专利名称：有源元件阵列基板的制造方法
技术领域：
本发明是有关于一种有源元件阵列基板以及其制造方法，且特别是有关于一 种应用于影像显示器的有源元件阵列基板以及其制造方法。
背景技术：
目前显示器的技术已发展出平面显示器，例如液晶显示器(Liquid Crystal Display, LCD)、有机发光二极管显示器(Organic Light Emitting Diode, OLED)以 及等离子显示器(Plasma Display Panel, PDP)等。然而，不管是哪一种平面显示 装置，其在制造过程中都必须进行检测以确定能够正常运作。
以薄膜晶体管液晶显示器(Thin Film Transistor LCD, TFT LCD)为例，其包 括一薄膜晶体管阵列基板(TFT array substrate)，而薄膜晶体管阵列基板在制造完 成之后必须对其像素以及信号线路，也就是扫描线与数据线进行检测，以确定薄膜 晶体管液晶显示器能正常运作。
图1A是已知的一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图，而图1B是图IA沿 线I-I'的剖面示意图。请先参阅图1A，薄膜晶体管阵列基板100的检测方法为短 路棒(shorting bar)检测法，而薄膜晶体管阵列基板100包括一基板110、多个像 素结构120、多条信号线路130、 一短路棒140以及多个接触结构150a与150b。
基板110具有一显示区112与一非显示区114，而这些信号线路130是由多条 扫描线132与多条数据线134所构成。这些信号线路130与这些像素结构120设置 于显示区112内，而短路棒140与这些接触结构150a、 150b配置于非显示区114 内。
请同时参阅图1A与图1B，在非显示区114中，还包括一铟锡氧化物层(Indium Tin Oxide layer, ITO layer) 160，其中这些接触结构150a位于铟锡氧化物层160与 短路棒140之间，而这些接触结构150b位于铟锡氧化物层160与这些数据线134 之间。因此，数据线134与短路棒140之间是透过铟锡氧化物层160与两个接触结
6构150a、 150b的设置而电性连接。
由于短路棒140透过这些接触结构150a、 150b以及铟锡氧化物层160间接地 电性连接这些数据线134。如此，当欲进行检测步骤时，可以透过短路棒140将测 试信号输入以检测这些数据线134，同时检测这些像素结构120是否能正常运作。 同样地，在扫描线132末端的部份也是透过短路棒(未绘示)来输入测试信号。
一般而言，数据线134与短路棒140的材质通常为金属，但是用以将数据线 134与短路棒140电性连接的铟锡氧化物层160的电阻系数远大于金属的电阻系 数。因此，短路棒140与这些数据线134之间存有较高的电阻。其次，每一数据线 134与短路棒140之间必须透过两接触结构150a、 150b来电性连接，因此会占据 基板110的有限面积。
发明内容
本发明提供一种有源元件阵列基板的制造方法，以降低有源元件阵列基板的 短路棒与多条信号线路之间的电阻。
本发明提供一种有源元件阵列基板的制造方法，以解决非显示区中接触结构 会占据许多面积的问题。
本发明提出一种有源元件阵列基板的制造方法。首先，提供一基板，其具有 一显示区以及一周边线路区。接着，在显示区中形成多个栅极以及与这些栅极连接 的多条扫描线，并且同时在周边线路区形成至少一第一短路棒。之后，形成一绝缘 层，其覆盖这些栅极、这些扫描线与第一短路棒。然后，形成一半导体材料层于绝 缘层上。接下来，在半导体材料层上形成一图案化光刻胶层，其中图案化光刻胶层 具有多个位于第一短路棒上方的第一开口，以暴露半导体材料层，而且位于这些栅 极上方的图案化光刻胶层的厚度大于位于其它部份的图案化光刻胶层的厚度。随 之，移除被这些第一开口所暴露半导体材料层与绝缘层，以形成多个第一接触孔。 之后，移除其它部份的图案化光刻胶层，以保留位于栅极上方的图案化光刻胶层。 接着，移除未被图案化光刻胶层所覆盖的半导体材料层，以定义出多个通道层。然 后，移除栅极上方的图案化光刻胶层。接下来，于显示区的绝缘层上形成多条数据 线，以及在每一个通道层上形成一源极与一漏极，且这些数据线延伸周边线路区并 会跨接第一短路棒，其中这些数据线会直接透过这些第一接触孔而连接第一短路棒°
