15％rms的偏差，优选小于10％rms，更优选小于5％rms的偏差。在不大于约75nm、优选为60nm、更优选为40nm、最优选为30nm的窄半高宽(FWHM)范围内，能够观察到光谱发射。发射的宽度随着纳米晶体直径分散性的下降而减小。半导体纳米晶体可具有高的发射量子效应，例如大于10％、20％、30％、40％、50％、60％、70％或80％。形成纳米晶体的半导体可包括第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物或第III-IV-V族化合物，例如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TIP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe或它们的混合物。制备单分散半导体纳米晶体的方法包括热解注入到热配位溶剂中的有机金属试剂(例如二甲基镉)。这容许不连续成核并实现宏观上大量纳米晶体的受控生长。在例如美国专利6,322,901和6,576,291，以及美国专利申请60/550,314中，描述了纳米晶体的制备和处理，引入各专利的全文作为参考。纳米晶体的制造方法是一种胶体生长的方法。通过将M施主(donor)和X施主快速注入到热配位溶剂中而发生胶体生长。注入产生了核，其能够以受控方式生长而形成纳米晶体。可逐渐加热反应混合物，以生长纳米晶体并对其进行退火(anneal)。样品中纳米晶体的平均尺寸和尺寸分布都依赖于生长温度。维持稳定生长所必需的生长温度随着平均晶体尺寸的增大而提高。纳米晶体是纳米晶体群体中的一员。作为不连续成核和受控生长的结果，所得纳米晶体群体具有窄的、单分散性的直径分布。直径的单分散性分布也可称为尺寸。成核后，纳米晶体在配位溶剂中的受控生长和退火还能够实现均一的表面衍生(surfacederivatiaton)和规则的芯结构(regularcorestructure)。随着尺寸分布的锐化，可提升温度，以维持稳定的生长。通过添加更多的M施主或X施主，可缩短生长周期。M施主(donor)可以是无机化合物、有机金属化合物或单质金属。M为镉、锌、镁、汞、铝、镓、铟或铊。X施主是能够与M施主反应形成式MX材料的化合物。典型地，X施主是硫属化物施主或磷属化物施主(pnictidedonor)，例如膦硫属化物、双(甲硅烷基)硫属化物、分子氧、铵盐或三(甲硅烷基)磷属化物。合适的X施主包括分子氧、双(三甲基甲硅烷基)硒化物((TMS)2Se)、三烷基膦硒化物例如(三正辛基膦)硒化物(TOPSe)或(三正丁基膦)硒化物(TBPSe)、三烷基膦碲化物例如(三正辛基膦)碲化物(TOPTe)或六丙基磷三酰胺碲化物(hexapropylphosphorustriamidetelluride，HPPTTe)、双(三甲基甲硅烷基)碲化物((TMS)2Te)、双(三甲基甲硅烷基)硫化物((TMS)2S)、三烷基膦硫化物例如(三正辛基膦)硫化物(TOPS)、铵盐例如卤化铵(例如NH4Cl)、三(三甲基甲硅烷基)磷化物((TMS)3P)、三(三甲基甲硅烷基)砷化物((TMS)3As)或三(三甲基甲硅烷基)锑化物((TMS)3Sb)。在某些实施方案中，M施主和X施主可以是同一分子内的部分(moiety)。配位溶剂可帮助控制纳米晶体的生长。配位溶剂是具有施主孤电子对的化合物，其具有例如可配位到生长的纳米晶体的表面上的孤对电子。溶剂配位可稳定生长的纳米晶体。典型的配位溶剂包括烷基膦、烷基膦氧化物、烷基膦酸或烷基次膦酸，然而，其他配位溶剂，例如吡啶、呋喃和胺也可能适用于制造纳米晶体。合适的配位溶剂的实例包括吡啶、三正辛基膦(TOP)、三正辛基膦氧化物和三羟基丙基膦(tHPP)。可使用工业级TOPO。