专利名称：有机el装置及其制造方法
技术领域：
本发明涉及有机EL装置及其制造方法。
背景技术：
以往，已知在基板上具备多个有机EL ( Electroluminescence)元件 的有机EL装置。有机EL元件具备覆盖在基板上形成的TFT (薄膜晶 体管)或布线等的平坦化层、在该平坦化层上形成的电极(阳极)、具 有划分该电极的开口部的隔壁、在该隔壁的开口部内形成的功能层、覆 盖该功能层而形成的电极(阴极)。尤其是，在由液相材料形成有机发 光层等功能层时，在隔壁的开口部内配置功能层的液相材料之后，使其 千燥而形成。
作为这样的有机EL装置，公开了在同一基板上图案化形成特性不 同的薄膜时，可以防止薄膜材料液体超出围堰而溢出的情况，准确、高 精度、比较筒单、成品率良好地形成平坦且厚度均匀的、无色差等的特 性稳定的薄膜层，可以进行高精度的细微图案化的有机EL装置(例如、 参照专利文献l)。另外，通过减小电流在水平方向流过时的电压下降可 以实现均匀发光，且即使使用TFT等有源元件，也不会使开口率和透 光率降低(例如、参照专利文献2)。
专利文献1:日本特许第3328297号'>报
专利文献2:特开2003-123988号公净艮
但是，上述以往的有机EL元件在制造工序中，由有机材料形成的 有机平坦化层暴露在光刻法所使用的抗蚀剂剥离液等处理液中。另外， 有机平坦化层，包含较多残留在内部的溶剂等、产生气体的杂质.因此， 处理液中包含的物质作用于有机平坦化层中的杂质而产生气体。这样的 气体在有机平坦化层上形成高气密性的层，例如由无机材料等形成的阳 极或无机隔壁等之后也会产生。因此，产生的气体未被排出到有机EL 装置的外部而被蓄积，成为发生暗点的原因，存在使显示品质降低之类的问题。
这样的暗点在有机EL装置形成之后随着时间而增长，导致包含多 个像素的区域成为不发光区域。
发明内容
因此，本发明提供一种有机EL装置及其制造方法，可以防止由于 从有机平坦化层产生的气体所导致的显示品质的降低。
为了解决上述问题，本发明的有机EL装置，其特征在于，具备 有机平坦化层，其形成在上i^l^上；第一电极，其形成在上述有 机平坦化层上；隔壁，其形成在上述第一电极上，并形成有划分上述第一 电极且使其上部露出的开口部；功能层，其设置在上述隔壁的开口部内； 第二电极，其覆盖上述功能层而设置，上述隔壁至少具备无机隔壁，在上 述无机隔壁中，形成有贯通上述无机隔壁并到达上述有机平坦化层的无机 隔壁贯通孔。
根据这样的结构，在无机隔壁形成时，在有机平坦化层中即使产生气 体，也会通过无机隔壁贯通孑L被排出到有机平坦化层的外部。另外，在形 成无机隔壁之后的制造工序中，通过加热基板，提高有机平坦化层的温度， 来促进来自无机隔壁贯通孔的杂质的排出。由此，减少有机平坦化层中的 杂质从而防止气体的产生。
因此，不仅可以防止自有机平坦化层产生气体，而且可以把产生的气 体排出到外部，并能够防止由于气体的蓄积所导致的有机EL装置显示品 质的降低。
另外，本发明的有机EL装置，其特征在于，上述隔壁具备具有亲液 性的上述无机隔壁和具有疏液性的有机隔壁，上述有机隔壁，形成在上述 无机隔壁上，上述有机隔壁的端部比上述无机隔壁的端部更靠近上述无机 隔壁中形成的上述无机隔壁贯通孔侧而形成。
根据这样的结构，在隔壁的开口部内配置液相材料，并4吏其干燥形成 功能层时，有机隔壁可防止液相材料流出到开口部外部。另外，由于无机 隔壁在开口部内的有机隔壁和无机隔壁之间的边界以阶梯差状地露出，所 以提高了开口部的有机隔壁和无机隔壁之间的边界附近的润湿性。因此，液相材料干燥体积减小，液面接近有机隔壁和无机隔壁之间的边界时，利 用无机隔壁使液相材料的厚度均一化，可以平坦地形成功能层。
另外，本发明的有机EL装置，其特征在于，上述无机隔壁，具备在 上述有机平坦化层侧形成的第一无机隔壁和在上述有机隔壁侧形成的第 二无机隔壁，上述第二无机隔壁的端部，比上述第一无机隔壁的端部更靠 近上述无机隔壁中形成的上述无机隔壁贯通孔侧而形成。
