专利名称：离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备的制作方法
技术领域：
本发明是有关于一种沉淀方法及应用其的发光二极管与设备，且特别是有关于一
种离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备。
背景技术：
目前，发光二极管(Light Emitting Diode， LED)的应用相当地广泛，例如是应用在看板、交通标志或是作为显示装置的背光源。 一般来说，发光二极管的制程大体上可分为固晶、焊线、点胶及包装的步骤。固品的步骤是固定晶片在支架的数个碗杯型凹槽内；焊线的步骤是经由焊接导线在晶片上，以电性连接晶片；点胶的步骤是注入胶体到碗杯型凹槽中，以覆盖晶片；以及包装的步骤是分割支架上的已完成的数个发光二极管，以进行包装。
进一步就点胶的步骤来说，点胶的步骤可再细分为数个子步骤，包括混合胶材及荧光粉来取得胶体、脱泡、注入胶体于碗杯型凹槽中、再脱泡、沉淀荧光粉及烘烤。沉淀荧光粉的子步骤往往成为决定发光二极管的发光成效与光、色分布均匀特性的重要关键之一。现有的用以沉淀荧光粉的方式包括对胶体加热与静置的两种方式，此两种方式将分述如下。 在对胶体加热的方式中，胶材在被加热后呈现较稀释的状态，利用荧光粉的比重相对地大于胶材的比重，使悬浮在胶体中的荧光粉得以沉积在底部。如此，荧光粉可借由与胶材在比重上的差异来沉淀到碗杯型凹槽的底部。然而，并非每种胶材受热之后的比重皆可与荧光粉的比重有显著地差异。因此，荧光粉可能因此而无法顺利地沉淀在碗杯型凹槽的底部。 另外，在静置的方式中，荧光粉借由重力来慢慢地沉淀至凹槽的底部。然而，荧光粉是否可以沉淀在凹槽的底部往往取决于静置的时间长短、胶材浓稠度与荧光粉的比重。如此，制造发光二极管的时间成本因此而提高，使得发光二极管的整体产能可能对应地减少。 因此，如何在具有效率的前提下，提出一种可让荧光粉沉淀在凹槽的底部的方法和设备，以同时对应地提高发光二极管的发光成效与品质，为相关业者努力之课题之一。
发明内容
本发明关于一种离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备，其以转动发光结构的方式来提供离心力至发光结构中，使得发光结构的胶体中的荧光粒子往凹槽的底面移动，以达到有效率地沉淀荧光粒子的效果。其中，荧光粒子的粒径以30ym以下有较佳的成效表现，然而，本发明并未限制可应用的荧光粒子的尺寸。此外，发光结构中的胶体的表面可因此而达到平整，且可能存在于胶体中的空气所集结而成的气泡亦可同时排出。如此，发光二极管的发光成效、良率以及品质，甚或是产能亦可对应地提升。 根据本发明的第一方面，提出一种离心沉淀方法，包括以下的步骤。提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面
4上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在
胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。 根据本发明的第二方面，提出一种发光二极管，包括一支架、一晶片及一胶体。支
架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充
在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子是以覆盖在凹槽的底面上以及晶片的出光面上的方式分
布在胶材中。 根据本发明的第三方面，提出一种离心沉淀设备，应用于一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。离心沉淀设备包括一旋转设备及一固定机构。旋转设备用以带动发光结构转动，使得荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。固定机构设置在旋转设备上，用以固定发光结构。
为让本发明的上述内容能更明显易懂，下文特举优选实施例，并配合附图，作详细说明如下
图1A示出发光结构的示意图的一例。 图1B示出沿着图1A中的剖面线1B-1B的未经沉淀的发光二极管的剖面图。
图2示出图1A中的发光结构设置在根据本发明第一实施例的离心沉淀设备上的示意图。 图3示出根据本发明第一实施例的离心沉淀方法的流程图。 图4示出执行图3中的离心沉淀方法后的发光二极管的剖面图的一例。 图5A示出未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极
