显示装置及其制造方法

专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种显示装置，更具体地，涉及一种被有效施加共电压的显示装置及其制造方法。
背景技术：
由于与其他平板显示器相比，有机发光二极管(“OLED”)显示装置具有诸如低电压驱动、重量轻、薄、广视角、和快速反应等很多有利的优点，所以它正获得广泛普及。可以将OLED显示器分类为无源矩阵型或有源矩阵型。无源矩阵型结构简单，但随着显示面积和分辨率的增加，功耗也会快速增加。因此，无源矩阵型OLED显示器主要是应用于小尺寸的应用中。相反，虽然有源矩阵型显示器具有制造过程复杂的缺点，但它却具有能够实现宽屏幕和高分辨率的优点。
在有源矩阵型OLED中，薄膜晶体管(“TFT”)与每个像素区相连接并且它们控制着每个各自的像素区的有机发光层的发光。像素电极也位于每个像素区中，其中每个都与其他相邻像素电极电隔离，以用于单独驱动。另外，位于比像素电极更高的堤槽(bank)形成在像素区之间，并用于防止在像素电极之间的短路并且进一步充当了像素区之间的绝缘体。空穴注入层和有机发光层顺序形成在用于分隔像素区的堤槽之间的像素电极上。接下来，共电极形成在有机发光层上。
根据从有机发光层产生的光的方向，可以将OLED显示器进一步分类成底部发射型和顶部发射型。
底部发射型的OLED显示器将来自有机发光层的光指向朝向TFT的方向。底部发射型的制造工艺很好建立，但是它有一个固有的问题，即由于TFT和布线要求，它的孔径比会被减小。特别是，由于使用了非晶硅的TFT的电子迁移率较低，所以为了提供充分的从源极到漏极的电流，TFT通常较大，并且通常使用两个或多个TFT的这样的OLED的孔径比也会被进一步减小。
顶部发射型OLED显示器将来自有机发光层的光通过共电极指向外部。因此，顶部发射型可以被构造为具有较大的孔径比。在顶部发射型中，共电极应该是透明的。目前，透明的共电极是通过使用诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)的材料的薄金属层沉积方法(例如，溅射)制成的。然而，当建造大尺寸显示器时，目前的制造方法会产生具有非常大阻抗的共电极。这已经成为制造更大显示器的障碍。

发明内容
因此，本发明的一个方面是提供一种能有效施加共电压的显示装置。
可以通过显示装置的示例性实施例来实现本发明以上和/或其他方面，该显示装置包括薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到薄膜晶体管；有机层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机层上；导电层，形成在共电极上；透明电极层，形成在导电层上；以及第二绝缘基板，位于透明电极层上。
根据本发明的示例性实施例，导电层可以包括导电聚合物。
根据本发明的示例性实施例，导电层可以包括从由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所构成的组中选择的至少一种。
根据本发明的示例性实施例，导电层可以包括导电粒子。
根据本发明的示例性实施例，导电粒子可以包括Ag或Ni。
根据本发明的示例性实施例，有机层上的导电层被除去。
根据本发明的示例性实施例，导电层的上面可以基本上是平的。
根据本发明的示例性实施例，共电极可以包括Mg和Ag。
根据本发明的示例性实施例，共电极可以包括Ca和Ag。
根据本发明的示例性实施例，共电极的厚度是大约50到大约200。
根据本发明的示例性实施例，透明电极层可以包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
根据本发明的示例性实施例，从有机层产生的光通过第二绝缘基板指向外部。
根据本发明的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且非显示区域可以使用非导电的密封剂形成，用于使第一绝缘基板和第二绝缘基板相连。
根据本发明的示例性实施例，非导电密封剂与透明电极层接触。
根据本发明的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且透明电极层对应于显示区域。
根据本发明的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且在非显示区域和导电层之间形成绝缘层。
根据本发明的示例性实施例，可以在第一绝缘基板上设置显示区域和限定在显示区域周围的非显示区域，并且非显示区域可以形成有向透明电极层施加共电压的短路棒。
根据本发明的示例性实施例，显示装置可以进一步包括环绕有机层的堤槽。
根据本发明的示例性实施例，有机层可以包括顺序堆叠在其上的空穴注入层和发光层。
根据本发明的示例性实施例，空穴注入层可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸。
根据本发明的示例性实施例，发光层可以包括聚合物。