通过监测粒子的吸收线宽，可评定反应生长阶段的尺寸分布。响应于粒子吸收光谱中的变化调整反应温度，这容许在生长过程中维持尖锐的粒子尺寸分布。在晶体生长过程中，可将反应物添加到成核溶液中，以生长更大的晶体。通过在特定的纳米晶体平均直径下停止生长并选择合适的半导体材料组成，对于CdSe和CdTe可在300nm～5微米或400nm～800nm的波长范围内连续调节纳米晶体的发射谱。该纳米晶体具有小于150的直径。纳米晶体群体具有15～125的平均直径。纳米晶体可以是具有窄尺寸分布的纳米晶体群体中的一员。纳米晶体可以是球状、棒状、片状或其他形状。纳米晶体可包含半导体材料芯。纳米晶体可包含式MX的芯，其中M为镉、锌、镁、汞、铝、镓、铟、铊或它们的混合物，X为氧、硫、硒、碲、氮、磷、砷、锑或它们的混合物。芯在其表面可具有外敷层(overcoating)。外敷层可以是组成不同于芯组成的半导体材料。纳米晶体表面上的半导体材料外敷层可包括第II-VI族化合物、第II-V族化合物、第III-VI族化合物、第III-V族化合物、第IV-VI族化合物、第I-III-VI族化合物、第II-IV-VI族化合物和第II-IV-V族化合物，例如ZnS、ZnSe、ZnTe、CdS、CdSe、CdTe、HgS、HgSe、HgTe、AlN、AlP、AlAs、AlSb、GaN、GaP、GaAs、GaSb、GaSe、InN、InP、InAs、InSb、TlN、TlP、TlAs、TlSb、PbS、PbSe、PbTe或这些化合物的混合物。例如，可在CdSe或CdTe纳米晶体上生长ZnS、ZnSe或CdS外涂层。例如在美国专利6,322,901中描述了外敷方法。通过在外敷过程中调整反应混合物的温度并监测芯的吸收光谱，可获得具有高发射量子效率和窄尺寸分布的经外敷的材料。外敷层可为1～10个单层厚。通过用纳米晶体的不良溶剂，例如美国专利6,322,901中所描述的甲醇/丁醇，进行尺寸选择性沉降(sizeselectiveprecipitation)，可进一步细化(refine)粒子尺寸分布。例如，可将纳米晶体分散在10％的丁醇己烷溶液中。可将甲醇逐滴添加到该搅拌溶液中，直到乳浊保持。通过离心分离上层清液和絮凝物，产生在样品中富含最大微晶的沉降物。可重复此过程，直到观察不到光学吸收光谱的进一步锐化为止。可在溶剂/非溶剂(包括吡啶/己烷和氯仿/甲醇)对中进行尺寸选择性沉降。经过尺寸选择的纳米晶体群体具有平均直径的偏离不超过15％rms、优选10％rms或以下，更优选5％rms或以下。纳米晶体外表面可包括源于生长过程中所用配位溶剂的化合物层。通过重复暴露于过量竞争配位基团对表面进行修饰，形成覆盖层(overlayer)，可修饰表面。例如，可用诸如吡啶的配位有机化合物处理封端纳米晶体(cappednanocrystal)的分散体，以制造易分散于吡啶、甲醇和芳族化物但不再分散于脂族溶剂中的微晶。利用能够与纳米晶体外表面配位或键合的化合物，包括例如膦、硫醇、胺和磷酸盐，可进行这种表面交换过程(surfaceexchangeprocess)。可将纳米晶体暴露于短链聚合物，该聚合物对于表面呈现亲和性并且其端部对于悬浮介质或分散介质具有亲和性。这种亲和性改善了悬浮的稳定性并抑制了纳米晶体的絮凝。在美国专利6,251,303中描述了纳米晶体的外层，引入其全文作为参考。更具体地，配位配体可具有以下通式(Yk-nXL)n其中k为2、3或5，n为1、2、3、4或5，使k-n不小于零；X为O、S、S＝O、SO2、Se、Se＝O、N、N＝O、P、P＝O、As或As＝O；Y和L各自独立地为芳基、杂芳基或任选包含至少一个双键、至少一个三键或至少一个双键和一个三键的直链或支链C2-12烃链。