专利名称：半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法
技术领域：
本发明是关于一种半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法，尤指一 种高幵口率及工艺简单的半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法。
背景技术：
液晶显示器依据照明光的来源不同，可区分为穿透式、反射式、及半穿 透半反射式等三种。穿透式液晶显示器需于液晶显示面板的背面设置用来产 生光线的背光模块，其产生的光线会通过液晶显示面板而让观察者由正面观 看到液晶显示器的画面显示。反射式液晶显示器是使用环境光作为光源，并
需于像素区中设置反射电极；当反射式液晶显示器显示画面时，环境光由液 晶显示面板的正面(观察面)进入液晶显示面板中并通过反射电极将光线反射， 藉此观察者可观看到液晶显示器的画面显示。至于半穿透半反射式液晶显示 器则是同时具有穿透模式及反射模式的液晶显示器，亦即液晶显示面板的各 像素区均包含有穿透区与反射区，其中穿透区是使用背光源，而反射区则是 使用环境光作为光源。
请参考图1。图1为已知半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。如图1 所示，己知半穿透半反射式液晶显示面板包括基板10，其上定义有反射区12 与穿透区14。反射区12内设置有薄膜晶体管，其具有半导体层，而半导体层 包括通道16、源极18、漏极20、两轻度掺杂漏极21、栅极绝缘层22以及栅 极24，其中源极18与漏极20分别设置于通道16的两侧，两轻度掺杂漏极 21分别设置于源极18与通道16之间与漏极20与通道16之间，栅极绝缘层 22覆盖于通道16、源极18与漏极20之上，栅极24设置于栅极绝缘层22上并对应通道16。
栅极绝缘层22与栅极24上覆盖有第一层间介电层26，且第一层间介电 层26与其下方对应的栅极绝缘层22具有两开口 ，分别曝露出源极18与漏极 20。第一层间介电层26上设置有数据线28与漏极连接垫30，其中数据线28 填入源极18上方的开口中藉此与源极18电性连接，而漏极连接垫30则填入 漏极20上方开口藉此与漏极20电性连接。在反射区12中，第一层间介电层 26、数据线28与漏极连接垫30上覆盖有第二层间介电层32，且第二层间介 电层32具有开口，曝露出漏极连接垫30。第二层间介电层32与第一层间介 电层26上设置有穿透电极34,其中穿透电极34通过第二层间介电层32的开 口搭接于漏极连接垫30上，藉此与漏极20电性连接，且穿透电极34延伸至 穿透区14。另外，在反射区12的穿透电极34上覆盖有一反射电极36，并通 过穿透电极34和漏极连接垫30与漏极20电性连接。
然而已知半穿透半反射式液晶显示面板具有如下缺点。首先，已知半穿 透半反射式液晶显示面板必须利用至少八道微影工艺，分别定义出半导体层、 源极/漏极、轻度掺杂漏极、栅极、第一层间介电层、数据线与漏极连接垫、 第二层间介电层、穿透电极与反射电极的图案，因此工艺较为复杂。此外， 由于反射区设置有第二层间介电层，而穿透区未设置有第二层间介电层，使 得反射区与穿透区具有高度差，而此一高度差易造成后续刷摩(rubbing)配向图 案的困难度，并且在后续液晶工艺中，亦会造成液晶间隙(Cdl Gap)高度控制 及间隙子(spacer)布置的困难度。
发明内容
本发明的目的的一在于提出一种半穿透半反射式液晶显示面板及其制作 方法，以简化半穿透半反射式液晶显示面板的工艺及其结构。