本发明的以上和/或其他方面可以通过制造显示装置的方法的示例性实施例来实现，该方法包括在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成电连接到薄膜晶体管的像素电极；在像素电极上形成有机层；在有机层上形成共电极；在共电极上形成导电层；在第二绝缘基板上形成用于施加共电压的透明电极层；以及在导电层上形成第二绝缘基板，透明电极层与导电层接触。


本发明的上述和其他方面和优点将会从以下结合附图对示例性实施例的详细描述而更加明显并易于理解，在附图中图1是根据本发明的显示装置的示例性实施例的等效电路示意图；图2是根据本发明的图1中所示的显示装置的示例性实施例的部分截面图；图3是根据本发明的图1和图2中所示的显示装置的示例性实施例的完整截面图；图4是根据本发明的显示装置的另一个示例性实施例的部分截面图；图5是根据本发明的显示装置的又一个示例性实施例的部分截面图；图6是根据本发明的显示装置的再一个示例性实施例的部分截面图；以及图7是根据本发明的又一另外示例性实施例的显示装置的完整截面图。
具体实施例方式
下面将参照附图更加全面地描述本发明，在附图中示出了本发明的实施例。然而，本发明可以多种不同的方式来实现而不局限于在此描述的实施例。相反地，所提供的这些实施例，对本领域的技术人员来说，使得本发明充分公开并且完全覆盖本发明的范围。在整个说明书附图中，相同的附图标号表示相同的元件。
应当理解，当提到元件“位于”另一个元件上时，是指其直接位于另一个元件上，或者也可能存在介于其间的元件。相反，当某个元件被提到“直接位于”另一个元件上时，意味着不存在介于其间的元件。正如在此所应用的，术语“和/或”包括任何的以及所有的一个或多个相关所列术语的结合。
应当理解，尽管在此可能使用术语第一、第二、第三等来描述不同的元件、部件、区域、层、和/或部分，但是这些元件、部件、区域、层、和/或部分并不局限于这些术语。这些术语仅用于将一个元件、部件、区域、层、或部分与另一个元件、部件、区域、层、或部分相区分。因此，在不背离本发明宗旨的情况下，下文所述的第一元件、组件、区域、层、或部分可以称为第二元件、组件、区域、层、或部分。
在此使用的术语仅用于描述特定实施例而不是限制本发明。正如在此使用的，单数形式的“一个”、“这个”也包括复数形式，除非文中有其它明确指示。应当进一步理解，当在本申请文件中使用术语“包括”和/或“包含”时，是指存在所声称的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、和/或部件，但是并不排除还存在或附加一个或多个其它的特征、区域、整数、步骤、操作、元件、部件、和/或其组合。
为了便于说明，在此可能使用诸如“在…之下”、“在…下面”、“下面的”、“在…上面”、以及“上面的”等的空间关系术语，以描述如图中所示的一个元件或部件与另一元件或部件的关系。应当理解，除图中所示的方位之外，空间关系术语将包括使用或操作中的装置的各种不同的方位。例如，如果翻转图中所示的装置，则被描述为在其他元件或部件“下面”或“之下”的元件将被定位为在其他元件或部件的“上面”。因此，示例性术语“在…下面”包括在上面和在下面的方位。装置可以以其它方式定位(旋转90度或在其他方位)，并且在此所描述的空间关系可相应地进行解释。
除非另有限定，在此所采用的所有的术语(包括技术和科技术语)具有与本发明所属领域的普通技术人员通常所理解的相同意思。对该术语的进一步理解，例如，字典中通常采用的限定术语应该被解释为与相关技术上下文中的意思相一致的意思，并且除非在此进行特别限定，其不应被解释为理想的或者过于正式的解释。
图1是根据本发明的显示装置的示例性实施例的等效电路示意图。
参考图1，根据本示例性实施例的显示装置1包括多条信号线。信号线包括栅极线，用于传输扫描信号；数据线，用于传输数据信号；以及驱动电压线，用于传输驱动电压。数据线和驱动电压线彼此相邻并平行排列，并且栅极线垂直于数据线和驱动电压线延伸。
每个像素包括有机发光元件LD、开关晶体管Tsw、驱动晶体管Tdr和电容器C。
驱动晶体管Tdr具有连接到开关晶体管Tsw的控制端、连接到驱动电压线的输入端、以及连接到有机发光元件LD的输出端。
有机发光元件LD具有连接到驱动晶体管Tdr的输出端的正极和连接到共电压Vcom的负极。有机发光元件LD通过根据驱动晶体管Tdr的输出电流发出具有不同强度的光来显示图像。驱动晶体管Tdr的电流的幅度(magnitude)随着在控制端和输出端之间所施加的电压而变化。
开关晶体管Tsw也具有连接到栅极线的控制端、连接到数据线的输入端、以及连接到驱动晶体管Tdr的控制端的输出端。根据施加到栅极线的扫描信号，开关晶体管Tsw将施加到数据线的数据信号传输到驱动晶体管Tdr。
电容器C连接在驱动晶体管Tdr的控制端和驱动电压线之间。电容器C还连接在驱动电压线和开关晶体管Tsw的输出端之间。电容器C充电并保持输入到驱动晶体管Tdr的控制端的数据信号。
以下将参考图2和图3更加详细地描述根据本示例性实施例的显示装置。图2是根据本发明的显示装置的本示例性实施例的部分截面图。图3是根据本发明的显示装置的本示例性实施例的完整截面图。图2示出了驱动晶体管Tdr，而没有示出开关晶体管Tsw。
