专利名称：具有真空系统的半导体器件制造设备的制作方法
技术领域：
本申请涉及一种半导体器件制造设备或类似物。更具体地讲，本发明涉及一种半导体器件制造设备的真空系统，该真空系统包括排气管路(vent line)和用于控制真空管路的打开和关闭的节流阀单元。
背景技术：
通常，通过对半导体基底，比如晶片，重复地并选择性地执行许多不同的单元工艺来制造半导体器件。这些工艺包括离子注入工艺，将3B族(例如B)或5B族(例如P或As)的杂质离子注入到半导体基底中；薄膜沉积工艺，在半导体基底上形成薄的材料层；刻蚀工艺，将薄的材料层图案化；在图案化的薄的材料层上形成中间绝缘层的工艺；后续的化学机械抛光(CMP)工艺，对半导体基底的表面进行抛光，以去除由于在已图案化的薄层上方形成中间层而产生的台阶(step)；清洗工艺。用于执行这些工艺的半导体器件制造设备通常包括处理室，在该处理室内产生真空环境。此外，处理室被密闭地密封。因此，在室内几乎不存在任何潜在的污染物，比如颗粒。然而，要花费大量的时间来对处理室内部进行抽真空，以使室内的压力从大气压力降低为真空压力。
传统的半导体器件制造设备还包括预真空(load-lock)室、传送室和位于传送室内的机器人。支撑多个晶片的晶片匣被支撑在预真空室内。预真空室保持的真空压力与处理室内的真空压力相近。机器人将晶片从预真空室的卡盘移出，并将晶片传送到处理室中。为了使制造工艺的效率最大化，这种半导体器件制造设备具有围绕传送室布置成环状的多个处理室和多个预真空室。具有这种布置的半导体器件制造设备被称作集束型(cluster type)半导体器件制造设备。
此外，信息和通信技术的快速发展以及信息处理装置(比如计算机)的增长的普及引发了对高速运行且存储器容量大的半导体器件的需求。此外，为了增大半导体器件的集成度，半导体器件的存储器单元变得越来越小。然而，必须以最高的精确度来执行制造半导体器件的工艺，以确保制造现今高度集成的半导体器件所需的非常小的工艺余量。
为此，等离子体提供了执行用在制造具有小的设计规则(design rule)的半导体器件中的薄膜沉积工艺、刻蚀工艺等所需的精确度。然而，在具有多个室的半导体器件制造设备中使用等离子体需要在处理装置的处理室、预真空室和传送室中保持一致的压力。
此外，在包括集束型半导体器件制造设备的半导体器件制造设备中，大气中的颗粒或者在一些工艺中产生的聚合物的颗粒可能对最终的半导体器件的可靠性产生不利影响，由此对整个制造工艺的合格率产生不利影响。因此，对处理室的内部进行抽真空，以保持处理室内的真空压力并使室内保持一定程度的清洁度。
通常用于对处理室进行抽真空的系统包括抽气系统(比如涡轮泵和干式泵)和排气管路，其中，用涡轮泵将处理室内的气体通过排气管路排放。真空系统还包括排气管路中的节流阀，用于控制处理室内的压力。当处理气体被引入处理室时，处理室内的压力升高。此时，在利用处理气体对基底进行处理的同时，真空系统持续工作，以保持处理室内的压力。同时，处理室内未反应的气体和在工艺过程中产生的反应的副产品也被真空系统从处理室中排出。以各种模式来操作真空系统。例如，操作涡轮泵，以在处理室内产生大约1×10-6托的高度真空。当为了在典型的等离子体处理室中产生这种高度真空时，涡轮泵的叶片通常以27,000rpm的速度或更高的速度旋转。
随后，提供净化用气体比如氮(N2)或氩(Ar)以引发等离子体反应。此时，在处理室中保持大约1×10-3托至大约1×10-1托的低真空压力。在这种情况下，节流阀控制打开排气管路的程度，以使得处理室内的压力保持在期望的水平。
图1示出了传统的具有排气管路的真空装置，其中，在排气管路中安装有这样的节流阀。
