显示装置及其制造方法

专利名称：显示装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及顶出射型显示装置及其制造方法。
背景技术：
近来，在引起人们注意的平板显示装置中，包括借助于有机电致发 光(EL， Electro Luminescence)来显示图像的有机EL显示装置。有机EL 显示装置具有宽视角且电能损耗低，具有该宽视角是因为该显示装置利 用了有机EL元件自身能够发光的性质。此外，因为有机EL显示装置对 高清晰度高速视频信号具有高响应性，所以人们期望在图像技术的领域 中找到有机EL显示装置的实际用途。有机EL显示装置引起人们注意的 原因还在于，如果将有机EL显示装置形成在能让有机发光材料呈现出其 固有柔性特征的柔性塑料基板上，则有机EL显示装置可以用作柔性装 置。
有机EL显示装置采用有源矩阵型或者无源矩阵型驱动系统。前者 采用薄膜晶体管(TFT， Thin Film Transistor)作为驱动元件，并且在响应 性和分辨能力方面比后者更有优势。因此，人们认为有源矩阵型驱动系 统特别适合于具有上述特征的有机EL显示装置。有源矩阵型的有机EL 显示装置具有有机EL元件(各个有机EL元件包括有机发光层)和驱动面 板，在驱动面板上布置有驱动元件(或者上述TFT)从而驱动有机EL元件。 在驱动面板上粘接有(利用粘合剂层)密封面板，从而将有机EL元件夹持 在它们之间。各个有机EL元件具有在一对电极之间形成的有机发光层。
有机EL显示装置分为底出射型和顶出射型。底出射型有机EL显示
6装置能使各个有机EL元件发出的光穿过上述驱动面板而射出。顶出射型
有机EL显示装置能使各个有机EL元件发出的光穿过上述密封面板而射 出。由于顶出射型有机EL显示装置具有较大的开口率，因此它正在成为 发展的主流。
另外，顶出射型有机EL显示装置被构成为，密封面板上的各电极(光 出射侧)对每个有机EL元件都是共用的。这些电极由例如氧化铟锡(ITO， Indium Tin Oxide)等透光性导电材料制成。不利的是，ITO的电阻率比普 通金属材料高2 3个数量级。该高电阻率使得在光出射侧的电极上施加 的电压发生波动。这使显示质量劣化。
为了解决这个问题，在日本专利申请公开公报No. 2002-318556 (以 下称为专利文献l)中己经提出了一种技术，其形成有与光出射侧的电极 连接的辅助布线，该辅助布线与驱动面板上的电极形成为同一层并由相 同的材料形成。
如果辅助布线由电阻率比光出射侧的电极低的材料形成并且与光出 射侧的电极连接，则可以在一定程度上解决上述的电极内不均匀电压分 布的问题。
然而，上述专利文献1中所公开的技术具有以下缺点如果驱动面 板上的电极由铝或者铝合金制成，则由与该电极相同的材料制成的辅助 布线会受到表面氧化。表面氧化会导致辅助布线与光出射侧的电极之间 的连接电阻增大，并因而导致被氧化部分上的大的电压降。该电压降接 着又会增加装置的能耗。
如上所述，现有技术在如下方面存在着困难，即不管辅助布线的 结构如何也不能避免能耗增大，以及不能通过实现光出射侧的电极内均 匀电压分布来提高显示质量。

发明内容
本发明是鉴于前述的问题而做出的。期望提供一种顶出射型显示装 置及其制造方法，所述显示装置不管辅助布线的结构如何都能实现低能 耗并且还能提高显示质量。
7本发明的实施例涉及一种显示装置，该显示装置具有多个驱动元件 以及与驱动元件电连接的布线部，所述显示装置包括多个第一电极， 它们对应于各个驱动元件而形成在驱动元件和布线部上；多个发光部， 它们各自形成在第一电极上；以及公共的第二电极，其由可透射从发光 部发出的光的材料形成，并且形成在发光部上。所述显示装置还包括 辅助布线部，其具有比第二电极低的电阻；以及接触部，其由多个导电 层形成为层叠结构，并使第二电极和辅助布线部相互电连接，接触部的 各导电层中的至少最下部导电层与第二电极直接接触。
本发明实施例的显示装置被构成为使第二电极和辅助布线部通过导 电接触部相互电连接。这种结构的优点在于，即使辅助布线受到表面氧 化，接触电阻也不会增大。此外，由于接触部的各导电层中的至少最下 部导电层与第二电极直接接触，因此，即使上部导电层在大气中受到表 面氧化且与第二电极(光出射侧)的电连接变弱，下部导电层与光出射侧的 电极之间仍然能够保持良好的电连接。
本发明的实施例还涉及一种显示装置制造方法，其包括以下步骤 在基板上形成多个驱动元件和布线部，使得这些驱动元件和布线部相互 电连接；形成具有由多个导电层构成的层叠结构的接触部；以及在驱动 元件和布线部上形成分别与多个驱动元件对应的多个第一电极，并形成 辅助布线部。上述方法还包括以下步骤在各个第一电极上形成发光部， 以及在发光部上用可透射从各个发光部发出的光的材料形成公共的第二 电极，并通过接触部使第二电极与辅助布线部之间进行电连接，其中辅 助布线部由电阻低于第二电极的电阻的材料形成，接触部的各导电层中 的至少最下部导电层与第二电极直接接触。
本发明的实施例还涉及另一种显示装置制造方法，其包括以下步骤 在基板上形成多个驱动元件和布线部，使得这些驱动元件和布线部相互 电连接，形成具有由多个导电层构成的层叠结构的接触部，并一体形成 具有与接触部相同的层叠结构的辅助布线部，以及在驱动元件和布线部 上形成分别与多个驱动元件对应的多个第一电极。上述方法还包括以下 步骤在各个第一电极上形成发光部，以及在发光部上用可透射从各个 发光部发出的光的材料形成公共的第二电极，并通过接触部使第二电极与辅助布线部进行电连接，其中辅助布线部由电阻低于第二电极的电阻 的材料形成，接触部的各导电层中的至少最下部导电层与第二电极直接 接触。
本发明实施例的显示装置及其制造方法具有以下优点。由于第二电 极和辅助布线通过导电接触部彼此电连接，因此，即使辅助布线受到表 面氧化，接触电阻也不会增大。所以，不管辅助布线的结构如何，该显 示装置总会保证低能耗并提高显示质量。
