制造半导体器件的方法

专利名称：制造半导体器件的方法
技术领域：
本发明涉及由薄膜晶体管构成的有源矩阵型显示器件的驱动电路。具体地说，本发明涉及有源矩阵型显示器件的驱动电路，其中采用源极跟随器作为模拟缓冲器，从而它们的特性变化得到了抑制。
背景技术：
有源矩阵型显示器件是这样一种显示器件，其中象素排列在矩阵的交点，每个象素与一个开关元件相连，通过开关元件的导通/截止来控制图象信息。这种类型的显示器件采用液晶、等离子体或其它材料或状态作为显示媒体，它们的光学特性(反射率、折射率、透射率、发光强度等)都可以通过电来加以改变。在本发明中，特别是采用具有栅极、源极和漏极的场效应晶体管(三端元件)作为开关元件。
在以下对本发明的描述中，矩阵的一行是指这样一种结构，其中与所述行平行放置的信号线(栅极线)与所述行的晶体管的栅极电极相连。一列是指这样一种结构，其中与所述列平行放置的信号线(源极线)与所述列的晶体管的源极(或漏极)电极相连。驱动栅极线的电路称为栅极驱动电路，驱动源极线的电路称为源极驱动电路。
在栅极驱动电路中，对应于垂直方向上栅极线的数目的移位寄存器的级成直线排列并相互串联，产生有源矩阵型显示器件的垂直扫描时序信号。以这种方式，有源矩阵型显示器件的薄膜晶体管通过栅极驱动电路进行开关操作。
在源极驱动电路中，对应于水平方向上源极线的数目的移位寄存器的级成直线排列并相互串联，产生有源矩阵型显示器件的显示图象数据的水平图象数据。模拟开关通过与水平扫描信号同步的闩锁脉冲导通/截止。以这种方式，通过源极驱动电路，电流提供给有源矩阵型显示器件的薄膜晶体管，控制液晶单元的定向。
图9示意性地表示一种常规的有源矩阵型显示器件。有两种多晶硅薄膜晶体管制造工艺高温工艺和低温工艺。在高温工艺中，多晶硅淀积在形成在石英基片上的绝缘膜上，并且形成作为栅极绝缘膜的加热氧化的/SiO2。然后，形成栅极电极，植入N型或P型离子，并形成源极和漏极电极。于是，多晶硅薄膜晶体管便制造出来了。
在低温工艺中，硅通过两种方法结晶固相生长和激光热处理。用固相生长法，例如通过将形成在玻璃基底上的绝缘膜上的非晶硅膜进行600℃和20小时的热处理，得到多晶硅膜。用激光热处理法，通过将激光施加在玻璃基底表面的非晶硅上，从而只对膜表面部分在高温下进行热处理，得到多晶硅膜。
一般通过以上一种或两种方法得到晶膜。
然后通过等离子体CVD形成作为栅极绝缘膜的SiO2膜。这之后，形成栅极电极，植入N型或P型离子，并形成源极和漏极电极。于是，多晶硅薄膜晶体管便制造出来了。
源极驱动电路通过对有源矩阵型显示器件的有源矩阵板进行垂直扫描向其提供图象数据，该电路包括移位寄存器、薄膜晶体管构成的模拟开关、电容器构成的模拟存储器和薄膜晶体管构成的模拟缓冲器模拟缓冲器是需要的，因为由于源极线的大的承载容量，模拟存储器不能直接驱动有源矩阵型显示器件的薄膜晶体管。
模拟缓冲器的薄膜晶体管具有源极跟随器的结构。如图6A和6B所示，对每根数据保持控制信号线提供一个单一的薄膜晶体管，这样来制造薄膜晶体管，以便它们以有规律的间隔来排列。
图6A表示采用N沟道薄膜晶体管的一个例子。另外，也可以采用P沟道薄膜晶体管(参见图6b)或两种类型的晶体管。
构成常规的有源矩阵型显示器件源极驱动电路的模拟缓冲器具有以下问题。
每个模拟缓冲器具有单个结构为源极跟随器的薄膜晶体管。当薄膜晶体管制造工艺中如上所述用激光热处理作为结晶手段时，玻璃基底上的硅膜用宽度为L的带状激光照射，同时沿X轴方向即水平方向(参见图7A)对其扫描，以便使硅结晶，因为不存在如此大尺寸的激光器可以一次照射大面积的基底。
当激光每次以恒定的长度沿X轴方向移动而进行照射时，会出现照射重叠问题。由于带状激光的宽度L不必与源极跟随器的间隔d一致(参见图7B)，所以激光的照射量根据激光结晶步骤中的硅膜的位置而变化。
因此，从上述硅膜生产出来薄膜晶体管中会出现位置变化即特性变化，一个薄膜晶体管到另一个之间的阈值电压Vth在VthL至VthH的范围内变化，这取决于X轴上的位置X(参见图8)。在激光束相互重叠的位置，阈值电压Vth具有小的值，而在激光束不重叠的位置，具有大的值。结果，源极跟随器的输出电压的幅度发生了变化，这直接导致施加到液晶器件的电压的变化。