根据这样的结构，会进一步扩大开口部中的无机隔壁的表面积，进 一步提高功能层对液相材料的润湿性。因此可以更平坦地形成功能层。
另外，本发明的有机EL装置，其特征在于，在上述有机隔壁中形成 有有机隔壁贯通孔，该有机隔壁贯通孔贯通上述有机隔壁与上述无机隔壁 贯通孔连通或通过上述无机隔壁贯通孔到达上述有机平坦化层。
根据这样的结构，可以将有机平坦化层中产生气体的杂质通过有机隔 壁贯通孔，排出到有机隔壁的外部。
另外，本发明的有机EL装置，其特征在于，上述无机隔壁贯通孔， 其开口散布在上述开口部的周围或在上述开口部的周围连续地形成为槽 状。
根据这样的结构，可以使无机隔壁贯通孔的开口面积增加，更有效 地使有机平坦化层的杂质排出，并防止气体蓄积在功能层附近。
另外，本发明的有机EL装置的制造方法，其特征在于，是在基板 上形成的第一电极和第二电极之间具有功能层的有机EL装置的制造方 法，其特征在于，具有在上述141上形成有机平坦化层的工序；在上述 平坦化层上形成上述第 一 电极的工序；在上述第 一 电极上形成无机材料层 的工序；在上述无机材料层中，以形成划分上述第一电极且使其上部露出 的开口部的方式形成无机隔壁，并形成贯通上述无机隔壁到达上述有机平 坦化层的无机隔壁贯通孔的工序；在上述开口部内形成功能层的工序；覆 盖上述功能层形成第二电极的工序。
通过这样进行制造，在无机隔壁形成时，将有机平坦化层中所包含 的产生气体的杂质通过无机隔壁贯通孔排出到有机平坦化层的外部(基 板的相反侧)。另外，在形成无机隔壁后的制造工序中，通过对基板进 行加热，提高有机平坦化层的温度，由此促进来自无机隔壁贯通孔的杂质的排出。由此可以减少有机平坦化层中的杂质，防止气体的产生。另 外，在有机平坦化层中产生气体的情况下，也可以通过无机隔壁贯通孔 将气体排出到有机平坦化层的外部。
因此，不仅可以防止从有机平坦化层中产生气体，而且可以将产生
的气体排出到外部，防止由于气体的蓄积而导致的有机EL装置显示品 质的降低。
图1是表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的概略结构的剖 面图。
图2是表示本发明的第一实施方式的贯通孔开口的配置的俯视示意图。
图3是表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的布线构造的示 意图。
图4 (a) ~ (c)是说明本发明的第一实施方式的有机EL装置的制 造工序的剖面图。
图5 (a) ~ (c)是说明本发明的第一实施方式的有机EL装置的制 造工序的剖面图。
图6 ( a)是简略地表示本发明的第一实施方式的有机EL装置的结 构的剖面图，(b)是表示本发明的第二实施方式的有机EL装置的结构 的剖面图。
图7 (a)和(b)是简略地表示本发明的第三实施方式的有机EL 装置的结构的剖面图。
图中符号说明1、 1A、 1B、 1C-有机EL装置，2-基板，10-平坦 化层(有机平坦化层)，11-像素电极(第一电极)，12、 12A-无机隔壁， 12a-开口部，12b-贯通孔(无机隔壁贯通孔)，121-第一无机隔壁、122-第二无机隔壁，13-有机隔壁，13b-贯通孔(有机隔壁贯通孔)，14、 14A-隔壁，14a-开口部，15-功能层，18-公共电极(第二电极)，120-无机材料层。
具体实施例方式
以下，参照附图对本发明的第一实施方式进行说明。另外，在以下 的各个附图中，为了使各层或各个部件达到在图中可识别程度的大小， 按各层或各个部件适当地变更比例。
(有机EL装置)
图1是表示本实施方式的有机EL装置1的概略构成的剖面图。