由于接触部的最下部导电层直接与第二电极电连接，因此，即使上 部导电层在大气中受到表面氧化而且与第二电极(光出射侧电极)的电连 接变弱，下部导电层与光出射侧的电极之间仍然能够保持良好的电连接。
由于将布线层布置在接触部的下方层中且在驱动元件一侧，因而由 平坦化层所引起的台阶变小，并且接触电阻减小。因此，在不会增大接 触电阻的情况下能够提高产率。


图1是示出了本发明第一实施例的显示装置的结构的视图2是示出了图1所示的像素驱动电路的一个例子的等效电路图3是示出了图l所示的显示区域结构的平面图4是沿图3中的线IV-IV获取的截面图5A和图5B是示出了图3所示显示装置中的接触部结构的截面图6是示出了图3所示显示装置的制造过程的一部分主要步骤的截 面图7A、图7B和图7C是示出了关于图6所示那些步骤的各步骤的 截面图8A、图8B和图8C是示出了跟随在图7A、图7B和图7C所示那 些步骤以后的各步骤的截面图9A和图9B是示出了跟随在图8A、图8B和图8C所示那些步骤 以后的各步骤的截面图；图IO是示出了比较例1中的接触部结构的截面图11是示出了本发明第二实施例的显示装置的接触部结构的截面
图12是示出了比较例2中的接触部结构的截面图； 图13是示出了接触电阻的评估结果的视图14是示出了本发明第三实施例的显示装置的显示区域结构的平 面图15是沿图14中的线XV-XV获取的截面图16A和图16B是示出了图15所示显示装置中的接触部结构的截 面图17是示出了图15所示显示装置的制造过程的一部分主要步骤的 截面图18A、图18B和图18C是示出了关于图17所示那些步骤的各步
骤的截面图19A、图19B和图19C是示出了跟随在图18A、图18B和图18C
所示那些步骤以后的各步骤的截面图20A和图20B是示出了跟随在图19A、图19B和图19C所示那些 步骤以后的各步骤的截面图21是示出了接触电阻的评估结果的视图22是示出了包括上述实施例的显示装置的模块结构的示意性平 面图23是示出了上述实施例的显示装置的应用例1的外观的立体图24A和图24B是各自示出了应用例2的前侧外观和后侧外观的立 体图25是示出了应用例3的外观的立体图； 图26是示出了应用例4的外观的立体图；以及图27A 图27G分别是应用例5的打开状态前视图、打开状态侧视 图、闭合状态前视图、闭合状态左视图、闭合状态右视图、闭合状态俯 视图和闭合状态仰视图。
具体实施例方式
下面参照附图来说明本发明的实施例。
第一实施例
图1是示出了本发明第一实施例的显示装置(有机EL显示装置)的结 构的视图。有机EL显示装置1是一种用作极薄型有机彩色显示装置的显 示装置。有机EL显示装置1包括透明基板10A和多个有机EL元件(EL)， 这些有机EL元件以矩阵形式布置在透明基板10A上，从而形成显示区 域110。有机EL显示装置1还具有沿显示区域110侧边形成的信号线驱 动电路120和扫描线驱动电路130(都用于显示图像)。
显示区域110具有在其中形成的像素驱动电路140。图2是示出了 像素驱动电路140的例子的视图。像素驱动电路140是在第一电极18A (将在稍后说明)下方形成的有源型驱动电路，并且包括驱动晶体管Trl、 写晶体管Tr2、电容器Cs (位于上述两个晶体管之间)和有机EL元件(EL)， 该有机EL元件(EL)位于第一电源线(Vcc)与第二电源线(GND)之间并与 驱动晶体管Trl串联连接。驱动晶体管Trl以及写晶体管Tr2是普通的 薄膜晶体管(TFT)，其可以是反向交错型(所谓的底栅型)或者交错型(所谓 的顶栅型)。
像素驱动电路140具有沿列方向布置的多条信号线120A和沿行方 向布置的多条扫描线130A。各条信号线120A与各条扫描线130A的交 叉部对应于一个亚像素，该亚像素是任意一个有机EL元件(EL)。各条信 号线120A与信号线驱动电路120连接，因此通过信号线120A将图像信 号传送给写晶体管Tr2的源电极。各条扫描线130A与扫描线驱动电路 130连接，因此通过扫描线130A将扫描信号依次传送给写晶体管Tr2的
栅电极。
图3是示出了有机EL显示装置1的显示区域110的平面结构的视 图。图4是沿图3中的线IV-IV获取的截面图。
11有机EL显示装置1包括一对绝缘透明基板10A和10B以及夹持在 透明基板IOA与IOB之间的多层膜。具体地说，该多层膜包括向上排列 的栅电极11、栅绝缘膜12、硅膜13A、阻挡绝缘膜14、 n+型非晶硅膜 13B和布线层15A (源漏电极)。它们构成了薄膜晶体管Tr。在薄膜晶体 管Tr上布置有绝缘性保护膜(钝化膜)16和位于该绝缘性保护膜顶面上的 平坦化绝缘膜17A。在平坦化绝缘膜17A上形成有与形成薄膜晶体管Tr 的区域对应的有机EL元件(EL)。
透明基板IOA和10B由诸如玻璃或者塑料等绝缘材料形成。
薄膜晶体管Tr是驱动各个有机EL元件(EL)的驱动元件。栅电极11 由钼(Mo)或其它材料形成，硅膜13A构成薄膜晶体管Tr的沟道区域，并 且硅膜13A由非晶硅膜或其它材料形成。
布线层15A构成薄膜晶体管Tr的源电极和漏电极，并且它们用作例 如信号线等布线。布线层15A由诸如钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(Al)、钼(Mo)、 鸨(W)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、银(Ag)、 ITO (indium tin oxide) 以及氧化铟锌(IZO， indium zinc oxide)等金属或者合金形成。
布线层15A可以具有诸如Mo/Al/Ti、 Mo/(AlSi合金)/Ti、 Mo/(AlSiCu 合金)/Ti以及Mo/(AlCe合金)/Ti等层叠结构。
