专利名称：：具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置的制作方法
技术领域：
：本发明关于发光装置，特别是关于具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置。
背景技术：
：近几年来，蓝光发光二极管(LED)常用于与萤光材料相结合而产生可发出白光的发光装置。此发光装置常用于LED显示器、背光源、交通号志、照明开关、指示器等。而且，此种发光装置因于其中作为发光源的发光二极管(LED)仅需要较低的电流即可运作，故相较于已知的白炽灯或萤光灯，其可大幅度地减少能耗。此外，相较于已知的白炽灯或萤光灯的使用寿命，以发光二极管为发光源的发光装置可具有较长的使用寿命。图1是已知使用蓝光发光二极管与混合萤光材料相结合的发光装置的示意图。在基板101上设置有一蓝光发光二极管102，并在蓝光发光二极管102上连接一输入端子105，用以提供所述发光装置发光的电能。在蓝光发光二极管102覆盖一层混合萤光材料涂层103(内含能受蓝光发光二极管102激发而发出红光的萤光材料与发出绿光的萤光材料)。最后再覆盖上透明半球形封装罩104以保护内部蓝光发光二极管102与混合萤光材料涂层103免于水气的影响。然而，如此设计的发光装置常因萤光材料涂层103中受蓝光发光二极管激发的绿光会再次被可发出红色萤光的材料所吸收而导致绿光发光效率(即每瓦可发出的流明，lumens/ff)降低，从而影响整个装置的发光效率。针对绿光会被可发出红色萤光的材料吸收的问题，美国专利第7250715号将可发出黄绿光的萤光材料与可发出红色萤光的材料分开且同时覆盖于同一蓝光发光二极管上。如图2所示，蓝光发光二极管202置于具有反射内面的反射杯200中，且可发出黄绿光的萤光材料层204与可发出红色萤光的材料层206毗邻地覆盖于蓝光发光二极管202上。通过萤光材料层204与206分别受激而发出黄绿光与红光，而可解决上述绿光被吸收的问题。然而，因为萤光材料层204与206覆盖于同一蓝光发光二极管202上，常因受限于萤光材料层204与206彼此的牵制而无法将发光效率提至最高。换言之，若为提高萤光材料层204的发光效率而选择一蓝光发光二极管，此蓝光发光二极管不一定可使萤光材料层206得到最佳的发光效率，反之亦然。
发明内容考虑上述情况后而构思出本发明，其中本发明的主题在于将已知混合萤光材料涂层分成至少两组具有不同萤光主波长(即不同颜色)的萤光材料涂层，其可个别地受至少两组蓝光发光二极管中对应的发光二极管的激发而发出具有不同萤光主波长的萤光。除了可解决上述绿光被吸收的问题之外，可依使用上的需求与目的分别选择发光二极管与萤光材料涂层的最佳搭配而使发光装置的发光效率最大，且配合适当的电路设计、操作IC与电源供应，使此至少两组蓝光发光二极管通以相同或不相同电流，而各别激发对应的萤光材料涂层，造成在单一发光装置中可针对使用环境、需求、时间等发出不同色温的白光。本申请案将说明一种具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，所述发光装置包括可发射360nm至490nm范围内的光波峰值波长的多组发光二极管、以及此多组发光二极管上所覆盖的多组萤光体层。此多组发光二极管中的至少两组彼此具有不同的发光峰值波长。此多组萤光体层中的至少一组萤光体层的萤光主波长在500nm至580m的范围内，而多组萤光体层中的至少另一组萤光体层的萤光主波长在590nm至650nm的范围内。本领域的技术人员将理解到，依据众所周知且所接受的意义，“主波长”意指光谱的感觉色，即产生最相似于可见光光源所察觉的色感的单一光波长；而“峰值波长”意指在光源的光谱功率分布中带有最大功率的光谱线。本发明的发光装置通过混合所述多组发光二极管所发出的光与所述多组萤光体层受发光二极管所激发的萤光而发出白光。本发明提出的技术方案所提出的发光装置，具有较高的发光效率。本发明将可通过上述详细说明及随附的相对应附图而容易理解，且相似的参照数字代表相似的结构元件。图1是已知使用蓝光发光二极管与混合萤光材料相结合的发光装置的示意图。图2是已知使用蓝光发光二极管与黄绿色萤光涂料层及红色萤光涂料层相结合的发光装置的示意图。图3A是依据本发明的实施例的发光装置的横剖面视图。图3B与3C是依据本发明的实施例的分别具有绿色萤光体层与具有红色萤光体层的蓝光LED的光谱。图4是依据本发明的实施例的另一发光装置的横剖面视图。图5是依据本发明的实施例的结合扩散层与透明层的另一发光装置的横剖面视图。图6A是一横剖面视图，显示第一与第二组发光二极管依据本发明的实施例各具有两个发光二极管个体。图6B是图6A所述结构的俯视图。图7A是依据本发明的实施例在衬底表面上粘置发光二极管的发光装置的横剖面视图。图7B至图7E是横剖面视图，显示依据本发明的实施例以图7A的发光装置结构为基础的衍生型发光装置。图8A与8B分别是本发明与已知商用发光装置(使用YAG或硅酸盐的萤光体层)的光谱及演色性指数比较。