多层配线结构的形成方法

专利名称：多层配线结构的形成方法
技术领域：
本发明涉及半导体装置及其制造方法，尤其涉及具有多层配线结构的半导 体装置及其制造方法。随着微细化技术的进展，半导体集成回路的集成密度逐年提高，但是随着 这样的集成密度的增大，在半导体集成回路中的配线阻抗和配线电容引起的配 线延迟的问题更为显著。鉴于这样的配线延迟的问题，近来正研究一种将低阻 抗Cu作为配线图案来使用，且将低介电常数的有机膜作为层间绝缘膜来使用 的技术。由于以前不知道对铜用干性蚀刻进行图案成型的有效方法，因此在将铜使 用在配线图案的场合中，使用首先在层间绝缘膜中形成配线槽以及接触 L，再 用Cu对它们进行填充的所谓双镶嵌(dual damascene)法。在双镶嵌法中， 用Cu等的配线材料填充接触孔和配线槽，再通过用化学机械研磨(CMP; Chemical Mechanical Polishing)法研磨 除去不要部分的配线材料的方式填充 接触孔以及配线槽，而形成平坦化的配线图案。根据双镶嵌法，不必用蚀刻法 形成宽度狭窄且高宽比高的配线图案，此外也不必用层间绝缘膜填充配线间的 微小的空间，可以容易地形成非常微细的配线图案。用双镶嵌法形成多层配线 结构，在配线的高宽比越高，或配线总数越多，就越有效，有助于大幅度地降 低超微细化半导体装置的制造成本。
背景技术：
图1A 1K是由在先的典型的双镶嵌法的多层配线结构的形成工序。 参照图1A，在形成有省略图示的晶体管等的活性元件的Si基板11上， 通过绝缘膜11A形成多晶硅、W、 Cu等的下层配线图案20，在上述下层配线图案20上用等离子CVD法等的堆积法形成由SiN或者SiC构成的第1蚀刻 制止膜22。下面的说明，针对上述下层配线图案20是Cu配线图案的场合进 行。在上述蚀刻制止膜22上进一步用典型的旋压法形成第1层间绝缘膜24， 该第1层间绝缘膜24由低介电常数无机绝缘膜或者有机碳氢聚合体等的低介 电常数有机绝缘膜构成，而且在上述层间绝缘膜24上进一步用等离子CVD 法形成由SiN或者SiC构成的第2蚀刻制止膜26。在上述蚀刻制止膜26上同样地形成第2层间绝缘膜28，在上述层间绝缘 膜28上进一步用等离子CVD法形成由SiN或者SiC构成的第3蚀刻制止膜 30。图1A的工序中，在上述蚀刻制止膜30上形成抗蚀图案R1，在上述抗蚀 图案R1中，与多层配线结构中形成的第1层的配线槽对应地形成抗蚀开口部 Ra。然后，在图1B的工序中，以上述抗蚀图案R1为掩模，对上述SiN膜30 进行干性蚀刻，在上述蚀刻制止膜30中形成与上述抗蚀开口部Ra对应的开 口部。而且，上述开口部形成之后，用灰化(ashing)除去上述抗蚀图案R1， 以上述SiN膜30为掩模，对上述层间绝缘膜28进行干性蚀刻，在上述层间 绝缘膜28中形成与上述抗蚀开口部Ra对应的配线槽28A。然后，在图1C的工序中，上述图IB的结构上形成抗蚀膜R2，以覆盖上 述蚀刻制止膜30覆盖，或填充上述配线槽28A。而且，对它进行图案成型， 并在上述配线槽28A中形成抗蚀开口部Rb，该开口部与形成在上述配线槽中 的通孔对应。然后在图1D的工序中，以上述抗蚀图案R2为掩模，对上述蚀刻制止膜 26进行干性蚀刻，在上述蚀刻制止膜26中形成与上述抗蚀开口部Rb对应的 开口部。在图1D的工序中，进一步以上述蚀刻制止膜26及30为掩模，对上述层 间绝缘膜24进行干性蚀刻，由此在上述层间绝缘膜24中，与上述抗蚀开口部 Rb对应地，形成露出上述蚀刻制止膜22的形成通孔24A。