图11表示普通白色液晶器件的施加电压与透射率特性之间的关系。可以理解，阈值电压Vth的变化量ΔVth引起了相应的透射率的变化，它将在被显示的图象中反映出来。
如上所述，根据其位置源极驱动电路的输出电压发生了不希望的变化，这导致了有源矩阵型显示器件的象素显示不均匀。

发明内容
本发明的一个目的是减小有源矩阵型显示器件中的象素显示不均匀。
与常规的器件不同，其中对每根数据线的数据保持控制信号提供一个单一的模拟缓冲器，本发明的特征在于数据保持控制信号与并联在一起的多个源极跟随器相连。此外，根据本发明的一个最佳实施例，并联的源极跟随器是这样一种组合，其中包括为了结晶由激光照射的至少一个源极跟随器和由激光照射两次的至少一个源极跟随器。
结晶用的激光照射的宽度L最好大于源极跟随器的间隔d，并等于间隔d乘以不小于3的整数n。此外，本发明的特征在于2至n-1个源极跟随器并联在一起。通过把照射不同次数的源极跟随器加以组合，可以抑制薄膜晶体管的阈值电压的变化。
虽然以上提到了源极跟随器的间隔和激光照射的宽度，但是术语“源极跟随器的间隔”也可以用另一术语“象素间隔”代替，因为一一般来说它们是等同的。


图1是根据本发明的第一实施例的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的电路图；图2是根据本发明的第二实施例的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的电路图；图3是根据本发明的第三实施例的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的电路图；图4是根据本发明的第四实施例的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的电路图；图5是根据本发明的第五实施例的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的电路图；图6A和6B是用于常规的有源矩阵型显示器件的模拟缓冲器的例子的电路图；图7A和7B示意性地表示在常规的模拟缓冲器的制造步骤中的激光照射；图8表示用于常规的模拟缓冲器中的薄膜晶体管的阈值电压Vth与薄膜晶体管制造工艺中激光照射位置X之间的关系；图9示意性地表示常规的有源矩阵显示器件；
图10A-10F表示互补反相器电路的制造工艺；以及图11表示普通白色液晶器件的施加电压与透射率特性之间的关系。
具体实施例方式
首先参照图10A-10F描述用于本发明的薄膜晶体管的制造工艺。
通过实施例来描述互补反相器电路。通过在氧气氛中的溅射，在玻璃基底上(低碱玻璃、石英玻璃等；例如Corning 7059)形成厚度为1,000-3,000的二氧化硅膜作为底层氧化膜。为了提高生产率，可以用通过等离子体CVD分解和淀积TEOS得到的膜。
然后，通过等离子体CVD或LPCVD淀积厚度为300-5,000最好是500-1,000的非晶硅膜，并通过留在550℃至600℃的还原气氛中4-48小时进行结晶。上述步骤以后，通过进行激光照射(波长308或248nm)提高结晶度。如此结晶的硅膜形成岛状区域1和2。通过溅射在上面形成700-1,500的二氧化硅膜3。
接着，通过电子束发射或溅射，形成1,000至3μm的铝膜(包括重量百分比为2％的Si或重量百分比为0.1-0.3％的Sc)。然后通过旋转涂覆形成光刻胶(例如由Tokyo Ohka Kogyo有限公司生产的OFPR800/30cp)。通过光刻胶形成之前的阳极氧化形成厚度为100-1,000的氧化铝膜，以便提供与光刻胶的良好的粘附性，并且在接下来的阳极氧化步骤中通过抑制来自光刻胶的漏电流仅在侧面形成多孔的阳极氧化膜。使光刻胶和铝膜形成图样，即一起蚀刻，形成栅极电极4和5，以及掩模6和7(参见图10A)。
在所得结构上通过向它提供电解液中的电流进行阳极氧化，形成厚度在3,000-6,000之间例如5,000的阳极氧化膜8和9。可以进行阳极氧化，例如用柠檬酸、草酸、磷酸、铬酸、硫酸等的3％至20％的酸水溶液，并对栅极施加10-30V的恒定电压。在本实施例中，通过施加10V的电压，在30℃的草酸中持续20-40分钟进行阳极氧化。阳极氧化膜8和9的厚度受阳极氧化的时间控制(参见图10B)。
