一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法

文档序号:6895351阅读:218来源:国知局
专利名称:一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法
技术领域
本发明涉及半导体制造工艺技术领域,且特别涉及一种金属沉积后薄
膜内粒子(in film particle)的重新加工方法。
背景技术
在半导体制造工艺中,在金属沉积过程中会因为机台或者环境异常产 生薄膜内粒子。按照目前的做法,当薄膜中的粒子率(particleratio)超过 一定标准时,整个晶片就需要报废。显然的,这会使的产品的合格率下降, 从而增加单个成品的成本。

发明内容
鉴于上述现有技术的缺点,本发明提出了一种金属沉积后薄膜内粒子 的重新加工方法。
本发明的一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法,包括下列步

步骤1,通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层;
步骤2,通过化学机械研磨(CMP)机台研磨经步骤1后剩余的金属 薄膜层和粒子,将其一起除去;
步骤3,重新沉积金属薄膜层及各相关层,该重新沉积过程可以按照 正常的流程进行。
上述步骤1中蚀刻的时间可以是预先固定的。
经上述步骤1蚀刻后,剩余的金属薄膜层的厚度例如可以为1000埃 左右。上述金属薄膜层例如可以为铝层,上述化学机械研磨机台可以为钨化
学机械研磨(WCMP)机台。
通过本发明的方法,可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常 水平,从而减少报废,提升产品的合格率。而将上述方法分为蚀刻和钨化 学机械研磨两个步骤,可以减少重新加工的费用。


图1为沉积金属薄膜后具有薄膜内粒子的晶片的示意图2为标示出图1中的晶片的蚀刻区域的示意图3为图1中具有薄膜内粒子的晶片经蚀刻后的示意图4为图3中的晶片经化学机械研磨去除金属薄膜层后的示意图5为图4中的晶片重新沉积金属薄膜层后的示意图。
具体实施例方式
下面结合附图,对本发明的具体实施方式
作进一步的详细说明。对于 所属技术领域的技术人员而言,从对本发明的详细说明中,本发明的上述 和其他目的、特征和优点将显而易见。
下面以图1所示的晶片为例说明本发明的方法,图1中的晶片包括硅 底层10,硅底层10之上的Si02层20、 Si02层20中具有若干钨塞21, Si02 层20之上的金属Al层30、在该金属Al层30中具有若干粒子31 。
当检测得该粒子31在金属Al层30中的比率超过一定标准时,可以 使用本发明的方法使其粒子率恢复至正常水平。
首先,通过金属蚀刻机台对上述含有粒子31的金属Al层30进行蚀 刻。例如,固定时间,蚀刻至剩余1000埃(A)金属A1层30。该蚀刻时 间可以通过下列方法计算得到
蚀刻时间=(金属A1层的厚度-1000A) /蚀刻率
图2中虚线框41圈出了欲蚀刻掉的金属Al层30的范围,图3示出了蚀刻后的晶片示意图,图中剩余的金属A1层30的厚度为1000A,粒子 31仍然附着在金属Al层30之上。
接着,可以通过钨化学机械研磨(WCMP)机台进行研磨,将剩余金 属Al层30连同其上的粒子31 —起去除,研磨完毕后的晶片如图4所示。
然后,研磨后晶片可重新进入Al溅镀机台按照正常流程沉积金属Al 及前后各相关层,重新沉积铝层39之后的晶片如图5所示。
通过以上方法,可以使因粒子率超过一定标准而欲报废的晶片的粒子 率恢复至正常水平,从而提高产品的合格率。
虽然,本发明已通过以上实施例及其附图而清楚说明,然而在不背离 本发明精神及其实质的情况下,所属技术领域的技术人员当可根据本发明 作出各种相应的变化和修正,但这些相应的变化和修正都应属于本发明的 权利要求的保护范围。
权利要求
1. 一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法,其特征在于包括下列步骤步骤1,通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层;步骤2,通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子,将其一起除去;步骤3,重新沉积金属薄膜层及各相关层。
2. 根据权利要求1所述的方法,其特征在于上述步骤1中蚀刻的时 间是预先固定的。
3. 根据权利要求1所述的方、法,其特征在于经上述步骤1蚀刻后, 剩余的金属薄膜层的厚度为1000埃。
4. 根据权利要求1至3中任一项所述的方法,其特征在于上述金属 薄膜层为铝层,上述化学机械研磨机台为钨化学机械研磨机台。
全文摘要
本发明涉及半导体制造工艺技术领域,且特别涉及一种金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法。本发明的金属沉积后薄膜内粒子的重新加工方法包括下列步骤步骤1,通过金属蚀刻机台蚀刻掉部分含有粒子的金属薄膜层;步骤2,通过化学机械研磨机台研磨经步骤1后剩余的金属薄膜层和粒子,将其一起除去;步骤3,重新沉积金属薄膜层及各相关层。通过本发明的方法,可使得达到报废标准的晶片的粒子率恢复到正常水平,从而减少报废,提升产品的合格率。
文档编号H01L21/321GK101546708SQ20081008802
公开日2009年9月30日 申请日期2008年3月27日 优先权日2008年3月27日
发明者徐国冉, 陈立轩 申请人:和舰科技(苏州)有限公司
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