在本发明一实施例中，还包括于绝缘层上形成一保护层(passivation layer)。 接着，于保护层上形成多个像素电极，其中这些像素电极电性连接这些漏极。
在本发明一实施例中，上述移除其它部份的图案化光刻胶层的方法包括对图 案化光刻胶层进行等离子灰化(ashing)制程。
在本发明一实施例中，上述形成这些第一接触孔的方法包括对半导体材料层
与绝缘层进行蚀刻制程。
在本发明一实施例中，这些扫描线延伸至周边线路区，而图案化光刻胶层更 具有多个位于周边线路区内与这些扫描线上方的第二开口，其暴露半导体材料层， 且上述的有源元件阵列基板的制造方法在形成图案化光刻胶层之后还包括，移除被 这些第二开口所暴露半导体材料层与绝缘层，以形成多个第二接触孔。接着，在移
除栅极上方的图案化光刻胶层之后，于周边线路区形成至少一第二短路棒，其中第 二短路棒与这些数据线同时形成，且第二短路棒会直接透过这些第二接触孔而连接
这些扫描线。
在本发明一实施例中，上述形成这些第一接触孔与这些第二接触孔的方法包 括对半导体材料层与绝缘层进行蚀刻制程。
在本发明一实施例中，上述形成半导体材料层的方法包括，首先，形成一通 道材料层于绝缘层上。接着，形成一欧姆接触材料层于通道材料层上。
在本发明一实施例中，上述移除未被图案化光刻胶层所覆盖的半导体材料层 的方法包括，首先，移除未被图案化光刻胶层所覆盖的该欧姆接触材料层。接着， 移除未被图案化光刻胶层所覆盖的通道材料层。
在本发明一实施例中，上述的有源元件阵列基板的制造方法在形成保护层之 前包括进行一反向通道蚀刻制程。
在本发明一实施例中，上述有源元件阵列基板的制造方法还包括，于保护层 上形成一平坦层(planarization layer)。接着，于平坦层上形成这些像素电极。
本发明另提出一种有源元件阵列基板的制造方法。首先，提供一基板，其具 有一显示区以及一周边线路区。接着，在显示区中形成多个栅极以及与这些栅极连 接的多条扫描线，其中这些扫描线延伸周边线路区。之后，形成一绝缘层，其覆盖 这些栅极与这些扫描线。然后，形成一半导体材料层于绝缘层上。接下来，在半导体材料层上形成一图案化光刻胶层，其中图案化光刻胶层具有多个位于周边线路区 内与这些扫描线上方的开口，其暴露半导体材料层，而且位于这些栅极上方的图案 化光刻胶层的厚度大于位于其它部份的图案化光刻胶层的厚度。随之，移除被这些 开口所暴露半导体材料层与绝缘层，以形成多个接触孔。接着，移除其它部份的图 案化光刻胶层，以保留位于栅极上方的图案化光刻胶层。之后，移除未被图案化光 刻胶层所覆盖的半导体材料层，以定义出多个通道层。然后，移除栅极上方的图案 化光刻胶层。接着，于显示区的绝缘层上形成多条数据线、多个源极、多个漏极与 至少一短路棒，其中短路棒会跨接延伸至周边线路区的这些扫描线，并且直接透过 这些接触孔而连接这些扫描线。之后，于绝缘层上形成一保护层。然后，于保护层 上形成多个像素电极，其中这些像素电极电性连接这些漏极。
在本发明一实施例中，上述移除其它部份的图案化光刻胶层的方法包括对图 案化光刻胶层进行等离子灰化制程。
在本发明一实施例中，上述形成这些接触孔的方法包括对半导体材料层与绝 缘层进行蚀刻制程。
在本发明一实施例中，上述形成半导体材料层的方法包括，形成一通道材料 层于绝缘层上。接着，形成一欧姆接触材料层于通道材料层上。
在本发明一实施例中，上述移除未被图案化光刻胶层所覆盖的半导体材料层 的方法包括，移除未被图案化光刻胶层所覆盖的欧姆接触材料层。接着，移除未被 图案化光刻胶层所覆盖的通道材料层。
在本发明一实施例中，上述有源元件阵列基板的制造方法在形成保护层之前 还包括进行一反向通道蚀刻制程。
在本发明一实施例中，上述有源元件阵列基板的制造方法还包括，于保护层 上形成一平坦层。接着，于平坦层上形成这些像素电极。
本发明的短路棒通过这些接触结构而得以直接连接于这些扫描线或这些数据 线，因此本发明能有效地降低短路棒与这些扫描线之间的电阻，或是降低短路棒与 这些数据线之间的电阻。如此，检测有源元件阵列基板的准确度得以提高。