如图1中所示，节流阀16位于处理室10和涡轮泵12之间的排气管路14中。节流阀16包括排气管路开关构件18，该构件18的形式为具有围绕中心水平轴20分别向上倾斜和向下倾斜的两个半圆18a、18b的圆板。通过倾斜排气管路开关构件18来控制排气管路14打开的程度。更具体地讲，当排气管路开关构件18水平设置时，排气管路14被完全关闭。另一方面，当排气管路开关构件18相对于水平倾斜预定角度时，排气管路14被打开与该角度对应的量。从处理室10抽出的气22向着涡轮泵12流动，其流动的速率对应于通过排气管路开关构件18打开排气管路14的量。注意的是，在整个说明书中，术语“气”或“气体”将可以互换地来表示处理室内的气氛，而不管气氛中的实际内容是什么。
在操作中，当处理室10内的压力高于在处理室内执行工艺所需的压力时，通过涡轮泵12从处理室10抽气。从处理室10抽出的气22通过排气管路14排放。通过排气管路开关构件18来控制气22流过排气管路14的速率，以使得处理室10内的压力保持在处理室10内执行工艺所需的水平。
然而，传统的真空装置从处理10排放气不平稳。
第一，排气管路开关构件18的旋转轴20平行于排气管路14的水平管段(run)。因此，排气管路开关构件的每一半18a、18b跨过排气管路14的垂直管段，即从排气管路的从弯曲部A的内角延伸的垂直管段一侧跨到排气管路的从弯曲部A的外角延伸的垂直管段一侧。因此，相同量的气到达排气管路开关构件18的每一半18a、18b。由此，相同的或相近的流体压力施加在排气管路开关构件的每一半18a、18b上。结果，排气管路开关构件没有关于其旋转轴20快速倾斜。因此，气通过排气管路开关构件18没有被平稳地排放。
此外，从处理室10抽出的气含有粉末，例如聚合物材料。粉末积聚在节流阀16的排气管路开关构件18的表面上。最后，粉末的积聚防碍了排气管路开关构件18平稳地操作。更具体地讲，这些粉末与使得排气管路开关构件18围绕中心轴20旋转的装置产生摩擦。结果，排气管路14没有被打开到在处理室10中产生合适的压力所需的程度。此外，排气管路开关构件18的附着有粉末的表面变得粗糙。穿过排气管路开关构件18的粗糙表面的气变成湍流。结果，气没有平稳地从处理室10流出，从而，变得难以精确地控制处理室10内的压力。
第二，在处理过程中，处理室10内的温度通常很高。因此，气体分子在处理室10内具有高度的流动性。另一方面，与处理室10连接的排气管路14的温度相对较低。因此，随着气体分子从处理室10流入排气管路14，气体分子的流动性快速降低，即气体流动减慢。结果，气流变成湍流，这使得处理室内的压力难以得到控制。
第三，节流阀16位于排气管路14的弯曲部A的下面(下游)，其中，所述弯曲部A将排气管路的水平管段与排气管路的垂直管段连接。弯曲部A形成直角。从处理室10抽出的气22以预定速度流过排气管路的水平管段，然后在弯曲部A与排气管路14发生碰撞。因此，气22的流动被暂时中断。随后，气22流过其中安装有排气管路开关构件18的排气管路14的垂直管段。即，气流的速度和方向突然被排气管路14中的直角弯曲部A改变，从而在排气管路14内部造成所谓的振荡现象(hunting phenomenon)。结果，气22由此，来自处理室10并通过排气管路14的气22的流动变得不规则。在这种情况下，节流阀16的排气管路开关构件18操作不稳定。结果，难以精确地控制处理室内的压力。此外，更多的粉末有可能附于排气管路开关构件。
如上所述，在传统的半导体器件制造设备中，当气不规则地流过排气管路时，不能精确地调节处理室内的压力。结果，沉积速率、刻蚀速率或清洁速率不一致。在对晶片处理的过程中，这种不一致导致半导体器件的可靠性差。即，由于制造设备不能通过排气管路平稳地排气，而导致制造工艺的生产率受到负面影响。此外，当处理气体从处理室通过排气管路不平稳地排放时，颗粒在排气管路内沉淀下来。因此，必须将排气管路清洁为PM(预防性维护)部分，以去除这些颗粒，从而增加了设备停机的时间量。另外，颗粒会从排气管路逆流至处理室内。这会造成半导体器件的缺陷，并导致维护和修理成本增大。
发明内容
因此，本发明的目的在于提供一种半导体器件制造设备或类似物的真空系统，该真空系统有利于通过该系统的排气管路的气体的流畅流动。