如图l所示，本实施方式的有机EL装置1,为将从基板2上所形 成的多个有机EL元件30的功能层15中射出的光，自与形成有有机EL 元件30的基板2的相反侧的密封基板20输出的顶部发光方式的有机 EL装置。
基板2，例如由Si(硅)等形成，在基板2上，例如由SK)2(硅氧 化物)等形成绝缘膜3。在绝缘膜3上，与各个有机EL元件30对应地 设有驱动用TFT (薄膜晶体管)4。驱动用TFT4具备在绝缘膜3上形 成的半导体层5、以及在半导体层5的沟道区域隔着栅极绝缘膜(图示 略)对置配置的栅电极6。而且，覆盖栅极绝缘膜和栅电极6形成层间 绝缘膜7。在层间绝缘膜7上形成源电极8和漏电极9，分别通过接触 孔7a、 7b与半导体层5的源极区域和漏极区域连接。源电极8与在层 间绝缘膜7上形成的电源线103连接。
以覆盖这些驱动用TFT4和电源线103的方式，形成使基板2上平 坦化的平坦化层(有机平坦化层)10。平坦化层10例如由丙烯酸系或 聚酰亚胺系等的具有耐热性和绝缘性的有机材料形成。在平坦化层10 上，形成有作为有机EL元件30的阳极的像素电极(第一电极)11。像 素电极ll例如由Al (铝)等具有反射性的导电材料形成。像素电极ll 通过贯通平坦化层10到达漏电极9的接触孔10a与漏电极9连接。另 外，驱动用TFT4的栅电极6与后述的开关用TFT112连接，并与保持 像素信号的保持电容cap电连接。
在像素电极11上，形成有由无机隔壁12和在无机隔壁12上形成的有机隔壁13构成的隔壁14。在隔壁14中形成有按照每个有机EL元件 30划分像素电极11、且使像素电极11上部(基板2的相反侧的面)露 出的开口部14a。另外，有机隔壁13的端部(规定为开口部14a的部分) 比无机隔壁12的端部(规定为开口部14a的部分)更靠近隔壁14中形 成的贯通孔12b侧而形成，由开口部14a内露出的无机隔壁12的一部 分在开口部14a内的有机隔壁13和无机隔壁12之间的边界形成阶梯状 的阶梯差。
无机隔壁12，例如由Si02等绝缘性的无机材料形成。而且，对表 面实施亲液化处理，提高润湿性从而具有亲液性。有机隔壁13，例如由 与平坦化层10同样的有机材料形成。而且，对表面实施疏液化处理从 而具有疏液性。
这里，在本实施方式中，在无机隔壁12中形成贯通无机隔壁12并 到达平坦化层10的贯通孔(无机隔壁贯通孔)12b。有机隔壁13通过 贯通孔12b与平坦化层10相接。另外，贯通孔12b如图2 (a)所示， 在俯视时其开口散布在开口部14a的周围，或如图2(b)所示在开口 部14a的周围连续地形成为槽状。另外，如图2(c)所示，也可以在开 口部14a的周围将槽状的贯通孔12b连续地形成为栅格状。
在开口部14a的内部，如图1所示设置有功能层15。功能层15具 备在像素电极11侧形成的空穴注入/输送层16和在其上层叠而形成的发 光层17。空穴注入/输送层16例如通过使3，4-聚乙烯二氧噻吩-聚苯乙烯 磺酸(PEDOT-PSS)的分散液等液相材料干燥而形成，所述分散液是 以聚苯乙烯磺酸为分散介质，使3，4-聚乙烯二氧噻吩分散，然后通过使 将其分散在水中而得的分散液。另外，发光层17由可以发出荧光或磷 光的公知的发光材料形成。尤其是在进行全彩色显示时，使用发出对应 于红色、绿色、蓝色的各个波长范围的光的材料。
这里，作为发光层17的形成材料，例如优选使用(聚)芴衍生物 (PF)、(聚)对苯乙炔衍生物(PPV)、聚亚苯基衍生物(PP)、聚对 亚苯基衍生物(PPP)、聚乙烯啼唑(PVK)、聚噻吩衍生物、聚曱基苯 基硅烷(PMPS)等聚硅烷系等，另外，还可以使用在这些高分子材料 中掺杂有茈系色素、香豆素系色素、罗丹明系色素等高分子系材料、红 荧烯、芘、9,10-二苯基蒽、四苯基丁二烯、尼罗红、香豆素6、喹吖啶酮等的低分子材料。进而还可以使用Ir (ppy) 3等磷光材料。
在功能层15上，以覆盖功能层15和隔壁14的方式设置有有机EL 元件30的阴极即公共电极(第二电极)18。公共电极18，例如由ITO (铟锡氧化物)等具有透光性的导电性材料形成。