此外，本发明还能减少短路棒电性连接这些扫描线与这些数据线所需的接触 结构的数量，所以有源元件阵列基板的周边线路区的面积得以縮小。
为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图，作详细说明如下。
图1A是已知一种薄膜晶体管阵列基板的俯视示意图。
图iB是图iA沿线i-r的剖面示意图。
图2A是本发明一实施例的有源元件阵列基板的俯视示意图。 图2B是图2A沿线J-J'的剖面示意图。
图3A至图3K是图2B中的有源元件阵列基板的制造方法的剖面示意图。
具体实施例方式
图2A是本发明一实施例的有源元件阵列基板的俯视示意图，图2B是图2A 沿线J-J'的剖面示意图。请同时参阅图2A与图2B，有源元件阵列基板200包括一 基板210、多个像素结构220、多条扫描线230a、多条数据线230b、至少一第一短 路棒240a以及多个第一接触结构250a。
基板210具有一显示区212与一周边线路区214，其中这些像素结构220、这 些扫描线230a与这些数据线230b皆配置于显示区212内，而第一短路棒240a与 这些第一接触结构250a皆配置于周边线路区214。此外，这些扫描线230a与这些 数据线230b电性连接这些像素结构220，以控制这些像素结构220。
这些扫描线230a与这些数据线230b延伸至周边线路区214，其中延伸至周边 线路区214的这些数据线230b会跨接第一短路棒240a。此外，在本实施例中，第 一短路棒240a的延伸方向与这些扫描线230a的延伸方向相同，而且第一短路棒 240a还可以与这些扫描线230a实质上平行，如图2A所示。
这些第一接触结构250a位于第一短路棒240a与这些数据线230b之间，并接 触第一短路棒240a与这些数据线230b。因此，第一短路棒240a得以透过这些第 一接触结构250a而电性连接这些数据线230b。
此外，这些第一接触结构250a的材质与这些数据线230b的材质相同，而且 其中一个第一接触结构250a以及与其连接的数据线230b还可以是一体成形。在本 实施例中，扫描线230a与数据线230b的材质为金属，而这些第一接触结构250a 的材质亦可以为金属。值得一提的是，虽然图2A与图2B只绘示一条第一短路棒240a，但是在其它 未绘示的实施例中，针对不同的产品需求，有源元件阵列基板200可以包括二条或 二条以上的第一短路棒240a。因此，在此强调，图2A所示的第一短路棒240a的 数量为举例说明，并非限定本发明。
各个像素结构220可包括一有源元件222以及一像素电极224，且在同一个像 素结构220中，有源元件222电性连接像素电极224。有源元件222例如是薄膜晶 体管，且可包括一通道层C、 一栅极G、 一漏极D以及一源极S，如图2B所示。 此外，有源元件222还可包括一欧姆接触层O，其位于通道层C上。
在本实施例中，有源元件阵列基板200还包括至少一第二短路棒240b以及多 个第二接触结构250b，其中第二短路棒240b与这些第二接触结构250b皆配置于 周边线路区214内。第二短路棒240b会跨接延伸至周边线路区214的这些扫描线 230a，而这些第二接触结构250b位于第二短路棒240b与这些扫描线230a之间。
这些第二接触结构250b会接触第二短路棒240b以及这些扫描线230a。因此， 通过这些第二接触结构250b，第二短路棒240b得以直接电性连接这些扫描线230a。 另外，在本实施例中，第二短路棒240b的延伸方向与这些数据线230b的延伸方向 相同，而且第二短路棒240b更可以与这些数据线230b实质上平行。
此外，这些第二接触结构250b的材质与第二短路棒240b的材质相同，而且 第二短路棒240b与这些第二接触结构250b还可以是一体成形。在本实施例中，第 二短路棒240b的材质可以是金属，而这些第二接触结构250b的材质亦可以是金属。
虽然图2A与图2B只绘示一条第二短路棒240b。但是，在其它未绘示的实施 例中，有源元件阵列基板200可以包括二条或二条以上的第二短路棒240b。因此， 图2A与图2B所示的第二短路棒240b的数量仅为举例说明，并非限定本发明。