保护绝缘膜16用于保护薄膜晶体管Tr，并且由诸如Si02、 SiN和 SiON等中的至少一种绝缘材料形成。平坦化绝缘膜17A使层结构变平， 从而在其上形成有机EL元件(EL)。平坦化绝缘膜17A由诸如感光性聚 酰亚胺树脂、聚苯并噁唑树脂、酚醛树脂、聚羟基苯乙烯 (polyhydroxystyrene)树脂和丙烯酸树脂等绝缘材料形成。
各个有机EL元件(EL)包括向下排列从而形成层叠结构的第一电极 18A、有机发光层19和第二电极20。第一电极18A及有机发光层19通 过平坦化绝缘膜17A上的电极绝缘膜21而彼此分离。如图3所示，各自 呈矩形形状的有机EL元件(EL)以矩阵形式布置在透明基板10A与10B 之间。如图4所示，第二电极20是全部有机EL元件(EL)的公共电极， 并且统一地形成在透明基板IOA与IOB之间。
第一电极18A不但用作向有机发光层19施加电压的阳极或者阴极，还用作将从有机发光层19发出的光向上引导的反射电极。因此，第一电
极18A由诸如Al、 AlNd和AlCe等具有高反射率的金属或者合金形成。 不利的是，这些材料容易发生表面氧化。
有机发光层19包括依次沉积并夹在第一电极18A与第二电极20之 间的空穴输运层、发光层和电子输运层(都未图示)。通过在第一电极18A 和第二电极20之间施加规定的电压，发光层19利用注入至其中的载流 子(空穴和电子)的复合而发光。
第二电极20也用作向有机发光层19施加电压的阳极或者阴极。第 二电极20是让从有机发光层19发出的光向上透射的透明或者半透明电 极。第二电极20由透明材料(诸如ITO和IZO等)或者半透明材料(诸如 MgAg合金、Cu、 Ag、 Mg和Al等)制成。
如图3和图4所示，在第一电极18A之间的区域中，存在着与第一 电极18A形成为同一层的辅助布线18B。辅助布线18B与第二电极20 电连接，从而消除透明且具有高电阻的第二电极20中的不均匀电压分布。 因此，辅助布线18B由电阻比第二电极20小的材料形成，或者由与第一 电极18A所用材料相同的材料形成。
平坦化绝缘膜17A和电极绝缘膜21各自在形成有辅助布线18B的 区域的一部分中具有锥形部(向上敞开)。在该锥形开口的底部与栅绝缘膜 12之间具有导电接触部15B。第二电极20和辅助布线18B在接触部15B 的上方彼此电连接。
接触部15B由与布线层15A所用材料相同的材料形成为与布线层 15A处于同一层。具体地说，接触部15B由钛(Ti)、氮化钛(TiN)、铝(A1)、 钼(Mo)、鸨(W)、铬(Cr)、金(Au)、铂(Pt)、铜(Cu)、 ITO (indium tin oxide)、 IZO (indium zinc oxide)、银(Ag)或者它们的合金形成。接触部15B的组 分可以部分地含有能够提供与第二电极20的良好接触(优选欧姆接触)的 导电材料。
如图5A和图5B的放大视图所示，接触部15B具有包括第一至第三 导电层的三层结构。第一导电层是最下部的钛(Ti)层15B1，第二导电层 是中间的铝(A1)层15B2，第三导电层是最上部的钼(Mo)层15B3。 Ti层
1315B1比Al层15B2和Mo层15B3宽。该宽出部分W使得Ti层15B1能
与第二电极20直接接触。以这种方式构成的有机EL显示装置1能够通 过作为接触部15B的最下层的Ti层15B1来保证第二电极20与辅助布线 18B之间有良好的电连接。这能够实现低能耗并提高显示质量。
最下层(或Ti层15Bl)优选由相对于第一电极18A具有高蚀刻选择 性的材料形成。在形成第一电极18A时，上述这样的材料会保护Ti层 15Bl使其不被蚀刻掉。中间层(或Al层15B2)可以由AlSi合金、AlSiCu 合金或者AlCe合金形成。由于在后述的制造过程中在进行蚀刻以形成辅 助布线18B时，最上层(或Mo层15B3)会消失，因此最上层只在具有辅 助布线18B的这一部分接触部15B中存在，而不会在没有辅助布线18B 的那一部分接触部15B中存在。
电极绝缘膜21的开口的侧面逐渐向上扩展。电极绝缘膜21的开口 宽于在下方形成有接触部15B的平坦化绝缘膜17A的开口。如图4所示， 第二电极20平缓地或者呈台阶状地向上扩展。以这种方式扩展能够防止 在形成第二电极20时会出现的布线断裂或电阻增大的情况(稍后将给出 详细的说明)。此外，电极绝缘膜21由例如感光性聚酰亚胺树脂等绝缘 材料形成。
在上述的有机EL元件(EL)中，第二电极20上均匀地涂敷有保护膜 (未图示)，并且在该保护膜与透明基板IOB之间具有密封树脂17B。以这 种方式构成的有机EL显示装置1使得从有机发光层19发出的光通过第 二电极20 (在靠近透明基板IOB—侧)向上射出。换句话说，有机EL显 示装置1是顶出射型显示装置。
第二电极20上的保护膜(未图示)由诸如Si02、 SiN和SiON等绝缘 材料形成。密封树脂17B使层结构平坦化从而被支撑在透明基板10B上。
薄膜晶体管Tr对应于本实施例中的"驱动元件"，有机发光层19 对应于本实施例中的"发光部"，平坦化绝缘膜17A和电极绝缘膜21 对应于本实施例中的"绝缘层"。
有机EL显示装置1通过下面参照图6~图9B说明的工艺过程制造而 成。图6~图9B是说明了有机EL显示装置1的制造过程的一部分步骤的截面图。
在图6所示的第一步骤中，在由上面提到的材料形成的透明基板10A 上进行溅射、化学气相沉积(CVD， chemical vapor deposition)或光刻，从 而在透明基板10A上依次层叠由上面提到的材料形成的栅电极11 (100 nm厚)、栅绝缘膜12 (400 nm厚)、硅膜13A (30 nm厚)、阻挡绝缘膜14 (300 nm厚)、n+型非晶硅膜13B (100 nm厚)和布线层15A (600 nm厚)。这样 就能够获得以矩阵形式布置的薄膜晶体管Tr。
当例如利用溅射方法形成布线层15A时，同时还用与布线层15A相 同的材料形成与布线层15A结构相同的接触部15B。使接触部15B形成 在栅绝缘膜12上或者与布线层15A处于同一层，并且如图4所示位于第 一电极18A之间的区域中。