在公共电极18上介由具有透光性的粘接层19粘贴有例如由玻璃、 石英等透明材料形成的密封基板20 。
图3是本实施方式的有机EL装置1的布线构造的示意图。如图3 所示，有机EL装置1为分别配置多条扫描线101、在与扫描线101交 叉的方向上延伸的多条信号线102和与信号线102并列延伸的多条电源 线103而构成的，且在扫描线101和信号线102的各个交叉点附近形成 像素区域A。
在信号线102上连接有具备移位寄存器、电平移位器、视频线以及 模拟开关的数据侧驱动电路104。在扫描线101上连接有具备移位寄存 器以及电平移位器的扫描侧驱动电路105。另夕卜，在各个像素区域A中， 设置有通过扫描线101对栅电极6 (参照图1)供给扫描信号的开关用 TFT112;保持通过该开关用TFT112从信号线102供给的像素信号的保 持电容cap;将由该保持电容cap保持的像素信号供给到栅电极6的驱 动用TFT4;在通过该驱动用TFT4与电源线103电连接时，从电源线 103流入驱动电流的像素电极11;夹持在该像素电极11和公共电极18 之间的功能层15。
另外，由像素电极ll、公共电极18和功能层15构成有机EL元件30。
根据这样的结构，扫描线IOI被驱动使开关用TFT112导通时，此 时的信号线102的电势被保持在保持电容cap中，根据保持电容cap的 状态决定驱动用TFT4的导通/截止状态。而且，电流通过驱动用TFT4 的沟道从电源线103流入到像素电极11,并进一步介由功能层15流入 到公共电极18。于是，功能层15按照流过其的电流量进行发光。
(有机EL装置的制造方法)接着，对有机EL装置1的制造方法进行说明，对本实施方式的作 用进行说明。
首先，在基板2上形成绝缘膜3，在绝缘膜3上形成驱动用TFT4、 开关用TFT112以及上述的布线或电路等。如图4(a)所示，在绝缘膜 3上形成半导体层5和覆盖半导体层5的栅极绝缘膜(图示略)，在其上 形成栅电极6。接着，在半导体层5中掺杂杂质形成源极区域、漏极区 域以及沟道区域。然后，按照覆盖这些区域的方式形成层间绝缘膜7， 通过光刻法形成贯通层间绝缘膜7并到达半导体层5的源极区域和漏极 区域的接触孔7a、 7b。
接着，如图4 (b)所示，在层间绝缘膜7上形成电源线103。接着， 在层间绝缘膜7上形成源电极8和漏电极9。
接着，如图4(c)所示，按照覆盖它们的方式形成平坦化层10。 接着通过光刻法形成贯通平坦化层10并到达漏电极9的接触孔10a。
接着，如图5(a)所示，在平坦化层lO上形成像素电极ll，介由 接触孔10a与漏电极9连接。
接着，如图5(b)所示，按照覆盖像素电极11和平坦化层10的方 式形成扁平状(^<夕状)的无机材料层120。而且通过光刻法形成在无 机材料层120上划分像素电极11且使像素电极11的上部露出的开口部 12a、以及贯通无机材料层120到达平坦化层10的贯通孔12b，从而形 成无机隔壁12。此时，在平坦化层10的内部，处于残留有可产生气体 的杂质的状态。另外，平坦化层10暴露在光刻法中所使用的抗蚀剂剥 离液中。
接着，如图5 (c)所示，按照覆盖平坦化层10、像素电极ll以及 无机隔壁12的方式形成有机材料层130,通过光刻法在有机材料层130 中形成开口部13a从而形成有机隔壁13。此时，有机隔壁13的开口部 13a以比无机隔壁12的开口部12a大一圏地形成。由此，形成了下面的 隔壁14:具备无机隔壁12和有机隔壁13，且形成有由无机隔壁12的 开口部12a和有机隔壁13的开口部13a构成的开口部14a。
接着，对像素电极ll的表面进行清洗处理，之后，对形成有像素电极11、无机隔壁12和有机隔壁13 —侧的面进行氧等离子体处理。由此， 除去附着在表面上的有机物等污染物以使润湿性提高。具体地说，将基 板2加热到规定温度、例如70 80C左右，接着在大气压下进行以氧作 为反应气体的等离子体处理(02等离子体处理)。