管的CIE-X轴的盒型图。 图5B示出未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-Y轴的盒型图。 图6A中示出经过反沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-X轴的盒型图。 图6B示出经过反沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-Y轴的盒型图。 图7示出图1A中的发光结构设置在根据本发明第二实施例的离心沉淀设备上的示意图。 图8示出沿着图7中的剖面线8-8'的剖面图。 图9示出根据本发明第二实施例的离心沉淀方法的流程图。 图10为以X光照射未经沉淀的发光二极管的照片。 图11为以X光照射施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的照片。 图12为以X光照射反沉淀的发光二极管的照片。 主要元件符号说明 10 :发光结构 100 :未经沉淀的发光二极管
100':发光二极管 110 :支架 111 :凹槽 llls:底面 120 :晶片 120s :出光面 130 :胶体 131、 131，胶材 131s、131s，表面 200、200':离心沉淀设备 210、210':旋转设备 2H、211':容置槽 211s :内壁 220 、220':固定机构 230，卡匣 240':加热器 B :气泡 D:方向 Dl :第一方向 D2:第二方向 Dxll、 Dxl2、 Dx21、 Dx22、 Dyll、 Dyl2、 Dy21、 Dy22、 Dx31、 Dx32、 Dx41、 Dx42、 Dy31、Dy32、Dy41、Dy42 :数据组 Mxll、 Mxl2、 Mx21、 Mx22、 Myll、 Myl2、 My21、 My22、 Mx31、 Mx32、 Mx41、 Mx42、 My31、My32、My41、My42 :中位数 P、P':荧光粒子 Y :旋转轴心
具体实施例方式
本发明提供一种离心沉淀方法，包括以下的步骤提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。 以下举出两个实施例，配合附图详细地说明离心沉淀方法及应用其的发光二极管及设备的特征。然而，本领域技术人员当可明了，这些附图与文字仅为说明用，并不会对本发明的欲保护范围造成限縮。
第一实施例 本实施例将以对图1A中的发光结构10进行离心沉淀方法来举例说明本发明。请参照图1A，其示出发光结构的示意图的一例。发光结构IO包括多个未经沉淀的发光二极管100，此些未经沉淀的发光二极管100尚未进行分割的步骤。
请参照图1B，其示出沿着图1A中的剖面线1B-1B的未经沉淀的发光二极管的剖面图。未经沉淀的发光二极管100包括一支架110、一晶片120及一胶体130。支架110具有一凹槽111，且凹槽111例如为碗杯型。晶片120设置在凹槽111的一底面Ills上，且晶片120例如是用以发出蓝光。胶体130包括两种胶材131 (例如是混合的A胶与B胶)与数个黄色的荧光粒子P。胶材131填充在凹槽111内，且覆盖晶片120。荧光粒子P分布在胶材131中。虽然此处是以胶体130包括两种胶材131及黄色的荧光粒子P来说明，然而，胶体130亦可包括多种不同的荧光粒子与数种相互混合的胶材。 以下利用图2中的离心沉淀设备200来执行图3中的离心沉淀方法的步骤，使得图1A中的发光结构10的数个未经沉淀的发光二极管100的荧光粒子P可沉淀。然而，此技术领域中具有通常知识者应明了，本发明的离心沉淀方法并不以图3中的流程步骤及顺序为限，且亦不以利用图2中的离心沉淀设备200执行为限。当然，离心沉淀方法更不以应用于如图1A中所示的发光结构10为限。举例来说，离心沉淀方法亦可应用在具有多个晶片或是不同晶片型式的未经沉淀的发光二极管中。 此处先说明离心沉淀设备200的元件的配置及功用。离心沉淀设备200包括一旋转设备210及一固定机构220。旋转设备210具有一容置槽211，容置槽211用以转动。在本实施例中，固定机构220例如是位于容置槽211的一内壁211s上的数个卡合件，用以借由卡合的方式来固定发光结构。当然，固定机构220的结构及型式并不以此处的例子为限，只要可用以固定发光结构在容置槽211的内壁211s上的机构，均可应用在本实施例中。