接触部15B的形成过程包括图7A、图7B和图7C所示的以下三个 步骤。如图7A所示，利用溅射方法在栅绝缘膜12上依次涂敷Ti层15B1 (50 nm厚)、Al层15B2 (500 nm厚)和Mo层15B3 (50 nm厚)。如图7B 所示，在顶层上涂敷光致抗蚀剂膜PH，该光致抗蚀剂膜随后会被用作使 用磷酸、硝酸和乙酸的混合物进行湿式蚀刻时的掩模。此次蚀刻除去了 Mo层15B3的未被掩盖部分，并且还选择性地除去了 Al层15B2的未被 掩盖部分。如图7C所示，利用使用氯气进行的干式蚀刻，将Ti层15Bl 选择性地除去，使得Ti层15B1的表面局部地露出，从而形成图4所示 的宽出部分W。
最后将光致抗蚀剂膜PH除去。这样，接触部15B被形成为与布线 层15A处于同一层。
本实施例的工艺过程由于通过光刻、Al层15B2上的湿式蚀刻(使用 酸的混合物)和Ti层15B1上的干式蚀刻(使用氯气)来形成接触部15B， 因此消除了由蚀刻引起的图案缺陷。
换句话说，本实施例的工艺过程具有能减少由干式蚀刻引起的图案 缺陷的优点。这个优点来自于如下原因干式蚀刻会使光致抗蚀剂图案 的线宽与蚀刻后的图案的线宽之间的差值较小。由于对作为最上层的Mo 层15B3和作为中间层的Al层15B2进行湿式蚀刻，而对作为最下层的
15Ti层15B1进行干式蚀刻，因此，Ti层当然就可宽于Al层。A1层15B2 在大气中自然氧化，因此它与光出射侧的第二电极20之间的电连接变弱。 然而，作为最下层的Ti层15Bl与第二电极20之间保持着良好的电连接。
此外，在Ti/Al/Ti层叠结构(见稍后给出的比较例2)上进行湿式蚀刻 的情况下，如果Al层具有比上部Ti层快的蚀刻速率，则上部Ti层的边 缘变得不稳定并且破损从而产生会导致图案缺陷的杂质。这是由于Ti与 Al之间的蚀刻速率明显不同的缘故。
在前述的用于形成薄膜晶体管Tr和接触部15B的过程以后，进行包 括图8A 图8C所示的三个步骤的下一个过程。
图8A所示的步骤的目的是利用CVD方法在薄膜晶体管Tr和接触 部15B上均匀地形成保护绝缘膜16(与上面提到的材料相同)。然后，利 用旋转涂敷或者狭缝涂敷方法在保护绝缘膜16上均匀地涂敷平坦化绝缘 膜17A (与上面提到的材料相同)。在与接触部15B对应的区域中进行曝 光和显影等光刻过程，从而形成开口。烘烤之后，获得了用图8A中的 Pl表示的具有锥形侧面的开口。平坦化绝缘膜由可提供平缓坡度的感光 性树脂形成。具有平缓坡度的开口还可以通过使用诸如半色调掩模 (half-tone mask)或者灰色调掩模(gray-tone mask)等多色调掩模而形成，或 者通过用开口尺寸不同的几个掩模进行几次曝光而形成。锥形的斜度可 以根据第二电极20的厚度和形成方法来适当确定。
在平坦化绝缘膜17A中已经形成了开口以后的如图8B所示的下一 个步骤中，利用溅射方法在平坦化绝缘膜17A和接触部15B上均匀地涂 敷金属层18 (约300nm厚)。金属层18由与上面提到的第一电极18A和 辅助布线18B相同的材料形成。
在已经形成了金属层18以后的如图8C所示的下一个步骤中，利用 光刻过程对金属层18进行选择性蚀刻，从而形成图3和图4所示的第一 电极18A和辅助布线18B。第一电极18A形成在与薄膜晶体管Tr对应 的位置处，辅助布线18B形成在第一电极18A之间的区域中。进行形成 图案的过程，使辅助布线18B的一部分与接触部15B电连接。接触部15B 不一定全部都是由相对于金属层18具有高蚀刻选择性的材料形成；接触部15B可以由相对于该导电材料具有高选择性的任何材料形成。不存在
会将接触部15B的导电材料一起蚀刻掉的可能性。可以选择适当的蚀刻 方法。
在已经形成了第一电极18A和辅助布线18B以后的如图9A所示的 下一个步骤中，利用旋转涂敷或者狭缝涂敷方法在平坦化绝缘膜17A、 第一电极18A和辅助布线18B上均匀地涂敷与上面提到的材料相同的电 极绝缘膜21。然后利用光刻过程使该涂敷层形成图案并得到所需的形状， 以便使第一电极18A及有机发光层19彼此分离。这时，利用光刻过程选 择性地除去与接触部15B对应的区域，从而形成用图9A中的P2表示的 锥形开口。该锥形开口被形成为使该锥形开口的斜度尽可能平缓。该目 的可通过使用诸如半色调掩模和灰色调掩模等多色调掩模来实现，或者 通过用开口尺寸不同的几个掩模重复进行几次曝光而实现。电极绝缘膜 21中的开口应当具有向上敞幵的锥形形状。
在已经形成了电极绝缘膜21以后的如图9B所示的下一个步骤中， 利用真空沉积方法在第一电极18A上涂敷有机发光层19。然后，利用真 空沉积方法在有机发光层19、电极绝缘膜21、平坦化绝缘膜17A、接触 部15B和辅助布线18B上涂敷与上面提到的材料相同的第二电极20 (约 10 nm厚)。
最后，利用CVD方法在第二电极20上均匀地涂敷与上面提到的材 料相同的保护膜(未图示)。在保护膜(未图示)上浇注密封树脂17B，并使 全部组件被夹持在透明基板IOB与IOA之间。以这种方式，就能够获得 本实施例所构想的有机EL显示装置1 (如图3和图4所示)。
有机EL显示装置1以下述方式工作。在通过布线层15A和薄膜晶 体管Tr向第一电极18A施加电压的情况下，有机发光层19按照跟第一 电极18A与第二电极20之间的电位差成比例的亮度而发光。从有机发光 层19发出的光被第一电极18A反射，然后穿过第二电极20。因此，所 发出的光穿过透明基板10B向上射出(图4中)。各个像素中的各个有机 EL元件(EL)响应于像素信号而发光，因此有机EL显示装置1显示出所 需的图像。下面说明有机EL显示装置1的优点。第二电极20和辅助布线18B通过导电接触部15B彼此电连接，导电接触部15B能抵抗表面氧化并且能提供与第二电极20的良好连接(优选欧姆连接)。因此，即使在与第一电极18A的材料相同的辅助布线18B上出现表面氧化，第二电极20与辅助布线18B之间的连接电阻也不会增大。具体地说，如图4所示，电连接的通道P是第二电极20—最下部Ti层15B1的宽出部分W—中间Al层15B2—最上部Mo层15B3—辅助布线18B。