另外， 2A与图2B所示的有源元件阵列基板200 仅是举例说明，并非限定本发明。
以上仅介绍本实施例的有源元件阵列基板200的结构。接下来，将配合图3A至图3K，对有源元件阵列基板200的制造方法进行详细的说明。
图3A至图3K是图2B中的有源元件阵列基板的制造方法的剖面示意图。请 参阅图3A，首先，提供一基板210，其中基板210具有显示区212以及周边线路 区214。
接着，在显示区212中形成多个栅极G以及与这些栅极G连接的这些扫描线 230a (图3A至图3K仅绘示一个栅极G与一条扫描线230a)，并且同时在周边线 路区214内形成至少一条第一短路棒240a。
请参阅图3B，之后，形成一绝缘层260，其覆盖这些栅极G、这些扫描线230a 与第一短路棒240a。绝缘层260可以由二氧化硅、氮化硅或其它绝缘材料所制成。
请同时参阅图3C与图3D，接着，形成一半导体材料层270于绝缘层260上， 其中半导体材料层270的材质可以是非晶硅(amorphous-silicon, a-Si)、多晶硅 (polysilicon)或其它适当的半导体材料。
另外，在本实施例中，半导体材料层270可包括一通道材料层C'以及一欧姆 接触材料层O'，而形成半导体材料层270的方法可以包括以下步骤。首先，形成 通道材料层C，于绝缘层260上(如图3C所示)。接着，形成欧姆接触材料层O， 于通道材料层C，上(如图3D所示)，其中欧姆接触材料层O，的材质可以是N型 掺杂的半导体材料。
请参阅图3E，接下来，在半导体材料层270上形成一图案化光刻胶层280， 其中位于这些栅极G上方的图案化光刻胶层280的厚度大于位于其它部份的图案 化光刻胶层280的厚度。也就是说，图案化光刻胶层280的厚度并非相同。
此外，图案化光刻胶层280具有多个位于第一短路棒240a上方的第一开口 282 (图3E与图3F仅绘示一个)。这些第一开口 282会暴露半导体材料层270，例如 这些第一开口 282会暴露欧姆接触材料层0'。
形成图案化光刻胶层280的方法有很多种，而在此提出其中一种图案化光刻 胶层280的形成方法。图案化光刻胶层280可通过以一光掩膜300为掩膜所进行的 曝光及显影制程来形成，而光掩膜300具有至少一透光区302、至少一部份透光区 304以及至少一不透光区306，其中部份透光区304的透光率介于不透光区306与 透光区302的透光率之间。因此，光掩膜300可以是半调式(half-tone)光掩膜或 是其它与光掩膜300结构相似的光掩膜。图案化光刻胶层280的材质可以是正型光刻胶(positivephotoresist)或是负型 光刻胶(negativephotoresist)，而图3E所示的图案化光刻胶层280是以正型光刻 胶为例。因此，图案化光刻胶层280在对应透光区302的部份会形成这些第一开口 282，而图案化光刻胶层280在对应不透光区306的部份具有较厚的厚度。
另外，在本实施例中，图案化光刻胶层280更具有多个位于周边线路区214 内与这些扫描线230a上方的第二开口 284 (图3E与图3F仅绘示一个)。这些第 二开口 284会暴露半导体材料层270，例如这些第二开口 284会暴露欧姆接触材料 层O，。
请同时参阅图3E与图3F，接着，移除被这些第一开口 282所暴露的半导体 材料层270与绝缘层260，以形成多个第一接触孔252a。形成这些第一接触孔252a 的方法可以是对半导体材料层270与绝缘层260进行蚀刻制程。
当形成这些第一接触孔252a时，被这些第二开口 284所暴露半导体材料层270 与绝缘层260亦可以同时移除，以形成多个第二接触孔252b，而形成这些第二接 触孔252b的方法可以与第一接触孔252a相同。也就是说，这些第二接触孔252b 可以是蚀刻半导体材料层270与绝缘层260而形成。
请同时参阅图3F与图3G，之后，移除其它部份的图案化光刻胶层280，以保 留位于栅极G上方的图案化光刻胶层280。如此，部份半导体材料层270会暴露出 来。在本实施例中，移除其它部份图案化光刻胶层280的方法可以是对图案化光刻 胶层280进行等离子灰化制程。