在由绝缘材料(包括玻璃、石英、陶瓷、或塑料)制成的第一绝缘基板110上形成有栅电极121、第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123。第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123被施加了来自外部的共电压，然后将共电压分别施加给共电极190和透明电极层321。栅电极121、第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123被设置在相同层中，而第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123位于非显示区域中。
将包括氮化硅SiNx或类似物质的栅极绝缘膜131形成在第一绝缘基板110和栅电极121上。栅极绝缘膜131仅部分形成在第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123上。
包括非晶硅的半导体层132和包括n+氢化非晶硅(高掺杂有n型杂质)的阻抗接触层(resistive contact layer)133顺序形成在在栅电极121上方并接近栅电极的栅极绝缘膜131上。阻抗接触层133被相对于栅电极121分成两个部分。
源电极141和漏电极142被形成在阻抗接触层133和绝缘膜131上。源电极141和漏电极142被分成两个部分，在栅电极121之上留下了一个缝隙。
钝化膜151形成在源电极141、漏电极142、和没有被源电极141和漏电极142之间的缝隙所覆盖而留下的半导体层132的上部之上。钝化膜151可以包括氮化硅SiNx。钝化膜151并不完全覆盖漏电极142、第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123。
有机膜152形成在钝化膜151上。有机膜152的类型可以包括苯并环丁烯(benzocyclobutene，BCB)、烯烃(olefin)、丙烯酸树脂(acrylic resin)、聚酰亚胺(polyimide)、TEFLON(由Du Pont提供)、氟树脂(cytop)或过氟环丁烷(perfuorocyclobutane，PFCB)。可以部分地去除在漏电极142、第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123上的有机膜152。
像素电极161形成在有机膜152的上部。也被称为正极的像素电极161将空穴提供给有机层180。包括透明导电材料(诸如氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO))的像素电极161通过接触孔153连接到漏电极142。
第一接触元件162和第二接触元件163与像素电极161形成在相同的层中，并且分别位于第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123上。第一接触元件162通过接触孔154连接到第一共电压施加单元122，以及第二接触元件163通过接触孔155连接到第二共电压施加单元123。
堤槽171形成在像素电极161和有机膜152上。环绕像素电极161的堤槽171限定了像素区。另外，堤槽171用于分别防止在驱动晶体管Tdr的源电极141和共电极190之间的短路，以及在驱动晶体管Tdr的漏电极142和共电极190之间的短路。堤槽171可以包括具有耐热性和抗溶性的感光材料，诸如丙烯酸树脂(acrylresin)、聚亚胺树脂(polyimide resin)，或者是诸如SiO2、TiO2等的无机材料，并且也可以被制成由有机层和无机层构成的两层结构。堤槽171形成有露出第一接触元件162的接触孔172。
有机层180形成在像素电极161没有被堤槽171覆盖的部分上。有机层180包括空穴注入层181和发光层182。
可以通过使用水相悬浮液(通过将水与空穴注入材料混合而形成)的喷墨方法来形成空穴注入层181。空穴注入材料可以包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(poly(3，4-ethylenedioxythiophene)PEDOT)和聚苯乙烯磺酸(polystyrene sulfonic，PSS)。
发光层182可以使用聚合物，诸如聚芴(polyfluorene)衍生物、聚(对亚苯基-亚乙烯基)(poly(paraphenylene-vinylene))衍生物、聚亚苯基(polyphenylene)衍生物、聚乙烯咔唑(polyvinyl carbazole)、聚噻吩(polythiophene)衍生物、或掺杂有亚苯基(phenylene)型颜料、罗达明(rodamine)型颜料、红荧烯(rubrene)、亚苯基、9，10-二苯基蒽(9，10-diphenylanthracene)、四苯基丁二烯(tetraphenylbutadiene)、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮(quinacridone)、或类似材料的分子材料。