该烃链可任选用一个或多个下述基团取代C1-4烷基、C2-4烯基、C2-4炔基、C1-4烷氧基、羟基、卤素、氨基、硝基、氰基、C3-5环烷基、3-5元杂环烷基、芳基、杂芳基、C1-4烷基羰氧基、C1-4烷氧基羰基、C1-4烷基羰基或甲酰基。该烃链海可任选被以下基团隔断-O-、-S-、-N(Ra)-、-N(Ra)-C(O)-O-、-O-C(O)-N(Ra)-、-N(Ra)-C(O)-N(Rb)-、-O-C(O)-O-、-P(Ra)-或-P(O)(Ra)-。Ra和Rb各自独立地为氢、烷基、烯基、炔基、烷氧基、羟基烷基、羟基或卤代烷基。芳基为取代或未取代的环状芳族基团。实例包括苯基、苄基、萘基、甲苯基、蒽基、硝基苯基或卤代苯基。杂芳基为环中含一个或多个杂原子的芳基，例如呋喃基、吡啶基、吡咯基、菲基。合适的配位配体可商购或通过常规的合成有机技术制备，例如，如J.March，AdvancedOrganicChemistry中所述，引入其全文作为参考。透射电子显微镜(TEM)可提供有关尺寸、形状和纳米晶体群体分布的信息。粉末X射线衍射(XRD)图可提供有关纳米晶体晶体结构类型和品质的最全面信息。由于通过X射线相干长度，粒径与峰宽成反比，所以也可评定尺寸。例如，可通过透射电子显微镜直接测量纳米晶体的直径，或利用Scherrer方程式根据X射线衍射数据评定纳米晶体的直径。还可通过UV/Vis吸收光谱对其进行评定。可在受控(无氧且无水)的环境中制作器件，以防止在制作过程中发光效率的猝灭。可使用其他多层结构，以改进器件的性能(例如，参见美国专利申请10/400,908和10/400,908，引入以上各专利申请的全文作为参考)。可在结构中引入阻挡层，例如电子阻挡层(EBL)、空穴阻挡层(HBL)或空穴和电子阻挡层(eBL)。阻挡层可包括3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁基苯基-1，2，4-三唑(TAZ)、3，4，5-三苯基-1，2，4-三唑、3，5-二(4-叔丁基苯基)-4-苯基-1，2，4-三唑、浴铜灵(bathocuproine，BCP)、4，4′，4″-三{N-(3-甲基苯基)-N-苯氨基}三苯胺(m-MTDATA)、苯乙烯二羟基噻吩(PEDOT)、1，3-二(5-(4-二苯基氨基)苯基-1，3，4-二唑-2-基)苯、2-(4-联苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-二唑、1，3-二[5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-嚅二唑-2-基]苯、1，4-二(5-(4-二苯基氨基)苯基-1，3，4-二唑-2-基)苯或1，3，5-三[5-(4-(1，1-二甲基乙基)苯基)-1，3，4-二唑-2-基]苯。有机发光器件的性能可通过提高其效率、窄化或宽化其发射光谱或极化其发射得以改进。例如，参见etal.，SemiconductorsandSemimetals64，255(2000)，Adachietal.，Appl.Phys.Lett.78，1622(2001)，Yamasakietal，.，Appl.Phys.Lett.76，1243(2000)，Dirretal.，Jpn.J.Appl.Phys.37，1457(1998)，以及D′Andradeetal.，MRSFallMeeting，BB6.2(2001)，在此引入各文献的全文作为参考。在高效的混合型有机/无机发光器件中，可包含纳米晶体。纳米晶体发光的窄半高宽(FWHM)能够导致饱和色发射。由于在纳米晶体发光器件中没有光子损失至红外和紫外(UV)发射，所以即使在可见光谱的红光和蓝光部分，也能够得到高效的纳米晶体发光器件。