然后在图1E的工序中，用蚀刻的方法除去在上述通孔24A的底部露出的 蚀刻制止膜22,在通孔24A的底上露出Cu配线图案20之后，在图1F的工序中，用溅射法等在图1E的结构上堆积阻挡金属膜32，该阻挡金属膜32含 有TaN膜等的导电性氮化膜，用上述阻挡金属膜32以及Cu种(seed)膜覆 盖上述配线槽28A以及接通孔24A的表面。而且，在形成图1E的结构的时候，采用预先形成通孔24A，之后形成配 线槽28A的工序也可以。然后在图1G的工序中，用电解电镀法形成Cu层34，以填充上述配线槽 28A以及通孔24A，而且，通过将它们在氮或者Ar等的惰性气氛中进行热处 理，使得Cu层34中的晶粒进行成长，形成稳定的微结构。然后在图1H的工序中，用化学机械研磨(CMP)除去上述层间绝缘膜 28上的Cu层34、阻挡金属膜32以及蚀刻制止膜30，得到图1H所示的平坦 化的结构。在图1H的结构中，形成Cu配线图案34A，以填充上述配线槽28A， 而且从上述Cu配线图案34A延伸出Cu插件34B，以填充上述通孔24A。上 述Cu配线图案34A和Cu插件34B构成第1配线层31 。然后在图II的工序中，对图1H的结构用H2、 NH3、 N2或者稀有气体的 等离子体等进行处理，结果，在图lH的CMP工序的时候用等离子体除去Cu 配线图案34A的表面上产生的污染。图1I的工序之后，在图1J的工序中，以覆盖上述Cu配线图案34A的方 式，在图II的结构上形成由SiN等构成的盖膜35，而且将该盖膜35与在先 的蚀刻制止膜22相同地使用并反复进行图1A 1H的工序，由此，如图1K 所示，形成在上述第1配线层31上形成有第2配线层41的多层配线结构。通过设置上述盖膜35，抑制沿着Cu配线图案34A的表面的Qi原子的移 动，随着上层的配线层的形成处理过程而在下层配线层中产生的缺陷产生，以 及在各种条件下的随着多层配线结构的使用而在配线层中产生的缺陷产生都 能够得到抑制。此外，通过进行之前说明的图II的表面处理工序，提高上述 配线图案34A和盖层35之间的紧密接合性。关于根据图II的工序的紧密接 合性的提高，请参照日本专利特开2000—200832号公报。另一方面，在对这样的具有多层配线结构的半导体装置，进行高温下的通 电试验的场合，已知存在Cu原子向配线层表面移动，之后产生空穴(void) 等的缺陷的现象。例如，通电试验为了縮短试验时间多在40(TC程度的温度下 进行，这样的试验的结果，如图2所示，存在Cu配线层20中形成空穴乃至缺陷20X的情况。其中，图2是图1K中的虚线所包围部分的放大图。参照图2可知，上述Cu配线层20是用各晶粒界面20b划分成的大量的 Cu晶粒20g构成的。虽然图中省略，但是在Cu插件34B中也形成有同样的 微结构。可以认为，这样的空穴20X的形成是，在Cu配线层20中，Cu原子沿着 晶粒界面20b，如图中箭头所示那样地扩散，其结果所形成的结构。同样的缺 陷，在配线图案34A中，还有在插件34B中也可以产生。这样的空穴的形成， 特别是，在与Cu插件34B的接触部分产生的场合，对多层配线结构的可靠性 成为严重的问题。此外，在先技术中，由图ll的等离子体的表面处理工序之后，在图1J的 盖层35的堆积之前，进行对被处理基板加热到40(TC程度的温度的处理，但 在这样的工序中，如图3A、 3B所示，存在Cu配线图案34A的表面上形成突 起34X的情况。其中，图3A、 3B分别是图ll中虚线所包围的部分的放大剖 视图和放大平面图。参照图3A、 3B，上述Cu配线图案34A是用各个晶粒界面34b划分成的 大量的Cu晶粒34g构成的，由此可知，上述突起34X主要是与三个晶粒界面 34b交叉的所谓三重心对应而形成的。这样的突起34X与晶粒界面34b对应地形成，由此，可以认为突起34X 也是由于沿着晶粒界面34b产生的Cu原子的移动而形成的。