附图标号101基板102蓝光发光二极管103萤光材料涂层104透明半球形封装罩105输入端子200反射杯202蓝光发光二极管204萤光材料层206萤光材料层300反射杯302第一组发光二极管304第二组发光二极管306第一组萤光层308第二组萤光层310透明层311抗反射涂层312扩散层314扩散层400反射杯402第一组发光二极管402a发光二极管个体402b发光二极管个体404第二组发光二极管404a发光二极管个体404b发光二极管个体406第一组萤光层408第二组萤光层410透明层412扩散层500衬底501输入端子502第一组发光二极管504第二组发光二极管505抗反射涂层506第一透明层。507空心层508第一组萤光层510第二组萤光层512第二透明层514扩散层516透明封装层具体实施例方式本发明的其他目的及优点由随后的举例说明及随附的相对应附图当可更加明白。本发明的实施例将参考随附附图来说明，且所述附图也视作所述详细说明的一部分。于以下描述中，为提供本发明的彻底了解而阐明众多的具体实施例说明。然而，对于本领域的技术人员，明显的是，不用这些特定细节的部分或全部即可实行本发明。在其他例子中，为了避免混淆本发明，而不进一步详述熟知的处理操作。为了便于描述，在下述实施例与随附附图中，均以两组发光二极管与两组萤光体层分别代表发光装置内的发光二极管组的组数与萤光体层组的组数。然而，在本发明的实施例与随附附图中，发光装置内的两组发光二极管与两组萤光体层应被视为举例性而非限制性。换言之，在本发明的实施例中，发光装置内的发光二极管组的组数可为二或多组以上，且位于发光二极管组上的萤光体层组的组数可为二或多组以上。图3A是依据本发明的实施例的发光装置的横剖面视图。数字300表示具有反射内面的内凹结构(以下通称为反射杯)。在反射杯300内设置第一组发光二极管302与第二组发光二极管304。第一组发光二极管302与第二组发光二极管304是选自下述由III-V族元素所构成的化合物氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化镓铝(AlGaN)、以及氮化铟镓(InGaN)，但不限于此。第一组发光二极管302与第二组发光二极管304所发射的峰值波长可个别分布在360nm至490nm的范围内，且此两组发光二极管302与304可具有不同的峰值波长。接着，使输入端子(未显示)分别连接至第一组发光二极管302与第二组发光二极管304，以提供第一组发光二极管302与第二组发光二极管304发光所需的电能。在第一组发光二极管302与第二组发光二极管304上分别覆盖第一组萤光体层306与第二组萤光体层308，其中第一组萤光体层306与第二组萤光体层308的重迭部分较佳减至最少，最好毗邻接触而不重迭。第一组萤光体层306与第二组萤光体层308可为单一萤光层或为多重萤光层，且第一组萤光体层360与第二组萤光体层308的表面可为半球形、凸形、或平面。参照图3B与3C，第一组萤光体层306会因为第一组发光二极管302所发出的光而受到激发，进而发出主波长在500nm至580m的范围内的萤光；而第二组萤光体层308会因为第二组发光二极管304所发出的光而受到激发，进而发出主波长在590nm至650nm的范围内的萤光。接着再次参考图3A，可设置透明层310，以包覆第一组发光二极管302、第二组发光二极管304、第一组萤光体层306、以及第二组萤光体层308，使所述这些元件免于受到水气的影响。透明层310可包括下列至少其中之一例如环氧树脂(印oxy)、硅氧树脂(silicone)、聚亚酰胺树脂(polyimide)、丙烯酸树脂(acryl)、聚碳酸酯(PC,polycarbonate)、或聚对二甲苯(parylene)的透明高分子材料；以及例如石英或玻璃的透明材料。而且，透明层310可为单一层或多层结构。最后在透明层310上覆盖扩散层312，而使第一组发光二极管302及第二组发光二极管304所发出的光与第一组萤光体层306及第二组萤光体层308受激发所发出的萤光更均勻地混合而产生白光。再者，透明层310的另一个功能为可使自透明层310与其上层物质(例如，扩散层312)的接口因折射系数不同或受层间粒状分子影响而反射的光，具有较大的机率射向反射杯300的反射内面，而非直接被第一组萤光体层306与第二组萤光体层308吸收，从而提高发光效率。此外，反射杯300可将自发光二极管所发出的光或在此发光二极管之上的结构接口中所反射的光折向出光方向(如箭头所示)，从而增加发光效率。图4是依据本发明的实施例的另一发光装置的横剖面视图。与图3A的发光装置的不同点在于透明层310与扩散层312之间增加抗反射涂层(ARC，anti-reflectivecoating)3110可使用旋转涂布法(spin-coating)、浸渍涂覆法(dip-coating)、化学汽相沉积法、热蒸发法、以及电子束蒸发法(e-beamevaporation)至少其中之一来形成抗反射涂层311。抗反射涂层311可例如包括但不限于下列至少其中之一硝化纤维素(nitrocellulose)、纤维素酉旨(Celluloseesters)、醋酸纤维素(celluloseacetate)、醋酸丁酸纤维素(celluloseacetatebutyrate)、铁氟龙(Teflon)、氟树脂(Cytop)、Si02、SiNx,SiOxNy、TiO2,MgO、或MgF2的透明层。