有机发光装置的制作方法

专利名称：有机发光装置的制作方法
技术领域：
本发明的各方面涉及一种有机发光装置，更具体地涉及通过加入用于形 成电子传输层的新材料而增强电子注入能力来改善驱动电压、发光效率和寿 命的有机发光装置。
背景技术：
有机发光装置为自发光显示装置，由于视角广、对比度优异和响应速度 快等特点，已引起广泛关注。
有机发光装置通常包括阳极、阴极、以及阳极和阴极之间的有机发光层。 作为非限制性实例，可以通过在玻璃基板上形成由诸如ITO (氧化铟锡)等 透明导电材料组成的阳极，并在其上沉积空穴注入层、空穴传输层、发光层、 电子传输层和阴极来制造有机发光装置。
在由上述的沉积层组成的有机发光装置中，在阳4及和阴才及之间施加直流 电压时，空穴从阳极注入，电子从阴极注入。空穴通过空穴注入层和空穴传 输层被传输到发光层，电子经过电子传输层被传输到所述发光层。然后，在 发光层内通过空穴和电子再结合发光。
通常使用诸如三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)等材料形成电子传输层。然 而，用至今为止已知的电子传输材料来形成电子传输层时，由于其在电子注 入过程中形成的势垒(barrier),通常必须增加电压来达到特定亮度。因此，希望开发新的电子传输材料。

发明内容
本发明的各方面提供了一种有机发光装置，该装置除了降低功耗，还改 善了驱动电压特性、发光效率和寿命，这是因为增强的电子注入能力使得用 于得到特定亮度所需的电压降低。
根据本发明的一个实施方式，提供了一种有机发光装置，该装置包括电 子传输层，该电子传输层包括电子传输材料和由以下的通式1所表示的金属
化合物
XaYb 通式1
其中X为碱金属、碱土金属或者过渡金属；Y为VII族元素或者Cl~ C20的有机基团之一；a为l 3的整数；且b为l 3的整数。
根据本发明的另一实施方式，提供了一种有机发光装置，该装置包括含 有第一传输材料的第一电子传输层、含有第二传输材料和由以下的通式1所 表示的金属化合物的第二电子传输层
XaYb 通式1
其中X为石威金属、石威土金属或者过渡金属；Y为VII族元素或者C1 C20的有机基团之一；a为l 3的整数；且b为l 3的整数。
根据本发明的各方面，该有机发光装置除了上述的电子传输层以外，还 具有包括第一电极、空穴传输层、发光层和第二电极的结构。而且，根据本 发明的各方面，该有机发光装置在第一电极和第二电极之间，具有包括形成 双层结构的第一电子传输层和第二电子传输层、空穴传输层和发光层的结 构。根据本发明的各方面，该有机发光装置还可以包括空穴注入层。
在以下的说明书中将会部分地阐述本发明的其它方面和/或优点，其部 分是从说明书中可显而易见的，或者可以通过本发明的实践而了解。


从以下结合附图对实施方式的描述中，本发明的这些和/或其它方面和 优点会变得显而易见并更容易理解。
图1为表示根据本发明的一个实施方式的有机发光装置的沉积结构的
示意图2为表示根据本发明的另一个实施方式的有机发光装置的沉积结构 的示意图3为表示实施例l和对比例1的有机发光装置的功效相对于电流密度 的曲线图4为表示实施例2和对比例1的有机发光装置的电流密度相对于电压 的曲线图5为表示实施例2和对比例1的有机发光装置的电流效率相对于电流 密度的曲线图6为表示实施例3和对比例1的有机发光装置的电流密度相对于电压 的曲线图7为表示实施例3和对比例1的有机发光装置的亮度相对于电压的曲 线图8为表示实施例4和对比例1的有机发光装置的功效(power efficiency)
相对于亮度的曲线图9为表示实施例4和对比例1的有机发光装置的电流密度(V-I)相 对于电压的曲线图；和
图10为表示实施例4和对比例1的有机发光装置的亮度(V-L)相对 于电压的曲线图。
具体实施例方式
现在将详细描述本发明的实施方式，其实施例将结合附图进行说明，其中，相同的附图标记在全文中指代相同的元件。为了说明本发明，下面参考 附图对实施方式进行描述。
在高效率有机发光装置的实现中，发光层内的电荷平衡非常重要。在多