接着，通过进行疏液化处理，特别是使有机隔壁13的上面和侧面 的润湿性降低。具体地说，在大气压下进行以四氟甲烷作为反应气体的 等离子体处理(CF4等离子体处理)，然后，通过将为了等离子体处理 而加热的基板2冷却到室温，对有机隔壁13的上面和侧面疏液化，使 其润湿性降低。
另外，在该CF4等离子体处理中，多少会对像素电极11的露出面 和无机隔壁12带来影响，但是由于作为像素电极11材料的ITO和作为 无机隔壁12构成材料的Si02等对氟缺乏亲和性，因此通过氧等离子体 处理提高了润湿性的面的润湿性依然保持着。
接着，将基板2加热到例如200"C左右的温度进行退火处理。
接着，如图1所示，在由隔壁14所包围的开口部14a内形成空穴 注入/输送层16。在该空穴注入/输送层16的形成工序中，采用旋涂法 或液滴喷射法，但是本实施方式中，在开口部14a内需要选择性地配置 空穴注入/输送层16的形成材料方面，尤其适合釆用作为液滴喷射法的 喷墨法。通过该喷墨法在像素电极ll的暴露面上配置作为空穴注入/输 送层16的形成材料的PEDOT-PSS的分散液，然后，例如在200t:下进 行十分钟左右的热处理(干燥/煅烧处理)，从而形成厚度20nm 100nm 左右的空穴注入/输送层16。另外，该空穴注入/输送层16的形成方法， 特别是由无机隔壁12和有机隔壁13未划分像素区域A的情况下，如上 所述可以采用旋涂法。
接着，在该空穴注入/输送层16上形成发光层17。在该发光层17 的形成工序中，也与上述的空穴注入/输送层16的形成同样，优选采用 作为液滴喷出法的喷墨法。即，通过喷墨法在空穴注入/输送层16上喷 射发光层17的形成材料，然后，在氮气氛中在1301C下进行30分钟左 右的热处理，在隔壁14中形成的开口部14a内，即，像素区域A上形 成厚度50nm 200nm左右的发光层17。另外，作为在发光层17的形成材料中使用的溶剂，优选使用不会再溶解空穴注入/输送层16的溶剂， 例如二甲苯等。另外，对该发光层17的形成方法而言，尤其是由无机 隔壁12或有机隔壁13未划分像素区域A的情况下，与空穴注入/输送 层16的形成的情况相同，也可以采用旋涂法。
接着，由ITO覆盖发光层17和有机隔壁13形成公共电极18。在 该公共电极18的形成中，与空穴注入/输送层16或发光层17的形成不 同，是通过蒸镀法或溅射法等进行的，由此不是仅在像素区域A选择地 形成，而是在基板2的几乎整个面形成公共电极18。
然后，在公共电极18上使用粘接剂(吸附剂)形成粘接层19,进 而通过该粘接层19粘接密封141 20进行密封。
在本实施方式的有机EL装置1中，如上所述，在无机隔壁12上形 成有到达平坦化层10的贯通孔12b。因此，在无机隔壁12形成时平坦 化层10暴露在抗蚀剂剥离液中，即使抗蚀剂剥离液中包含的化学物质 作用于平坦化层10中的杂质而产生气体，所产生的气体也会通过贯通 孔12b排出到平坦化层10的外部。因此，可以防止在平坦化层10的内 部或平坦化层10与像素电极11和无机隔壁12之间蓄积气体。
另外，在隔壁14的开口部14a内配置液相材料，使其干燥形成功 能层15时，可以防止液相材料由隔壁14流出到开口部14a的外部。另 外，无机隔壁12在开口部14a内的有机隔壁13和无机隔壁12之间的 边界以阶梯差状地露出，因此扩大了在该边界附近的无机隔壁12的表 面积从而提高了润湿性。因此，在液相材料干燥而体积减小、液面接近 有机隔壁13和无机隔壁12之间的边界时，由于无机隔壁12的润湿性 使液相材料的厚度均匀化，可以平坦地形成功能层15。