抗反射涂层311可用以使反射杯300内所产生的光(包括第一组发光二极管302及第二组发光二极管304所发出的光、第一组萤光体层306及第二组萤光体层308受激发所发出的萤光、以及自反射杯300所反射的光)通过，且使扩散层312中受到层间粒状分子影响而散射的光能够在扩散层312与抗反射涂层311之间的接口上再次折回出光方向(如箭头所示)，从而增加发光装置的发光效率。如图5所示，也可以将图3A的透明层310与扩散层312整合成具有包覆作用的扩散层314，以达到保护反射杯300内的第一组发光二极管302、第二组发光二极管304、第一组萤光体层306、以及第二组萤光体层308的作用，同时将第一组发光二极管302及第二组发光二极管304所发出的光与第一组萤光体层306及第二组萤光体层308受激发所发出的萤光更均勻地混合而产生白光。应了解可依使用上的需求与目的，在本发明的发光装置的多组发光二极管的每一组中设置一或多个发光二极管个体(unit)。换言之，在此种多组发光二极管的每一组中可各自具有一个以上的发光二极管个体。图6A是一横剖面视图，其显示第一与第二组发光二极管依据本发明的实施例各具有两个发光二极管个体。图6B是图6A所述结构的俯视图。如图6A所示，在具有反射内面的内凹结构(以下通称为反射杯)400内设置第一组发光二极管402与第二组发光二极管404。第一组发光二极管402与第二组发光二极管404是选自下述由III-V族元素所构成的化合物氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化镓铝(AlGaN)、以及氮化铟镓(InGaN)，但不限于此。如图6B所示，第一组发光二极管402包括两个发光二极管个体402a与402b；而第二组发光二极管404包括两个发光二极管个体404a与404b。第一组发光二极管402与此第二组发光二极管404所发射的峰值波长可个别分布在360nm至490nm的范围内，且此两组发光二极管402与404可具有不同的峰值波长。应注意到，虽然在图6A与图6B中，发光装置内的各组发光二极管仅显示两个发光二极管个体，但事实上可不限于此，即各组发光二极管可包括一或多个发光二极管个体。此外，各组发光二极管内的多个发光二极管个体各个尺寸可为相同，也可为不同。接着，使输入端子(未显示)分别连接至第一组发光二极管402与第二组发光二极管404，以提供第一组发光二极管402与第二组发光二极管404发光所需的电能。在第一组发光二极管402与第二组发光二极管404上分别覆盖第一组萤光体层406与第二组萤光体层408，其中第一组萤光体层406与第二组萤光体层408的重迭部分较佳减至最少，最好毗邻接触而不重迭。第一组萤光体层406与第二组萤光体层408可为单一萤光层或为多重萤光层，且第一组萤光体层460与第二组萤光体层408的表面可为半球形、凸形、或平面。再者，第一组萤光体层406与第二组萤光体层408也可依需求或目的而覆盖数量不等的发光二极管个体。例如，可依需求或目的使第一组发光二极管402仅包括数个发光二极管个体，且第一组萤光体层460覆盖其上；而使第二组发光二极管404包括数量不等于第一组发光二极管402中发光二极管个体的数量的发光二极管个体，且第二组萤光体层408覆盖其上。参照图3B与图3C，第一组萤光体层406会因为第一组发光二极管402所发出的光而受到激发，进而发出主波长在500nm至580m的范围内的萤光；而第二组萤光体层408会因为第二组发光二极管404所发出的光而受到激发，进而发出主波长在590nm至650nm的范围内的萤光。接着，再次参考图6A，可设置透明层410，以覆盖第一组发光二极管402、第二组发光二极管404、第一组萤光体层406、以及第二组萤光体层408，使所述这些元件免于受到水气的影响。透明层410可包括下列至少其中之一例如环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯的透明高分子材料；以及例如石英或玻璃的透明材料。而且，透明层410可为单一层或多层结构。最后在透明层410上覆盖扩散层412，而使第一组发光二极管402及第二组发光二极管404所发出的光与第一组萤光体层406及第二组萤光体层408受激发所发出的萤光更均勻地混合而产生白光。再者，透明层410的另一个功能为可使自透明层410与其上层物质(例如，扩散层412)的接口因折射系数不同或受层间粒状分子影响而反射的光，具有较大的机率射向反射杯400的反射内面，而非直接被第一组萤光体层406与第二组萤光体层408吸收，从而提高发光效率。此外，反射杯400可将自发光二极管所发出的光或在此发光二极管之上的结构接口中所反射的光折向出光方向(如箭头所示)，从而增加发光效率。此外，可依使用目的或需求，而以串联或并联方式连接发光装置内的多组发光二极管，且可配合适当的电路设计、操作IC、以及电源供应，以相同或不同的操作电流，同时或分别对此多组发光二极管进行操作。在各组发光二极管中的多个发光二极管个体也可依使用目的或需求以串联或并联方式相连接，及配合适当的电路设计、操作IC、以及电源供应，以相同或不同的操作电流，同时或分别对此多个发光二极管个体进行操作。