请同时参阅图3G与图3H，接着，移除未被图案化光刻胶层280所覆盖的半 导体材料层270，以定义出多个通道层C (图3H仅绘示一个)及欧姆接触层O。 在本实施例中，移除被图案化光刻胶层280所暴露的半导体材料层270的方法包括， 首先，移除未被图案化光刻胶层280所覆盖的欧姆接触材料层O'，以定义出欧姆 接触层O以及暴露出通道材料层C'。接着，移除未被图案化光刻胶层280所覆盖 的通道材料层C'，以定义出通道层C。
请同时参阅图3H与图31，之后，移除栅极G上方的图案化光刻胶层280。接 着，于显示区212的绝缘层260上形成多条数据线230b、多个源极S与多个漏极 D (图3I至图3K仅绘示一个源极S、 一个漏极D以及一条数据线230b)。如此， 这些有源元件222已制造完成。此外，这些数据线230b延伸至周边线路区214，并会跨接第一短路棒240a。
请参阅图31，这些数据线230b会直接透过这些第一接触孔252a而连接第一 短路棒240a。详细而言，这些数据线230b会延伸至这些第一接触孔252a内，而 这些第一接触结构250a会分别形成于这些第一接触孔252a内，其中这些第一接触 结构250a的材质与这些数据线230b相同，而且这些第一接触结构250a与这些数 据线230b可以同时形成。
另外，当形成这些数据线230b、这些源极S与这些漏极D时，同时至少一条 第二短路棒240b亦会形成于周边线路区214内。也就是说，第二短路棒240b与这 些数据线230b同时形成。第二短路棒240b会直接透过这些第二接触孔252b而连 接这些扫描线230a，而这些第二接触结构250b会分别形成于这些第二接触孔252b 内。第二短路棒240b与这些第二接触结构250b的材质相同，而且第二短路棒240b 与这些第二接触结构250b可以同时形成。
请参阅图3J，在这些数据线230b、这些源极S与漏极D以及第二短路棒240b 形成之后，可以进行一反向通道蚀刻制程。详细而言，利用等离子蚀刻的方式来移 除位于源极S与漏极D之间的一部份欧姆接触层O。如此，源极S不会直接电性 连接于漏极D，以确保这些有源元件222的运作正常。接着于绝缘层260上形成一 保护层292，其中保护层292可以是氮化硅、二氧化硅或其它适当的绝缘材料，且 保护层292覆盖这些数据线230b、这些源极S与漏极D以及第二短路棒240b。
请参与图3K，接着，在一实施例中，可以更于保护层292上形成一平坦层294， 其中平坦层294可以是由聚合物(polymer)或是其它高分子材料所形成。
接下来，于保护层292上形成多个像素电极224 (图3K仅绘示一个)，其中 这些像素电极224电性连接这些漏极D。详细而言，平坦层294具有多个暴露这些 漏极D的接触孔294a，而这些像素电极224会延伸至这些接触孔294a内，并连接 这些漏极D。在这些像素电极224形成之后，基本上有源元件阵列基板200已制造 完成。
值得注意的是，由于本实施例的有源元件阵列基板200可以仅包括至少一条 第一短路棒240a，而未包括任何第二短路棒240b，或者是，有源元件阵列基板200 可以仅包括至少一条第二短路棒240b，而未包括任何第一短路棒240a，因此图3A 至图3K所示的有源元件阵列基板200的制造方法可以未包括制造第一短路棒240a 14或第二短路棒240b的相关流程。
再者，熟悉本发明的技术领域者可以从图3A至图3K以及上述的说明中得知 如何制造未包括第一短路棒240a或第二短路棒240b的有源元件阵列基板200。因 此，在此强调图3A至图3K所示的有源元件阵列基板200的制造方法仅为举例说 明，并非限定本发明。
综上所述，通过这些第一接触结构，第一短路棒得以直接连接这些数据线， 而通过这些第二接触结构，第二短路棒得以直接连接这些扫描线。相较于已知技术 而言，第一短路棒与这些数据线之间存有非常低的电阻，而第二短路棒与这些扫描 线之间也同样存有非常低的电阻。如此，本发明能提高检测有源元件阵列基板的准 确度，并且避免检测结果因电阻太大而受到影响。
此外，由于第一短路棒是透过这些第一接触结构而直接连接这些数据线，而
第二短路棒是透过这些第二接触结构而直接连接这些扫描线，因此，相较于已知技