为达上述目的，本发明提出一种半穿透半反射式液晶显示面板，包括 基板、多晶硅层、绝缘层、第一层金属、第一层间介电层、第二层金属、第二层间介电层，以及穿透电极。基板包括反射区、穿透区与周边区。多晶硅 层设置于基板上，多晶硅层包括第一多晶硅图案设置于反射区，以及第二多 晶硅图案设置于周边区，其中第一多晶硅图案包括通道，以及源极与漏极位 于通道的两侧。绝缘层设置于多晶硅层与基板上。第一层金属设置于绝缘层 上，第一层金属包括栅极对应通道，以及共通电极对应该第二多晶硅图案， 其中第二多晶硅图案、共通电极及其间的绝缘层构成储存电容。第一层间介 电层，设置于绝缘层与第一层金属上，第一层间介电层具有两开口，分别曝 露出源极与漏极。第二层金属设置于第一层间介电层上，第二层金属包括反 射电极与数据线，其中反射电极设置于反射区并透过第一层间介电层对应漏 极的开口与漏极电性连接，数据线设置于周边区并延伸至反射区，且数据线 于反射区透过第一层间介电层对应源极的开口与源极电性连接。第二层间介 电层设置于第一层间介电层与第二层金属上，第二层间介电层具有一开口曝 露出部分第二层金属。穿透电极设置于第二层间介电层上，穿透电极设置于 穿透区并延伸至反射区与穿透区的交界处，且穿透电极透过第二层间介电层 的开口与反射电极及漏极电性连接。
为达上述目的，本发明另提供一种制作半穿透半反射式液晶显示面板的 方法，包括提供基板，并于基板上定义出反射区、穿透区与周边区；于基 板上形成多晶硅层，并利用第一道微影工艺于反射区形成第一多晶硅图案，
以及于周边区形成第二多晶硅图案；利用第二道微影工艺于第一多晶硅图案
中形成通道，以及于通道的两侧形成源极与漏极，并于第一多晶硅图案、第
二多晶硅图案与基板上形成绝缘层；于绝缘层上形成第一层金属，并利用第 三道微影工艺于反射区形成栅极对应通道，以及于周边区形成共通电极对应 第二多晶硅图案，其中通道、源极、漏极、绝缘层与栅极构成一薄膜晶体管， 且第二多晶硅图案、共通电极及其间的绝缘层构成储存电容；于绝缘层与第 一层金属上形成第一层间介电层，并利用第四道微影工艺于第一层间介电层 中形成两开口，分别曝露出源极与漏极；于第一层间介电层上形成第二层金属，并利用第五道微影工艺于反射区形成反射电极，以及于周边区形成数据 线，并使数据线部分延伸至反射区，其中该反射电极透过第一层间介电层对 应漏极的开口与漏极电性连接，而数据线于反射区透过第一层间介电层对应
源极的开口与源极电性连接；于第一层间介电层与第二层金属上形成第二层 间介电层，并利用第六道微影工艺于该第二层间介电层中形成一开口，曝露 出部分第二层金属；以及于第二层间介电层上形成透明导电层，并利用第七 道微影工艺形成穿透电极，穿透电极设置于穿透区并延伸至反射区与穿透区 的交界处，且穿透电极透过第二层间介电层的开口与反射电极及漏极电性连接。 由于本发明的方法仅需利用七道微影工艺，即可制作出半穿透半反射式 液晶显示面板，因此可简化工艺。此外，本发明的反射电极设置于薄膜晶体 管的上方，因此可增加反射区的面积。再者，储存电容设置于数据线的下方， 因此可提升开口率。
图1为已知半穿透半反射式液晶显示面板的示意图。 图2至图17为制作本发明半穿透半反射式液晶显示面板的一较佳实施例 的方法示意图。
图18与图19为本发明另一较佳实施例的半穿透半反射式液晶显示面板 的上视图与剖面示意图。
图20与图21为本发明又一较佳实施例的半穿透半反射式液晶显示面板 的上视图与剖面示意图。
图22为本发明周边电路区的示意图。
附图标号
10 基板 12 反射区
14 穿透区 16 通道
18 源极 20 漏极21轻度掺杂漏极22栅极绝缘层
24栅极26第一层间介电层
28数据线30漏极连接垫
32第二层间介电层34穿透电极
36反射电极50基板
51缓冲层52反射区
54穿透区56周边区
58第一多晶硅图案60第二多晶硅图案
62通道63轻度掺杂漏极
64源极66漏极
68绝缘层70扫描线
72栅极74共通电极
76第一层间介电层76A无机介电层
76B感光有机介电层76C起伏表面
76D开口77半色调掩膜
78反射电极78A反射电极起伏表面
80数据线82第二层间介电层
82A开口84穿透电极
84A狭缝86透明导电图案
86A狭缝90CMOS晶体管
92NMOS晶体管94PMOS晶体管
具体实施例方式
为使本领域技术人员能更进一步了解本发明，下文特列举本发明的数个 较佳实施例，并配合所附图式，详细说明本发明的构成内容及所欲达成的功效。
请参考图2至图17。图2至图17为制作本发明半穿透半反射式液晶显示面板的一较佳实施例的方法示意图。为便于说明，图式中仅绘示出一像素区，