本发明也可应用于表面粘附型发光二极管的发光装置。图7A是依据本发明的实施例在一衬底表面上粘置发光二极管的发光装置的横剖面视图。在衬底500上粘置第一组发光二极管502与第二组发光二极管504，其中此衬底可为半导体、金属、陶瓷(ceramic)，或金属基复合材料(metalmatrixcomposites,MMCs)；而第一组发光二极管502与第二组发光二极管504是选自下述由III-V族元素所构成的化合物氮化镓(GaN)、氮化铝(AlN)、氮化铟(InN)、氮化镓铝(AlGaN)、以及氮化铟镓(InGaN)，但不限于此。在衬底500与第一组发光二极管502以及与第二组发光二极管504之间的粘置处设有一反射面(未显示)，如上文所述，此反射面可将自发光二极管所发出的光或在发光二极管之上的结构接口中所反射的光折向出光方向(如箭头所示)，从而增加发光效率。第一组发光二极管502与第二组发光二极管504所发射的峰值波长可分布在360nm至490nm的范围内，且此两组发光二极管502与504可具有不同的峰值波长。如上文所述，为使用上的需求与目的，第一组发光二极管502与第二组发光二极管504可各自具有一个以上的发光二极管个体，且第一组发光二极管502所具有的发光二极管个体数量不一定等于第二组发光二极管5042所具有的发光二极管个体数量。此外，各组发光二极管内的多个发光二极管个体的各个尺寸可为相同，也可为不同。接着，使输入端子501分别连接至第一组发光二极管502与第二组发光二极管504，以提供第一组发光二极管502与第二组发光二极管504发光所需的电能。在第一组发光二极管502与第二组发光二极管504的上方设置透明层506，以覆盖第一组发光二极管502与第二组发光二极管504，而使其免于受到水气的影响。透明层506可包括下列至少其中之一例如环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯的透明高分子材料；以及例如玻璃或石英的透明材料。此外，透明层506可为单一层或多层结构，且透明层506的外型可为半球形、凸形、锥形，或为菲涅耳透镜(Fresnellens)形，并依使用上的需求与目的，择其一适合外型使第一组发光二极管502与此第二组发光二极管504所发出的光能得到最佳萃取。接着，在透明层506上的相对于第一组发光二极管502与第二组发光二极管504的位置处，使第一组萤光体层508与第二组萤光体层510分别覆盖第一组发光二极管502与第二组发光二极管504，其中第一组萤光体层508与第二组萤光体层510重迭部分较佳减至最少，最好毗邻接触而不重迭。再者，透明层506的另一个功能为可使自透明层506与其上层物质(例如，第一组萤光体层508以及第二组萤光体层510)的接口因折射系数不同或受层间粒状分子影响而反射的光，具有较大的机率射向衬底500的反射面，而非直接被第一组发光二极管502与第二组发光二极管504吸收，从而提高发光效率。如上文所述，第一组萤光体层508与第二组萤光体层510可依需求或目的而覆盖数量不等的发光二极管个体。参照图3B与3C，第一组萤光体层508会因为第一组发光二极管502所发出的光而受到激发，进而发出主波长在500nm至580m的范围内的萤光，而第二组萤光体层510会因为第二组发光二极管504所发出的光而受到激发，进而发出主波长在590nm至650nm的范围内的萤光。第一组萤光体层508与第二组萤光体层510可为单一萤光层或为多重萤光层，且第一组萤光体层508与第二组萤光体层510的表面可为半球形、凸形，或平面。最后，设置透明封装层516，以覆盖第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、透明层506、第一组萤光体层508、第二组萤光体层510、以及输入端子501，而使第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、透明层506、第一组萤光体层508、第二组萤光体层510、以及输入端子501免于受到水气的影响。此外，透明封装层516的形状可依使用上的需求与目的而包括半球形、凸形、锥形，或为菲涅耳透镜形。换言之，可设计透明封装层516的形状，使第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、第一组萤光体层508、以及第二组萤光体层510所发出的光达到最大化，从而提高发光装置的发光效率。透明封装层516可包括下列至少其中之一例如环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯的透明高分子材料；以及例如玻璃或石英的透明材料。而且，透明封装层516可为单一层或多层结构。图7B至图7E是横剖面视图，显示依据本发明的实施例以图7A的发光装置结构为基础的衍生型发光装置。