本发明的另一目的在于提供一种半导体器件制造设备或类似物的真空系统，通过该真空系统可以精确地调节该真空系统的排气管路打开的程度。
本发明的另一目的在于提供一种半导体器件制造设备或类似物的真空系统，通过该真空系统可以精确地控制该制造设备的室内压力。
本发明的另一目的在于提供一种半导体器件制造设备或类似物的真空系统，该真空系统防止颗粒沉淀在该真空系统的排气管路内。
本发明的另一目的在于提供半导体器件制造设备或类似物的真空系统，该真空系统没有缩短该制造设备的PM周期。
根据本发明的一方面，提供了一种具有真空室和真空系统的基底处理设备，该真空系统从真空室排放气体，其中，该真空系统包括真空泵和具有弯曲部的排气管路以及节流阀单元，该节流阀单元包括排气管路开关构件，该排气管路开关构件位于排气管路中，在弯曲部的下游，并且将排气管路开关构件定向，通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。
基本上，排气管路中的弯曲部使得通过所述真空泵从所述真空室排放的气体以这样的流速流动气体流过所述排气管路的在所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的速率大于其流过所述截面区域的剩余部分的速率。排气管路开关构件为板的形式，所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域形状对应。所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为，所述排气管路开关构件围绕横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的。因此，所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分。当所述排气管路开关构件处于闭合位置时，所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的一部分，在该部分，气体将以相对高的流速流动，即，气体集中的地方。另一方面，所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的剩余部分，在该剩余部分，相对少的气体流动通过。
根据本发明的另一方面，提供了一种具有真空室和真空系统的基底处理设备，该真空系统从真空室排放气体，其中，真空系统包括真空泵；排气管路，将真空泵连接到真空室；节流阀单元，控制排气管路打开的程度；加热单元，包括与排气管路可操作地联合以加热流过排气管路的气体的加热器。
根据本发明的又一方面，提供了一种具有真空室和真空系统的基底处理设备，该真空系统从真空室排放气体，其中，真空系统包括真空泵；排气管路，具有从真空室延伸的第一管段和第二管段以及曲线的和/或成锐角的弯曲部，该弯曲部在第一管段和第二管段之间延伸并将第一管段和第二管段互连；节流阀单元，包括排气管路开关构件，该排气管路开关构件位于排气管路的第二管段中以控制排气管路打开的程度。
通过下面参照附图的对本发明优选实施例详细进行的说明，对于本领域的普通技术人员来说，本发明的以上和其它目的、特点和优点将变得更清楚，在附图中
图1是传统的半导体器件制造设备的示意图；图2是根据本发明的具有节流阀单元的集束型半导体器件制造设备的俯视图；图3是根据本发明的半导体器件制造设备的剖视图；图4是根据本发明的具有节流阀单元的半导体器件制造设备的示意图；图5是根据本发明的节流阀单元的侧视图；图6是根据本发明的具有节流阀单元的半导体器件制造设备的第二实施例的示意图；图7是根据本发明的具有节流阀单元的半导体器件制造设备的第三实施例的示意图。
具体实施例方式
本发明可应用于处理基底的各种类型的设备，所述设备包括室和对室进行抽气的真空装置。具体地讲，通过与这种设备的处理装置相结合，本发明是有用的。然而，可以将本发明应用于其中压力需要被控制的基底处理设备的任何真空室，比如预真空室或传送室。