单一材料体系在整个可见光谱范围内广泛可调的饱和色发射是任何类型有机发光体所无法比及的(例如，参见Dabbousietal.，J.Phys.Chem.101，9463(1997)，引入其全文作为参考)。单分散的纳米晶体群体将在窄波长范围内发光。包含不止一种尺寸的纳米晶体的器件能够在不止一种的窄波长范围内发光。通过选择在器件纳米晶体尺寸和材料的适当组合，能够控制观察者所察觉的发光颜色。此外，当纳米晶体用作发光中心时，共价键合的无机纳米晶体的环境稳定性预示着混合型有机/无机发光器件的器件寿命可能相当于或超过所有有机发光器件的寿命。纳米晶体的带边能级简并(degeneracy)便于所有可能的激子的捕获和复合辐射，无论这些激子是由直接电荷注入产生还是由能量传递产生。因而，最大的理论纳米晶体发光器件效率能够与磷光有机发光器件的单位效率相比。纳米晶体的激发态寿命(τ)远小于(τ～10ns)典型的磷光体(τ＞0.5μs)，使得纳米晶体发光器件甚至能够在高电流密度下高效地工作。能够制造发射可见光或红外光的器件。可选择半导体纳米晶体的尺度和材料，使纳米晶体发射具有所选波长的可见光或红外光。波长可为300nm～2500nm或更大，例如300nm～400nm、400nm～700nm、700nm～1100nm、1100～2500nm或大于2500nm。可在单个基板的多个位置上制成分立的发光器件，以形成显示器。显示器可包括以不同波长发射的器件。通过用发射不同颜色光的半导体纳米晶体阵列对基板进行图案化，可形成包括不同颜色像素的显示器。在一些应用中，基板可包括背板。背板包括用于控制单独的像素或向各像素转换能量的有源或无源电子设备。背板可用于以下应用例如显示器、传感器或成像器的应用。特别是，可将背板配置为有源矩阵、无源矩阵、固定格式、直接驱动或混合式，可配置显示器用于静态图像、动态图像或照明。照明显示器可提供白光、单色光或可调色光。图4显示通过原子力显微镜(AFM)测定的在微接触印刷工艺各步所观察到的表面起伏(surfacerelief)。图4A显示将PDMS印模投到平面(非图案化)底版上时，PDMS印模自身的平坦度(flatness)。图4B和4C分别显示用半导体纳米晶体涂墨的印模和在有机半导体空穴传输层上的转移半导体纳米晶体。半导体纳米晶体形成次单层(sub-monolayer)(即，不覆盖全部有效区域的单层)，该次单层覆盖了图4C中表面区域的30-40％。尽管仅当发现单独的半导体纳米晶体孤立于其他半导体纳米晶体时，所述单独的半导体纳米晶体才是可观察到的，但在图4B和4C中，构成次单层的半导体纳米晶体孤岛(island)仍是可见的。在图4b和4c中所观察到的总峰对峰(peak-to-peak)高小于10nm，由此表明沉积物确实仅为一个单层厚(本实验所用半导体纳米晶体的直径为6-8nm)。通过提高用于对印模涂墨的初始氯仿溶液中半导体纳米晶体的浓度，可获得膜区域覆盖率大于90％的单层。相反，半导体纳米晶体的微接触印刷是干法工艺(即，无需溶剂)，其不会将杂质引入到器件制作中。在超高真空条件下，沉积器件中的所有有机层。仅将有机层暴露到氮气环境中一次，用以沉积半导体纳米晶体层。在器件制作的任何步骤中，没有有机半导体材料暴露于溶剂中。沉积半导体纳米晶体之后，连续沉积空穴阻挡层(HBL)3-(4-联苯基)-4-苯基-5-叔丁醇苯基-1，2，4-三唑(TAZ)和ETL，三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)、以及最终蒸镀的Mg:Ag/Ag阴极(Mg∶Ag重量比为50∶1)。图5显示采用半导体纳米晶体微接触印刷技术制作的红光、绿光和蓝光发光器件的器件特性。将发射红光、绿光和蓝光的半导体纳米晶体全都分别印刷到空穴传输材料4-4′-N，N′-二咔唑基-联苯(CBP)的热蒸镀薄膜上。