在图7B中，于图7A所述的第一组萤光体层508及第二组萤光体层510上先行覆盖扩散层514，再以透明封装层516覆盖第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、透明层506、第一组萤光体层508、第二组萤光体层510、扩散层514、以及输入端子501，而使第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、透明层506、第一组萤光体层508、第二组萤光体层510、扩散层514、以及输入端子501免于受到水气的影响。扩散层512的功用为使第一组发光二极管502及第二组发光二极管504所发出的光与第一组萤光体层508及第二组萤光体层510受激发所发出的萤光更均勻地混合而产生白光。在图7C中，显示在覆盖透明层506之后与覆盖第一组萤光体层508及第二组萤光体层510之前，可以旋转涂布法、浸渍涂覆法、化学汽相沉积法、热蒸发法、以及电子束蒸发法至少其中之一，在透明层506上形成抗反射涂层505。抗反射涂层505可例如包括但不限于下列至少其中之一硝化纤维素、纤维素酯、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、铁氟龙、氟树月旨、SiO2,SiNx,SiOxNy、TiO2,MgO，或MgF2的透明层。抗反射涂层505可用以使其覆盖区域内所发出的光(包括第一组发光二极管502及第二组发光二极管504所发出的光，以及自具有反射面的衬底500反射的光)通过，；且使第一组萤光体层508与第二组萤光体层510中受到层间粒状分子影响而散射的光能够在第一组萤光体层508及第二组萤光体层510与抗反射涂层505之间的接口上再次折回出光方向(如箭头所示)，从而增加发光装置的发光效率。图7D描述在上文所述的第一组萤光体层508及第二组萤光体层510与扩散层514之间覆盖透明层512。透明层512除了可增强保护第一组萤光体层508、第二组萤光体层510、以及所述两组萤光体层底下的结构免于水气的影响之外，也可使自透明层512与其上层物质(例如，扩散层514)的接口因折射系数不同或受层间粒状分子影响而反射的光，具有较大的机率射向衬底500的反射面，而非直接被第一组萤光体层508与第二组萤光体层510吸收，从而提高发光效率。透明层512可包括下列至少其中之一例如环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯的透明高分子材料；以及例如玻璃或石英的透明材料。此外，透明层512可为单一层或多层结构，且透明层512的外型可为半球形、凸形、锥形，或为菲涅耳透镜形，并依使用上的需求与目的，择其一适合外型使第一组发光二极管502、第二组发光二极管504、第一组萤光体层508、以及第二组萤光体层510所发出的光能得到最佳萃取。图7E描述在上文所述的透明层506与第一组萤光体层508及第二组萤光体层510之间形成空心层507。空心层507可包括空气。基于可靠度的考量，空心层507更可包括N2、Ar、或其它惰性气体。空心层507的厚度约在0.01mm至IOmm的范围内。由于空心层507的折射率约为1(因为空气、N2、Ar，或其它惰性气体的折射率约为1)，而萤光体层的折射率约为1.5，故本领域的技术人员应可理解，当光自空心层507进入第一组萤光体层508与第二组萤光体层510时不会发生全反射。因此，空心层507的作用在于使第一组发光二极管502及第二组发光二极管504所发出的光实质完全穿过空心层507与第一组萤光体层508及第二组萤光体层510之间的接口。另一方面，自第一组萤光体层508及第二组萤光体层510散射回来的光也会因为空心层507与萤光体层之间的折射率差异而易形成全反射，进而减少直接被第一组萤光体层508、第二组萤光体层510与透明层506吸收的机率，从而提升发光装置的整体发光效率。本领域的技术人员当可理解图7B至图7E所述的空心层507、透明层512、扩散层514，可依使用上的需求与目的而设置或省略。换言之，不应把具体说明所描述的顺序理解为暗示这些结构必定同时存在于本发明的发光装置。图8A与图8B是分别显示本发明与已知使用蓝光发光二极管及混合萤光材料(YAG或硅酸盐(Silicate)的萤光体层)相结合的发光装置的光谱及演色性指数(CRI)比较。通过本发明的组态而让蓝光(360-490nm)、绿色萤光(500-580nm)、以及红色萤光(590-650nm)得到最佳出光，从而获得较已知发光装置更优化的光谱及演色性指数(CRI)。再者，参照表1，假设皆使用两组1毫米见方的GaN发光二极管(具有不同的峰值波长)、绿光萤光材料(峰值波长=521nm，主波长=534nm)、以及红光萤光材料(峰值波长=635nm,主波长=61Inm)，则本发明在亮度上较已知技术高出约26.7%。其中，本发明的组态如上文所述之，即以绿光萤光材料的萤光体层覆盖此两组1毫米见方的GaN发光二极管中的一组，与以红光萤光材料的萤光体层覆盖此两组1毫米见方的GaN发光二极管中的另一组(参照图7A)；而已知技术是以绿光萤光材料与红光萤光材料混合成萤光体层后，覆盖于此两组1毫米见方的GaN发光二极管(参照图1)。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage15</column></row><table>需注意的是，上文的实施例所提到或随附的附图中的第一组发光二极管、第二组发光二极管、第一组萤光体层以及第二组萤光体层彼此间无绝对对应关系，即第一组萤光体层不一定非得与第一组发光二极管相配合，而第二组萤光体层也不一定非得与第二组发光二极管相配合。