此外，在图IO所示的现有的EL显示装置IOI(比较例l)中，辅助布线118B由与第一电极118A相同的材料形成为与第一电极118A处于同一层，并与第二电极120直接连接。这种结构的缺点在于，当辅助布线118B受到表面氧化时，第二电极120与辅助布线118B之间的连接电阻会增大。
作为对比，本实施例的有机EL显示装置l被构成为，辅助布线18B形成为与第一电极18A处于同一层，且位于第一电极18A与辅助布线18B之间的区域中的辅助布线18B只有一部分与跟布线层15A为同一层的接触部15B连接。因此，当形成接触部15B时，布局不受薄膜晶体管Tr和布线层15A的限制。
如上所述，本实施例的特征在于，第二电极20和辅助布线18B通过导电接触部15B相互电连接，且辅助布线18B只有一部分与接触部15B连接。这种结构的优点在于，即使辅助布线18B受到表面氧化，接触电阻也不会增大，而且在形成接触部15B时，布局也不会受到限制。这保证了自由布局和低能耗，并且使所获得的有机EL显示装置1的显示质量得到提高。
因为在形成接触部15B时布局不会受到限制，所以不会产生由于不自然的布局而可能在布线层15A中出现的短路所导致的缺陷。
因为接触部15B由与布线层15A相同的材料形成为与布线层15A处于同一层，这就是即使形成接触部15B也不会使制造步骤增多的原因(由此保持较低的生产成本)。换句话说，布线层15A和接触部15B在同一步骤中形成，因此简化了制造过程。另外，因为接触部15B由相对于第一电极18A具有较高蚀刻比(etching ratio)的材料形成，这消除了当通过蚀刻金属层18而形成第一电极18A和辅助布线18B时，接触部15B被蚀刻掉的可能性。这就保证了接触部15B的形成。
此外，因为平坦化绝缘膜17A和电极绝缘膜21被形成为使它们的开口恻面呈锥形(向上扩展)，就能够防止在开口侧面部分中的第二电极20的断裂以及电阻的增大。这有利于获得高产率。
此外，本实施例具有层状结构的接触部15B。也就是说，接触部15B包括最下部的Ti层15B1 (第一导电层)、中间的Al层15B2 (第二导电层)和最上部的Mo层15B3。另外，Ti层15B1具有比A1层15B2和Mo层15B3宽的宽出部分W，从而使第二电极20与Ti层15Bl直接接触。这种结构的优点在于，即使中间的Al层15B2在大气中受到自然氧化并且与第二电极20(光出射侧)的电接触变弱，在最下部的Ti层15B1与光出射侧的电极之间仍然能够保持良好的电接触。
此外，因为通过用混合酸作为蚀刻剂对Mo层15B3和Al层15B2进行湿式蚀刻，然后用氯气对Ti层15B1进行干式蚀刻，由此形成接触部15B，这能够减少由干式蚀刻引起的图案缺陷，并且能够具有干式蚀刻方法的如下优点，即光致抗蚀剂图案的线宽与蚀刻后的图案的线宽之间的差值较小。稍后对此进行详细说明。
第二实施例
下面说明本发明第二实施例的显示装置。第一实施例和第二实施例所共有的构成元件用相同的符号表示，并且不再重复对它们的说明。
图11是示出了本实施例的显示装置(有机EL显示装置)的接触部25B的结构的截面图。在接触部25B的最下方处，在透明基板11A上具有低电阻布线层26，低电阻布线层26与跟薄膜晶体管Tr连接的源信号线或者栅极布线处于同一层。低电阻布线层26具有500 nm的厚度，并且在低电阻布线层26上，向上依次形成有栅电极11、栅绝缘膜12、硅膜13A、阻挡绝缘膜14和n+型非晶硅膜13B。当显示屏变得更大且清晰度提高时，低电阻布线层26能够防止栅极布线、源信号线和电流供给线
19的电阻随着它们长度的增加而成比例地增大。此外，低电阻布线层26不
一定需要设在薄膜晶体管Tr中，因此在图5A和图5B所示的第一实施例中未包括低电阻布线层26。第二实施例中除了与薄膜晶体管Tr和保护绝缘膜16相关的部分以外的结构都与第一实施例相同。
在本实施例中，低电阻布线层26存在于接触部25B的下方。这种结构减小了第一电极18A与第二电极20之间的距离，结果，由平坦化膜引起的台阶变小，接触电阻比第一实施例中减少得更多，并且更不容易出现由断裂引起的电阻增大。第二实施例的其它效果与第一实施例相同。
第一实施例和第二实施例的接触部15B和25B的接触电阻与图12所示的比较例2不同，下面对此进行说明。
比较例2
图12是示出了比较例2中的接触部115B的结构的截面图。接触部115B对应于图5A和图5B所示的接触部15B。布线层115A和接触部115B各具有包括Ti层115B3 (50nm厚)、Al层115B2 (500 nm厚)和Ti层115B1(50nm厚)的三层结构。第二电极120布置在保护绝缘膜116和平坦化绝缘膜117A上，并与上部Ti层115B3电连接。除了该结构以外，比较例2与上述的第一实施例和第二实施例相同。
此外，比较例2的结构在本申请人于2006年6月19日提交的申请(日本专利申请No. 2006-168906)的说明书中被公开。该在先申请的发明的目的是利用层状结构的接触部115B来实现辅助布线118B与第二电极120(光出射侧)之间的良好电连接，其中该层状结构的最上层由Ti形成。希望这种良好电连接能够提高靠近驱动面板的电极的反射率并降低辅助布线的电阻。
此外，如在比较例2中，在用于辅助布线118B和第二电极120 (光出射侧)之间电连接的接触部U5B是Ti和Al的层状膜的情况下，对该Ti和Al的层状膜的蚀刻通常通过使用氯气或三氯化硼气体进行的反应蚀刻(reactive etching)来实现。反应蚀刻具有使光致抗蚀剂图案的线宽与蚀刻后的图案的线宽的差值较小的优点。然而，反应蚀刻还具有由于对Al进行蚀刻时所出现的杂质因而会导致图案缺陷的缺点。如果为了获得
20更大的面板和更高的清晰度而将A1膜制成为较厚从而减小源信号线和电流供给线的电阻，则上述缺点会导致低产率。