去除掩模6和7以后，栅极电极4和5再次施加电解液中的电流。这次用包括酒石酸、硼酸和硝酸的乙二醇溶液(总量为3％至10％)。当溶液的温度大约为10℃即低于室温时，得到优异的氧化膜。结果，在栅极电极4和5的上面和侧面形成了阻挡型阳极氧化膜10和11。阳极氧化膜10和11的厚度正比于施加电压。例如，施加电压为150V，阳极氧化膜的厚度为2,000。阳极氧化膜10和11的厚度由所需的偏置确定。最好厚度小于3,000，因为需要大于250V的高电压来产生比3,000厚的阳极氧化膜，这将对薄膜晶体管产生不利的影响。在本实施例中，电压增至80-150V，适合的电压是根据阳极氧化膜10和11的所需的厚度选择的。
应注意的是，阻挡型阳极氧化膜10和11形成在多孔的阳极氧化膜8和9以及栅极4和5之间，而不是形成在多孔的阳极氧化膜8和9的外面，但形成阻挡型的阳极氧化膜10和11的步骤稍后进行。
然后，通过干蚀刻(或湿蚀刻)对绝缘膜3进行蚀刻。蚀刻深度可以任意确定；即可以在底层有源层1和2暴露之前一直进行蚀刻，或者可以中途停止蚀刻。考虑到生产率、产量和一致性，希望在到达有源层1和2之前一直进行蚀刻。在这种情况下，具有初始厚度的绝缘膜12和13留在绝缘膜(栅极绝缘膜3)部分中，上面覆盖着阳极氧化膜8和9或栅极电极4和5(参见图10c)。
然后去除阳极氧化膜8和9。蚀刻剂最好是磷酸型溶液，例如磷酸、乙酸和硝酸的混合酸。用磷酸型蚀刻剂，多孔的阳极氧化膜8和9的蚀刻速率是阻挡型阳极氧化膜10和11的蚀刻速率的10倍以上。因此，用磷酸型蚀刻剂，阻挡型阳极氧化膜10和11基本不被蚀刻。因此，阻挡型阳极氧化膜内的栅极电极得到了保护。
通过将加速N型或P型杂质离子植入上述结构的有源层1和2形成源极和漏极。更具体地说，首先对左边的覆盖了掩模14的薄膜晶体管区通过离子掺杂法掺入相对低速(典型的加速电压5-30kV)的磷离子。在本实施例中，加速电压设为20kV。用磷化氢(PH3)作为掺杂气体。剂量为5×1014至5×1015cm-2。在这一步骤中，磷离子不能渗入绝缘膜13，它们只植入表面暴露的有源区2的那些部分中，以形成N沟道薄膜晶体管的漏极15和源极16(参见图10D)。
接下来，也是通过离子掺杂法掺入相对高速(典型的加速电压60-120kV)的磷离子。在本实施例中，加速电压设为90kV，并且剂量为1×1013至5×1014cm-2。在这一步骤中，磷离子渗入绝缘膜13，到达底层部分。然而，由于剂量小，形成了低浓度的N沟道区17和18(参见图10E)。
磷掺杂完成以后，去除掩模14。以与上述类似的方式，此次将N沟道薄膜晶体管区掩蔽，在P沟道薄膜晶体管区中形成源极19、漏极20和低浓度的P型区21和22。通过用KrF准分子激光(波长248nm；脉宽20nsec)照射使杂质离子植入有源区1和2。
最后，通过CVD在作为中间层绝缘膜23的整个表面上形成厚度为3,000-6,000的二氧化硅膜。形成薄膜晶体管的源极和漏极的接触孔之后，形成铝引线和电极24-26。此外，在200℃至400℃下进行氢热处理。这样采用薄膜晶体管的互补反相器电路便制成了(参见图10F)。
虽然以上描述是针对反相器电路的，但是用类似方式也能制造其它电路。此外，虽然以上描述是针对共面薄膜晶体管的，但是也可用于其它类型的薄膜晶体管，如反参差(inverse-stagger)型薄膜晶体管。
下面描述本发明的实施例。
图1表示本发明的第一实施例。在本实施例中，源极跟随器以间隔d排列，激光照射宽度L等于3d。两个源极跟随器相互并联。用(1，m)代表源极跟随器矩阵，激光首先施加在源极跟随器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)和(p+2，q+1)上。
然后移动激光，以便照射源极跟随器(p+2，q)、(p+3，q)、(p+4，q)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)和(p+4，q+1)。实际上第一次激光照射之后，移动安装在X-Y平台上的基底，然后进行第二次照射。
此外，对源极跟随器(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)进行下一次激光照射。