然而，只是为了说明的目的，将结合集束型半导体器件制造设备来描述本发明。集束型半导体器件制造设备100具有多个处理装置102、对齐装置104、传送室108和多个预真空单元116。单元工艺(比如薄膜工艺和刻蚀工艺)由处理装置102来执行。对齐装置104将晶片W定向，以在晶片W在处理装置102中经历单元工艺之前使晶片W的平坦区(flat zone)面向给定的方向。即，对齐装置104将晶片W与处理装置102对齐。机器人106位于传送室108中，用于将来自对齐装置104的晶片W传送到处理装置102。预真空单元116与传送室108相通。每个预真空单元116包括面向传送室108的间隙阀110和背离传送室108的入口114。入口114使得支撑多个晶片W的晶片匣112能够移到预真空单元的真空室中，或者从真空室中被移出。打开间隙阀110，使得机器人106能够进入预真空单元的真空室，并将晶片W传送至晶片匣112或者从晶片匣112传送出晶片W。
在图2中的半导体器件制造设备中，每个处理装置102包括处理室，处理室限定了在其中处理晶片W的密闭的密封空间。例如，处理装置102可以是物理气相沉积装置或者化学气相沉积装置，用于执行在晶片W上形成薄膜的沉积工艺。处理装置102还可以是刻蚀装置，用于执行使晶片W上的层图案化的刻蚀工艺，其中，所述晶片W上的层被掩模，比如光阻剂的掩模暴露。处理装置102还可以执行灰化工艺，以氧化并去除光阻剂。
当执行工艺，比如薄膜沉积工艺、刻蚀工艺和灰化工艺时，如果要满意地执行工艺并另外使污染物(比如颗粒)的流入最小化，则处理装置102的处理室内的压力必须保持在预定的水平。为此，通过具有真空装置(比如涡轮泵)的真空系统来对处理装置102的处理室进行抽气。
将参照图3中示出的DPS等离子体刻蚀装置来更详细地描述真空系统。DPS等离子体刻蚀装置被用作可应用本发明的处理装置102的示例。DPS等离子体刻蚀装置102利用等离子体来刻蚀晶片上的层，以形成导电图案。
刻蚀装置102包括形成处理室的室壁118。处理室具有上部分和下部分。被施加RF功率的上电极120和莲蓬头(showerhead)122位于处理室的上部分的上面。RF功率具有大约60MHz的高频或者更高的高频。莲蓬头122形成缓冲空间124和多个气体喷孔126，通过气体供给管道提供的气体积聚在缓冲空间124中，缓冲空间124中的气体通过多个气体喷孔126喷射到处理室中。由于高频功率施加到上部电极120，所以通过莲蓬头122提供到处理室内的气体变成等离子体。同时，在处理室内保持预定压力，以有利于用等离子体来刻蚀晶片。在这种情况下，即使在10mT的低压或更低的低压下，也可以执行刻蚀工艺，以形成设计规则非常小的图案。
圆顶130形成处理室的上部分的顶部(ceiling)。刻蚀装置还包括圆顶130上方的圆顶温度控制单元(DTCU)128，DTCU 128构成处理室的辅助部分。DTCU 128连接到RF功率源，并将处理室内的温度保持在大约80℃。为此，DTCU 128包括位于圆顶130上方的多个RF线圈134和多个灯132。此外，刻蚀结束点感测单元(未示出)位于圆顶130的顶部，用于检测刻蚀工艺应该结束的状态。
被施加RF功率的下电极136和支撑正被处理(刻蚀)的静电吸盘138位于处理室102的下部分中。施加到下电极136的RF功率的频率是大约2MHz，并使得等离子体离子向着被支撑在静电吸盘138上的晶片加速。夹环(clamp ring)140形成静电吸盘138的外围。夹环140环绕被静电吸盘138支撑的晶片，并且夹环140的大小确保晶片保持在静电吸盘138的期望的位置上。此外，夹环140确保等离子体可以撞击晶片的外围部分，使得晶片的整个表面可以被等离子体刻蚀。
DPS等离子体刻蚀装置120还包括含有升降顶杆(lift pin)142的提升机械装置144和用于使升降顶杆142向上和向下运动的驱动单元。升降顶杆142可以伸到静电吸盘138的上表面的上方和缩到该上表面的下方，用于将晶片从静电吸盘138抬离和将晶片降到静电吸盘138上。