但是，突起34X 的场合，可以认为沿着晶粒界面产生的Cu原子的移动，是随着在Cu配线图 案34A中存在的残留应力的缓和而产生的。若形成这样的突起34X，有损坏 较薄的盖膜35的阻挡功能的可能性，对多层配线结构的可靠性造成严重的问 题。发明内容在此，本发明的概括课题在于，提供一种解决上述问题、新颖的有用的半 导体装置以及其制造方法。本发明的其他的更具体的课题在于，提供一种具有缺陷少、可靠性高的金 属配线图案的多层配线结构。本发明的其他课题在于，提供一种在形成具有金属配线图案的多层配线结构时，能够有效地抑制沿着晶粒界面的金属原子的移动的多层配线结构的制造 方法。本发明的其他课题在于， 提供一种多层配线结构，其特征在于， 由下述部分构成第l层间绝缘膜； 形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜；形成在上述第1层间绝缘膜中且用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的 配线槽；形成在上述第2层间绝缘膜中且用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的 通孔；填充上述配线槽的配线图案； 填充上述通孔的通过插件，其中 上述通过插件与上述配线图案的表面接触， 上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面向上述配线图案内部延 伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。 本发明的其他课题在于，提供一种多层配线结构的形成方法，其由下述工序构成 在层间绝缘膜中形成配线槽的工序； 用金属层填充上述配线槽的工序；用化学机械研磨除去上述金属层中、堆积在上述层间绝缘膜的表面上的部 分，并在上述配线槽中形成金属配线图案的工序，其特征在于，进一步包含在上述化学机械研磨工序之后，氧化上述金属配线图案的表面，而形成氧 化膜的工序；除去上述氧化膜的工序。根据本发明，通过在以填充层间绝缘膜中的配线槽的方式形成的金属配线 图案中的晶粒界面上导入氧，来抑制这样的沿着晶粒界面的向金属配线图案表 面的金属元素的扩散，在具有这样的多层配线结构的半导体装置的动作中，例 如可抑制在通电试验时，在构成多层配线结构的金属配线图案上产生的空穴等 的缺陷的产生。而且根据本发明，上述金属配线图案表面上，氧化膜的形成以及除去工序的结果，与金属配线图案中的晶粒的形态相对应地形成凹凸，与此 相伴，增大沿着金属配线图案表面的金属原子的扩散距离。其结果，抑制金属 原子向金属配线图案外部的由扩散导致的流出。 本发明的其他课题在于，提供一种多层配线结构的形成方法，其特征在于包含在层间绝缘膜中形成配线槽的工序；用金属层填充上述配线槽的工序；用化学机械研磨除去上述金属层中、堆积在上述层间绝缘膜的表面上的部分的工序；在上述化学机械研磨工序之后，对上述金属层进行热处理的工序； 在上述热处理之后，对上述金属配线层的表面进行平坦化的工序。 根据本发明，通过在进行化学机械研磨之后的状态下对金属层进行热处 理，来有效地缓和在上述金属层中残留的应力。虽然随着这样的应力的缓和， 在上述金属层的表面中由于金属原子的压力移动而形成在之前图3A、3B中说 明的突起，但在本发明中，通过之后对金属层的表面进行平坦化，来除去该突 起，其结果，使得表面平坦化，而且可得到应力完全缓和的金属层或者金属配 线图案。