以下更进一步配合图3中的沉淀离心方法来作说明。首先，在步骤301中，提供如图1A所示的发光结构10。优选地，发光结构10中的荧光粒子P(如图1B所示)的粒径小于30微米(ii m)。 接着，在步骤303中，利用固定机构220来固定发光结构10在旋转设备210的容置槽211的内壁211s上。优选地，发光结构10的胶体130是面向容置槽211的旋转轴心Y。一般而言，当发光结构10的胶体130是以面向容置槽211的旋转轴心Y的方式摆置(也就是直立地摆放发光结构10)时，胶体130往往易因重力而流出凹槽111。因此，本实施例是以调整凹槽111以及未经沉淀的发光二极管100的尺寸来避免胶体130流出凹槽111。在本实施例中，凹槽111的长度与宽度调整至小于50毫米，且未经沉淀的发光二极管100的长度与宽度调整至小于7毫米。当然，此处所提的借由凹槽lll与未经沉淀的发光二极管100的尺寸来避免胶体130流出凹槽111的方式仅为一例子。避免胶体130流出凹槽111亦可例如是借由带动未经沉淀的发光二极管IOO摆动，或者，适当地选择胶体130中的胶材131与其配合的机构来达成(请参照第二实施例)。此外，由于发光结构10所包括的多个未经沉淀的发光二极管100沿着一方向D排列，因此，发光结构10优选地是以方向D实质上平行于容置槽211的旋转轴心Y的方式固定于内壁211s上，以让离心力可均匀地提供至未经沉淀的发光二极管100。 然后，在步骤305中，以旋转设备210的转动的容置槽211来带动发光结构10转动。也就是说，当容置槽211被驱动而例如是以3000rpm(revolutions per minute)的转速转动时，转动的容置槽211经由固定机构220来带动发光结构10转动。由于发光结构IO的支架110为挠性结构，因此，受带动的发光结构10因离心力而呈现贴附在容置槽211的内壁211s的状态。此外，由于发光结构10的胶体是以面向容置槽211的旋转轴心Y的方式固定，因此，各未经沉淀的发光二极管100的胶体130中的荧光粒子P借由转动时所产生的离心力来往凹槽111的底面llls移动，使得胶体130内的荧光粒子P呈现如图4中所示的分布方式。 如图4所示，发光二极管100'的荧光粒子P'覆盖在凹槽111的底面Ills上以及晶片120的出光面120s上。 一般来说，如图IB所示，胶材131往往在注入凹槽111的过程中产生气泡B或胶材131的表面131s呈现不平整的情况，使得晶片120发出的光线在通过气泡B或是不平整的表面131s时易产生折射或是散射。因此，相比较之下，经过离心沉淀方法后的图4中的胶材131'的表面131s'可同样借由离心力来呈现较为平整的分布，且同时排出可能存于胶材131'中的气泡，以提升发光二极管100'的发光成效。
更进一步来说，请参照图10 图ll，其分别为以X光照射未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的照片。在图io中，未经沉淀的发光二极管中的黑色区块所构成的凹槽中，多个荧光粒子分布在胶材中。在图11中，经过沉淀的发光二极管中的黑色区块所构成的凹槽中，荧光粒子沉淀在凹槽的底面上以及晶片的出光面上。因此，由图10及图ll可知，施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的荧光粒子可有效地沉淀在凹槽的底面上以及晶片的出光面上。 另外，当发光二极管欲设置在背光模块中作为光源时，发光二极管的轴向光强与发光二极管设置在背光模块时经由积分球所测量出的光通量优选地相互接近，以让发光二极管设置在背光模块时的光色分布均匀特性稳定。请参照图5A与图5B，其分别示出未经沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-X轴与CIE-Y轴的盒型图。 在图5A中，纵轴表示在CIE-X轴的颜色座标值，横轴表示未经沉淀的发光二极管的轴向光强的数据组Dxll与经由积分球所测量出光通量的数据组Dx12，以及施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强的数据组Dx21与经由积分球所测量出光通量的数据组Dx22。数据组Dxll、Dxl2、Dx21、Dx22的中位数分别以Mxll、 Mxl2、 Mx21、 Mx22标示。经由计算，可得出图5A中的中位数Mxll与Mxl2的差值为0. 0097，且中位数Mx21、Mx22的差值为0. 002。由于中位数Mx21、Mx22的差值(0. 002)小于中位数Mxll与Mxl2的差值(0. 0097)，因此，由图5A的CIE-X轴的盒型图可知，施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强与光通量较未经沉淀的发光二极管的轴向光强与光通量相互接近，以让发光二极管设置在背光模块时的光色分布均匀特性稳定。 