专利名称：直角式信号线之制作方法及其电路板的制作方法
技术领域：
本发明关于一种信号线制作方法，特别是一种使用半导体材料制作直角路径信号线之方法及其电路板。
背景技术：
随着电子产业的发展，电子产品除了带来经济上的效益，亦改善人们生活的质量，目前电子产品的设计趋势走向短小轻薄，值得注意的是，若欲缩小电子产品的电路体积，其中一种即为缩短电路元件的连接距离，而最短的连接距离为直线，但电路布局需考虑的因素有元件配置、散热及信号干扰问题等等，故单纯的直线连接方式较不可能，较简单的方式为通过直线连接与直角布线方式，连接各自的电路元件。
而直角式信号线布线方式会导致的三种效应包括有电容效应、电磁干扰(EMI)及信号反射，其中信号反射效应于使用高频信号传输的电子电路中亦变得明显，请参照图1A，其为信号传输于直角区域产生信号反射干扰的示意图，由图中可发现当信号11经过线路10的直角区域101时，因为线路10阻抗不连续的关系，而产生信号11反射干扰的问题，如此，将使信号接收端无法接收正确的信号，严重时将导致集成电路(Integrated Circuit，IC)的误判或误动作。
而一般的线路布局方式会将线路10的转折区域101设计成如图1B到图1D所示图形，而图1B中的直角区域101的线路10一侧边为斜面，另一侧边为直角，即通过将线路10进行两次的转折(一次转45度)，以达到将线路10转折90度的目的，这种方法虽然可以减少反射波干扰，但相对亦增加线路10的路径长度与线路10所占面积；请参照图1C，图中的直角区域101的线路10两侧边均为斜面，亦通过将线路进行两次的转折(一次转45度)，以达到将线路10转折90度的目的，其减少反射波效果较图1B的方式佳，但同样会增加线路10的路径长度与线路10所占面积；接下来，请参照图1D，图中的转折区域101的线路10两侧边均为圆弧面，以此达到将线路10转折90度的目的，此种方式所减低反射波干扰效果最佳，但于线路整体制作上较为不方便。
因此，如何能提供一种兼具降低信号反射干扰及减少电路面积的信号线制作方法，成为研究人员待解决问题之一。
发明内容
鉴于以上的问题，本发明的主要目的在于提供一种直角式信号线之制作方法，通过将半导体材质形成于信号线的直角区域上，并利用半导体材质的接面特性，让通过直角区域的信号传送至指定方向的路径上，以此降低信号反射干扰，更进一步达到缩小电路体积的目的。
因此，为达上述目的，本发明所揭露之直角式信号线之制作方法，其于构成一线路之直角区域之第一线路段与第二线路段之间形成一半导体接面，以降低信号反射问题，包含有下列步骤首先，于一半导体材质基板上，进行第一次微影步骤，以定义直角区域的第一线路段的第一离子植入区域，其中第一次微影程序包含有形成一光阻层于线路上；利用光罩对直角区域的第二线路段进行遮蔽，以曝光第一线路段的光阻层；通过化学药剂去除第一线路段的光阻层。
接着，对第一离子植入区域进行离子布植，以形成第一导电态样区域(例，P型半导体层)；进行第二次微影程序，以定义直角区域的第二线路段的第二离子植入区域，其中第二次微影程序包含有形成一光阻层于线路上；利用光罩对直角区域的第一线路段进行遮蔽，以曝光第二线路段的光阻层；通过化学药剂去除第二线路段的光阻层。
接下来，对第二离子植入区域进行离子布植，以形成第二导电态样区域(例，N型半导体层)。
另外，为达上述目的，本发明所揭露之直角式信号线之电路板，包含有基板及直角区域线路层。
基板，其为半导体材质结构。
直角区域线路层，形成于基板中，包含第一线路段，具有第一导电态样区域，而第一导电态样区域为P型半导体层。
第二线路段，具有第二导电态样区域，与第一线路段连接，以构成直角区域线路层，且第一导电态样区域与第二导电态样区域形成一半导体接面，而第二导电态样区域为N型半导体层，其中半导体接面方向与第一线路段方向成45度夹角。
其中第一导电态样区域的长度可小于或等于第一线路段长度，且第二导电态样区域的长度可小于或等于第二线路段长度。
这种直角式信号线制作方法及其电路板，通过形成掺杂不同电子数量的杂质于信号线的直角区域，让通过直角区域中第一线路段的信号无法反射回原路径，以降低信号反射的干扰，且直角式的线路布线方式可缩短电路元件间的连接距离，更进一步达到缩小电路体积的目的。
图1A为先前技术所提之直角区域之信号反射示意图；图1B为先前技术所提之线路转折示意图；图1C为先前技术所提之线路转折示意图；图1D为先前技术所提之线路转折示意图；图2A为本发明所提之线路转折示意图；图2B为本发明所提之线路转折示意图；图3A为本发明所提之第2A图沿着A-A’线段之电路板剖面形成示意图；图3B为本发明所提之第2A图沿着A-A’线段之电路板剖面形成示意图；图3C为本发明所提之第2A图沿着A-A’线段之电路板剖面形成示意图；图3D为本发明所提之第2A图沿着A-A’线段之电路板剖面形成示意图；及图4为本发明所提之步骤流程图。
具体实施例方式