尤其，以上述化学机械研磨的结果、在上述配线槽中形成有金属配线 图案的状态下，进行上述热处理的场合下，之后的平坦化工序仅用研磨处理从 层间绝缘膜表面中仅除去阻挡金属膜就足够，且可以有效地避免由于平坦化工 序再一次将残留应力导入金属配线图案中的情况。这样的金属层中的残留应 力，比如在图lG的Cu层34的场合，为了进行再结晶化以及晶粒成长而进行 的热处理的结果是，对整个Cu层34来说缓和了，但在形成这样厚的Cu层 34的状态下仅进行热处理，可以认为在Cu层34内部的部分中仍存在残留应 力。此外，在图1H的化学机械研磨的时候也是，存在新的残留应力导入到上 述金属配线图案中的可能性。本发明解决这样的在先的问题。本发明的其他的特征以及优点，在以下通过参照附图进行的关于发明的详 细说明可以更加明确。


图1A 图1K是表示用双镶嵌法的在先的多层配线结构的形成工序的图。图2是表示在先的多层配线结构中产生的缺陷的产生结构的图。图3A、 3B是表示在先的多层配线结构中产生的缺陷的产生结构的另一幅图。图4A 4C是表示根据本发明第1实施例的多层配线结构的形成方法的图。图5是表示具有根据本发明第1实施例的多层配线结构的半导体装置的结 构的图。图6是表示由根据本发明第1实施例的多层配线结构而得到的Cu原子的 扩散的抑制的图。图7A 7C是表示根据本发明第2实施例的多层配线结构的形成方法的图。图8是表示本发明的第2实施例中所使用的CMP装置的结构的图。
具体实施方式
[第1实施例] 下面说明本发明的第1实施例。本实施例中，最初，进行之前说明的图1A 图1H的工序，如图1H所示 可得到，在层间绝缘膜28中通过阻挡金属膜32形成Cu配线图案34A，此外 在层间绝缘膜24中通过阻挡金属膜32形成Cu插件34B的结构。其中本实施例中，作为上述层间绝缘膜24和28，比如使用以y々歹S力 ，(公司名)公司的作为注册商标SiLK而在市场上出售的低介电常数的芳香 族碳氢聚合物，此外作为上述蚀刻制止膜22，使用用等离子CVD法形成的 SiC膜。用等离子CVD法的SiC膜的成膜，优选地，比如使用三甲基硅烷作 为原料，以大约40(TC的基板温度供给50 700W的高频功率的同时执行。此 外，作为上述阻挡金属膜32，可以使用层叠厚度为10 20nm程度的TaN膜 和Ta膜的通常的阻挡金属膜。这些阻挡金属膜可以用溅射法或者反应性溅射 法来形成。显而易见，作为上述层间绝缘膜28除用有机碳氢聚合物膜之外，还可以 使用有机SOG膜、HSQ (hydrogen silsesquioxane)等的无机硅氧烷膜、 MSQ(methyl silsesquioxane)等的有机硅氧垸膜，还有低介电常数的多孔质膜，或者在先技术中的SiCb膜。而且作为上述阻挡金属膜32还可以使用Ti膜或 者TiN膜。图4A是，在图1H的状态中，将上述Cu配线图案34A的用虚线包围的 表面部分放大表示的图。参照图4可知，Cu配线图案34A，如在先的图3A、 3B中说明的那样， 由用晶粒界面34b划分成的大量的Cu晶粒34g而构成，且具有用CMP工序 而平坦化的主面34a。本实施例中，在图1H的工序之后、图1I的工序之前，对图1H的结构进 行氧元素等离子处理，如图4B所示，在上述Cu配线图案34A的表面34a上 形成氧化膜340。本实施例中，上述氧化处理，通过将被处理基板在处理容器中保持在室温 下，以13.3Pa (0.1Torr)的压力下，供给50—100W的高频等离子体来进行。 此时，通过将氧气体以大约100SCCM的流量供给到上述处理容器中，由此在 上述Cu配线图案34A的表面34a上形成Cu的氧化膜340。比如，进行5分 钟上述的等离子氧化处理，由此可以使得上述氧化膜340以25.4nm的平均膜 厚度来形成。