图5A-5D显示了发射红光、绿光和蓝光的发光器件的器件特性。在图5A中显示了红光、绿光和蓝光器件的电致发光(electroluminescence，EL)谱，以及单独的红光、绿光和蓝光器件的数码相片。分别在图5B和5C中显示了外量子效率(externalquantumefficiency，EQE)和电流-电压曲线。在各图中，线条的颜色对应于器件发出的光的颜色。图5D显示相对于HDTV标准色三角各器件的发光颜色落在CIE色度图(ChromaticityDiagram)上的位置。对半导体纳米晶体先前的研究使用N，N′-二苯基-N，N′-二(3-甲基苯基)-(1，1′-联苯基)-4，4′-二胺(TPD)作为HTL，这是由于，与许多其他HTL候选物相比，其在氯仿和氯苯(与半导体纳米晶体的溶剂相容)中具有良好的溶解性。微接触印刷方法不要求HTL/HIL材料的溶剂与半导体纳米晶体相容。因此，开发了其他HTL/HIL材料，并使用了宽带隙有机半导体CBP。如图5A和5D所示，大带隙CBP分子在器件中产生非常好的色饱和度。色饱和度指颜色呈现在人眼中有多纯，且在CommissionInternationald′Eclairage(CIE)色坐标中量化，根据发射波长和带宽(半高宽)计算，然后接下来可将该色坐标绘制在如图5D所示的CIE图上。较大的色饱和度可归因于可使用CBP所实现的较大下坡能量转换过程(downhillenergytransferprocess)，该过程造成有机物发射强度降低并且半导体纳米晶体发射强度增大，从而使得半导体纳米晶体EL对有机物EL的比率更大。如图5D所示，红光和绿光半导体纳米晶体器件良好的色饱和度由它们在CIE图上相对于目前高清电视(HDTV)标准色三角所处的位置来表示。蓝光器件的CIE色坐标正好位于HDTV标准色三角内，是蓝光器件EL谱(图5A)中所看到的红色拖尾(redtail)的结果。这种红色拖尾可能是激基复合物(exiplex)发射的结果——换言之，即在本发明的器件结构中两个宽带隙HTL和HBL之间的混合态。可能因为那些源于激基复合物的能态是传递至红光半导体纳米晶体的Frster能量，所以在红光器件中没有看到这种激基复合物发射。绿光器件仅显示出极少量的这种激基复合物发射，原因可能是绿光半导体纳米晶体单层的膜覆盖度高，这将HTL与HBL隔开，因此HTL与HBL之间的相互作用，以及纳米晶体本身较高的PL量子效率(40％)促成相对于有机激基复合物EL较大的纳米晶体EL强度。另一起作用的因素是当器件在高电流(～100μA)下运行时，激基复合物的发射峰从～620nm移至～520nm，恰好越过绿光纳米晶体的发射峰并且完全被绿光纳米晶体的发射所覆盖或传递至绿光纳米晶体的Frster能量。随着蓝光半导体纳米晶体PL量子效率提高(通常为20％)，蓝光器件将得以改进。图5B显示红光、绿光和蓝光半导体纳米晶体器件的外量子效率(EQE)，并显示如何用半导体纳米晶体的PL量子效率缩放器件的EQE。对于器件使用，经过处理和制备后，通常使用PL量子效率为70％的半导体纳米晶体的红光器件具有1.2％的EQE。使用PL量子效率为40％的半导体纳米晶体的绿光纳米晶体器件具有0.5％的EQEs。使用PL量子效率为20％的半导体纳米晶体的蓝光具有0.25％的EQE。在初始电压为2-5V，工作电压为8-12V的情况下，如图5C所示，所有三种颜色的纳米晶体器件都具有可重复的、稳定的电流-电压(IV)特性。对于所有三种颜色的纳米晶体发光器件，在～2mA/cm2和～10V下，都获得了显示亮度(100cd/m2)。半导体纳米晶体微接触印刷技术提供了将发光颜色不同的半导体纳米晶体以图案方式置于同一基板上的能力，由此形成了用于全色显示应用的像素。