以上述方式，用激光对源极跟随器(p，q)、(p，q+1)、(p+2，q)、(p+2，q+1)、(p+4，q)、(p+4，q+1)、(p+6，q)和(p+6，q+1)照射两次。于是它们具有图8所示的阈值电压VthL。
另一方面，用激光对源极跟随器(p+1，q)、(p+1，q+1)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+5，q)和(p+5，q+1)只照射一次。于是它们具有阈值电压VthH。
通过相互并联源极跟随器(p，q)和(p+1，q)，源极跟随器(p+2，q)和(p+3，q)，源极跟随器(p+4，q)和(p+5，q)，源极跟随器(p+1，q+1)和(p+2，q+1)，以及源极跟随器(p+3，q+1)和(p+4，q+1)，如图1所示，源极跟随器的特性均衡了，于是减小了由激光照射引起的特性变化。换句话说，在每个组合的源极跟随器中，一个源极跟随器具有较高的结晶度TFT，而另一个则具有较低的结晶度TFT。
图2表示本发明的第二实施例。在本实施例中，源极跟随器以间隔d排列，激光照射宽度L等于4d。三个源极跟随器相互并联。
激光首先施加在源极跟随器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)、(p，q+2)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)和(p+3，q+2)上。
然后移动激光，以便照射源极跟随器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+6，q+1)、(p+3，q+2)、(p+4，q+2)、(p+5，q+2)和(p+6，q+2)。
由于用激光对源极跟随器(p，q)、(p，q+1)、(p，q+2)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+3，q+2)、(p+6，q)、(p+6，q+1)和(p+6，q+2)照射两次，所以它们具有阈值电压VthL(参见图8)。
由于用激光对源极跟随器(p+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1、(p+2，q+1)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+4，q+2)和(p+5，q+2)只照射一次，所以它们具有阈值电压VthH(参见图8)。
通过分别相互并联源极跟随器(p，q)、(p+1，q)和(p+2，q，源极跟随器(p+3，q)、(p+4，q)和(p+5，q)，源极跟随器(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)，源极跟随器(p+4，q+1、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)，以及源极跟随器(p+2，q+2)、(p+3，q+2)和(p+4，q+2)，如图2所示，每种组合的三个源极跟随器中的一个用激光照射两次，其余两个源极跟随器只照射一次。通过以上述方式组合源极跟随器，使每组的源极跟随器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性变化。
图3表示本发明的第三实施例。在本实施例中，源极跟随器以间隔d排列，激光照射宽度L等于4d。两个源极跟随器相互并联，形成一个模拟缓冲器，其中相邻缓冲器的一个源极跟随器位于二者之间。
激光首先施加在源极跟随器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)上。
然后移动激光，以便照射源极跟随器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)。
由于用激光对源极跟随器(p，q)、(p，q+1)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+6，q)和(p+6，q+1)照射两次，所以它们具有阈值电压VthL(参见图8)。