此外，在进行2分钟该等离子氧化处理的场合下，可以使得上述 氧化膜340形成为llnm的平均膜厚度。这样形成的氧化膜340由CuO或者Cu20、或者CuO和Cu20的混合物构 成，其特征在于，对应于晶粒界面34b膜厚变化。此外，随着这样的氧化膜 340的形成，氧原子从上述表面34a沿着晶粒界面侵入到Cu配线图案34A的 内部，其结果，尤其在从上述表面34a向内部连续延伸的晶粒界面34b上，形 成氧浓度较高的区域340。在这样的高氧浓度区域340中，也可以认为，氧与 构成Cu结晶34g的Cu原子结合，形成1至几个原子层程度的由CuO或者Cll20构成的氧化膜。本实施例中，在图4B的工序之后，代替图II的工序而进行图4C的工序， 使用NH3等离子或者氢等离子除去上述氧化膜340。例如这样的氧化膜除去工序，是通过将被处理基板在处理容器中保持在 400。C的温度下，以240Pa(1.8Torr)的压力下，供给200W的高频等离子来进行。 此时，通过将NH3气体以400OSCCM的流量供给到上述处理容器中，通过用 与等离子激励起的氢基之间的反应除去上述氧化膜340，其结果，如图4C所示，在Cu配线图案34A的表面上，形成与上述晶粒34g对应的凹凸34a'。 如图4C所示，除去这样的上述氧化膜340之后，在上述晶粒界面上形成的氧 化膜340仍然残留。且图4C的氧化膜除去工序还可以通过代替NH3气体而供 给氢气来进行。而且，在日本专利特开平2000—200832号公报等中，在前面关于在先技 术进行说明的图II的工序，是在Cu配线层上形成SiN或SiC等的无机阻挡 膜时，将Cu配线层表面暴露在H2、 N2、 NH3或者稀有气体等的非氧化性等离 子体气氛中来除去污染，以提高上述无机阻挡层和Cu配线层之间的紧密接合 性的技术方案，但图4C的工序，是为了除去在前面的图4B的工序中形成的 氧化膜340而设置的工序，虽然同样使用NH3等离子或者氢等离子，但是应 该注意到该处理过程的意义与在先技术中的意义完全不同的这一点。图4C的工序的结果，是在上述Cu配线图案34A的表面中，除去达到上 述表面的晶粒界面的部分，且不存在氧原子。但是，图4C的结构，不是仅仅 表示在Cu配线图案34A的表面上不存在氧的场合，还表示在上述表面中的氧 浓度比上述晶粒界面中的氧浓度低的状态。图4C的工序之后，与之前说明的相同地进行图1J以后的工序，可得到 如图5所示的多层配线结构。其中，本实施例中上述配线图案34A的表面上 形成凹凸34a'，且在上述晶粒界面34b中、从上述表面34a'向配线图案34A 内部延伸的部分上，形成有氧原子浓度高的氧化膜340。本实施例中，由于这样地在上述配线图案34A的表面上存在凹凸34a'， 在Cu原子通过配线图案34A的表面进行移动的时候增大扩散距离，其结果， 抑制沿着配线图案34A的表面的Cu原子的移动。如图6所示，本实施例中，由于在上述配线图案34A的表面附近的晶粒 界面上形成有氧化膜乃至高氧浓度区域340，在这些区域中Cu原子通过氧原 子而被强化(peening)，有效地抑制Cu原子向表面的扩散。其结果，在使具 有这样的多层配线结构的半导体装置动作的场合下，或者进行通电试验的场合 等下产生的、图2中说明的空穴形成的问题得到了解决。而且，本实施例中，虽然上述氧化处理用了等离子氧化处理，但是也可以 将该物体置于氧气氛中进行急速热处理。但是由于会产生这样的情况，即氧元 素沿着晶粒界面340深深侵入到配线图案34A的内部的场合下，增大配线图案34A的电子阻抗，所以优选地，上述氧化膜340的形成，在30nm或其以下， 比如之前说明的25.4nm程度或者保留在其以下。