在图5B中，纵轴表示在CIE-Y轴的颜色座标值，横轴表示未经沉淀的发光二极管的轴向光强的数据组Dyll与经由积分球所测量出光通量的数据组Dy12，以及施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强的数据组Dy21与经由积分球所测量出光通量的数据组Dy22。数据组Dyll、Dyl2、Dy21、Dy22的中位数分别以Myll、 Myl2、 My21、 My22标示。经由计算，可得出图5B中的中位数Myll与Myl2的差值为0. 012，且中位数My21、My22的差值为0. 0035。由于中位数My21、My22的差值(0. 0035)小于中位数Myll与Myl2的差值(0. 012)，因此，由图5B的CIE-Y轴的盒型图可知，施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强与光通量较未经沉淀的发光二极管的轴向光强与光通量相互接近，以让发光二极管设置在背光模块时的光色分布均匀特性稳定。 —般来说，发光二极管的白光是借由晶片所发出的光线激发荧光粒子中的材质来
8达成。如图4与图ll所示，施行本实施例的沉淀离心方法后，发光二极管中的荧光粒子沉淀在凹槽的底面上以及晶片的出光面上，因此，晶片所发出的光线可视为一次激发荧光粒子中的材质来发光白光。在同样为一次激发荧光粒子的材质下，为了进一步验证荧光粒子的沉淀位置亦为影响发光成效的因素之一，因此，此处进一步在图12中提出将荧光粒子分布在凹槽的顶面(以下称为反沉淀)时的照片，且在图6A与图6B中分别示出经过反沉淀的发光二极管与施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的CIE-X轴与CIE-Y轴的盒型图。 在图12中，荧光粒子分布在凹槽的顶面。在图6A中，纵轴表示在CIE-X轴的颜色座标值，横轴表示反沉淀的发光二极管的轴向光强的数据组Dx31与经由积分球所测量出光通量的数据组Dx32，以及施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强的数据组Dx41与经由积分球所测量出光通量的数据组Dx42。数据组Dx31、Dx32、Dx41、Dx42的中位数系分别以Mx31 、 Mx32 、 Mx41 、 Mx42标示。经由计算，可得出图6A中的中位数Mx31与Mx32的差值为0. 0097，且中位数Mx41、Mx42的差值为0. 002。由于中位数Mx41、Mx42的差值(0.002)小于中位数Mx31与Mx32的差值(0. 0097)，因此，由图6A的CIE-X轴的盒型图可知，施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强与光通量较反沉淀的发光二极管的轴向光强与光通量相互接近，以让发光二极管设置在背光模块时的光色分布均匀特性稳定。 在图6B中，纵轴表示在CIE-Y轴的颜色座标值，横轴表示反沉淀的发光二极管的轴向光强的数据组Dy31与经由积分球所测量出光通量的数据组Dy32，以及施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强的数据组Dy41与经由积分球所测量出光通量的数据组Dy42。数据组Dy31 、 Dy32、 Dy41 、 Dy42的中位数分别以My31 、 My32、 My41 、 My42标示。经由计算，可得出图6B中的中位数My31与My32的差值为0. 0135，且中位数My41、My42的差值为0. 0035。由于中位数My41、My42的差值(0. 0035)小于中位数My31与My32的差值(0. 0135)，因此，由图6B的CIE-Y轴的盒型图可知，施行本实施例的沉淀离心方法后的发光二极管的轴向光强较光通量与反沉淀的发光二极管的轴向光强与光通量相互接近，以让发光二极管设置在背光模块时的光色分布均匀特性稳定。
第二实施例 本实施例与第一实施例的不同之处在于离心沉淀设备的卡匣、加热器与固定机构的设计，其余相同的元件与步骤沿用相同标号，在此不再赘述。此外，本实施例同样以图1A中的发光结构10的未经沉淀的发光二极管100来作说明。 请参照图7，其示出图1A中的发光结构设置在根据本发明第二实施例的离心沉淀设备上的示意图。与第一实施例相比较，本实施例的离心沉淀设备200'还包括一卡匣230'与一加热器240'，卡匣230'与加热器240'将进一步说明如下。 卡匣230'用以容置且固定数个如图1A中所示的发光结构10，以同时沉淀此些发光结构10中的未沉淀的发光二极管100的荧光粒子P(如图1B所示)。各发光结构10的胶体130是以面向容置槽211'的旋转轴心Y的方式固定在卡匣230'内，且发光结构10彼此相互叠设。因此，固定机构220'经由卡匣230'来固定发光结构10在容置槽211'的内壁211s上。假设发光结构10所包括的多个未经沉淀的发光二极管100沿着方向D排列，则发光结构10优选地是以方向D实质上平行于容置槽211'的旋转轴心Y的方式设置在卡