数的(multiple)载流子为空穴(+ )的结构中，希望能够控制电子(-)的 电荷流密度。所以，根据本发明的各方面，将使用由以下的通式1所表示的 金属化合物和电子传输材料来形成电子传输层
XaYb 通式1
其中X为碱金属、碱土金属或者过渡金属；Y为VII族元素或者Cl ~ C20的有机基团之一；a为l-3的整数；且b为l 3的整数。
作为非限制性实例，通式1的X可以为锂、铯、钠、钡、镁或者镱，Y 可以为喹啉-8-氧基(quinolate )、乙酰乙酸根(acetoacetate )或者卣素离子。
作为非限制性实例，由上面的通式1所表示的金属化合物可以为8-羟基 会啉锂、8-羟基会啉钠、乙酰乙酸锂、乙酰乙酸4美、氟化锂、氟化铯或者氟 化钠。
通式1所表示的金属化合物的含量，相对于100重量份电子传输层 (ETL),可以为20 60重量份，尤其是25 - 50重量份。相对于100重量 份ETL，电子传输材料的含量可以为40~80重量份，尤其是50~75重量份。 如果通式1的金属化合物的含量低于以上给出的范围，则由于金属化合物的 存在所提供的附加效果可能会非常低。
根据本发明的各方面的有机发光装置不需要单独的电子注入层来促使 电子注入。
而且，除了上述的ETL，该有机发光装置可以进一步包括另一个ETL， 所述另一个ETL包括在800 ~ 1000 ( V/cm) 1/2的电场下的电子迁移率高于 或者等于l(T8cm/V的电子传输材料。例如，根据本发明的各方面的有机发 光装置可以包括含有第一电子传输材料的第一电子传输层(ETL1)和含有 第二电子传输材料和通式1所表示的金属化合物的第二电子传输层(ETL2 )。提供这种ETL的双层结构时，与使用单层的ETL相比，有可能得到更 加匹配的电子注入。因此，由于特定亮度所需的电压降低，从而使功耗大大 降低。
金属化合物和第二电子传输材料在ETL2中的相对量可以与单层ETL 的相对量相同。具体来说，相对于100重量份的ETL2,通式1所表示的金 属化合物的含量可以为20~60重量份，尤其是25~50重量份。相对于100 重量份的ETL2，电子传输材料的含量可以为40- 80重量份，尤其是50 ~ 75重量份。
第一电子传输材料具有高于或者等于l(T8cm/V的电子迁移率。作为非 限制性实例，第一电子传输材料的电子迁移率在800- 1000 (V/cm) 1/2的电 场下可以为104~ l(T8cm/V。第一电子传输材料的具体实施例包括双(10-羟 基苯并[h]p套啉铍(bis(10-hydroxybenzo[h]quinoline) beryllium, Bebq2)、 8-羟基喹啉锌(Znq2)或者三(8-羟基喹啉)铝(Alq3)。
第二电子传输材料可以具有与ETL1中的第一电子传输材料(高于或者 等于10-Scm/V)相同的电子迁移率，而且第一和第二电子传输材料可以具有 相同或者不同的成分。例如，从电荷迁移率的观点来看，提供具有相同组分 的第一电子传输材料和第二电子传输材料是有利的。ETL1和ETL2的厚度 比可以为1:1 ~ 2:1。
根据本发明实施方式的有机发光装置可以具有如图l或者图2所示的沉 积结构。
参照图1，在基板上分别形成第一电极、空穴注入层(HIL)和空穴传 输层(HTL)。如果需要的话，可以省略HIL。在HTL的暴露面上，形成 发光层(EML)和包括电子传输材料和上述通式1所表示的金属化合物的 ETL。 Bebq2和LiF分别为所述电子传输材料和通式1的金属化合物的非限 制性实例。在ETL的暴露面上布置第二电极。
图2所示的有机发光装置可以与图1的有机发光装置以同样的方式形成，只是图2所示的有机发光装置形成第一和第二电子传输层。参照图2， 在基板上分别形成第一电极、HIL和HTL。如果需要的话，可以省略HIL。 在HTL的暴露面上，形成发光层(EML)、包括第一电子传输材料的第一 电子传输层(ETL1)、以及包括第二电子传输材料和上述的通式1所表示 的金属化合物的第二电子传输层(ETL2)，并在ETL2的暴露面上沉积第二 电极。
如图2所示的具有沉积结构的有机发光装置中，ETL1具有控制电荷运 动速度的作用，ETL2具有降低电子注入势垒的作用。