且图2、图4、图6、图8、图IO、图12、图14与图16为像素区的上视图， 而图3、图5、图7、图9、图ll、图13、图15与图17为像素区沿剖线AA， 与BB，的剖面示意图。如图2与图3所示，首先提供基板50，并于基板50上 定义出反射区52、穿透区54与周边区56。接着可选择性地于基板50上先形 成一缓冲层51(图2未示)。随后，再于基板50上形成多晶硅层，例如低温多 晶硅层，并利用第一道微影工艺配合刻蚀工艺于反射区52形成第一多晶硅图 案58,以及于周边区56形成第二多晶硅图案60，其中第一多晶硅图案58用 于制作薄膜晶体管的半导体层，而第二多晶硅图案60作为储存电容的下电极， 且于本实施例中第一多晶硅图案58与第二多晶硅图案60为电性连接，但不 限于此。
如图4与图5所示，随后利用第二道微影工艺配合高浓度离子布植工艺 于第一多晶硅图案58与第二多晶硅图案60进行离子布植，其中于第二道微 影工艺中部分第一多晶硅图案58为光阻形成的遮罩图案(图未示)所阻挡而未 形成掺杂，藉此第一多晶硅图案58的未掺杂区域形成通道62，而通道62两 侧的掺杂区域则形成源极64与漏极66，且第二多晶硅图案60亦会因掺杂而 具导电性以作为储存电容的下电极。本实施例的薄膜晶体管可为N型或P型， 因此高浓度离子布植使用的掺质可视需要为P型或N型。另外值得说明的是 本实施例的薄膜晶体管为双栅极设计，因此通道62的布局如图4所示，然而 本发明的应用不限于此，而亦可为一般单栅极的设计。
如图6与图7所示，随后于第一多晶硅图案58、第二多晶硅图案60与基 板50上形成绝缘层68(图6未示)，其中于通道62上方的绝缘层68是作为栅 极绝缘层之用。于第一多晶硅图案58中形成通道62，以及于通道62的两侧 形成源极64与漏极66的步骤，并不限于先于在第一多晶硅图案58、第二多 晶硅图案60与基板50上形成绝缘层68的步骤前进行。换言之，亦可先在第 一多晶硅图案58、第二多晶硅图案60与基板50上形成绝缘层68之后，再于第一多晶硅图案58中形成通道62，以及于通道62的两侧形成源极64与漏极 66。接着再于绝缘层68上形成第一层金属，并利用一第三道微影工艺配合刻 蚀工艺于反射区52形成扫描线70、栅极72与扫描线70电性连接并对应通道 62，以及于周边区56形成共通电极74对应第二多晶硅图案60，其中共通电 极74亦为储存电容的上电极，因此周边区56的第二多晶硅图案60、共通电 极74以及位于第二多晶硅图案60与共通电极74间的绝缘层68构成储存电容。 如图8与图9所示，接着进行低浓度离子布植工艺，以形成轻度掺杂漏 极63。在本实施例中，由于栅极72的尺寸略小于通道62，因此可直接利用 栅极72作为遮罩借着掺杂于通道62两侧形成轻度掺杂漏极63，而不必使用 额外的掩膜。
如图10与图11所示，接着于绝缘层68与第一层金属上形成第一层间介 电层76(图10未示)，并于反射区52的第一层间介电层76形成起伏表面，再 于第一层间介电层76及其下所对应的绝缘层68中形成两开口，分别曝露出 源极64与漏极66。于本实施例中，第一层间介电层76包括有无机介电层76A 例如氮化硅，以及具有感光特性的感光有机介电层76B。另外，在本实施例 中，第一层间介电层76的起伏表面76C与开口 76D使用半色调(halftone)掩膜 77通过第四道微影工艺并配合刻蚀工艺所形成，其作法如下所述首先进行 第四道微影工艺，利用半色调掩膜77控制曝光量，使半色调掩膜的半透光区 77A对应感光^"机介电层76B在欲形成起伏表面76C的区域，而使半色调掩 膜的全透光区77B对应欲形成开口 76D的区域，如此一来由于欲形成起伏表 面76C的区域曝光量较小，因此于曝光显影后仅会于感光有机介电层76B的 表面形成微小图案而造成起伏表面76C的效果，而另一方面由于欲形成开口 76D的区域的曝光量较大，因此该区域的感光有机介电层76B在曝光显影后 会全部被去除而形成开口 76D。接着再进行刻蚀工艺，通过开口76D刻蚀无 机介电层76A与绝缘层68，直至曝露出源极64与漏极66。
本实施例系利用半色调掩膜形成第一层间介电层76的起伏糙表面76C与开口 76D，然而本发明制作上起伏表面76C与开口 76D的方式并不限于此而 可利用其它方式达成。举例来说，形成起伏表面76C与开口76D的步骤可分 别利用不同掩膜加以形成，或者起伏表面76C可利用激光工艺加以形成，而 不限于此使用曝光显影方式形成。