9匣230'内，以让离心力可均匀地提供至未经沉淀的发光二极管100上。
加热器240'用以提高各发光结构10的温度。本实施例借由提高容置槽211'的腔体内的温度来对应地提高各发光结构10的温度。由于本实施例的胶体130中的胶材131选用热固材料，因此，当加热器240'提高容置槽211'的腔体内的温度，且对应地增加各发光结构10的温度时，各发光结构10的胶材131的表面暂时地硬化，以减少凹槽111内的胶体130因各发光结构IO直立地摆放而外流的机率。当然，加热器240'亦可设置在如图2所示的离心沉淀设备200中。 此外，本实施例的固定机构220'可摆动地设置在旋转设备210'的容置槽211'上，用以固定且带动各发光结构10沿着一第一方向Dl摆动。如此，胶体130可均匀地分布在凹槽111内，以避免凹槽111内的胶体130因各发光结构IO直立地摆放而外流。更进一步来说，请同时参照图8，其示出沿着图7中的剖面线8-8'的剖面图。固定机构220'可更带动各发光结构10沿着一第二方向D2摆动，且固定机构220'可根据旋转设备210'的容置槽211'的转速来决定是否带动各发光结构10沿着第二方向D2摆动。当固定机构220'带动各发光结构10沿着第二方向D2摆动时，各发光结构10由其胶体130朝上的位置(如图8中虚线所示的之位置)转变成其胶体130面向容置槽211'的旋转轴心Y的位置(如图8中实线所示的位置)，或由其胶体130面向容置槽211'的旋转轴心Y的位置转变成其胶体130朝上的位置。 为了配合离心沉淀设备200'的卡匣230'、加热器240'与固定机构220'的设计，如图9所示，本实施例的离心沉淀方法的流程图包括步骤301、步骤303'与步骤305。由于图6中的步骤301与步骤305与图3中的步骤301及305相同，因此，此处并不再详细地说明。 步骤301提供数个如图1A中所示的发光结构10。 接着，步骤303'包括步骤303a与步骤303b，以固定发光结构10在旋转设备210'上。在步骤303a中，摆置数个发光结构10在卡匣230'内。接着，在步骤303b中，利用固定机构220'来固定卡匣230'在旋转设备210的容置槽211'的内壁211s上。
本实施例的容置槽211'的直径为100cm，且在步骤305中是以1500rpm的转速转动容置槽211'，以经由固定机构220'与卡匣230'来带动发光结构IO转动。由于发光结构10的胶体是以面向容置槽211'的旋转轴心Y的方式固定在卡匣230'内，因此，各未经沉淀的发光二极管100的胶体130中的荧光粒子P借由转动时所产生的离心力来往凹槽111的底面Ills移动，使得胶体130内的荧光粒子P呈现如图4中所示的分布方式。
本实施例的离心沉淀方法可在步骤305中还包括利用加热器240'来提高容置槽211'的腔体内的温度，以对各发光结构IO进行加热。如此，可借由固化胶材131的表面来避免胶体130流出凹槽111之外。另外，步骤305亦可还包括沿着图7中的第一方向Dl或沿着图8中的第二方向D2来摆动各发光结构10。举例来说，当步骤305中以旋转设备210'的转动的容置槽211'来带动各发光结构10转动时，可同时利用固定机构220'的摆动来带动各发光结构10沿着第一方向Dl摆动，使得胶体130可均匀地分布在凹槽111中，并避免流出到凹槽111之外。再以利用固定机构220'的摆动来带动各发光结构10沿着第二方向摆动来举出另一例子。摆动的步骤中可根据转动的容置槽211'转动各发光结构10的转速来决定是否摆动各发光结构10。更进一步来说，各发光结构10可在容置槽211'刚开始转
10动时，位于如图8中的虚线所示的位置。然后，待容置槽211'的转速达到例如是最大转速的一半时，方将各发光结构10摆动至如图8中的实线所示的位置。如此，亦可用以避免凹槽111内的胶体130外流。 本实施例借由卡匣230'的使用来提高同时处理发光结构10的个数，以在具有第一实施例的优点之外，更进一步具备提高产能的优点。此外，加热器240'的设置与固定机构220'的可摆动的设计亦可用以避免凹槽lll内的胶体130外流。 本发明上述实施例所公开的离心沉淀方法及应用其的发光二极管与设备，其以提供离心力至发光结构的方式来让胶体中的荧光粒子可往凹槽的底面的方向移动。如此，荧光粒子可快速地沉淀在晶片的发光面与凹槽的底面上。此外，发光结构中的胶体的表面可达到平整，且可能存在于胶体中的空气亦可同时排出。如此，发光二极管的发光成效、良率以及品质亦可对应地提升。再者，借由卡匣的应用，上述实施例更进一步具备提高产能的优点。 综上所述，虽然本发明已以优选实施例公开如上，然其并非用以限定本发明。本发明所属技术领域中具有通常知识者，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作各种的更动与润饰。因此，本发明的保护范围当视后附的权利要求书所界定的为准。