故具体说明中所描述及随附的附图所标示的发光二极管组(第一组发光二极管与第二组发光二极管)与萤光体层组(第一组萤光体层与第二组萤光体层)的序号仅用以描述性目的且不应理解为限制性。虽然本发明已通过数个实施例叙述，应理解本领域的技术人员研读已知详述及研究附图时可在其中做各种各样替换、增加、变更及等价动作。因此，意味着本发明包括落入本发明的真实精神及范围内的所有如替代、增加、变更及等价动作。权利要求一种具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述包括多组发光二极管，所述多组发光二极管中的至少两组彼此具有不同的发光峰值波长；多组萤光体层，分别覆盖在所述多组发光二极管中所对应的各组发光二极管上，所述多组萤光体层中的至少一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发，而发出主波长约在500nm至580m的范围内的光；以及所述多组萤光体层中的至少另一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发，而发出主波长约在590nm至650nm的范围内的光；及一输入端子，连接所述发光装置，并且用以对所述发光装置提供能量而使所述发光装置发光。2.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管的发光峰值波长在360nm至490nm范围内。3.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的任一组包括至少一半导体发光个体。4.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管是并联连接。5.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管是串联连接。6.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是并联连接。7.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是串联连接。8.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为相等。9.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为不相等。10.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是相同尺寸。11.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是不同尺寸。12.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管能够被分别控制。13.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体能够被分别控制。14.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层中的任一组包括至少一层萤光层。15.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层具有半球形表面、凸形表面、或平坦表面。16.如权利要求3的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层所覆盖的所述发光二极管个体的数量为相等，或为不相等。17.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层彼此毗邻接触而不重迭。18.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括具有反射内面的一凹型结构，所述多组发光二极管设置于所述凹型结构的所述反射内面上，且所述凹型结构的所述反射内面能够将所述多组发光二极管与所述多组萤光体层所发出的光加以反射。19.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括覆盖于所述多组萤光体层之上的一透明层。20.如权利要求19的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括下列至少其中之一透明材料环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、玻璃、石英、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯。21.如权利要求19的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括一或多层结构。22.