处理室102通过排气管路146连接到涡轮泵148。闸门阀150和节流阀152位于处理室102和涡轮泵148之间的排气管路146中。闸门阀150可运动到闭合的位置，以将处理室102与涡轮泵148隔绝。节流阀单元152控制排气管路146打开的程度。涡轮泵148连接到干式泵(未示出)。干式泵与涡轮泵148一起从刻蚀装置102的处理室排放处理气体。通常，干式泵用于平衡刻蚀装置102的处理室和传送室108的真空压力的水平。
另一方面，当处理气体被引入到处理室102中时，刻蚀装置102的处理室内的压力即刻上升。在刻蚀工艺的过程中，涡轮泵148连续操作，以保持该压力为工艺压力。具体地讲，通过涡轮泵148将刻蚀工艺的副产品和未反应的气体从处理室排放出来。
现在将详细参照图4至图7来详细描述根据本发明的半导体器件制造设备，该半导体器件制造设备具有每个都包括节流阀单元152的多个真空系统。
如图4中所示，本发明的节流阀单元的特征在于可以快速定位以精确调节通过排气管路146的气的流动的排气管路开关构件156。通常，通过涡轮泵148从处理室102抽出的气158以预定速度流过排气管路146。当气158通过排气管路146中的弯曲部B时，气158由于惯性而集中在排气管路的垂直管段的区域C处(如图4中所示的排气管路146的右手侧)。区域C位于排气管路的垂直管段的从弯曲部B的外角向下延伸的一侧。另一方面，在排气管路146的垂直管段的其它区域(排气管路146的垂直管段的从弯曲部B的内角向下延伸的一侧)中几乎不存在任何气。
用这样的思路来设计排气管路开关构件156。具体地讲，排气管路开关构件156位于排气管路的从弯曲部B直接向下延伸的(垂直)管段中。排气管路开关构件156包括板，板的形状与排气管路146的垂直管段的截面的形状对应；旋转轴154，板在排气管路146中围绕旋转轴154可倾斜。因此，排气管路开关构件156被划分为在旋转轴154的相对两侧的第一部分156a和第二部分156b。第一部分156a位于排气管路的垂直管段的当涡轮泵148从处理室抽气时几乎没有任何气流动的区域中。另一方面，排气管路开关构件156的第二部分156b位于排气管路的垂直管段的区域C中。为此，排气管路开关构件156的旋转轴154相对于排气管路146的水平管段是歪斜的。
即，如图4中所示，排气管路开关构件156的旋转轴154的方位与图1中的现有技术的不同。参照图5，从处理室102抽出并沿着排气管路146的水平管段流动的气158通过排气管路的弯曲部B。此时，气158由于惯性而集中在排气管路146的垂直管段的远侧(far side)。排气管路开关构件156的第二部分156b受到排气管路146的垂直管段的远侧的气158的压力。结果，排气管路开关构件156绕旋转轴154旋转，其旋转的方式为，排气管路开关构件156的第一部分156a上升。当通过排气管路146的气158的量大到足以使排气管路开关构件156旋转90度时，节流阀单元152被完全打开。即，根据从处理室抽出并流过排气管路146的气的量，排气管路开关构件156的旋转在0度至90度的范围内变化。气158通过打开的排气管路146流向涡轮泵，然后被排放到设备的外部。
优选地，与图1中的现有技术相比，排气管路开关构件156的旋转轴154的方位偏移了90度的角度，使得旋转轴154沿着与排气管路146的水平管段的方向垂直的方向延伸。然而，本发明不限于此。这只是可以形成对处理室进行抽气的最佳条件的模型。相反，根据本发明，排气管路开关构件156的旋转轴根据通过半导体器件制造设备的排气管路的气的流动来定向。更具体地讲，排气管路开关构件156的旋转轴154定向的方式为，排气管路开关构件156的部分156a、156分别位于排气管路146的截面区域的对应部分，但是其中，当连接到排气管路146的泵单元正在操作时，流过这两个部分中的一个的气的流速高于流过这两个部分中的另一个的气的流速，从而流过这两个部分中的一个的气的浓度高于流过这两个部分中的另一个的气的浓度。