对这样处理的配线图案34A的表面状态用扫描型电子显微镜(SEM)进 行检查的结果，确认了与没有进行这样的处理的比较对照例相比较，在图2 中说明的空穴20X的比例，从面积比看降低了 60%。 [第2实施例]然后对根据本发明第2实施例的多层配线结构的形成工序进行说明。本实施例中，首先，进行前面说明的图1A 图1G的工序，如图1G所示， 在上述阻挡金属膜32上，用电解电镀法等方法形成Cu层34，以填充上述图 1F的配线槽28A以及通孔24A。如之前说明的那样，本实施例中，作为上述层间绝缘膜24以及28，也采 用由夕、'夕y、力》(公司名)公司作为注册商标SiLK而在市场上出售的低介 电常数的芳香族碳氢聚合物，此外作为上述蚀刻制止膜22，使用用等离子CVD 法形成的SiC膜。进一步，作为上述阻挡金属膜32，可使用层叠TaN膜和Ta 膜而成的通常的阻挡金属膜。此外，本实施例中，作为上述层间绝缘膜28，除了用有机碳氢聚合物膜 之外，还可以使用有机SOG膜、HSQ (hydrogen silsesquioxane)等的无机硅 氧烷膜、MSQ(methylsilsesquioxane)等的有机硅氧烷膜，还有低介电常数的多 孔质膜、或者在先技术中的Si02膜。而且，作为上述阻挡金属膜32还可以使 用Ti膜或者TiN膜。本实施例中，在图1G的工序之后，执行图7A的工序，并以上述阻挡金 属膜32为制止膜，用CMP法除去上述阻挡金属膜32上堆积的Cu层34。如之前说明的那样，即使在图1G的工序中进行使上述Cu层34再结晶的 热处理，但还有在上述Cu层34的内部残留有局部的残留应力的可能性，此 外在图1H的CMP工序中，还有上述Cu层34中积蓄新的应力的可能性。换 句话说，在图7A的状态中，有在上述Cu配线图案34A中实际上存在残留应 力的可能性，可认为这样的残留应力导致在前面的图3A、 3B中说明的由Cu 原子的界面扩散引起的缺陷34X的产生。因此，本实施例中，接着上述图7A的工序进行图7B的工序，将图7A 的结构在惰性气体中、以25(TC或其以上400。C或其以下的温度进行热处理。比如通过将这样的热处理在大气压下的氮气氛中进行IO分钟的程度，由此在上述Cu配线图案34A中产生应力缓和，与此相伴的Cu原子的扩散的结果， 如图7B所示那样，在上述Cu配线图案34A上，形成与图3A、 3B中说明的 情况相同的突起34X。这样的突起34X， 一般具有lpm或其以下的高度。然后，在图7B的工序中，以上述SiC膜为制止膜，进行CMP工序，除 去上述SiC膜30上的阻挡金属膜32以及SiC膜30。根据这样的工序，上述 Cu配线图案34A的表面也通过研磨而平坦化，其结果，如图7C所示除去了 上述突起34X。在图7C的工序之后，在图1I的清洗工序中，除去上述Cu配线图案34A 表面的杂质，而且通过进行图1J以后的工序，或得到具有如图1K所示结构 那样的多层配线结构的半导体装置。图7C的CMP工序中，在上述Cu配线图案34A中随着研磨而有积蓄应 力的可能性，但由于上述阻挡金属膜32和SiC膜30合计也仅具有不足于 100nm的膜厚度，所以即使进行这样的研磨工序，在上述Cu配线图案34A中， 实际上，也不会有积蓄由热处理而形成突起34X那样的应力的情况。这样地，根据本实施例，能够用镶嵌法或者双镶嵌法，形成在上述配线图 案34A以及通过插件34B中没有残留应力的配线结构。本实施例的向单镶嵌 法的扩展不言自明，这里省略说明。图8表示本实施例中使用的CMP装置100的结构。其中，图示的CMP 装置IOO并不是本实施例中必须的，也可以用其它的装置实施本实施例。