另外，在形成具有贯通孔12b的无机隔壁12之后，通过等离子体 处理或退火处理等对基板2进行加热，由此提高平坦化层10的温度， 促进来自贯通孔12b的杂质的排出。由此，减少平坦化层IO中的杂质。 因此，通过密封基板20密封有机EL元件30之后，防止自平坦化层IO 产生气体，并且防止在有机EL装置1的内部蓄积气体。
另外，贯通孔12b,其开口散布在开口部14a的周围，或在开口部14a的周围连续地形成为槽状。因此，通过4吏贯通孔12b的开口面积增 加，就能更有效地排出平坦化层10的杂质或气体，可以可靠地防止气 体在功能层15附近蓄积。
如以上的说明，根据本实施方式的有机EL装置1及其制造方法， 不仅可以防止从平坦化层10中产生气体，还可以在制造工序中将平坦 化层10中产生的气体排出到外部，可以防止由于气体蓄积而导致的有 机EL装置l显示品质的降低。
(第二实施方式)
接着，援引图1~图5、使用图6 (a)和图6 (b)对本发明的第二 实施方式进行说明。如图6(b)所示，对于本实施方式的有机EL装置 1A而言，与图6 (a)所示第一实施方式中说明的有机EL装置1的不 同之处在于，无机隔壁12为由第一无机隔壁121和第二无机隔壁122 两层结构构成的无机隔壁12A。其他的方面与第一实施方式相同，因此 对于相同的部分标注相同的符号省略其说明。
图6 (a)是简略地表示图1所示的有机EL装置1的剖面图。图6 (b)是与图6 (a)所示的有机EL装置1同样简略地表示本实施方式 的有机EL装置1A的剖面图。在图6 (a)和图6 (b)中，省略基板2、 驱动用TFT4、电源线103、功能层15、公共电极18、粘接层19、密封 基板20等的图示，以隔壁14和平坦化层10为中心进行表述。
如图6(b)所示，在本实施方式的有机EL装置1A中，无机隔壁 12A由在平坦化层10侧所形成的第一无机隔壁121和在有机隔壁13侧 形成的第二无机隔壁122构成。第一无机隔壁121例如与第一实施方式 同样由Si02等形成，第二无机隔壁122，例如由SiN (珪氮化物)等形 成。第二无机隔壁122的端部(限定开口部121b的部分)比第一无机 隔壁121的端部(限定开口部121a的部分)更靠近隔壁14A中形成的 贯通孔12b侧而形成，第一无机隔壁121的一部分在开口部14a内以阶 梯状露出。
在本实施方式中，如图6(b)所示，无机隔壁由第一无机隔壁121 和第二无机隔壁122两层构成，第二无机隔壁122的端部比第一无机隔壁121的端部更靠近隔壁14A中形成的贯通孔12b侧而形成，由于第一 无机隔壁121的一部分在开口部14a内以阶梯状露出，所以扩大了开口 部14a内的无机隔壁12A的表面积。因此，与上述第一实施方式同才羊， 在以液相材料形成功能层15时，功能层15对液相材料的润湿性进一步 提高。因此，可以更平坦地形成功能层15。
另外，与上述的第一实施方式同样，由于在无机隔壁12A中形成有 贯通孔12b,所以可以得到与第一实施方式同样的效果。
(第三实施方式)
接着，对本发明的第三实施方式援引图1~图6、使用图7进行说明。 在本实施方式中与上述第一、第二实施方式所说明过的有机EL装置1、 1A的不同之处在于，在有机隔壁13中形成有贯通孔13b。其他方面与 第一、第二实施方式同样。对同一部分标注相同的标号省略其说明。
图7 (a)和图7 (b)与图6 (a)和图6 (b)同样是简略地表示本 实施方式的有机EL装置1B、 1C的剖面图。
本实施方式的有机EL装置1B、 1C如图7 ( a)和图7 ( b )所示， 在有机隔壁13中形成有贯通孔(有机隔壁贯通孔)13b，其贯通有机隔 壁13，通过在无机隔壁12或12A中形成的贯通孔12b到达平坦化层10。 贯通孔13b在退火工序之前，例如由光刻法等形成。
在本实施方式中，在制造工序中形成有机隔壁13之后，仍可以将 平坦化层10中产生气体的杂质通过贯通孔13b排出到有机隔壁13的外 部。即，平坦化层10中的杂质或平坦化层10中产生的气体可以不通过 有机隔壁13而直接排出到平坦化层10的外部。