1权利要求
一种离心沉淀方法，包括以下的步骤(a)提供一发光结构，该发光结构包括一支架、一晶片及一胶体，该支架具有一凹槽，该晶片设置在该凹槽的一底面上，该胶体包括一胶材及多个荧光粒子，该胶材填充在该凹槽内，且覆盖该晶片，该些荧光粒子分布在该胶材中；以及(b)转动该发光结构，借此使该些荧光粒子往该凹槽的该底面的方向移动。
2. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，其中该步骤(b)包括 (bl)固定该发光结构在一旋转设备上；以及(b2)以该旋转设备带动该发光结构转动。
3. 根据权利要求2所述的离心沉淀方法，其中该旋转设备具有一容置槽，该步骤(bl) 固定该发光结构在该容置槽的一内壁上，该步骤(b2)利用转动的该容置槽来带动该发光 结构转动。
4. 根据权利要求3所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bl)是以该胶体面向该容置槽的 旋转轴心的方式固定该发光结构在该内壁上。
5. 根据权利要求3所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bl)包括 (bll)摆置多个发光结构在一卡匣内；以及(bl2)固定该卡匣在该容置槽的该内壁上。
6. 根据权利要求5所述的离心沉淀方法，其中该步骤(bll)是以相互叠设的方式摆 置该些发光结构在该卡匣内，且以各该胶体面向该容置槽的旋转轴心的方式摆置该发光结 构。
7. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，还包括 对该发光结构进行加热。
8. 根据权利要求1所述的离心沉淀方法，还包括 摆动该发光结构。
9. 根据权利要求8所述的离心沉淀方法，其中该摆动的步骤中是根据该转动该发光结 构的转速来决定是否摆动该发光结构。
10. —种发光二极管，包括 一支架，具有一凹槽； 一晶片，设置在该凹槽的一底面上；以及 一胶体，包括一胶材，填充在该凹槽内，且覆盖该晶片；及多个荧光粒子，以覆盖在该凹槽的该底面上以及该晶片的出光面上的方式分布在该胶 材中。
11. 一种离心沉淀设备，应用于一发光结构，该发光结构包括一支架、一晶片及一胶体， 该支架具有一凹槽，该晶片设置在该凹槽的一底面上，该胶体包括一胶材及多个荧光粒子， 该胶材填充在该凹槽内，且覆盖该晶片，该些荧光粒子分布在该胶材中，该离心沉淀设备包 括一旋转设备，用以带动该发光结构转动，使得该些荧光粒子往该凹槽的该底面的方向 移动；以及一固定机构，设置在该旋转设备上，用以固定该发光结构。
12. 根据权利要求11所述的离心沉淀设备，其中该旋转设备具有一容置槽，该固定机 构设置在该容置槽的一内壁上，该容置槽用以转动。
13. 根据权利要求12所述的离心沉淀设备，其中该固定机构是以该胶体面向该容置槽 的旋转轴心的方式固定该发光结构。
14. 根据权利要求12所述的离心沉淀设备，还包括一卡匣，用以容置且固定多个发光结构在其内，该固定机构是经由该卡匣来固定该些 发光结构。
15. 根据权利要求14所述的离心沉淀设备，其中各该发光结构的该胶体是以面向该容 置槽的旋转轴心的方式固定于该卡匣内，且该些发光结构相互叠设。
16. 根据权利要求11所述的离心沉淀设备，还包括 一加热器，用以加热该发光结构。
17. 根据权利要求11所述的离心沉淀设备，其中该固定机构可摆动地设置在该旋转设 备上，用以固定且带动该发光结构摆动。
18. 根据权利要求17所述的离心沉淀设备，其中该固定机构根据该旋转设备的转速来 决定是否带动该发光结构摆动。
全文摘要
一种离心沉淀方法，包括以下的步骤。提供一发光结构。发光结构包括一支架、一晶片及一胶体。支架具有一凹槽。晶片设置在凹槽的一底面上。胶体包括一胶材及多数个荧光粒子。胶材填充在凹槽内，且覆盖晶片。荧光粒子分布在胶材中。接着，转动发光结构，借此使荧光粒子往凹槽的底面的方向移动。
文档编号H01L33/00GK101752476SQ20081018672
公开日2010年6月23日 申请日期2008年12月12日 优先权日2008年12月12日
发明者吕铭伦, 苏耀庆, 邓嘉玲 申请人:威力盟电子股份有限公司