作为非限制性实例，ETL的第一电子传输材料可以为Bebq2、 Alq3或 者Znq2。
ETL2包括第二电子传输材料和通式1所表示的介电金属化合物 (dielectric metallic compound )。
作为非限制性实例，对于所述金属化合物可以使用LiF、 BaF、 CsF、 NaF或者8-羟基壹啉锂(Liq),对于第二电子传输材料可以使用Bebq2、 Znq2或者Alq3。
如图l和图2所示，对于本发明的有机发光装置，电子注入层并不是必 需的。
以下，对根据本发明的一个实施方式制造有机发光装置的方法进行更详 细地说明。首先，在基板的顶面上沉积用于第一电极、即阳极的材料来形成 阳极。该基板可以包括通常用于有机发光装置的任何材料。例如，该基板可 以为具有透明度优异、表面光滑、易于使用和防水等特性的玻璃基板或者透 明塑料基板。对于阳极材料，可以使用诸如氧化铟锡(ITO )、氧化铟锌(IZO )、 二氧化锡(Sn02)或者氧化锌(ZnO)等导电性优异的透明材料。
将空穴注入材料真空蒸镀或者旋涂到阳极上来选择性形成HIL。作为空 穴注入材料的非限制性实例，可以使用在美国专利NO.4,356,429中公开说 明的诸如铜酞菁等酞菁化合物或者诸如TCTA、 m-MTDATA或m-MTDAPB等在爿dv""cd MafenW，Vol.6，p.677(1994)中描述的星暴型胺衍生物。HIL的 厚度可以在2 100nm的范围内。在此范围内，作为具体的非限制性实例可 以选择10nm。如果HIL的厚度低于2nm，则HIL可能会太薄而不能完成空 穴注入，而且如果HIL的厚度超过100nm, HIL的导电性可能会降^f氐。
在HIL的暴露面上，可以通过诸如真空沉积、旋涂、浇铸或者 Langmuir-Blodgett (LB)技术等方法用空穴传输材料形成HTL。例如，可 以使用真空沉积法，因为用这种方法可以4艮容易地得到均匀的薄膜，而不容 易形成气泡。当用真空沉积法形成HTL时，沉积的条件可以依据使用的化 合物而改变，但通常选择与形成HIL所使用的沉积条件相同的沉积条件。 HTL的材料不限于任何特定材料。作为非限制性实例，可以使用]^，:^'-双(3-曱基苯基)->^^-二苯基-[1，1-联苯基]-4,4'二胺(丁？0)和]^,;^'-二(萘-1-基)"^:^'-二苯基联苯胺(a-NPD)。
接着，在HTL的暴露面上形成发光层。可以使用真空沉积、旋涂、浇 铸或者LB技术等来形成发光层。用于发光层的材料不局限于任何特定材料。 作为非限制性实例，作为用于发光层的材料，可以使用噁二唑二聚物染料 (Bis-DAPOXP)、螺环化合物(Spiro-DPVBi、 Spiro-6P)、三芳基胺化合 物、二苯乙烯基胺(DPVBi、 DSA) 、 4,4，-双(9-乙基-3-呼唑次亚乙烯基)-1，1，國 联苯(4,4，-bis(9-ethyl-3-carbazovinylene)誦l，l,-biphenyl ) (BCzVBi)、 菲、 2，5，8，11-四叔丁基菲(TPBe)、 911-呼唑-3,3，-(1，4-亚苯基-二-2,1-乙烯二基)-双 陽[9匿乙基-(9C)] ( 9H-carbazole-3,3，-(l,4-phenylene-di-2,l-ethene-diyl)-bis-[9-ethyl-(9C)] ) (BCzVB)、 4，4，-双[4-(二-p-曱苯基氨基)-苯乙烯基]-联苯 (DPAVBi)、 4-(二-p-曱苯基氨基)-4，-[二-p-曱苯基氨基]苯乙烯基]芪 (DPAVB)、 4,4，-双[4-(二苯基氨基)苯乙烯基]联苯(BDAVBi)、双(3,5-二氟 -2-(2-吡啶基)苯基-(2-羧基吡啶基)铱III (FIrPic)等用于蓝色发光层；可以将 3-(2-苯并噻唑基)-7-(二乙基氨基)香豆素(香豆素6)、 2,3,6,7-四氢化-1，1,7,7-四曱基-lH, 5H, 11H-10-(2-苯并噻唑基)喹"秦并-[9, 9a， lgh]香豆素(C545T)、N，N，-二曱基-喹吖啶酮(DMQA)、三(2-苯基吡啶)铱(ni) (Ir(ppy)3)等用于绿 