对于全色显示器，像素的大小典型地在20-30μm的数量级上。可以以小于100μm的等级形成图案化的半导体纳米晶体发光器件。图6A显示，在同一个1英寸的基板上，对紧邻红光半导体纳米晶体区域，压印绿光半导体纳米晶体区域进行的结果。图6A中已启动的三个器件是相邻的红光和绿光器件以及位于没有压印半导体纳米晶体的区域上的器件(即，具有ITO/CBP/TAZ/Alq3/Mg:Ag/Ag结构的有机LED)。图6B显示该技术的真正潜力，以实现100μm以下的图案化(sub-100μmpatterning)，从而用于纳米晶体发光器件的像素化(pixelation)。为制造图6B所示器件，在整个区域压印绿光半导体纳米晶体。接下来，使用用柱图案化的印模，将红光半导体纳米晶体压印在绿光纳米晶体的顶部上。柱高5μm，直径为90μm。已启动的器件直径为0.5mm，在此器件内可见的红圈为100μm以下图案化的红光半导体纳米晶体。微接触印刷可用于图案化亚微米的特征(例如，参见美国专利5,512,131、6,180,239和6,518,168，引入以上各专利的全文作为参考)。图6C显示半导体纳米晶体单层的图案化的线。这种技术可用于制作全色有源矩阵纳米晶体发光器件显示器。用高1μm、宽100μm的线图案化印模。使用这种图案化印模压印绿光纳米晶体并通过阴极(Mg:Ag/Ag)尺寸限定器件启动1mm的区域的结果是，分散在蓝光有机EL中的绿光纳米晶体的发射，以宽100μm的线形式可见，这是由于在压印线之间的区域缺少纳米晶体。经印刷的纳米晶体单层在图7A中所示的红光、绿光和蓝光器件中产生电致发光，以上器件均具有相同的多层薄膜结构ITO/CBP(层厚40nm)/纳米晶体单层/TAZ(15nm)/Alq3(25nm)/Mg:Ag/Ag(见图7D插图)。图7C是将纳米晶体单层压印到有机空穴传输层后，该纳米晶体单层的AFM图。图7A所示的器件之间的差别仅在于纳米晶体单层的发光颜色，所述纳米晶体单层的发光颜色取决于纳米晶体的尺度和组成。在10-6Torr下，热蒸镀所有的有机物膜和金属膜。图7F和7G显示，获得了LED像素的25μm(1000dpi)图案化，以及宽150nm的纳米晶体单层图案(图7E)。在图7G中，在TPD(厚40nm)代替CBP的LED结构中，红光和绿光纳米晶体单层宽25μm的交叉条纹相互压印。图7H是工作中的纳米晶体LED的照片，显示出用微接触印刷多色区域图案化。用红光和绿光纳米晶体的单层压印同一基板上的两相邻区域。启动三个不同的器件在已压印红光纳米晶体的区域上形成的器件、在已压印绿光纳米晶体器件的区域上的器件、以及在没有压印纳米晶体的区域上的器件(蓝光)。当向LED施加5V的偏压时，同时观察到红光和绿光纳米晶体和蓝光TPD的电致发光。纳米晶体单层的无溶剂沉积使得能够使用热蒸镀的有机半导体，CBP作为空穴传输层。CBP的宽带隙导致更有效的电荷限制(chargeconfinement)和LED色饱和度的改善，对于蓝光、绿光和红光LED分别产生以下CIE坐标(0.18，0.13)、(0.21，0.70)和(0.66，0.34)，并在视频亮度下具有以下相应的外量子效率0.2％、0.5％和1.0％(图7B)。三种不同颜色的电流/电压数据如图7D所示。纳米晶体LED产生的宽颜色范围超过了液晶显示(LCD)和有机LED(OLED)技术的性能，这表明纳米晶体基的LED适于高清晰度、精确显色的平板显示，以及普通光源。与有机LED和液晶显示器相比，红光、绿光和蓝光半导体纳米晶体基的发光器件是高效、高度色饱和的，并通过各纳米晶体层的微接触印刷，可图案化用于全色显示应用的像素。其他实施方案在以下权利要求的范围内。权利要求1.一种器件的制造方法，其包括将纳米材料置于涂布器的表面；使涂布器的表面接触包括第一电极的基板，由此将至少一部分纳米材料转移到基板上；以及配置与第一电极相对的第二电极。