由于用激光对源极跟随器(p+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、和(p+5，q+1)只照射一次，所以它们具有阈值电压VthH(参见图8)。
通过相互并联源极跟随器(p，q)和(p+2，q)，源极跟随器(p+1，q)和(p+3，q)，源极跟随器(p+4，q)和(p+6，q)，源极跟随器(p，q+1)和(p+2，q+1)，源极跟随器(p+1，q+1)和(p+3，q+1)，以及源极跟随器(p+4，q+1)和(p+6，q+1)，如图3所示，每种组合的两个源极跟随器中的一个用激光照射两次，另一个源极跟随器只照射一次。通过以上述方式组合源极跟随器，使每组的源极跟随器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性变化。
图4表示本发明的第四实施例。在本实施例中，源极跟随器以间隔d排列，激光照射宽度L等于4d。以倾斜方向放置的两个源极跟随器相互并联。
激光首先施加在源极跟随器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)和(p+3，q+1)上。
然后移动激光，以便照射源极跟随器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)和(p+6，q+1)。
通过相互并联源极跟随器(p，q)和(p+1，q+1)，源极跟随器(p+1，q)和(p+2，q+1)，源极跟随器(p+2，q)和(p+3，q+1)，源极跟随器(p+3，q)和(p+4，q+1)，源极跟随器(p+4，q)和(p+5，q+1)，以及源极跟随器(p+5，q)和(p+6，q+1)，如图4所示，源极跟随器的特性均衡了，于是减小了由激光照射引起的特性变化。
图5表示本发明的第五实施例。在本实施例中，源极跟随器以间隔d排列，激光照射宽度L等于4d。以倾斜方向放置的三个源极跟随器相互并联。
激光首先施加在源极跟随器(p，q)、(p+1，q)、(p+2，q)、(p+3，q)、(p，q+1)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+3，q+1)、(p，q+2)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)和(p+3，q+2)上。
然后移动激光，以便照射源极跟随器(p+3，q)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+6，q)、(p+3，q+1)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+6，q+1)、(p+3，q+2)、(p+4，q+2)、(p+5，q+2)和(p+6，q+2)。
由于用激光对源极跟随器(p，q)、(p，q+1)、(p，q+2)、(p+3，q)、(p+3，q+1)、(p+3，q+2)、(p+6，q)、(p+6，q+1)和(p+6，q+2)照射两次，它们具有阈值电压VthL(参见图8)。
由于用激光对源极跟随器(p+1，q)、(p+2，q)、(p+1，q+1)、(p+2，q+1)、(p+1，q+2)、(p+2，q+2)、(p+4，q)、(p+5，q)、(p+4，q+1)、(p+5，q+1)、(p+4，q+2)和(p+5，q+2)只照射一次，它们具有阈值电压VthH(参见图8)。
通过相互并联源极跟随器(p，q)、(p+1，q+1)和(p+2，q+2)，源极跟随器(p+1，q)、(p+2，q+1)和(p+3，q+2)，源极跟随器(p+2，q)、(p+3，q+1)和(p+4，q+2)，源极跟随器(p+3，q、(p+4，q+1)和(p+5，q+2)，以及源极跟随器(p+4，q)、(p+5，q+1)和(p+6，q+2)，如图5所示，每种组合的三个源极跟随器中的一个用激光照射两次，其余两个源极跟随器只照射一次。通过以上述方式组合源极跟随器，使每组的源极跟随器都一致，因此消除了由激光照射引起的特性变化。
如上所述，通过并联采用薄膜晶体管的源极跟随器，本发明可以抵制由于激光照射区的重叠引起的阈值电压Vth的变化，从而减小了象素显示的不均匀度。
虽然已经描述了本发明的最佳实施例，但是应懂得，本发明不限于这些具体实施例。本领域的一般技术人员可以进行各种修改。例如可以用其它具有相同功能的元件如运算放大器代替源极跟随器。