因此，不仅得到与第一、第二实施方式的有机EL装置1、 1A同样 的效果，还可以更可靠地防止气体的产生，将在制造工序中从平坦化层 10中产生的气体更可靠地排出到外部，可以更可靠地防止由于气体的蓄 积而导致的有机EL装置1B、 1C显示品质的降低。
另外，本发明并不局限于上述的实施方式，在不脱离本发明主旨的 范围内可以实施各种变形。例如，作为具有透光性的公共电极的材料，除了 ITO以外，还可以使用Pt、 Ir、 Ni或Pd。作为膜厚在确保透明性 的基础上，优选为75nm左右，更优选比该膜厚更薄。
另外，在上述实施方式中对顶部发光方式的有机EL装置进行了说 明，但是本发明当然也可以适用于从与上述实施方式相反侧输出光的底 部发光方式的有机EL装置。
另外，使用面向简单矩阵的元件基板而不是使用TFT等有源矩阵 的元件基板来实施本发明，即使进行筒单矩阵驱动也可以以低成本得到 完全相同的效果。
另外，在上述第二实施方式中，也可以在第一无机隔壁和第二无机 隔壁中通过光刻法一并地i殳置贯通孔和开口部。由此可以简化制造工 序，使生产率提高。
另外，在上述第三实施方式中，也可以使在有机隔壁中形成的贯通 孔(有机隔壁贯通孔)与在无机隔壁中形成的贯通孔(无机隔壁贯通孔) 为大致相同的直径，以互相连通的方式形成。
权利要求
1、一种有机EL装置，其特征在于，具备基板；有机平坦化层，其形成在所述基板上；第一电极，其形成在所述有机平坦化层上；隔壁，其形成在所述第一电极上，并形成有划分所述第一电极且使其上部露出的开口部；功能层，其设置在所述隔壁的开口部内；第二电极，其覆盖所述功能层而设置，所述隔壁至少具备无机隔壁，在所述无机隔壁中，形成有贯通所述无机隔壁并到达所述有机平坦化层的无机隔壁贯通孔。
2、 根据权利要求1所述的有机EL装置，其特征在于， 所述隔壁具备具有亲液性的所述无机隔壁和具有疏液性的有机隔壁， 所述有机隔壁，形成在所述无机隔壁上，所述有机隔壁的端部比所述无机隔壁的端部更靠近所述无机隔壁中形成的所述无机隔壁贯通孔侧而 形成。
3、 根据权利要求2所述的有机EL装置，其特征在于， 所述无机隔壁，具备在所述有机平坦化层侧形成的第一无机隔壁和在所述有机隔壁侧形成的第二无机隔壁，所述第二无机隔壁的端部，比所述第 一无机隔壁的端部更靠近所述无 机隔壁中形成的所述无机隔壁贯通孔侧而形成。
4、 根据权利要求2或3所述的有机EL装置，其特征在于，在所述有机隔壁中形成有有机隔壁贯通孔，该有机隔壁贯通孔贯通所 述有机隔壁而与所述无机隔壁贯通孔连通或通过所述无机隔壁贯通孔到 达所述有机平坦化层。
5、 根据权利要求1 4中任一项所述有机EL装置，其特征在于，所述无机隔壁贯通孔，其开口散布在所述开口部的周围或在所述开口 部的周围连续地形成为槽状。
6、 一种有机EL装置的制造方法，是在^1上形成的第一电极和第二 电极之间具有功能层的有机EL装置的制造方法，其特征在于，具有在所述^L上形成有机平坦化层的工序； 在所述有机平坦化层上形成所述第一电极的工序； 在所述第 一 电极上形成无机材料层的工序；在所述无机材料层中，以形成划分所述第一电M使其上部露出的开 口部的方式形成无机隔壁，并形成贯通所述无机隔壁到达所述有机平坦化 层的无机隔壁贯通孔的工序；在所述开口部内形成功能层的工序；覆盖所述功能层形成第二电极的工序。
全文摘要
本发明提供一种有机EL装置及其制造方法，该有机EL装置可以防止由于有机平坦化层所产生的气体而导致的显示品质的降低。在无机隔壁(12、12A)中形成有贯通无机隔壁(12、12A)而到达有机平坦化层(10)的无机隔壁贯通孔(12b)。
文档编号H01L21/822GK101504950SQ200910005320
公开日2009年8月12日 申请日期2009年2月5日 优先权日2008年2月8日
发明者北林厚史, 武井周一 申请人:精工爱普生株式会社