来自像素电极161的空穴和来自共电极190的电子在发光层182中彼此组合，形成激子，然后在激子的钝化过程中产生光。
共电极190位于堤槽171和发光层182上。也被称为负极的共电极190将电子提供给发光层182。可以包括Mg和Ag、或Ca和Ag合金的共电极190的厚度可以是大约50到大约200。如果共电极190的厚度小于大约50，则电阻过度增加而不能充分施加共电压。如果共电极190的厚度大于大约200，则共电极190可以是不透明的。
共电极190通过接触孔172连接到第一接触元件162。第一接触元件162连接到第一共电压施加单元122，因此，共电极190被施加了共电压。同时，第一共电压施加单元122位于显示区域的外部，因而，在远离第一共电压施加单元122的共电极190中产生电压降。在顶部发射型显示器的情况下，来自光发射层182的光穿过共电极190，共电极190的厚度受到限制以防止亮度衰减，从而增加了共电极190的阻抗，并且使得电压降的问题变得更严重。
尽管在附图中没有示出，但是共电极190可以由两个层构成，其下层可以包括金属合金，而其上层可以由ITO层或IZO层制成。通过低温沉积方法形成ITO层或IZO层，以防止下有机层180受到与其他ITO或IZO形成方法相关的温度或等离子体的影响。由于通过低温沉积方法形成的ITO层或IZO层具有很差的膜质量并且增加了电阻率，所以低温沉积方法不能够解决上述的电压降问题。
导电层210位于共电极190上。形成基本平坦的将透明电极层321与共电极190电连接的导电层210。在第一示例性实施例中，导电层210包括导电聚合物，诸如聚吡咯、聚苯胺、聚噻吩以及类似的材料。
透明电极层321和第二绝缘基板310位于导电层210的上部。第二绝缘基板310可以包括玻璃或透明塑料。透明电极层321包括ITO或IZO，并且形成在全部的第二绝缘基板310之下。
第二绝缘基板310和透明电极层321可以被分别制造，以使它们在导电层210上相邻接。在这一实施例中，透明电极层321可以通过高温沉积来形成，因为它的形成与有机层180的退化无关，所以能够产生高质量的膜。因此，无论与第二共电压施加单元123的距离如何，透明电极层321总会保持相对一致的共电压。
透明电极层321通过短路棒230连接到覆盖第二共电压施加单元123的第二接触元件163。
透明电极层321通过导电层210将共电压传输到共电极190，因而，共电极190能够有效地将共电压施加到有机层180。
第一绝缘基板110和第二绝缘基板310通过形成在非显示区域中的密封剂220彼此连接。密封剂220是非导电性的并且可以包括丙烯酸树脂和/或环氧树脂。
参看图3，在其上定位了有机层180的显示区域被导电层210所覆盖，从外部被施加有驱动信号和共电压的“焊盘单元”和短路棒230位于非显示区域中。
图4、图5、和图6分别是根据本发明的显示装置的可选示例性实施例的部分截面图。
在根据图4中所示的示例性实施例的显示装置中，导电层210包括导电粒子211和聚合物212。导电粒子211包括Ni或Ag，开且为了透明度，其具有非常小的直径。聚合物212可以包括导电聚合物或者具有与有机膜152相同的成分。根据本示例性实施例，由导电粒子211来增强共电极190和透明电极层321的电连接。
在根据图5中所示的另一个可选示例性实施例的显示装置中，将短路棒230布置为相比于密封剂220更加靠近显示区域。优选地，第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123多数时候被设置在显示区域周围。另一方面，可以整体地设置第一共电压施加单元122和第二共电压施加单元123。
根据图6中示出的又一可选示例性实施例的显示装置的导电层210设置有凹陷部215(depression part)，其形成在有机层180上。由于使得来自有机层180的光能够穿过透明电极层321而无需首先必须穿过导电层210，所以改进了光的亮度。在这一实施例中，优选地将导电层210制成黑色，例如，通过使用颜料等，以使导电层210能够作为黑底。
虽然在本示例性实施例中的导电层210是不透明的，但是它的孔径比或亮度不受影响。因此，如果导电层210与图5一样包括导电粒子211，则导电粒子211的尺寸或密度就能够增加，从而有可能增加共电极190和透明电极层321之间的电连接。
图7是根据本发明的显示装置的又一示例性实施例的完整截面图。如图所示，与第一绝缘基板110的宽度相比，根据该示例性实施例的显示装置的第二绝缘基板310形成为具有稍小的宽度。第一绝缘基板110的较大宽度有利于外部电路与焊盘单元之间的连接。同时，在焊盘单元和导电层210之间形成绝缘层240。绝缘层240可以包括氮化硅层。虽然在附图中没有示出，但是共电极190和透明电极层321分别电连接到共电压施加单元122和123。
如上全面描述，提供了一种被有效施加共电压的显示装置。