如上所述，根据排气管路中的气的流动的特性来定向节流阀，以迅速并容易地打开节流阀。结果，可以精确并更迅速地控制处理室的压力，从而确保在处理室中成功地执行单元工艺。此外，增强了排气管路中气的流动的流畅性，以使对节流阀和排气管路的污染最小化。
参照图6，半导体器件制造设备的另一真空系统包括排气管路加热单元160，该排气管路加热单元160包括用于加热排气管路146的加热器。排气管路加热单元160的加热器可包括缠绕排气管路146的线圈形式的电阻加热器。优选地，排气管路加热单元160将排气管路146加热至70℃或更高，更优选地，将排气管路146加热到70℃-150℃的温度范围内。另外，可以在气流通的同时通过排气管路加热单元160加热排气管路146，也可以在气流通之前加热排气管路146。
典型地，当晶片正在被处理时，处理装置102的处理室的温度很高。因此，气体分子在处理室内具有高度的流动性。另一方面，连接到处理室的排气管路146的温度通常相对较低。加热单元160加热排气管路146，以防止在处理室内部和排气管路内部之间存在明显的温度差。因此，加热单元160防止当气体分子从处理室流至排气管路146时气体分子的流动性快速下降。结果，颗粒将不会由于气体分子的速度下降而从气体中沉淀到排气管路内。此外，因为当气体分子进入排气管路146时其速度没有降低，所以可以精确地控制处理室中的压力，从而气体从处理室平稳地排放。
此外，如可以在图6中看到的，节流阀的排气管路开关构件156可以如以上结合图4和图5所描述地来定向，从而进一步增强了排气管路146中的气流动的流畅度。
图7示出了根据本发明的半导体器件制造设备的另一真空系统。如图7中所示，将排气管路146的水平(第一)管段与排气管路146的垂直(第二)管段连接的排气管路146的弯曲部D是曲线的。此外，或者可选地，排气管路146的弯曲部D可以形成小于90度的角度。因此，通过排气管路的水平管段的气沿着弯曲部D流畅地流入排气管路的垂直管段。结果，使振动现象最小化，由此，可以精确地控制处理室中的压力。此外，因为气流的速度得到保持，所以颗粒将不会沉淀在排气管路中的内部和节流阀的排气管路开关构件156。
此外，如可以在图7中看到的，节流阀的排气管路开关构件156可以如以上结合图4和图5所描述地来定向，从而进一步增强排气管路146中的气流动的流畅性。同样地，参照图6示出和描述的排气管路加热单元160可以结合具有连接水平管段和垂直管段的曲线的弯曲部D的排气管路146使用，使得对处理室抽真空的效率进一步得到增强。
根据如上所述的本发明，节流阀单元的排气管路开关构件被定位，使得排气管路开关构件容易通过集中的气流打开。此外，根据如上所述的本发明，加热单元对气通过的排气管路进行加热。另外，在排气管路中连接排气管路的水平管段和垂直管段的弯曲部具有逐渐弯曲的形状和/或包成小于90度的角度。结果，提高了处理室的排气的效率，这使得处理室的压力容易得到控制。结果，本发明有助于提高利用基底处理设备制造的半导体器件的可靠性，并增加了这种设备的产率。此外，气的流畅流动防止粉末沉淀并附于节流阀的排气管路开关构件的上表面和排气管路的内表面上。因此，本发明延长了基底处理设备的使用寿命并使PM周期最小化。
最后，虽然已经结合本发明的优选实施例描述了本发明，但是应该理解，本发明的范围不限于此。相反，对于本领域的普通技术人员来说，对于这些优选实施例进行的各种更改和变化将是明显的。因此，对这些优选实施例的变化和修改会落入权利要求限定的本发明的真实精神和范围内。
权利要求