参照图8， CMP装置100具备在基台101上保持贮片盒(wafer cassette) 102A 102C的贮片盒保持部102;交换上述贮片盒保持部中的薄片的薄片搬 运单元103，进一步具备，在上述薄片搬运单元103之间交换薄片的研磨压盘 单元104以及105。其中研磨压盘单元104使用于Cu层的CMP中，而研磨 压盘单元105使用于阻挡金属层的CMP中。而且，在上述基台101上设置有用来清洗用上述研磨压盘104、 105所研 磨的薄片的清洗单元106、和用于进行图7B的热处理工序的炉107。在此，当图1G的状态的被处理基板保持在上述贮片盒保持部102中的任 何一个贮片盒102A 102C中的时候，上述薄片搬运单元103将此搬运到研磨 压盘单元104，对上述Cu层34进行研磨。上述研磨压盘单元104中的CMP工序的结果，可得到图7A的结构的试样，将此在上述清洗单元106中清洗之 后，通过上述薄片搬运单元103送到炉107中。在炉107中，进行在图7B中说明的热处理工序，得到的试样通过上述薄 片搬运单元103送到研磨压盘单元105。在研磨压盘单元105中进行图7C的CMP工序，得到的试样在用上述清 洗单元106清洗之后，返回到上述贮片盒保持部102中。而且，在薄片搬运单 元103中，包括搬运用研磨压盘单元104和105处理而带有纯水的薄片的 湿式单元；搬运从贮片盒102A 102C、清洗单元106以及炉107送来的干燥 状态的薄片的干式单元。通过使用图8的CMP装置100，对图7A 7C的工序进行一步步的处理 过程，还可以与其它的工序协同的同时有效地执行。而且，图8的CMP装置100中在基台上没有设置炉107的场合下，可以 通过将用研磨压盘单元104处理的图7A的状态的试样搬运到外部的炉中去， 来进行所希望的处理。而且，本实施例中，说明了将图7B的热处理工序在大气压下的氮气氛中 进行的例子，但上述氮气氛中还可以添加非氧化性气体，比如氢气。此外，该 热处理也可以在133Xl(T5Pa (l(T5Torr)以下的真空气氛中进行。在上述热处 理工序的温度比25(TC低的场合，图7B的工序中不能达到足够的应力缓和， 而在上述Cu配线图案34A中会残留应力。另一方面，在上述热处理工序的温 度超过50(TC的场合，尤其作为层间绝缘膜使用低介电常数有机绝缘膜的场 合，层间绝缘膜将无法经受热处理。由此，图7B的工序中的热处理，最好在 250 °C 400 。C的范围的温度下进行。而且，本实施例中，形成Cii配线图案34A的场合，也可以对图7C的结 构进行之前的实施例的氧化处理以及氧化膜除去处理。而且，在上述的各个实施例中，Cu配线图案34A还可以是铜合金。上面，对本发明的优选实施例进行了说明，但是本发明不限于上述的实施 例，可以在本发明的宗旨内进行各种的变形和变更。根据本发明，通过在以填充层间绝缘膜中的配线槽的方式形成的金属配线 图案中的晶粒界面上导入氧元素，来抑制沿着这样的晶粒界面的向金属配线图案表面的金属元素的扩散，在具有这样的多层配线结构的半导体装置的动作 中，例如在通电试验的时候，抑制在构成多层配线结构的金属配线图案上所产 生的空穴等的缺陷的产生。而且根据本发明，上述金属配线图案表面上的凹凸， 氧化膜的形成以及除去工序的结果，与金属配线图案中的晶粒的形态相对应地 形成，与此相伴地增大沿着金属配线图案表面的金属原子的扩散距离。其结果， 抑制金属原子向金属配线图案外部的扩散导致的流出。而且根据本发明，通过在进行化学机械研磨之后的状态下对金属层进行热 处理，来有效地缓和在上述金属层中残留的应力。随着这样的应力的缓和，虽然在上述金属层的表面中由于金属原子的压力移动而形成如之前在图3A、 3B 中说明的那样的突起，但在本发明中通过之后的金属层的表面平坦化处理，除 去该突起，其结果，使得表面平坦化，而且可得到应力完全缓和的金属层或者 金属配线图案。