色发光层；可以将四苯基萘并萘(红荧烯)、三(l-苯基异喹啉)铱(III)(Ir(piq)3)、 双(2-苯并[b]噻吩-2-基-吡啶乙酰丙酮化铱(m)(bis(2-benzo[b]thiophene-2-yl誦 pyridine acetylacetonate iridium (III), Ir(btp)2(acac))、三(二苯曱酰曱烷)菲咯啉 铕(HI)(Eu(dbm)3(phen))、三[4，4，-二 -叔丁基-(2，2，)-联吡啶]钌(III)络合物 (Ru(dtb-bpy)3*2(PF6))、 DCM1、 DCM2、铕(瘗吩曱酰三氟丙酮)3( Eu(TTA)3)、 丁基-6-(l，l，7，7-四曱基久洛尼定基-9-烯基)-4H-吡喃(DCJTB )等用于红色发 光层。此外，对于高分子发光材料可以包括诸如苯撑、亚苯基乙烯撑、噻吩、 芴、螺环芴和含氮芳香化合物等高分子，但不限于此。
发光层的厚度可以为10- 500nm，优选50 ~ 120nm。作为具体的非限制 性实例，蓝色发光层的厚度可以为70nm。如果发光层的厚度低于10nm，漏 电流可能会增加，由此会降低所述发光装置的效率和寿命，如果发光层的厚 度高于500nm,可能会增加所不希望的驱动电压的增长率。
在某些情况下，在制备发光层时可以向发光层主体材料添加发光掺杂 剂。作为非限制性实例，三(S-羟基喹啉)铝(Alq3)、 9,10-二(萘J-基)蒽(ADN)、 3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽(TBADN)、 4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-1-基)-4,4，-二曱基苯基(DPVBi)、 4，4，-双(2，2-二苯基-乙烯-l-基)-4，4，-二曱基苯基 (p-DMDPVBi)、叔-9,9-二芳基芴(TDAF)、 2-(9，9，-螺二芴-2-基)-9,9，-螺二芴 (BSDF)、 2，7-双(9,9，-螺二芴-2-基)-9,9，-螺二芴(TSDF)、双-9,9-二芳基芴 (BDAF)、 4，4，-双(2,2-二苯基1-乙烯-l-基)-4,4，-二(叔丁基)苯基(p-TDBVBi)等 可以作为荧光发光主体材料使用，1,3-双(咔唑-9-基)苯(mCP)、 1,3,5-三(咔唑 —9-基)苯(tCP)、 4，4,，4，，-三(呻唑-9-基)三苯胺(TcTa)、 4,4，-双(咔唑-9-基)联苯 (CBP)、 4，4，-双(9-咔唑基)-2,2，-二曱基-联苯(CBDP)、 4,4，-双(咔唑-9-基)-9，9-二曱基-芴(DMFL-CBP) 、 4,4，-双(咔唑-9-基)-9,9，-双(9-苯基-9H-咔唑)芴 (FL-4CBP)、 4,4，-双(咔唑-9-基)-9,9，-二-曱苯基-芴(DPFL-CBP)、 9,9-双(9-苯 基-9H-呼唑)芴(FL-2CBP)、 9,10-二(萘-2-基)蒽(ADN)、 3-叔丁基-9,10-二(萘國2-基)蒽(TBADN)等可以作为磷光发光主体材料使用。
该掺杂剂含量可以依据发光层形成材料而改变，但是通常相对于发光层 形成材料(主料和掺杂剂的总重量)的100重量份，掺杂剂含量可以为3~ 80重量份。如果掺杂剂含量超出此范围，发光(EL)装置的发光性能可能 被降低。作为具体的非限制性实例，DPAVBi(4,4，-双[4-(二-p-甲苯基氨基)-苯乙烯基]-联苯)可以用作掺杂剂，ADN(9，10-二(萘-2-基)蒽)或者TBADN(3-叔丁基-9，10-二(萘-2-基)蒽)可以用作磷光主料(见以下化合物)。
<formula>formula see original document page 14</formula>
接着，通过真空沉积法来沉积电子传输材料和上述的通式1所表示的金 属化合物来形成ETL。对于电子传输材料可以使用在800- 1000 ( V/cm) 1/2 的电场下电子迁移率高于l(T8cm/V、尤其是电子迁移率为1(T4~ l(T8cm/V的 电子传输材料。如果ETL的电子迁移率低于l(T8cm/V，电子注入发光层的 速率可能不够，从电荷平衡方面考虑，这是不希望的情形。