2.权利要求1的方法，其中涂布器的表面包括包含凸起或凹陷的图案。3.权利要求1的方法，其中纳米材料包括多个半导体纳米晶体。4.权利要求3的方法，其中多个半导体纳米晶体在基板上形成层。5.权利要求4的方法，其中所述层为半导体纳米晶体的多层。6.权利要求4的方法，其中所述层为半导体纳米晶体的单层。7.权利要求4的方法，其中所述层为半导体纳米晶体的局部单层。8.权利要求1的方法，其中所述纳米材料在基板上形成层。9.权利要求8的方法，其中所述层为纳米材料的多层。10.权利要求8的方法，其中所述层为纳米材料的单层。11.权利要求8的方法，其中所述层为纳米材料的局部单层。12.权利要求1的方法，其中所述纳米材料在基板上形成图案。13.权利要求1的方法，其还包括在将纳米材料置于涂布器表面上之前对涂布器的表面进行修饰。14.权利要求13的方法，其中修饰涂布器的表面包括使涂布器的表面与所选组分接触，以在与基板接触时从涂布器中释放出至少一部分纳米材料。15.权利要求14的方法，其中所述组分包括芳族有机聚合物。16.权利要求1的方法，其还包括将第二纳米材料置于第二涂布器的表面上；以及使第二涂布器的表面接触基板，由此将至少一部分第二纳米材料转移到基板上。17.权利要求16的方法，其中第一纳米材料和第二纳米材料各自独立地包括多个半导体纳米晶体。18.权利要求17的方法，其中第一多个半导体纳米晶体具有不同于第二多个半导体纳米晶体的发射波长。19.权利要求18的方法，还包括将第三多个半导体纳米晶体置于第三涂布器的表面上；以及使第三涂布器的表面接触基板，由此将至少一部分第三多个半导体纳米晶体转移到基板上。20.权利要求19的方法，其中第三多个半导体纳米晶体具有不同于第一多个半导体纳米晶体和第二多个半导体纳米晶体的发射波长。21.权利要求20的方法，其中将第一、第二和第三多个半导体纳米晶体施涂于基板的非重叠预定区域。22.权利要求21的方法，其中第一、第二和第三多个半导体纳米晶体的发射波长选自紫外、蓝、绿、黄、红或红外发射波长，或以上发射波长的组合。23.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有小于10毫米的尺度。24.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有小于1毫米的尺度。25.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有小于100微米的尺度。26.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有小于1微米的尺度。27.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有至少1厘米的尺度。28.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有至少10厘米的尺度。29.权利要求2的方法，其中所述图案的特征具有至少100厘米的尺度。30.权利要求1的方法，其中所述基板包括位于第一电极之上的包含空穴传输材料的层。31.权利要求30的方法，其还包括在纳米材料之上形成包含电子传输材料的层。32.权利要求31的方法，其中在包含电子传输材料的层之上施用第二电极。33.权利要求1的方法，其中将纳米材料置于涂布器的表面包括旋涂、刮涂、狭缝式涂布、浸涂、喷涂、棒式涂布、逆向辊涂、正向辊涂、气刀涂、刀辊涂、凹版式涂布、微凹版式涂布、挤出涂布、坡流涂布、帘幕式涂布或以上涂布方法的组合。34.权利要求1的方法，其中所述涂布器的表面基本上没有凸起和凹陷。35.