术，本发明的有源元件阵列基板具有较少的接触结构。由此可知，本发明能减少短
路棒(即第一短路棒与第二短路棒)电性连接这些扫描线与这些数据线所需的接触
结构的数量，而使显示区的面积得以进一步地增加。
虽然本发明已以实施例揭露如上，然其并非用以限定本发明，任何所属技术 领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许更动与润饰，
因此本发明的保护范围当以权利要求所界定的为准。
权利要求
1.一种有源元件阵列基板的制造方法，包括提供一基板，该基板具有一显示区以及一周边线路区；在该显示区中形成多个栅极以及与该些栅极连接的多条扫描线，并且同时在周边线路区形成至少一第一短路棒；形成一绝缘层，其覆盖该些栅极、该些扫描线与该第一短路棒；形成一半导体材料层于该绝缘层上；在该半导体材料层上形成一图案化光刻胶层，其中该图案化光刻胶层具有多个位于该第一短路棒上方的第一开口，以暴露该半导体材料层，而且位于该些栅极上方的该图案化光刻胶层的厚度大于位于其它部份的该图案化光刻胶层的厚度；移除被该些第一开口所暴露该半导体材料层与该绝缘层，以形成多个第一接触孔；移除其它部份的该图案化光刻胶层，并保留位于该栅极上方的该图案化光刻胶层；移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该半导体材料层，以定义出多个通道层；移除该些栅极上方的该图案化光刻胶层；于该显示区的该绝缘层上形成多条数据线，以及在每一个通道层上形成一源极与一漏极，且该些数据线延伸该周边线路区并会跨接该第一短路棒，其中该些数据线会直接透过该些第一接触孔而连接该第一短路棒；
2. 如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括: 于该绝缘层上形成一保护层；以及于该保护层上形成多个像素电极，其中该些像素电极电性连接该些漏极。
3. 如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，移除其 它部份的该图案化光刻胶层的方法包括对该图案化光刻胶层进行等离子灰化制程。
4. 如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，形成该 些第一接触孔的方法包括对该半导体材料层与该绝缘层进行蚀刻制程。
5. 如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，该些扫 描线延伸至该周边线路区，而该图案化光刻胶层还具有多个位于该周边线路区内与该些扫描线上方的第二开口，其暴露该半导体材料层，且在形成该图案化光刻胶层 之后，还包括移除被该些第二开口所暴露该半导体材料层与该绝缘层，以形成多个第二接 触孔；以及在移除该栅极上方的该图案化光刻胶层之后，于该周边线路区形成至少一第 二短路棒，其中该第二短路棒与该些数据线同时形成，且该第二短路棒会直接透过该些第二接触孔而连接该些扫描线。
6. 如权利要求5所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，形成该 些第一接触孔与该些第二接触孔的方法包括对该半导体材料层与该绝缘层进行蚀 刻制程。
7. 如权利要求1所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，形成该 半导体材料层的方法包括形成一通道材料层于该绝缘层上；以及 形成一欧姆接触材料层于该通道材料层上。
8. 如权利要求7所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，移除未 被该图案化光刻胶层所覆盖的该半导体材料层的方法包括移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该欧姆接触材料层；以及 移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该通道材料层。