虽然已经示出并描述了本发明的几个示例性实施例，但是正如所附的权利要求所述，对于本领域的技术人员而言，在不背离本发明的原则和精神的前提下，可以对本发明的这些示例性实施例进行各种修改。
权利要求
1.一种显示装置，包括薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到所述薄膜晶体管；有机层，形成在所述像素电极上；共电极，形成在所述有机层上；导电层，形成在所述共电极上；透明电极层，形成在所述导电层上，用于施加共电压；以及第二绝缘基板，位于所述透明电极层上。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括导电聚合物。
3.根据权利要求2所述的显示装置，其中，所述导电层包括从由聚吡咯、聚苯胺和聚噻吩所构成的组中选择的至少一种。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层包括导电粒子。
5.根据权利要求4所述的显示装置，其中，所述导电粒子包括Ag或Ni。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层上的所述导电层被除去。
7.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述导电层的上面基本上是平的。
8.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极包括Mg和Ag。
9.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极包括Ca和Ag。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述共电极的厚度是大约50到大约200。
11.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述透明电极层包括氧化铟锡(ITO)或氧化铟锌(IZO)。
12.根据权利要求1所述的显示装置，其中，从所述有机层产生的光通过所述第二绝缘基板指向外部。
13.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一绝缘基板上设置有显示区域和限定在所述显示区域周围的非显示区域，并且所述非显示区域使用非导电的密封剂形成，用于使所述第一绝缘基板和所述第二绝缘基板相连。
14.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述非导电密封剂接触所述透明电极层。
15.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一绝缘基板上设置有显示区域和限定在所述显示区域周围的非显示区域，并且所述透明电极层对应于所述显示区域。
16.根据权利要求1所述的显示装置，其中，在所述第一绝缘基板上设置有显示区域和限定在所述显示区域周围的非显示区域，并且绝缘层形成在所述非显示区域和所述导电层之间。
17.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述第一绝缘基板上设置有显示区域和限定在所述显示区域周围的非显示区域，并且所述非显示区域形成有用于向所述透明电极层施加共电压的短路棒。
18.根据权利要求1所述的显示装置，进一步包括环绕所述有机层的堤槽。
19.根据权利要求1所述的显示装置，其中，所述有机层包括空穴注入层和发光层。
20.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述空穴注入层和所述发光层顺序堆叠在所述有机层上。
21.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述空穴注入层包括聚(3，4-乙烯二氧噻吩)(PEDOT)和聚苯乙烯磺酸。
22.根据权利要求19所述的显示装置，其中，所述发光层包括聚合物。
23.一种制造显示装置的方法，包括在第一绝缘基板上形成薄膜晶体管；形成电连接到所述薄膜晶体管的像素电极；在所述像素电极上形成有机层；在所述有机层上形成共电极；在所述共电极上形成导电层；在第二绝缘基板上形成用于施加共电压的透明电极层；以及在所述导电层上形成所述第二绝缘基板，所述透明电极层与所述导电层接触。
全文摘要
一种显示装置及其制造方法，该显示装置包括薄膜晶体管，形成在第一绝缘基板上；像素电极，电连接到薄膜晶体管；有机层，形成在像素电极上；共电极，形成在有机层上；导电层，形成在共电极上；透明电极层，形成在导电层上；透明电极，施加有共电压；以及第二绝缘基板，位于透明电极层上。因而，本发明提供了一种有效施加共电压的显示装置。
文档编号H01L21/84GK1945847SQ200610127090
公开日2007年4月11日 申请日期2006年9月26日 优先权日2005年10月8日
发明者成沄澈, 金勋, 李相必 申请人:三星电子株式会社