对于ETL形成材料可以使用以下的化学式2所表示的双(10-羟基苯[h] 喹啉)铍(Bebq2)、其衍生物、8-羟基喹啉锌(Znq2 )或者8-羟基喹啉铝(Alq3 )。化学式2:
<formula>formula see original document page 15</formula>
虽然本发明的各方面没有在其中形成电子注入层就提供了优异的电子 注入能力，但是沉积由有助于促进电子从阴极注入到ETL的材料组成的电 子注入层还是会明显提高其电子注入能力。
用于形成电子注入层的材料可以为LiF、 NaCl、 CsF、 Li20和BaO等。 ETL和电子注入层的沉积条件可以依据使用的化合物而改变，但通常选择与 形成HIL所使用的沉积条件相同的沉积条件。
最后，在电子注入层的暴露面上通过真空沉积或者賊射沉积适宜用于形 成阴极的金属来形成第二电极(阴极)。可以用于形成阴极的材料包括具有 低功函的金属、合金、导电化合物或者它们的混合物。锂(Li)、镁(Mg)、 铝(Al)、铝-锂(Al-Li)、钩(Ca) 、 4美國铟(Mg-In) 、 4美-4艮(Mg-Ag) 等为阴极材料的具体实例。此外，为了得到前部面板发光装置，可以使用利 用ITO和IZO的透射型(transmission-type )阴极。
现在将会对根据本发明的另一实施方式的制造有机发光装置的方法进 行说明。如图2所示，利用与之前所述用于制造包括单层ETL的有机发光 装置同样的方法来制造包括双层ETL的有机发光装置，区别在于先通过 真空沉积法在EML的暴露面上沉积第一电子传输材料来形成ETL1,然后再 通过真空沉积法在ETL1的暴露面上沉积第二电子传输材料和上述通式1所 表示的金属化合物来形成ETL2。此。
实施例1:有机发光装置的制造
对于阳极，将Corning的15Q/cm2 ( 1200 A)的ITO玻璃基板切为 50mmx50mmx0.7mm大小，分别在异丙醇和去离子水中各用超声波洗5分 钟，然后用紫外线臭氧处理30分钟。
在基板的顶面上，用铜酞菁(CuPc)形成厚度为5nm的HIL。 在HIL的顶部，通过真空沉积N,N'-双(a-萘基)-N，N'-二苯基-4，4'-二胺 (NPB)来形成厚度为60nm的HTL。形成上述的HTL之后，通过真空沉积 100重量^f分的主料Alq3和10重量份的掺杂剂香豆素6在HTL的顶部形成发 光层。
然后，通过在发光层的顶部真空沉积25重量份的LiF和75重量份的 Bebq2形成厚度为35nm的ETL。
通过在ETL的顶部真空沉积铝电才及至厚度为3000 A来作为阴;f及，来完 成有机发光装置的制造。
实施例2:有机发光装置的制造
用与实施例1同样的方法制造有机发光装置，区别在于通过真空沉积 50重量份的8-羟基喹啉锂和50重量份的Bebq2来形成ETL。 实施例3:有机发光装置的制造
对于阳极，将Corning的15Q/cm2 ( 1200 A)的ITO玻璃基板切为 50mmx50mmx0.7mm大小，分别在异丙醇和去离子水中用超声波洗5分钟， 然后用紫外线臭氧处理30分钟。
在基板的顶面上，用铜酞菁(CuPc)形成厚度为5nm的HIL。
在HIL的顶部通过真空沉积NPB来形成厚度为60nm的HTL。形成上 述的HTL之后，通过真空沉积100重量份的主料Alq3和10重量份的摻杂 剂香豆素6在HTL的顶部形成发光层。
然后，通过在发光层的顶上真空沉积Bebq2形成厚度为10nm的第一电子传输层(ETL1 )。
通过在ETL1的顶上真空沉积25重量4分的LiF和75重量份的Bebq2形 成厚度为15nm的第二电子传输层(ETL2)。
在ETL2的顶部通过真空沉积铝至厚度为3000 A，形成铝电极、即阴极， 来完成有机发光装置的制造。
实施例4:有机发光装置的制造
用与实施例3同样的方法制造有机发光装置，区别在于通过真空沉积 50重量份的8-羟基喹啉锂和50重量份的Bebq2来形成ETL2。 对比例1:有机发光装置的制造
用与实施例1同样的方法制造有机发光装置，区别在于形成ETL时使 用Alq3。