1.基底处理设备，包括真空室；真空系统，从所述真空室排放气体，所述真空系统包括泵单元，所述泵单元包括真空泵；排气管路，在所述真空室外部延伸，并将所述真空泵连接到所述真空室，所述排气管路具有弯曲部，使得通过所述真空泵从所述真空室排放出的气体以这样的流速流动，气体流过所述排气管路的在所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的速率大于其流过所述截面区域的剩余部分的速率；节流阀单元，包括排气管路开关构件，所述排气管路开关构件是板的形式，所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域形状对应并位于所述排气管路的所述给定位置，所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为，所述排气管路开关构件围绕在所述给定位置横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的，由此，所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分，其中，当所述排气管路开关构件处于闭合位置时，所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述一部分，所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述剩余部分。
2.根据权利要求1所述的基底处理设备，其中，所述排气管路具有第一管段和第二管段，所述第一管段从所述真空室延伸，所述弯曲部在所述第一管段和所述第二管段之间延伸并将所述第一管段和所述第二管段互连，其中，所述排气管路开关构件的所述旋转轴相对于所述排气管路的所述第一管段的纵轴是歪斜的。
3.根据权利要求2所述的基底处理设备，其中，所述第一管段从所述真空室水平地延伸，所述第二管段从所述弯曲部竖直地延伸。
4.根据权利要求3所述的基底处理设备，其中，所述排气管路开关构件的所述旋转轴沿着相对于所述排气管路的第一管段的纵轴歪斜90度的方向水平地延伸。
5.基底处理设备，包括真空室；真空系统，从所述真空室排放气体，所述真空系统包括泵单元，包括真空泵；排气管路，在所述真空室外部延伸并将所述真空泵连接到所述真空室；节流阀单元，包括位于所述排气管路中并被支撑为可运动的排气管路开关构件，其中，所述排气管路开关构件的运动控制所述排气管路打开的程度；加热单元，包括加热器，所述加热器与所述排气管路可操作地联合以加热流过所述排气管路的气体。
6.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，所述加热器包括缠绕所述排气管路的线圈形式的电阻加热元件。
7.根据权利要求6所述的基底处理设备，其中，所述加热器有效地将所述排气管路加热至70度至150度的温度。
8.根据权利要求5所述的基底处理设备，其中，所述排气管路具有弯曲部，使得通过所述真空泵从所述真空室排放出的气体以这样的流速流动气体通过所述排气管路的沿着所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的流速大于通过所述截面区域的剩余部分的流速，所述排气管路开关构件是板的形式，所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域形状对应并位于所述排气管路的所述给定位置，所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为，所述排气管路开关构件围绕在所述给定位置横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的，由此，所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分，其中，当所述排气管路开关构件处于闭合位置时，所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述一部分，所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述剩余部分。
9.根据权利要求8所述的基底处理设备，其中，所述排气管路具有第一管段和第二管段，所述第一管段从所述真空室延伸，所述弯曲部在所述第一管段和所述第二管段之间延伸并将所述第一管段和所述第二管段互连，其中，所述排气管路开关构件的旋转轴相对于所述排气管路的所述第一管段的纵轴是歪斜的。