尤其，以上述化学机械研磨的结果、在上述配线槽中形成有金 属配线图案的状态下进行上述热处理的场合，之后的平坦化工序仅仅是用研磨 处理从层间绝缘膜表面中除去阻挡金属膜的简单处理就足够了，可以有效地避 免由于平坦化工序残留应力再一次被导入到金属配线图案中的情况。这样的金 属层中的残留应力，比如在图lG的Cu层34的场合，为了进行再结晶化以及 晶粒成长而进行的热处理的结果，对整个Cu层34得到缓和，但在形成这样 厚的Cu层34的状态下仅仅进行热处理的结果，可以认为在Cu层34的内部 的部分地区仍会存在残留应力。此外，在图1H的化学机械研磨的时候也是， 存在新的残留应力将导入到上述金属配线图案中的可能性。本发明能够解决这 样的在先技术中存在的问题。
权利要求
1. 一种多层配线结构的形成方法，其特征在于，包含在层间绝缘膜中形成配线槽的工序；用金属层填充上述配线槽的工序；用化学机械研磨除去上述金属层中、堆积在上述层间绝缘膜的表面上的部分的工序；在上述化学机械研磨工序之后，对上述金属层进行热处理的工序；在上述热处理之后，对上述金属配线层的表面进行平坦化的工序。
2. 如权利要求1所述的多层配线结构的形成方法，其特征在于用上述 金属层填充上述配线槽的工序，是由用阻挡金属膜覆盖上述层间绝缘膜的上主 面以及上述配线槽的表面的工序、和将上述金属层堆积在上述阻挡金属膜上的 工序构成;上述化学机械研磨工序是将上述层间绝缘膜上的上述阻挡金属膜作 为制止膜来执行的。
3. 如权利要求1所述的多层配线结构的形成方法，其特征在于上述热 处理工序，是以在上述金属配线层中产生应力缓和的温度执行。
4. 如权利要求1所述的多层配线结构的形成方法，其特征在于上述热 处理温度在25(TC或其以上的温度下执行。
5. 如权利要求1所述的多层配线结构的形成方法，其特征在于上述平坦化工序是由另 一个化学机械研磨工序构成，该另 一个化学机械研磨工序对上 述金属层执行直到露出上述层间绝缘膜的上主面的处理。
6. 如权利要求1所述的多层配线结构的形成方法，其特征在于用上述 金属层填充上述配线槽的工序，是由用阻挡金属膜覆盖上述层间绝缘膜的上主 面以及上述配线槽的表面的工序、和将上述金属层堆积在上述阻挡金属膜上的 工序构成；上述化学机械研磨工序，是将上述层间绝缘膜上的上述阻挡金属膜 作为制止膜来执行；上述平坦化工序，是由另一个化学机械研磨工序，即对上 述金属层以及上述阻挡金属膜进行研磨直到露出上述层间绝缘膜的上述上主 面的工序构成。
全文摘要
一种多层配线结构，其特征在于由第1层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜上的第2层间绝缘膜、形成在上述第1层间绝缘膜中的用第1阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的配线槽、形成在上述第2层间绝缘膜中的用第2阻挡金属膜覆盖侧壁面以及底面的通孔、填充上述配线槽的配线图案，以及填充上述通孔的通过插件构成，上述通过插件与上述配线图案的表面接触，上述配线图案在上述表面上具有凹凸，上述配线图案，沿着在上述配线图案中从上述表面朝向上述配线图案内部延伸的晶粒界面，含有高于上述表面中的浓度的氧原子。
文档编号H01L21/3205GK101271861SQ20081009138
公开日2008年9月24日 申请日期2002年12月26日 优先权日2002年12月26日
发明者北田秀树, 堀内博志, 宫岛基守, 山本保, 绵谷宏文 申请人:富士通株式会社