9. 如权利要求2所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成 该保护层之前，还包括进行一反向通道蚀刻制程。
10. 如权利要求2所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括 于该保护层上形成一平坦层；以及于该平坦层上形成该些像素电极。
11. 一种有源元件阵列基板的制造方法，包括 提供一基板，该基板具有一显示区以及一周边线路区；在该显示区中形成多个栅极以及与该些栅极连接的多条扫描线，其中该些扫 描线延伸该周边线路区；形成一绝缘层，其覆盖该些栅极与该些扫描线； 形成一半导体材料层于该绝缘层上；在该半导体材料层上形成一图案化光刻胶层，其中该图案化光刻胶层具有多 个位于该周边线路区内与该些扫描线上方的开口，其暴露该半导体材料层，而且位 于该些栅极上方的该图案化光刻胶层的厚度大于位于其它部份的该图案化光刻胶 层的厚度；移除被该些开口所暴露该半导体材料层与该绝缘层，以形成多个接触孔； 移除其它部份的该图案化光刻胶层，以保留位于该栅极上方的该图案化光刻胶层；移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该半导体材料层，以定义出多个通道层； 移除该些栅极上方的该图案化光刻胶层；于该显示区的该绝缘层上形成多条数据线与至少一短路棒，以及在每一个通 道层上形成一源极与一漏极，其中该短路棒会跨接延伸至该周边线路区的该些扫描 线，并且直接透过该些接触孔而连接该些扫描线；
12. 如权利要求11所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括于该绝缘层上形成一保护层；以及于该保护层上形成多个像素电极，其中该些像素电极电性连接该些漏极。
13. 如权利要求11所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，移除 其它部份的该图案化光刻胶层的方法包括对该图案化光刻胶层进行等离子灰化制程。
14. 如权利要求11所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，形成 该些接触孔的方法包括对该半导体材料层与该绝缘层进行蚀刻制程。
15. 如权利要求11所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，形成 该半导体材料层的方法包括形成一通道材料层于该绝缘层上；以及 形成一欧姆接触材料层于该通道材料层上。
16. 如权利要求15所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，移除 未被该周案化光刻胶层所覆盖的该半导体材料层的方法包括移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该欧姆接触材料层；以及 移除未被该图案化光刻胶层所覆盖的该通道材料层。
17. 如权利要求12所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，在形成该保护层之前，还包括进行一反向通道蚀刻制程。
18. 如权利要求12所述的有源元件阵列基板的制造方法，其特征在于，还包括于该保护层上形成一平坦层；以及 于该平坦层上形成该些像素电极。
全文摘要
本发明公开了一种有源元件阵列基板的制造方法。首先，在基板的显示区中形成多个栅极与多条扫描线。在基板的周边线路区中形成至少一短路棒。接着，依序形成一绝缘层与一半导体材料层于基板上。接着，在半导体材料层上形成一图案化光刻胶层。接着，移除部分半导体材料层与部分绝缘层，以形成多个接触孔。移除部分图案化光刻胶层。移除部分半导体材料层，以定义出多个通道层。移除图案化光刻胶层。接着，形成多条数据线。在各个通道层上形成一源极与一漏极。这些数据线从显示区延伸至周边线路区，并经由这些接触孔连接短路棒。
文档编号H01L21/70GK101621038SQ200810127928
公开日2010年1月6日 申请日期2008年7月1日 优先权日2008年7月1日
发明者张锡明 申请人:中华映管股份有限公司