10.根据权利要求9所述的基底处理设备，其中，所述第一管段从所述真空室水平地延伸，所述第二管段从所述弯曲部竖直地延伸。
11.根据权利要求10所述的基底处理设备，其中，所述排气管路开关构件的旋转轴沿着相对于所述排气管路的第一管段的纵轴歪斜90度的方向水平延伸。
12.基底处理设备，包括真空室；真空系统，从所述真空室排放气体，所述真空系统包括泵单元，所述泵单元包括真空泵；排气管路，在所述真空室外部延伸，并将所述真空泵连接到所述真空室，所述排气管路具有第一管段和第二管段以及弯曲部，所述第一管段从所述真空室延伸，所述弯曲部在所述第一管段和所述第二管段之间延伸并将所述第一管段和所述第二管段互连，所述弯曲部是曲线的和/或包成小于90度的角度，由此，所述弯曲部有利于通过所述弯曲部的气体平稳流动；节流阀单元，包括排气管路开关构件，所述排气管路开关构件位于所述排气管路的所述第二管段中并被支撑为是可运动的，其中，所述排气管路开关构件的运动控制所述排气管路打开的程度。
13.根据权利要求12所述的基底处理设备，其中，所述弯曲部是曲线的。
14.根据权利要求12所述的基底处理设备，其中，通过所述真空泵从所述真空室排放出的气体以这样的流速流动气体通过所述排气管路的沿着所述弯曲部下游的给定位置截取的截面区域的一部分的流速大于通过所述截面区域的剩余部分的流速，所述排气管路开关构件是板的形式，所述板的形状与所述排气管路的所述截面区域的形状对应并位于所述排气管路的所述给定位置，所述排气管路开关构件安装到所述排气管路的方式为，所述排气管路开关构件围绕在所述给定位置横跨所述排气管路延伸的旋转轴是可旋转的，由此，所述排气管路开关构件具有分别位于所述旋转轴的相对两侧的第一部分和第二部分，其中，当所述排气管路开关构件处于闭合位置时，所述排气管路开关构件的所述第二部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述一部分，所述排气管路开关构件的所述第一部分占据所述排气管路的所述截面区域的所述剩余部分。
15.根据权利要求14所述的基底处理设备，其中，所述排气管路开关构件的旋转轴相对于所述排气管路的所述第一管段的纵轴是歪斜的。
16.根据权利要求15所述的基底处理设备，其中，所述第一管段从所述真空室水平地延伸，所述第二管段从所述弯曲部竖直地延伸。
17.根据权利要求16所述的基底处理设备，其中，所述排气管路开关构件的旋转轴沿着相对于所述排气管路的第一管段的纵轴歪斜90度的方向水平地延伸。
18.根据权利要求12所述的基底处理设备，还包括加热单元，所述加热单元具有与所述排气管路可操作地联合以加热流过所述排气管路的气体。
19.根据权利要求18所述的基底处理设备，其中，所述加热器包括缠绕所述排气管路的线圈形式的电阻加热元件。
20.根据权利要求19所述的基底处理设备，其中，所述加热器有效地将所述排气管路加热至70度至150度的温度。
全文摘要
本发明提供了一种半导体器件制造设备，该半导体器件制造设备具有真空系统，该真空系统增强了从所述设备的真空室排放的气体的流畅性。该真空系统具有排气管路和节流阀，所述节流阀包括排气管路开关构件，将排气管路开关构件定向，通过排气管路中的集中的气流来容易地打开排气管路开关构件。该真空系统可包括加热气体通过的排气管路的加热单元。另外，在排气管路开关构件的排气管路开关构件上游的弯曲部可具有逐渐弯曲的形状和/或可以包成小于90度的角度。结果，增强了所述处理室的抽真空的效率，这使得控制处理室的压力更容易且使得对节流阀和排气管路的污染最小化。
文档编号H01L21/67GK101026085SQ20071000659
公开日2007年8月29日 申请日期2007年2月6日 优先权日2006年2月17日
发明者金庆泰, 崔哲焕, 金暻台, 崔准佑 申请人:三星电子株式会社