下面结合附图对本发明作进一步详细的说明。
请参照图2A，其为本发明之直角区域之线路示意图，如图所示线路10分为第一线路段102与第二线路段103，在此以具有一个直角区域101的线路10作说明。
于进行第一次微影(Lithography)与离子布植程序后，第一线路段102上形成第一导电态样区域，即P型半导体层12，接下来，形成光阻层于线路10的第一线路段102与第二线路段103上，于第二次微影与离子布植程序后，通过光罩遮蔽第一线路段102部分，以保留第一线路段10的P型半导体层12，并于第二线路段103上形成第二导电态样区域，即N型半导体层13，如此，当信号由第一线路段102传送至第二线路段103后，即无法反射回第一线段102，由此降低反射干扰的情形，而直角区域101中的P型半导体层12与N型半导体层13形成45度的接面方向，即若以第一线路段102方向为参考基准，沿第一线路段102的一侧边转角向另一侧边转角方向，形成P型半导体层12与N型半导体层13的接面，以确保信号通过第一线路段102后，会沿第二线路段103的方向传送信号。
另外，直角式信号线可使用于电路板中一些信号干扰较敏感的区域，例如，高频振荡器电路、石英震荡器电路等等，或者使用于整体电路设计上，而形成P-N半导体层的区域可针对直角区域101的线路段或延伸至整体线路段，如图2A为第一导电态样区域的长度与第一线路段的长度相等，且第二导电态样区域的长度与第二线路段的长度相等；而图2B为第一导电态样区域的长度小于第一线路段的长度，且第二导电态样区域的长度小于第二线路段的长度，其中图2B中的直角区域101外的线路段仍为金属线路段(例，铜箔导线)。
接下来，请参照图3A到图3D，其为本发明之图2A沿着A-A’线段之剖面示意图，以下说明电路板形成过程，如图3A所示，基板20为半导体材质，并于基板20上形成一层光阻层21，接着进行第一微影步骤，通过光罩30遮蔽光阻层21，当光线照射光阻层21后，使光阻层21的溶解度产生变化(以正型光阻为例)，经过化学药剂(酸性或碱性药剂)清洗过程，如图3B所示，使光阻层21露出可植入离子材料的区域，并进行离子布植步骤，将P型半导体层201植入基板20中。
接下来，请参照图3C，再一次形成光阻层21于基板20上方，并进行第二次微影步骤，通过光罩30遮蔽光阻层21，且露出欲植入离子材料的区域，当光线照射过光阻层21后，使光阻层21的溶解度产生变化(以正型光阻为例)，经过化学药剂(酸性或碱性药剂)清洗过程，如图3D所示，使光阻层21露出可植入离子材料的区域，并进行离子布植步骤，将N型半导体层202植入基板20中，最后再将光阻层21去除，即可获得P-N接面的半导体线路。
请参照图4，其为本发明之步骤流程图，首先，进行第一次微影程序，以定义直角区域的第一线路段的植入区域(步骤100)，而第一次微影制程步骤包含有将定义好的线路图形制作成光罩，接着，形成光阻层于基板上，而光阻层依照其特性区分为正型光阻材质与负型光阻材质，其中正型光阻材质于曝光过程后，可溶解于化学药剂中，而负型光阻材质则相反，于曝光过程后，未曝光的部分可溶解于化学药剂中；通过光罩遮蔽直角区域的第二线路段部分，以使直角区域的第一线路段曝光；于化学药剂清洗后，去除基板上的光阻层，以留下第一线路段的第一离子植入区域。
对直角区域的第一线路段进行离子布植程序，以形成第一导电态样区域(步骤101)，而第一导电态样区域为P型半导体层，接下来，进行第二次微影程序，以定义直角区域的第二线路段的第二离子植入区域(步骤102)，而第二次微影制程步骤包含有形成光阻层于基板上；通过光罩遮蔽直角区域的第一线路段部分，以使直角区域的第二线路段曝光；于化学药剂清洗后，去除基板上的光阻层，以留下第二线路段的植入区域。
对直角区域的第二线路段进行离子布植程序，以形成第二导电态样区域(步骤103)，而第二导电态样区域为N型半导体层。
其中直角区域中的半导体接面需以45度方向形成，即以第一线路段方向为参考基准时，由第一线路段的一侧边转角沿另一侧边(两侧边为互相平行)转角的方向，形成P型半导体层与N型半导体层接面，以确保信号会传送至第二线路段。
上述这种直角式信号线之制作方法及其电路板，利用形成P型半导体层与N型半导体层于直角线路区域，让信号通过直角线路区域后，通过半导体接面阻隔反射信号，以降低信号反射干扰的问题，而直角式信号线的布线方式，更缩短电路元件连接的距离，进一步达到缩小电路体积的目的。
权利要求
1.一种直角式信号线之制作方法，其于构成一线路之直角区域之一第一线路段与一第二线路段之间形成一半导体接面，其特征在于所述直角式信号线之制作方法包含有进行一第一微影程序，以定义该第一线路段之一第一离子植入区域；对该第一离子植入区域进行离子布植，以形成一第一导电态样区域；进行一第二微影程序，以定义该第二线路段之一第二离子植入区域；及对该第二离子植入区域进行离子布植，以形成一第二导电态样区域。