实施例1和对比例1的有机发光装置的比较
对根据实施例l和对比例l制造的有机发光装置的功效相对于电流密度 的关系进行了研究。其结果示于图3。图3表明，与对比例1的有机发光装 置的功效相比，实施例1中的有机发光装置的功效得到了提高。
实施例2和对比例1的有机发光装置的比较
对根据实施例2和对比例1制造的有机发光装置的电流密度相对于电 压，和电流效率相对于电流密度的关系进行了测定，其结果分别表示在图4 和图5中。在图4和图5中表明，与对比例1的有机发光装置相比，实施例 2中的有机发光装置具有增强了的电流密度和电流效率特性。
实施例3和对比例1的有机发光装置的比较
对根据实施例3和对比例l制造的有机发光装置的电流密度和亮度变化 相对于电压的关系进行了测定，其结果分别表示在图6和图7中。在图6和 图7中表明，与对比例1的有机发光装置相比，实施例3中的有机发光装置 具有增强的电流密度和亮度变化特性。
实施例4和对比例1的有机发光装置的比较对根据实施例4和对比例1制造的有机发光装置的效率相对于亮度、电 流密度相对于电压(V-I),和亮度相对于电压(V-L)进行了研究，其结果 分别表示在图8~图10中。在图8~图10中表明，与对比例1的有机发光 装置相比，实施例4中的有机发光装置改善了效率相对于亮度、电流密度相 对于电压(V-I)和亮度相对于电压(V-L)的关系。
如上所述，根据本发明的各方面，该有机发光装置使用一种新材料用于 形成电子传输层，以使得不形成电子注入层而大大地改善电子注入特性。结 果，相对于利用通常使用的电子传输材料的有机发光装置的电流效率和功 效，增强了电流效率和功效，并控制注入发光层的电荷平衡以便改善驱动电 压和寿命。此外，根据本发明的各方面的有机发光装置的更进一步的优点是 在恒压驱动期间，寿命缩短被最小化。
虽然已示出并说明了本发明的若干实施方式，但本领域技术人员应理解 的是，可以在这些实施方式上进行改变而不背离本发明的原则和精神，本发 明的范围由权力要求及其等价物来限定。
权利要求
1、一种具有电子传输层的有机发光装置，该电子传输层包括电子传输材料和由以下的通式1所表示的金属化合物XaYb 通式1其中X选自由碱金属、碱土金属和过渡金属构成的组中；Y选自由VII族元素和C1～C20的有机基团所构成的组中；a为1～3的整数；且b为1～3的整数。
2、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中通式1中的X选自由Li、 Cs、 Na、 Ba、 Mg和Yb所构成的组中。
3、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中通式l中的Y选自由喹 啉-8-氧基、乙酰乙酸根和卤素离子所构成的组中。
4、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中通式l所表示的金属化 合物为从由8-羟基唾啉锂、8-羟基会啉钠、乙酰乙酸锂、乙酰乙酸镁、氟化 锂、氟化铯和氟化钠所构成的组中选择的至少 一种化合物。
5、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中通式l所表示的金属化 合物的含量相对于100重量份所述电子传输层为20- 60重量份。
6、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述电子传输材料的电 子迁移率在800- 1000 ( V/cm) 1/2的电场下等于或者高于l(r8cm/V。
7、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中所述电子传输材料包括 从以下的化学式2所表示的双(10-羟基苯并[h]喹啉)铍(Bebq2)、其衍生物、 8-羟基喹啉锌(Znq2)和8-羟基喹啉铝(Alq3 )构成的组中选择的至少一种 化合物。化学式2:
8、 根据权利要求1所述的有机发光装置，其中该装置进一步包括第一 电极、空穴传输层、发光层和第二电极。