如图12与图13所示，接着于第一层间介电层76上形成一第二层金属(图 未示)，并利用第五道微影工艺配合刻蚀工艺于反射区52内形成反射电极78， 以及于周边区56内形成数据线80，并使数据线80部分延伸至反射区52，其 中反射电极78透过第一层间介电层76对应漏极66的开口与漏极66电性连 接，而数据线80于反射区52则透过第一层间介电层76对应源极64的开口 与源极64电性连接。另外，由于第一层间介电层76在反射区52内具有起伏 表面76C，因此堆迭于其上的反射电极78也因此具有起伏表面78A，而可以 让反射光线聚集，达到提高反射率的作用。
如图14与图15所示，随后于第一层间介电层76与第二层金属上形成第 二层间介电层82，并利用第六道微影工艺配合刻蚀工艺于第二层间介电层82 中形成一开口 82A，曝露出部分第二层金属(反射电极78的边缘)。如图16与 图17所示，最后于第二层间介电层82上形成一透明导电层(图未示)，并利用 一第七道微影工艺配合刻蚀工艺形成穿透电极84，其中穿透电极84设置于穿 透区54内并延伸至反射区52与穿透区54的交界处，藉此穿透电极84可透 过第二层间介电层82的开口与反射电极78及漏极66电性连接。另夕卜，于本 实施例中，穿透电极84与数据线80大体上切齐且未重迭(如图16与图17所 示)，藉此可避免产生杂散电容，但本发明并不以此为限，穿透电极84亦可与 数据线80不重迭且未切齐，或为不同的相对位置。
上述为本发明制作半穿透半反射式液晶显示面板的方法及其结构的较佳 实施例，然而本发明的半穿透半反射式液晶显示面板并不限于此，而可有其 它不同的实施样态。请参考图18至图21。图18与图19为本发明另一较佳实 施例的半穿透半反射式液晶显示面板的上视图与剖面示意图，而图20与图21为本发明又一较佳实施例的半穿透半反射式液晶显示面板的上视图与剖面示 意图，其中为便于比较各实施例的异同，在本发明的各实施例中，相同元件 使用相同标号，并不再多加赘述。
如图18与图19所示，与前述实施例不同处在于，本实施例的半穿透半 反射式液晶显示面板另具有浮置(floating)的透明导电图案86，位于反射区52 的第二层间介电层82的表面，其中透明导电图案86与穿透电极84为同一透 明导电层，并通过第七道微影工艺定义而不需增加额外工艺，但透明导电图 案86与穿透电极84未电性连接，而透明导电图案86的作用在于使反射区52 与穿透区54的表面特性一致，例如高度一致，以降低后续刷摩配向图案的困 难度。
如图20与图21所示，与前述实施例不同处在于，本实施例的半穿透半 反射式液晶显示面板的穿透电极84具有多条狭缝84A，且透明导电图案86 亦可选择性地具有多条狭缝86A。穿透电极84的狭缝84A与透明导电图案 86的狭缝86A均可于第七道微影工艺中一并定义，不需增加额外工艺，而穿 透电极84的狭缝84A与透明导电图案86的狭缝86A可使液晶分子朝不同方 向配向，而应用于广视角液晶显示面板中。
请参考图22。图22为本发明周边电路区的示意图。如图22所示，本实 施例的周边电路区的控制元件的制作可与像素区的薄膜晶体管的工艺整合， 且于本实施例中控制元件系为一个NMOS晶体管92与一个PMOS晶体管94 组成的CMOS晶体管90所构成，然而本发明的应用并不限于此，控制元件亦 可视电路设计而为单一NMOS晶体管或单一 PMOS晶体管。
综上所述，本发明的方法仅需使用七道微影工艺即可制作出半穿透半反 射式液晶显示面板，且为单一液晶间隙(singlecellgap)的设计，因此具有工艺 简化的优点。此外，本发明的第一层间介电层包括无机介电层与有机介电层， 可降低导线跨接区域(第一层金属与第二层金属)的耦合，减少杂散电容，且感 光有机介电层可通过曝光显影方式定义图案，故可减少沉积与刻蚀工艺的负
14担。再者，反射电极设置于薄膜晶体管的上方，因此相较于已知反射电极仅 设置于电容区内的作法，可增加反射区的面积。另外，储存电容设置于数据 线的下方，因此可提升开口率。
以上所述仅为本发明的较佳实施例，凡依本发明权利要求所做的均等变 化与修饰，皆应属本发明的涵盖范围。
权利要求