2.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第一导电态样区域为一P型半导体层。
3.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第二导电态样区域为一N型半导体层。
4.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第一导电态样区域与该第二导电态样区域于该直角区域形成一接面。
5.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述接面方向与该第一线路段方向成45度夹角。
6.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第一微影程序更包含下列步骤形成一光阻层于该线路上；利用一光罩遮蔽该直角区域之该第二线路段，以曝光该第一线路段之该光阻层；及去除该第一线路段之该光阻层。
7.根据权利要求6所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述光阻层为一正型光阻材质。
8.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第二微影程序更包含下列步骤形成一光阻层于该线路上；利用一光罩遮蔽该直角区域之该第一线路段，以曝光该第二线路段之该光阻层；及去除该第二线路段之该光阻层。
9.根据权利要求8所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述光阻层为一正型光阻材质。
10.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第一导电态样区域之长度小于该第一线路段之长度。
11.根据权利要求10所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第二导电态样区域之长度小于该第二线路段之长度。
12.根据权利要求1所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第一导电态样区域之长度与该第一线路段之长度相等。
13.根据权利要求12所述的直角式信号线之制作方法，其特征在于所述第二导电态样区域之长度与该第二线路段之长度相等。
14.一种直角式信号线之电路板，其特征在于所述直角式信号线之电路板包含有一基板，其由一半导体材料组成；及一直角区域线路层，形成于该基板中，包含一第一线路段，具有一第一导电态样区域；及一第二线路段，具有一第二导电态样区域，与该第一线路段连接，以形成该直角区域线路层，且该第一导电态样区域与该第二导电态样区域形成一半导体接面。
15.根据权利要求14所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第一导电态样区域为一P型半导体层。
16.根据权利要求14所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第二导电态样区域为一N型半导体层。
17.根据权利要求14所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述半导体接面方向与该第一线路段方向成45度夹角。
18.根据权利要求14所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第一导电态样区域之长度小于该第一线路段之长度。
19.根据权利要求18所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第二导电态样区域之长度小于该第二线路段之长度。
20.根据权利要求14所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第一导电态样区域之长度与该第一线路段之长度相等。
21.根据权利要求20所述的直角式信号线之电路板，其特征在于所述第二导电态样区域之长度与该第二线路段之长度相等。
全文摘要
本发明公开了一种直角式信号线之制作方法及其电路板，其通过将容易产生反射波干扰的直角线路段部分，以半导体的材料代替原有的金属线路段，并利用形成不同离子材质层(例，P型半导体层与N型半导体层)的接面，使信号通过直角式信号线路区域后，无法反射回原路径，以降低信号反射干扰的问题，且使用直角式信号线的电路布局方式，更进一步达到缩小电路体积的目的。
文档编号H01L21/00GK101026931SQ200610033868
公开日2007年8月29日 申请日期2006年2月24日 优先权日2006年2月24日
发明者张哲甫 申请人:佛山市顺德区顺达电脑厂有限公司, 神达电脑股份有限公司