如权利要求19的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括覆盖于所述透明层之上的一抗反射涂层。23.如权利要求22的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述抗反射涂层包括下列至少其中之一透明材料硝化纤维素、纤维素酯、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、铁氟龙、氟树脂、Si02、SiNx、SiOxNy、Ti02、MgO、或MgF2。24.如权利要求22的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述抗反射涂层使用下列至少其中一种方法所形成旋转涂布法、浸渍涂覆法、化学汽相沉积法、热蒸发法、以及电子束蒸发法。25.如权利要求1的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括一扩散层，覆盖于所述多组萤光体层之上，使所述多组萤光体层与所述多组发光二极管所发出的光更均勻地混合。26.一种具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置包括一衬底；多组发光二极管，所述多组发光二极管中的至少两组彼此具有不同的发光峰值波长；一透明层，覆盖于所述多组发光二极管上；多组萤光体层，覆盖于所述透明层上，且分别对应于所述多组发光二极管中的各组发光二极管，所述多组萤光体层中的至少一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发，而发出主波长约在500nm至580m的范围内的光；以及所述多组萤光体层中的至少另一组萤光体层能够受到所述对应的发光二极管所发出的部分光的激发，而发出主波长约在590nm至650nm的范围内的光；及一输入端子，连接所述发光装置，并且用以对所述发光装置提供能量而使所述发光装置发光。27.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述衬底具有一反射面，所述多组发光二极管设置于所述衬底的所述反射面上，所述反射面能够将所述多组发光二极管与所述多组萤光体层所发出的光加以反射。28.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管的发光峰值波长在360nm至490nm范围内。29.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的任一组包括至少一半导体发光个体。30.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管是并联连接。31.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管是串联连接。32.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是并联连接。33.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体是串联连接。34.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为相等。35.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的至少两组所包括的所述发光二极管个体数目为不相等。36.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体为相同尺寸。37.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体为不同尺寸。38.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管能够被分别控制。39.如权利要求29的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组发光二极管中的所述发光二极管个体能够被分别控制。40.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层的任一组包括至少一萤光层。41.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层具有半球形表面、凸形表面、或平坦表面。42.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层所覆盖的所述发光二极管个体的数量为相等，或为不相等。43.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述多组萤光体层彼此毗邻接触而不重迭。44.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括下列至少其中之一透明材料环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、玻璃、石英、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯。