专利名称：具过电压保护功能的芯片型静电保护组件的制作方法
技术领域：
本实用新型涉及一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，特别是指将ESD静电放电 保护组件导入OVP过电压保护组件，使二者的优点结合，以便电子产品朝向轻、薄、点、小的 理念发展，使产品更趋迷你化。背暴技术现有的积层式变阻器(MLV)，如图1与图2所示，包括一主体部分IO， 一组分别从主体部分 的两侧端延伸到主体部分内部的内电极101、 102、 103、 104……，设于主体部分两端的端电 极20，以及设于主体部分顶面的被覆层30，其中，主体部分以90以上摩尔百分比(mole%)的 氧化锌(ZnO)为主成分，混合10摩尔百分比(mole%)以下的其它金属，诸如钴(Co)、锰 (Mn)、铋(Bi)、锑(Sb)、铬(Cr)、镍(Ni)、钛(Ti)、锡(Sn)、镧(La)、钕 (Nd)、镨(Pr)、钡(Ba)、镁(Mg)、铈(Ce)、硼(Bi)等的氧化物作为添加剂，以 硝酸铅(A12 (N03) X)〕、玻璃(Glass) 、 二氧化硅(Si02)等为烧结助剂(flux)，以 金(Au)、银(Ag)、钯(Pd)、铂(Pt)、铑(Rh)等金属，或其任两者的合金作为内电极(internal electrode) 101、 102、 103、......。上述的现有积层式变阻器，其内电极101、 102、 103、 104之间的重迭区域A、 B、 C，即是 "作用区域"，作用区域具有可变的电阻作用，同时兼具电容特性。而作用区域的结构乃如 图2所示，氧化锌(ZnO)晶粒乃紧密布列于两个内电极101与102; 102与103; 103与104相重迭的区域之间。上述现有的积层式变阻器， 一般利用改变作用区域的材料配比、厚度及推迭层数，来控 制组件的崩溃电压(Vb， breakdown voltage )、抗突波(Surge)能力及组件的电容值 (Capacitance)。但上述利用改变作用区域的材料配方來改善静电防护能力的方式并不妥当，当作用区域 的材料配方被改变时，会影响到过电压保护的能力与电性表现。本实用新型的目的在于，提供一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，于制作时 先使中间层内电极为两端导通，之后再利用雷射切割、切割机…等切割方式将此两端导通的内电极切割分离，切割后形成的间距成为中空气室，而具备ESD静电放电保护的功能。 本实用新型是采用以下技术手段实现的一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，包括 一使用氧化锌作为主成物的主体 部分；叠印形成于主体部分之内的多层内电极层； 一形成于主体部分的最上方的保护层；设 于主体部分两侧的二端电极；上述的多层内电极层，其中间部分的内电极层和主体部分两侧 的端电极进行电连接，该两端导通的电极层的局部段落形成一个空气放电间距。前述的主体部分采用氧化铝。前述的主体部分，其各电极层之间为作用区域，作用区域的厚度为10至100微米。 前述的形成于内电极层之间距为1微米 100微米。前述的内电极层的电极材料为银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、银钯(AgPd)或金(Au)……等混 和金属电极胶。本实用新型与现有技术相比，具有以下明显的优势和有益效果-本实用新型一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，由于在制作时先使中间层内 电极为两端导通，之后再采用切割方式将此两端导通的内电极切割分离，切割后形成的间距 成为中空气室，而具备ESD静电放电保护的功能，改善了目前静电防护能力差的问题。使电子 产品可以向轻、薄、点、小方向发展，使产品更趋迷你化。
图1为现有积层式变阻器(MLV)的局部剖面图；图2为现有积层式变阻器(MLV)的纵剖面图；图3为本实用新型的剖面图。
具体实施方式
以下结合附图对本实用新型的具体实施例加以说明本实用新型具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，如图3所示，其主体部分l内部形 成有多层内电极层21、 22、 23、 24、 25、 26，该主体部分l以氧化锌为主成物，其中内电极层 21、 22、 23、 24、 25、 26是以叠印方式作多层印刷，上层内电极层25、 26和下层内电极层21、 22各以一端和端电极连接且呈相对错开设置，中间内电极层23、 24则为与两侧端电极31、 32 同时导通，在该二端导通的电极层23、 24的其中一段落处，利用切割方式将此导通的电极层 23、 24分离，切割后形成的间距即为静电放电保护的空气放电气室3。 上述电极层23、 24的空气放电气室3，其宽度大小用来调整触发电压。 上述的具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，制作完成后，经过切粒、脱酯、烧结、端银、电镀等步骤即可分成单一组件。上述的主体部分l，除了得使用氧化锌作为主成物之外，也可使用氧化铝作为主成物，其 两内电极之间的作用区域厚度以10至100微米为较佳，切割的空气放电气室3的宽度则以1至 100微米为较佳。而且，上述的内电极层材料得为银(Ag)、铜(Cu)、铂(Pt)、银钯(AgPd)或 金(Au)……等混和金属电极胶。因此，本实用新型的此种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，由于是将ESD静电放 电保护组件的应用导入OVP过电压保护组件内部，使二者的优点结合，故电子产品得以朝向 轻、薄、点、小发展，产品更趋迷你化。最后应说明的是以上实施例仅用以说明本实用新型而并非限制本实用新型所描述的技 术方案；因此，尽管本说明书参照上述的各个实施例对本实用新型已进行了详细的说明，但 是，本领域的普通技术人员应当理解，仍然可以对本实用新型进行修改或等同替换；而一切 不脱离实用新型的精神和范围的技术方案及其改进，其均应涵盖在本实用新型的权利要求范围当中。
权利要求1.一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，包括一使用氧化锌作为主成物的主体部分；叠印形成于主体部分之内的多层内电极层；一形成于主体部分的最上方的保护层；设于主体部分两侧的二端电极；其特征在于上述的多层内电极层，其中间部分的内电极层和主体部分两侧的端电极进行电连接，该两端导通的电极层的局部段落形成一个空气放电间距。
2. 根据权利要求1所述的具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，其特征在于其 中所述的主体部分，其各电极层之间为作用区域，作用区域的厚度为10至100微米。
3. 根据权利要求1所述的具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，其特征在于所 述形成于内电极层之间距为1微米 100微米。
专利摘要本实用新型公开了一种具过电压保护功能的芯片型静电保护组件，包括一使用氧化锌作为主成物的主体部分；叠印形成于主体部分之内的多层内电极层；一形成于主体部分的最上方的保护层；设于主体部分两侧的二端电极；多层内电极层，其中间部分的内电极层和主体部分两侧的端电极进行电连接，该两端导通的电极层的局部段落形成一个空气放电间距。改善了目前静电防护能力差的问题。使电子产品可以向轻、薄、点、小方向发展，使产品更趋迷你化。
文档编号H01C7/105GK201138721SQ20072018179
公开日2008年10月22日 申请日期2007年10月23日 优先权日2007年10月23日
发明者冯辉明, 巫宜磷, 苏圣富 申请人:佳邦科技股份有限公司