权利要求34的方法，其中涂布器安装在转鼓上。36.一种发光器件，其包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及包括半导体纳米晶体单层的预定区域，其处于第一电极和第二电极之间。37.权利要求36的器件，其中所述预定区域形成图案。38.权利要求36的器件，其还包括第二预定区域，所述第二预定区域包含半导体纳米晶体的第二单层。39.权利要求36的器件，其还包括包含空穴传输材料的层，该层邻近第一电极并处于第一电极和第二电极之间。40.权利要求39的器件，其还包括包含电子传输材料的层，该层邻近第二电极并处于第一电极和第二电极之间。41.权利要求40的器件，其中包括半导体纳米晶体单层的预定区域处于包含空穴传输材料的层和包含电子传输材料的层之间。42.权利要求41的器件，其还包括第二预定区域，所述第二预定区域包含半导体纳米晶体的第二单层。43.权利要求42的器件，其中半导体纳米晶体的第一单层具有不同于第二单层的发射波长。44.一种发光的方法，其包括提供包括第一电极、与第一电极相对的第二电极、以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域；以及在第一电极和第二电极之间施加电压。45.权利要求44的方法，其中在第一电极和第二电极之间施加电压包括在第一电极和第二电极之间通过电流。46.一种包含多个发光器件的显示器，其中至少一个发光器件包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域。47.权利要求46的显示器，其还包括第二发光器件，该发光器件包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域。48.权利要求47的显示器，其中第一发光器件具有不同于第二发光器件的发射波长。49.权利要求48的显示器，其还包括第三发光器件，该发光器件包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域，其中第三发光器件具有不同于第二发光器件和第一发光器件的发射波长。50.权利要求49的显示器，其还包括第四发光器件，该发光器件包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域，其中第四发光器件具有不同于第三、第二和第一发光器件的发射波长。51.权利要求46的显示器，其中所述发光器件具有小于10毫米的尺度。52.权利要求46的显示器，其中所述发光器件具有小于1毫米的尺度。53.权利要求46的显示器，其中所述发光器件具有小于100微米的尺度。54.权利要求46的显示器，其还包括背板。55.权利要求54的显示器，其中所述背板包括有源矩阵电子设备。56.权利要求54的显示器，其中所述背板包括无源矩阵电子设备。57.一种包括多个发光器件的显示器，所述发光器件包括第一电极；与第一电极相对的第二电极；以及处于第一电极和第二电极之间的包括半导体纳米晶体单层的预定区域。58.权利要求57的显示器，其中各发光器件的半导体纳米晶体具有选自紫外、蓝、绿、黄、红或红外的发射波长或以上发射波长的组合。全文摘要发光器件包含层形式的半导体纳米晶体。该层可为由微接触印刷法沉积的半导体纳米晶体单层。该单层可在基板上形成图案。可以形成多层显示器，其包括以不同波长发射的多个发光器件，各器件包括半导体纳米晶体单层。文档编号H01L51/00GK101088180SQ200580044326公开日2007年12月12日申请日期2005年10月21日优先权日2004年10月22日发明者塞思·科-沙利文,乔纳森·S·斯特克尔,李安·金,芒吉·G·巴文迪,弗拉迪米尔·布洛维克申请人:麻省理工学院