45.如权利要求44的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括一或多层结构。46.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层为半球形、凸形、锥形、或菲涅耳透镜形。47.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括设置于所述透明层与所述多组萤光体层之间的一抗反射涂层。48.如权利要求47的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述抗反射涂层包括下列至少其中之一透明材料硝化纤维素、纤维素酯、醋酸纤维素、醋酸丁酸纤维素、铁氟龙、氟树脂、Si02、SiNx、SiOxNy、Ti02、MgO、或MgF2。49.如权利要求47的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述抗反射涂层使用下列至少其中一种方法所形成旋转涂布法、浸渍涂覆法、化学汽相沉积法、热蒸发法、以及电子束蒸发法。50.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括一空心层，介设于所述透明层与所述多组萤光体层之间，所述空心层的厚度介于0.1mm与10mm之间。51.如权利要求50的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述空心层包括空气。52.如权利要求50的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述空心层包括N2、Ar、或其它惰性气体。53.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括一扩散层，覆盖于所述多组萤光体层之上，使所述多组发光二极管与所述多组萤光体层所发出的光更均勻地混合。54.如权利要求53的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括一透明层，置于所述扩散层与所述多组萤光体层之间，以增强保护所述多组萤光体层与所述萤光体层底下的结构免于水气的影响。55.如权利要求54的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括下列至少其中之一透明材料环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、玻璃、石英、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯。56.如权利要求54的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层包括一或多层结构。57.如权利要求54的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明层为半球形、凸形、锥形、或菲涅耳透镜形。58.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述发光装置更包括覆盖于所述多组萤光体层之上的一透明封装层。59.如权利要求58的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明封装层包括下列至少其中之一透明材料环氧树脂、硅氧树脂、聚亚酰胺树脂、玻璃、石英、丙烯酸树脂、聚碳酸酯、或聚对二甲苯。60.如权利要求58的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明封装层为半球形、凸形、锥形、或菲涅耳透镜形。61.如权利要求58的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述透明封装层包括一或多层结构。62.如权利要求26的具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，其特征在于，所述衬底可为金属基复合材料。全文摘要提供一种具有复合萤光体层的发光二极管的发光装置，所述发光装置包括可发射360nm至490nm范围内的光波峰值波长(peakwavelength)的多组发光二极管、以及覆盖在此多组发光二极管的对应发光二极管上的多组萤光体层。此多组发光二极管中的至少两组彼此具有不同的发光峰值波长。此多组萤光体层中的至少一组萤光体层的萤光主波长在500nm至580m的范围内，而多组萤光体层中的至少另一组萤光体层的萤光主波长在590nm至650nm的范围内。文档编号H01L33/00GK101832518SQ20091012649公开日2010年9月15日申请日期2009年3月11日优先权日2009年3月11日发明者刘文煌,段忠,陈长安申请人:旭明光电股份有限公司