另外，为了简化制造过程，应优选将接触部U5B形成为与薄膜晶体
管Tr的源漏布线处于同一层。然而，在顶出射型有机EL显示装置的情况下，通常的作法是将聚酰亚胺或者丙烯酸树脂的平坦化层布置在源漏层与构成像素电极的像素电极层之间。该平坦化层厚度约为2pm并且与光致抗蚀剂的情况一样利用旋转涂敷方法形成。在这种情况下，光出射侧的电极通过在平坦化层中形成的接触孔与接触部115B连接。然而，这种方式的连接必须越过平坦化层的台阶，而且这会导致接触电阻增大的问题。
以下述方式对接触电阻进行评估。在比较例2的情况下，接触部115B被形成为未使其端部露出。在第一实施例和第二实施例的情况下，接触部15B和25B被形成为使Ti层的端部露出。在上述所有情况下，第二电极具有20 pm的接触宽度和100 pm的接触长度。根据100 iiA的电流I所产生的电压V来计算电阻R,测量出第一电极与第二电极之间的接触电阻。图13给出了结果。
从图13中可以看到，图5A和图5B所示的结构(第一实施例)具有稍高的接触电阻，而图11所示的结构(第二实施例)和比较例2的结构具有几乎相等的接触电阻。这个结果表明，即使在形成布线过程中使用上述技术来保持产率，接触电阻也不会显著增大。此外，图5A和图5B所示的结构(第一实施例)由于接触部15B与辅助布线18B之间的连接而产生了电阻，但是因为该电阻是欧姆接触电阻，因此电阻的增大是无关紧要的。
第三实施例
图14是示出了本发明第三实施例的有机EL显示装置1的显示区域IIO的平面结构的视图。图15是沿图14中的线XV-XV获取的截面图。该有机EL显示装置1除了辅助布线15C具有与接触部15B相同的层状结构并与接触部15B—体形成以外，其它结构与上述第一实施例的有机EL显示装置相同。因此，用相同的附图标记表示对应的构成元件。
21本实施例与第一实施例的相同之处有，采用了相同结构的透明基板
IOA和IOB、薄膜晶体管Tr、布线层15A、接触部15B、保护绝缘膜16、平坦化绝缘膜17A、电极绝缘膜21、密封树脂17B以及有机EL元件(EL)。
辅助布线15C在第一电极18A之间的区域中形成为与布线层15A处于同一层。类似于第一实施例中的辅助布线18B，辅助布线15C的目的是消除在具有高电阻的透明第二电极20中的不均匀电压分布。因此，辅
助布线15C被构成为具有比第二电极20低的电阻(或者辅助布线15C由具有低电阻率的材料制成)。具体地说，如图16A和图16B所示，辅助布线15C具有与接触部15B相同的层状结构，并与接触部15B —体形成。由于具有这样的结构，因此有机EL显示装置1在辅助布线15C与接触部15B之间具有小得多的接触电阻。
在形成有辅助布线15C的区域的一部分中，平坦化绝缘膜17A和电极绝缘膜21具有锥形开口(向上扩展)(见图15)。在该开口的底部与栅绝缘膜12之间，形成有与布线层15A处于同一层的导电接触部15B。借助于接触部15B，第二电极20和辅助布线15C彼此电连接。
可以通过以下方式来制造该有机EL显示装置1。
首先，如图17所示，以与第一实施例相同的方式在透明基板10A上形成多个薄膜晶体管Tr。
用相同材料同时形成布线层15A和接触部15B。如图15所示，使接触部15B形成在栅绝缘膜12上，即，与布线层15A处于同一层，并且位于第一电极18A之间的区域中。这时，辅助布线15C和接触部15B彼此一体形成。
首先，如图18A所示，利用溅射方法在栅绝缘膜12上依次涂敷Ti层15B1 (50 nm厚)、Al层15B2 (500 nm厚)和Mo层15B3 (50 nm厚)。然后，如图18B所示，通过作为掩模的光致抗蚀剂膜PH,使用磷酸、乙酸和硝酸的混合物进行湿式蚀刻，从而部分地除去Mo层15B3并选择性地除去A1层15B2。接着，如图18C所示，进行使用氯气的干式蚀刻，从而选择性地除去Ti层15Bl。这个步骤使Ti层15B1的表面局部地露出，从而形成图15所示的宽出部分W。最后，除去光致抗蚀剂膜PH。这样，就能够将接触部15B形成为与布线层15A处于同一层，并使辅助 布线15C与接触部15B —体形成。
如图19A所示，以与第一实施例相同的方式，在如上所述已经形成 的薄膜晶体管Tr、接触部15B和辅助布线15C上涂敷保护绝缘膜16和 平坦化绝缘膜17A，并形成锥形开口(用P1表示)。
如图19B所示，以与第一实施例相同的方式，在平坦化绝缘膜17A (其中形成有开口)和接触部15B上涂敷金属层18。然后，如图19C所示， 利用光刻方法对金属层18进行选择性蚀刻，从而形成第一电极18A (与 各个薄膜晶体管Tr对应)。
在已经形成了第一电极18A以后，如图20A所示，以与第一实施例 相同的方式，在平坦化绝缘膜17A和第一电极18A上形成电极绝缘膜21。
在已经形成了电极绝缘膜21以后，如图20B所示，利用真空沉积方 法在第一电极18A上涂敷有机发光层19。然后，利用真空沉积方法在有 机发光层19、电极绝缘膜21、平坦化绝缘膜17A和接触部15B上均匀 地形成第二电极20 (约为10nm厚)。
最后，利用CVD方法在第二电极20上均匀地涂敷保护膜(未图示)。 利用滴注方法在该保护膜(未图示)上均匀地涂敷密封树脂17B，从而将上 述各构成元件夹持在透明基板10A与10B之间。这样，就能获得图14 和图15所示的本实施例的有机EL显示装置1。
以与第二实施例相同的方式，在通过上述过程制造而成的有机EL 显示装置1中，对第一电极与第二电极之间的接触电阻进行测试。测试 结果如图21所示。可以看到，图16A和图16B所示的结构(第三实施例) 与图11所示的结构(第二实施例)获得了相同的结果。换句话说，具有与 接触部15B相同的层状结构并与接触部15B —体形成的辅助布线15C进 一步减小了辅助布线15C与接触部15B之间的接触电阻，并防止了接触 电阻的显著增大。