权利要求
1.一种制造包括缓冲电路的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；用光束照射所述半导体膜，使所述半导体膜结晶；以及通过将结晶的半导体膜用作有源层形成所述缓冲电路，其中每个所述缓冲电路至少包括相互连接的第一电路和第二电路，其中，所述缓冲电路在所述衬底上沿第一方向设置，而所述光束在所述半导体膜处沿垂直于所述第一方向的第二方向具有细长的截面。
2.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述光束是脉冲式激光束。
3.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述第一和第二电路都是源极跟随器电路。
4.根据权利要求1所述的方法，其特征在于所述半导体器件是有源矩阵器件。
5.根据权利要求1所述的方法，其特征在于缓冲电路的一个中的所述第一电路的形成是通过所述形成所述缓冲电路步骤，使其具有和缓冲电路的所述一个中的所述第二电路不同的电气特性来进行的。
6.一种制造至少包括第一和第二缓冲电路的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；用激光束照射所述半导体膜，使所述半导体膜结晶，其中所述激光束在所述半导体膜处有一截面，该截面在沿第一方向是细长的；以及通过将结晶的半导体膜用作有源层形成所述第一和第二缓冲电路，其中，所述缓冲电路在垂直于所述第一方向的方向上设置，其中，每个所述缓冲电路至少包括第一和第二电路，所述第一缓冲电路的第一和第二电路中的一个电路定位在沿所述第一方向与所述第二缓冲电路的第一和第二电路中的一个电路相同的一行中。
7.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述光束是脉冲式激光。
8.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述第一和第二缓冲电路的所述第一和第二电路都是源极跟随器电路。
9.根据权利要求6所述的方法，其特征在于所述半导体器件是一种显示器件。
10.一种制造至少包括第一和第二缓冲电路的半导体器件的方法，所述方法包括以下步骤在衬底上形成半导体膜；用激光束照射所述半导体膜，使所述半导体膜结晶，其中所述激光束在所述半导体膜处的截面沿第一方向是细长的，而所述激光束在垂直于所述第一方向的第二方向上进行扫描；对受过照射的半导体膜进行构图，使其构成多个薄膜晶体管的多个半导体岛；形成邻近各个所述多个半导体岛的多个栅极；形成所述第一和第二缓冲电路，其中每个所述第一和第二缓冲电路至少包括第一和第二电路，这些电路中的每个至少包括所述多个薄膜晶体管之一，其中，所述第一和第二缓冲电路沿所述第二方向设置，其中，所述缓冲电路的各缓冲电路中的第一和第二电路并联连接，而所述第一缓冲电路的第一和第二电路中的一个电路定位在沿所述第一方向与所述第二缓冲电路的第一和第二电路中的一个电路相同的一行中。
11.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述栅极定位在所述半导体岛上。
12.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述栅极定位在所述半导体岛下。
13.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述半导体器件是一种显示器件。
14.根据权利要求10所述的方法，其特征在于所述激光束是一种脉冲式激光束。
全文摘要
每根数据线的数据保持控制信号提供给并联在一起的多个源极跟随器。并联的源极跟随器是至少一个只用激光照射一次的第一跟随器和至少一个照射两次的第二跟随器的组合。用于结晶的激光照射的宽度等于源极跟随器的间隔乘以一个不小于3的整数。
文档编号H01L21/77GK1917187SQ20061010166
公开日2007年2月21日 申请日期1995年4月22日 优先权日1994年4月22日
发明者小山润, 河崎祐司 申请人:株式会社半导体能源研究所