1. 一种半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所述半穿透半反射式液晶显示面板包括一基板，包括一反射区、一穿透区与一周边区；一多晶硅层，设置于所述基板上，所述多晶硅层包括一第一多晶硅图案设置于所述反射区，以及一第二多晶硅图案设置于所述周边区，其中所述第一多晶硅图案包括一通道，以及一源极与一漏极位于所述通道的两侧；一绝缘层，设置于所述多晶硅层与所述基板上；一第一层金属，设置于所述绝缘层上，所述第一层金属包括一栅极对应所述通道，以及一共通电极对应所述第二多晶硅图案，其中所述第二多晶硅图案、所述共通电极及其间的所述绝缘层构成一储存电容；一第一层间介电层，设置于所述绝缘层与所述第一层金属上，所述第一层间介电层具有两开口，分别曝露出所述源极与所述漏极；一第二层金属，设置于所述第一层间介电层上，所述第二层金属包括一反射电极与一数据线，其中所述反射电极设置于所述反射区并透过所述第一层间介电层对应所述漏极的所述开口与所述漏极电性连接，所述数据线设置于所述周边区并延伸至所述反射区，且所述数据线于所述反射区透过所述第一层间介电层对应所述源极的所述开口与所述源极电性连接；一第二层间介电层，设置于所述第一层间介电层与所述第二层金属上，所述第二层间介电层具有一开口曝露出部分所述第二层金属；以及一穿透电极，设置于所述第二层间介电层上，所述穿透电极设置于所述穿透区并延伸至所述反射区与所述穿透区的交界处，且所述穿透电极透过所述第二层间介电层的所述开口与所述反射电极及所述漏极电性连接。
2.如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述第一层间介电层包括一无机介电层与一感光有机介电层。
3. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述第二层间介电层为一感光有机介电层。
4. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述第一层间介电层于所述反射区具有一起伏表面，藉此设置于所述第一层间 介电层上的所述反射电极具有一起伏表面。
5. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，穿 透电极另包括一浮置的透明导电层，设置于所述反射区的所述第二层间介电 层的表面。
6. 如权利要求5所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，穿 透电极所述透明导电层具有多条狭缝。
7. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述穿透电极具有多条狭缝。
8. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述穿透电极与所述数据线大体上切齐或不重迭。
9. 如权利要求1所述的半穿透半反射式液晶显示面板，其特征在于，所 述基板与所述多晶硅层间设有一缓冲层。
10. —种制作半穿透半反射式液晶显示面板的方法，其特征在于，所述方 法包括提供一基板，并于所述基板上定义出一反射区、 一穿透区与一周边区； 于所述基板上形成一多晶硅层，并利用一第一道微影工艺于所述反射区形成一第一多晶硅图案，以及于所述周边区形成一第二多晶硅图案；利用一第二道微影工艺于所述第一多晶硅图案中形成一通道，以及于所述通道的两侧形成一源极与一漏极；于所述第一多晶硅图案、所述第二多晶硅图案与所述基板上形成一绝缘层； 于所述绝缘层上形成一第一层金属，并利用一第三道微影工艺于所述反射区形成一栅极对应所述通道，以及于所述周边区形成一共通电极对应所述第二多晶硅图案，其中所述通道、所述源极、所述漏极、所述绝缘层与所述 栅极构成一薄膜晶体管，且所述第二多晶硅图案、所述共通电极及其间的所述绝缘层构成一储存电容；于所述绝缘层与所述第一层金属上形成一第一层间介电层，并利用一第 四道微影工艺于所述第一层间介电层中形成两开口，分别曝露出所述源极与 所述漏极；于所述第一层间介电层上形成一第二层金属，并利用一第五道微影工艺 于所述反射区形成一反射电极，以及于所述周边区形成一数据线，并使所述 数据线部分延伸至所述反射区，其中所述反射电极透过所述第一层间介电层 对应所述漏极的所述开口与所述漏极电性连接，而所述数据线于所述反射区 透过所述第一层间介电层对应所述源极的所述开口与所述源极电性连接；于所述第一层间介电层与所述第二层金属上形成一第二层间介电层，并 利用一第六道微影工艺于所述第二层间介电层中形成一开口，曝露出部分所 述第二层金属；以及于所述第二层间介电层上形成一透明导电层，并利用一第七道微影工艺 形成一穿透电极，所述穿透电极设置于所述穿透区并延伸至所述反射区与所 述穿透区的交界处，且所述穿透电极透过所述第二层间介电层的所述开口与 所述反射电极及所述漏极电性连接。
11. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，形成所述第一层间介电层 的步骤包括形成一无机介电层；以及于所述无机介电层上形成一感光有机介电层介电层。
12. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，在利用所述第四道微影工艺 于所述第一层间介电层中形成所述两开口的步骤中，包括利用一半色调掩膜 一并使所述反射区的所述感光有机介电层形成一起伏表面。
13. 如权利要求11所述的方法，其特征在于，所述方法另包括利用另掩膜使所述反射区的所述感光有机介电层形成一起伏表面。
14. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法另包括利用一激 光工艺使所述反射区的所述第一层间介电层形成一起伏表面。
15. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述穿透电极的步 骤中，另包括于所述反射区内形成一浮置的透明导电图案。
16. 如权利要求15所述的方法，其特征在于，在形成所述透明导电图案 的步骤中，另包括于所述透明导电图案中形成多条狭缝。
17. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，在形成所述穿透电极的步 骤中，另包括于所述穿透电极中形成多条狭缝。
18. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述方法另包括形成一缓 冲层于所述基板与所述多晶硅层之间。
19. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，利用所述第二道微影工艺 于所述第一多晶硅图案中形成所述通道，以及于所述通道的两侧形成所述源 极与所述漏极的步骤，是先于在所述第一多晶硅图案、所述第二多晶硅图案 与所述基板上形成所述绝缘层的步骤。
20. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，在所述第一多晶硅图案、所述第二多晶硅图案与所述基板上形成所述绝缘层的步骤，是先于利用所述 第二道微影工艺于所述第一多晶硅图案中形成所述通道，以及于所述通道的 两侧形成所述源极与所述漏极的步骤。
21. 如权利要求10所述的方法，其特征在于，所述基板另包含一周边电路区，且所述方法另包含于制作所述薄膜晶体管的步骤中，于所述周边电路 区内整合制作至少一控制元件。
22. 如权利要求21所述的方法，其特征在于，所述控制元件包括一NMOS 晶体管、一 PMOS晶体管或一 CMOS晶体管。
全文摘要
本发明提供一种半穿透半反射式液晶显示面板及其制作方法，该显示面板包括基板、第一多晶硅图案设于像素的反射区、第二多晶硅图案设于像素的周边区、绝缘层设置于第一多晶硅图案、第二多晶硅图案与基板上、栅极设于像素的反射区的绝缘层上、共通电极设于像素的周边区的绝缘层上、第一层间介电层设于绝缘层、栅极与共通电极上、反射电极设于第一层间介电层上、第二层间介电层设于第一层间介电层与反射电极上，以及穿透电极设置第二层间介电层上并透过第二层间介电层的开口与反射电极电性连接。第二多晶硅图案、共通电极及其间的绝缘层构成储存电容。反射电极设于薄膜晶体管的上方，可增加反射区的面积。储存电容设于数据线的下方，可提升开口率。
文档编号H01L21/70GK101295095SQ20081010936
公开日2008年10月29日 申请日期2008年6月2日 优先权日2008年6月2日
发明者杨敦钧, 陈昱丞 申请人:友达光电股份有限公司