有机EL显示装置1以与第一实施例中有机EL显示装置相同的方式 工作。也就是说，在通过布线层15A和薄膜晶体管Tr向第一电极18A 施加电压的情况下，有机发光层19按照跟第一电极18A与第二电极20之间的电位差成比例的亮度而发光。从有机发光层19发出的光被第一电
极18A反射，然后穿过第二电极20。因此，光穿过图15所示的透明基 板10B向上射出。因此，各个像素中响应于像素信号而发光的有机EL 元件(EL)在有机EL显示装置中生成所需的图像。
有机EL显示装置1被构成为，辅助布线15C具有与接触部15B相 同的层状结构并与接触部15B—体形成。因此，辅助布线15C与接触部 15B之间具有小得多的接触电阻。这使得第二电极20与辅助布线15C之 间的接触电阻进一步减小。
如上所述，第三实施例不但产生了与第一实施例相同的效果，而且 还产生了能够进一步减小辅助布线15C与接触部15B之间的接触电阻的 效果，上述后一效果的产生是由于辅助布线15C具有与接触部15B相同 的层叠结构并与接触部15B—体形成。这使得辅助布线15C与接触部15B 之间的接触电阻进一步减小，从而有利于实现低能耗并提高显示质量。
模块和应用例
上述各实施例的显示装置能够以各种形式用于电视机、数码相机、 笔记本电脑、便携电话和摄像机等设备，这些设备配备有显示装置以便 从外部信号或者内部信号产生图像。
模块
上述任一实施例的显示装置可以按图22所示模块的形式得以应用， 该模块被设置于在以下应用例中所列出的各种电子设备中。图22所示的 模块包括基板ll、密封基板50、粘合剂层40以及从密封基板50和粘合 剂层40延伸的区域210。区域210包括用于信号线驱动电路120和扫描 线驱动电路130的布线，所述布线的外部端子(未图示)与用于信号输入和 输出的柔性印刷电路220连接。
应用例1
图23是示出了应用上述各实施例的显示装置的电视机的外观视图。 该电视机具有包括前板310和滤色玻璃320的图像显示屏300。图像显示 屏300是基于上述各实施例的显示装置而构成的。应用例2
图24A和图24B是示出了应用上述各实施例的显示装置的数码相机 的外观视图。该数码相机具有发光部410、显示单元420、菜单开关430 和快门按钮440。显示单元420是基于上述各实施例的显示装置而构成 的。
应用例3
图25是示出了应用上述各实施例的显示装置的笔记本电脑的外观 视图。该笔记本电脑具有主体510、用于输入操作的键盘520和用于图像 显示的显示单元530。显示单元530是基于上述各实施例的显示装置而构 成的。
应用例4
图26是示出了应用上述各实施例的显示装置的摄像机的外观视图。 该摄像机具有主体610、连接至主体610的镜头620、开始/停止开关630 和显示单元640。显示单元640是基于上述各实施例的显示装置而构成 的。
应用例5
图27A 图27G是示出了应用上述各实施例的显示装置的便携电话 的外观视图。该便携电话包括利用铰链730接合在一起的上部壳体710 和下部壳体720。该便携电话还包括显示部740、副显示部750、图片灯 (picture light) 760和照相机770。显示部740或者副显示部750是基于上 述各实施例的显示装置而构成的。
已经参照具体实施例对本发明进行了说明。然而，在本发明的范围 内可以不受限制地作出各种变化和修改。
例如，接触部15B或者25B除了可以被形成为如图4所示与布线层 15A处于同一层或者与第一电极18A及辅助布线18B处于同一层，还可 以被形成为与其它层处于同一层。
在第一实施例中，辅助布线18B被形成为与第一电极18A处于同一 层，在第三实施例中，辅助布线15C被形成为与布线层15A和接触部15B
25处于同一层。然而，辅助布线18B或者15C也可以形成为与其它层处于 同一层。此外，辅助布线18B和15C可以结合起来并且可以通过接触孔 相互连接，因此，当一根辅助布线断裂时，可以用另一根来补充断裂的 那根。
在上述各实施例中，电极绝缘膜21具有比它下方的平坦化绝缘膜 17A的开口宽的开口(对应于接触部15B)。然而，电极绝缘膜21的开口 也可以比平坦化绝缘膜17A的开口窄，只要该开口具有向上扩展的锥形 形状即可。
在上述各实施例中，如果单独地形成平坦化绝缘膜17A和保护绝缘 膜16，则优选让平坦化绝缘膜17A位于接触部15B上的保护绝缘膜16 的内侧。然而，这不是必须限定的。
在第二实施例中，在用于形成薄膜晶体管Tr的各步骤中所形成的所 有膜都被留下来作为接触部15B的下面各层；然而，不一定需要将所有 膜都留下，而是可以将一些膜除去，或者可以形成与薄膜晶体管Tr分离 的附加膜。
本实施例的显示装置不但可以包括在前述各实施例中说明的具有有 机EL元件的有机EL显示装置，还可以包括任何其它的显示装置。
前述各实施例中的构成元件在材料、厚度、形成过程及形成条件方 面不限于上述具体情况。
前述各实施例的有机EL显示装置1不一定需要具有上述所有层。 此外，它还可以具有例如连接至透明基板10B的滤色层等附加层。
本领域技术人员应当理解，依据不同的设计要求和其他因素，可以 在本发明所附的权利要求或其等同物的范围内进行各种修改、组合、次 组合以及改变。
2权利要求
1. 一种显示装置，其具有多个驱动元件以及与所述驱动元件电连接的布线部，所述显示装置包括多个第一电极，所述多个第一电极对应于各个所述驱动元件而形成在所述驱动元件和所述布线部上；多个发光部，所述多个发光部各自形成在所述第一电极上；公共的第二电极，其由可透射从所述发光部发出的光的材料形成，并且形成在所述发光部上；辅助布线部，其电阻低于所述第二电极的电阻；以及接触部，其由多个导电层形成为层叠结构，并使所述第二电极和所述辅助布线部相互电连接，所述接触部的各导电层中的至少最下部导电层与所述第二电极直接接触。
2. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述辅助布线部由与所述第一电极相同的材料形成在所述第一电极 之间的区域中，并且所述接触部的各导电层中的最上部导电层与所述辅助布线部接触。
3. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述辅助布线部具有与所 述接触部相同的层叠结构，并与所述接触部一体形成。
4. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述接触部是双层结构， 该双层结构的第二导电层在第一导电层上，所述第一导电层比所述第二 导电层宽，并且所述第二电极与该宽出部分接触。
5. 如权利要求4所述的显示装置，其中，所述第一导电层是由Ti、 TiN、 Al、 Mo、 W、 Cr、 Au、 Pt、 Cu、 ITO、 IZO、 Ag及其合金中的任 一种材料形成的金属层。
6. 如权利要求5所述的显示装置，其中，所述第二导电层是A1材 料的金属层。
7. 如权利要求l所述的显示装置，其中，所述接触部由与所述驱动 元件的布线部相同的层形成。
8. 如权利要求7所述的显示装置，其中，在所述接触部的下方，形 成有在所述驱动元件侧的绝缘膜和包含金属膜的膜。
9. 如权利要求7所述的显示装置，其中，在所述接触部与所述第二电极之间形成有绝缘层，所述绝缘层在与 所述接触部对应的区域中具有开口，并且 所述开口被形成为向上扩展的锥形形状。
10. 如权利要求1所述的显示装置，其中，所述接触部的各导电层 中的最下部导电层由相对于所述第一电极具有高蚀刻选择性的材料形 成。
11. 一种显示装置制造方法，其包括以下步骤在基板上形成多个驱动元件和布线部，使得这些驱动元件和布线部 相互电连接；形成具有由多个导电层构成的层叠结构的接触部；在所述驱动元件和所述布线部上形成分别与所述多个驱动元件对应 的多个第一电极，并形成辅助布线部；在各个所述第一电极上形成发光部；以及在所述发光部上用可透射从各个所述发光部发出的光的材料形成公 共的第二电极，并通过所述接触部使所述第二电极与所述辅助布线部之 间进行电连接，所述辅助布线部由电阻低于所述第二电极的电阻的材料形成， 所述接触部的各导电层中的至少最下部导电层与所述第二电极直接 接触。
12. 如权利要求ll所述的显示装置制造方法，其中， 将所述接触部形成为包括第一导电层和第二导电层的层叠结构， 使所述第二导电层层叠在所述第一导电层上，然后，在所述层叠结构上形成掩模，通过所述掩模进行湿式蚀刻，从而向下选择性地除去各层直至选择性地除去所述第二导电层，通过所述掩模进行干式蚀刻，从而选择性地除去所述第一导电层， 然后，形成所述第二电极，使得所述第二电极覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。
13. 如权利要求ll所述的显示装置制造方法，其中，所述接触部由 与所述驱动元件的布线部相同的层形成。
14. 如权利要求ll所述的显示装置制造方法，所述方法还包括以下步骤在所述接触部与所述第二电极之间形成绝缘层；以及 在所述绝缘层中选择性地除去与所述接触部对应的区域，从而形成 具有向上扩展的锥形形状的开口。
15. 如权利要求14所述的显示装置制造方法，其中，通过使用半色 调掩模或灰色调掩模来形成所述具有向上扩展的锥形形状的开口。
16. —种显示装置制造方法，其包括以下步骤在基板上形成多个驱动元件和布线部，使得这些驱动元件和布线部 相互电连接；形成具有由多个导电层构成的层叠结构的接触部，并一体形成具有与所述接触部相同的层叠结构的辅助布线部；在所述驱动元件和所述布线部上形成分别与所述多个驱动元件对应 的多个第一电极；在各个所述第一电极上形成发光部；以及在所述发光部上用可透射从各个所述发光部发出的光的材料形成公共的第二电极，并通过所述接触部使所述第二电极与所述辅助布线部之 间进行电连接，所述辅助布线部由电阻低于所述第二电极的电阻的材料形成， 所述接触部的各导电层中的至少最下部导电层与所述第二电极直接 接触。
17. 如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中， 将所述接触部形成为包括第一导电层和第二导电层的层叠结构， 使所述第二导电层层叠在所述第一导电层上，然后，在所述层叠结构上形成掩模，通过所述掩模进行湿式蚀刻，从而向下选择性地除去各层直至选择性地除去所述第二导电层，通过所述掩模进行干式蚀刻，从而选择性地除去所述第一导电层， 然后，形成所述第二电极，使得所述第二电极覆盖所述第一导电层和所述第二导电层。
18. 如权利要求16所述的显示装置制造方法，其中，所述接触部由 与所述驱动元件的布线部相同的层形成。
19. 如权利要求16所述的显示装置制造方法，所述方法还包括以下 步骤在所述接触部与所述第二电极之间形成绝缘层；以及 在所述绝缘层中选择性地除去与所述接触部对应的区域，从而形成 具有向上扩展的锥形形状的开口。
20. 如权利要求19所述的显示装置制造方法，其中，通过使用半色 调掩模或灰色调掩模来形成所述具有向上扩展的锥形形状的开口。
全文摘要
本发明提供了显示装置及其制造方法，该显示装置具有多个驱动元件以及与驱动元件电连接的布线部，该显示装置包括多个第一电极，这些第一电极对应于各个驱动元件而形成在驱动元件和布线部上；多个发光部，这些发光部各自形成在第一电极上；公共的第二电极，其由可透射从发光部发出的光的材料形成，并且形成在发光部上；辅助布线部，其电阻低于第二电极的电阻；以及接触部，其由多个导电层形成为层叠结构，并使第二电极和辅助布线部相互电连接，接触部的各导电层中的至少最下部导电层与第二电极直接接触。在本发明的显示装置及其制造方法中，第二电极和辅助布线通过导电接触部彼此电连接；因此，即使辅助布线受到表面氧化，接触电阻也不会增大。
文档编号H01L27/32GK101465368SQ200810186409
公开日2009年6月24日 申请日期2008年12月16日 优先权日2007年12月18日
发明者广升泰信, 林直辉, 藤冈弘文 申请人:索尼株式会社