9、 根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一 步包括空穴注入层。
10、 根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置进一 步包括电子注入层。
11、 根据权利要求8所述的有机发光装置，其中所述有机发光装置不包 括电子注入层。
12、 一种有机发光装置，该装置包括 包括第一传输材料的第一电子传输层；和包括第二传输材料和由以下的通式1所表示的金属化合物的第二电子 传输层XaYb 通式1其中X选自由碱金属、碱土金属和过渡金属所构成的组中； Y选自由VII族元素和CI ~C20的有机基团构成的组中； a为1-3的整数；且 b为1 ~3的整凄史。
13、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中第一电子传输材料在 800~ 1000 (V/cm) 1/2的电场下具有等于或者高于l(T8cm/V的电子迁移率。
14、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中第一电子传输材料在 800 ~ 1000 (V/cm) 1/2的电场下具有在10" ~ l(T8cm/V范围内的电子迁移率。
15、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中第一电子传输层和第 二电子传输层之间的厚度比为1:1 ~ 2:1。
16、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中第一电子传输材料和 第二电子传输材料独立地包括从由以下的化学式2所表示的双(10-羟基苯并 [h]喹啉)铍(Bebq2)、其衍生物、8-羟基喹啉锌(Znq2 )和8-羟基喹啉铝(Alq3 ) 所构成的组中选择的 一种或者多种化合物。化学式2:<formula>formula see original document page 4</formula>
17、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中在第二电子传输层中 通式l所表示的金属化合物的含量相对于100重量份第二电子传输层为20~ 60重量4分。
18、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中通式1中的X选自由 Li、 Cs、 Na、 Ba、 Mg和Yb所构成的组中。
19、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中通式1中的Y选自由 喹啉-8-氧基、乙酰乙酸根和面素离子所构成的组中。
20、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中通式1所表示的金属 化合物为从由8-羟基会啉锂、8-羟基喹啉钠、乙酰乙酸锂、乙酰乙酸4美、氟 化锂、氟化铯和氟化钠所构成的组中选择的至少一种化合物。
21、 根据权利要求12所述的有机发光装置，其中该装置进一步包括第 一电极、空穴传输层、发光层和第二电极。
22、 根据权利要求21所述的有机发光装置，其中第一电子传输层紧接 发光层，并且第二电子传输层在第一电子传输层和第二电极之间。
23、根据权利要求21所述的有机发光装置，该装置进一步包括空穴注 入层。
全文摘要
本发明提供一种具有电子传输层的有机发光装置，该电子传输层包括电子传输材料和由以下的通式1所表示的金属化合物X_aY_b 通式1。其中，X为碱金属、碱土金属或者过渡金属，Y选自VII族元素和C1～C20的有机基团之一，a为1～3的整数，b为1～3的整数。所述有机发光装置具有增强的电子注入能力。
文档编号H01L51/50GK101436645SQ200810149609
公开日2009年5月20日 申请日期2008年9月11日 优先权日2007年11月15日
发明者宋原準, 成妍周, 李善姬, 杨南喆, 波利斯·克里斯塔尔, 蒋胜旭, 金茂显 申请人:三星移动显示器株式会社