专利名称：一种模压绕线电感器的制作方法
技术领域：
本实用新型属于软磁铁氧体材料领域，尤其涉及一种才莫压绕线电感器。
背景技术：
电感器是在通讯设备和其它无线电装置中使用最为广泛的器件，它既要求 高的品质因素和稳定性，又要求体积小，其磁导率pi值应能满足于通讯、计算
机等IT行业和电子整机对各种器件超小型化、微型化、轻量化、标准化发展需 求。LGA、 LGB型是一种高性能模压电感器，所用磁芯采用尖晶石结构软磁铁氧 体材料制作，根据不同的参数要求选择相应的初始磁导率。另外，在电感器的 制造工艺中，无源元件的封装形式一般有无封装、热缩套管封装、液体环氧树 脂浸渍封装、热固性树脂4莫压封装、金属外壳密闭封装、陶瓷外壳密闭封装等， 其环境适应性由劣到优。分析了日本TDK、太阳诱电和国内七星飞行、金山益 昕等厂家的产品结构，均采用热缩套管封装或液体环氧树脂浸渍封装，由于热 缩套管和液体环氧树脂本身的性能所限,电感器无法适应-55 +125。C的工作 温度。
热固性树脂模压封装、金属外壳密闭封装以及陶瓷外壳密闭封装可适应很 宽的工作温度范围，但后二种结构成本较高，只有热固性树脂模压封装是比较 合适的。但由于现有技术中的热固性树脂模压成型过程中要经历数十分钟160 。C以上的高温， 一方面，高温传导将改变磁芯的磁矩，导致电感器电性能变化； 另一方面，磁芯、漆包铜线和树脂 热膨胀系数差异很大，温度变化极易引起 漆包铜线机械损伤。
实用新型内容
本实用新型的目的在于提供一种模压绕线电感器，旨在解决现有技术中的 电感器在模压成型时高温传导改变磁芯的磁矩和漆包铜线易受树脂损伤的问 题。
一种模压绕线电感器，包括软磁铁氧体磁芯、包覆于所述磁芯上之线圈、 与所述磁芯相连的导线以及包覆于所述线圈外表面之热固性塑料层，所述线圈 外表面与热固性塑料层之间还设有一緩冲层。
本实用新型所设计的模压绕线电感器，在结构上采用双层树脂包封设计， 其内层采用热塑性材料，可保护漆包铜线在模压高温成型过程中不受树脂损伤，
并緩冲热应力作用；外层采用热固性塑料材料，耐高温性能好。
图1是本实用新型提供的实施例LGA电感器结构示意图； 图2是图l之A-A视图3是本实用新型提供的实施例LGB电感器结构示意图。 图4是图3之B-B^L图。
具体实施方式
为了使本实用新型的目的、技术方案及优点更加清楚明白，
以下结合附图 及实施例，对本实用新型进行进一步详细说明。应当理解，此处所描述的具体 实施例仅仅用以解释本实用新型，并不用于限定本实用新型。
图l和图2为本实用新型实施例提供的LGA电感器结构示意图，图3和图 4为本实用新型实施例提供的LGB电感器结构示意图，本实用新型电感器包括 软磁铁氧体磁芯1、包覆于所述磁芯1上之线圈3、与所述磁芯1中心孔相连的 镀锡导线2以及包覆于所迷线圈3外表面之环氧树脂层5。所述线圏3可优选 漆包铜线；所述镀锡导线2采用热浸锡合金表面镀层工艺制成，其中LGA电感器之镀锡导线2设于磁芯1两端，而LGB电感器镀锡导线2位于磁芯1同一端， 彼此有一定的间距；所述线圏3外表面与环氧树脂层5之间还设有一緩沖层4， 所述緩冲层4采用热塑性材料，可优选加有硅橡胶改性剂的聚酯，所述緩冲层 4也可采用由铁氧体粉料、有机溶剂和粘结剂组成的复合填料，实际加工中， 要求环氧树脂层5和緩冲层4 二者收缩率配合适当。
本实用新型所设计的模压绕线电感器，在结构上采用双层树脂包封设计， 其内层采用热塑性材料，可保护漆包铜线在模压高温成型过程中不受树脂损伤， 并緩沖热应力作用；外层采用热固性塑料材料，耐高温性能好。
以上所述仅为本实用新型的较佳实施例而已，并不用以限制本实用新型，
凡在本实用新型的精神和原则之内所作的任何修改、等同替换和改进等，均应 包含在本实用新型的保护范围之内。
权利要求1、一种模压绕线电感器，包括软磁铁氧体磁芯、包覆于所述磁芯上之线圈、与所述磁芯相连的导线以及包覆于所述线圈外表面之热固性塑料层，其特征在于所述线圈外表面与热固性塑料层之间还设有一缓冲层。
2、 如权利要求1所述的模压绕线电感器，其特征在于:所述线圈可优选漆 包铜线。
3、 如权利要求1所述的模压绕线电感器，其特征在于所述导线可优选镀 锡导线。
4、 如权利要求1所述的模压绕线电感器，其特征在于所述热固性塑料为 环氧树脂。
5、 如权利要求l所述的模压绕线电感器，其特征在于所述緩冲层可采用 热塑性材料。
专利摘要本实用新型提供了一种模压绕线电感器，包括软磁铁氧体磁芯、包覆于所述磁芯上之线圈、与所述磁芯相连的导线以及包覆于所述线圈外表面之热固性塑料层，所述线圈外表面与热固性塑料层之间还设有一缓冲层。本实用新型所设计的模压绕线电感器，在结构上采用双层树脂包封设计，其内层采用热塑性材料，可保护漆包铜线在模压高温成型过程中不受树脂损伤，并缓冲热应力作用；外层采用热固性塑料材料，耐高温性能好。
文档编号H01F41/12GK201374240SQ200820212618
公开日2009年12月30日 申请日期2008年10月16日 优先权日2008年10月16日
发明者丁晓鸿, 付贤民, 何金芝, 岚 杨, 樊应县, 林 滕, 王上衡, 王胜刚, 王裕凡, 倩 肖, 黄寒寒 申请人:深圳振华富电子有限公司