光电传送或接收装置及其制造方法

专利名称：光电传送或接收装置及其制造方法
技术领域：
本发明关于一种光电传送或接收装置及其制造方法，特别是一种小发光散射角度 的光电传送或接收装置及其制造方法。
背景技术：
随着科技的日新月异，对于生活上的照明装置人们也有着越来越多的选择，从传 统的钨丝灯泡到日光灯，照明装置不断地推陈出新。近年来光电转换芯片，因其具有耗电量 低、元件寿命长、无须暖灯时间、反应速度快及体积小的优点，因而其应用愈来愈广泛。一般习知光电转换芯片设置在传统印刷电路板上，并加以电路连结，以构成一光 电传送或接收装置。然而，因光电转换芯片的特性，其所发出的光线通常具有较大的发光散 射角度。当应用于需要集中所发出的光线以照射在特定目标时，便需要使用一碗形结构，以 集中光束。囿于一般印刷电路板的厚度有限，若非昂贵的特殊厚度印刷电路板，通常均需要 另外设置一反射罩于电路板上及光电转换芯片的周围。然而，此举亦大幅增加制程上的复 杂度以及制造成本。如图1所示，为解决上述问题，习知的光电传送或接收装置1利用射出成形方式， 同时射出导电及不导电的塑料，以形成二导电塑料部分11及夹置于其中的一非导电塑料 部分12。尔后，利用金属镀膜制程仅会将金属层镀于会导电物体的特性，习知技术将二导电 层14仅镀膜于上述二导电塑料部分11之上。光电转换芯片15则设置于光电传送或接收 装置1的一凹槽111的一底部上，并电性连接导电层14的其中之一。最后，利用一导线16 电性连结光电转换芯片15至导电层14其中之另一。通过镀有金属层(导电层14)的高深 度凹槽111，习知光电传送或接收装置1适可集中光电转换芯片15所发出的光线，达到小发 光散射角的目的。在此需特别说明者，图1所示的光电传送或接收装置1经大量制造，同时射出成形 一条的导电及不导电的塑料，经上述各项制程后，最后将多个相连呈一条状的光电传送或 接收装置1半成品裁切而得上述光电传送或接收装置1，因此二导电塑料部分11仅于图1 中绘示有材质线的部分上，形成有导电层14，而未绘制有材质线的部分，则为裁切面，未形 成有导电层14。因此，若习知光电传送或接收装置1直立安装(即整体垂直于安装平面安 装)，将使光电传送或接收装置1必须以裁切面接触安装面。然而，焊锡或其它作为电路连 接的金属材料仅可与金属材质的导电层14相结合，造成焊锡或其它作为电路连接的金属 材料无法紧抓裁切面，而仅能附着于二侧的导电层14上，使直立安装的光电传送或接收装 置1无法稳固地仅以焊锡电性连结或固定，而必须再以其它方式作进一步固定。上述习知光电传送或接收装置1，其以射出成形制程，同时射出导电及不导电的塑 料，以形成二导电塑料部分11及夹置于其中的非导电塑料部分12，以致其难以精确控制导 电塑料部分11及非导 电塑料部分12的形状。因此，上述光电传送或接收装置1难以更进 一步缩小尺寸。有鉴于此，提供一种光电传送或接收装置，具有体积小、可靠度高并且发光 散射角度小的特性，乃为此业界所亟待努力的目标。

发明内容
本发明的一目的是提供一种光电传送或接收装置及其制造方法，使该光电传送或 接收装置的发光散射角度小、可进一步减小尺寸并提高可靠度。为达上述目的，本发明第一实施例的光电传送及接收装置包含一基板、一第一导 电层一第二导电层及一光电转换芯片。该基板具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面 及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定。在此需注意者，该基板由一复合材料 所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层。该第一导电层 利用激光活化该基板的该复合材料而形成。该第一导电层 设置在该凹槽的该底面的一第一 部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该第二导电层亦利用激光活 化该基板的该复合材料而形成，并与该第一导电层电性绝缘。该第二导电层设置在该凹槽 的该底面的一第二部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该光电转 换芯片设置于该凹槽的该底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导 电层电性连接。本发明第一实施例的用于制造上述光电传送及接收装置的制造方法包含以下步 骤(a)提供该基板，具有该上表面及该凹槽，该凹槽是由该底面及由该底面向上延伸至该 上表面的该内侧壁所界定，其中该基板由复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适 可在该复合材料表面形成导体层；(b)对该凹槽的该底面的该第一部分、部分该内侧壁及 该基板的部分该上表面实施激光照射，而形成该第一导电层；(c)对该凹槽的该底面的该 第二部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激光照射，而形成该第二导电层，其 中该第二导电层与该第一导电层电性绝缘；以及(d)将该光电转换芯片设置在该凹槽的该 底面上，并分别与该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。为达上述目的，本发明第二实施例的光电传送或接收装置包含一基板、一第一导 电层、一第二导电层及一光电转换芯片。该基板具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面 及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定。在此需注意者，该基板由一复合材料 所制成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层。该第一导电层 利用激光活化该基板的该复合材料而形成。该第一导电层设置在该凹槽的该底面，并沿该 凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸。该第二导电层亦利用激光活化该基板的该 复合材料而形成，并与该第一导电层电性绝缘。该第二导电层设置在凹槽的该底面外，并沿 该基板的该上表面向外延伸。该光电转换芯片设置于该凹槽的该底面上并分别与该第一导 电层及该第二导电层电性连接。本发明第二实施例的用于制造上述光电传送或接收装置的制造方法包含以下步 骤(a)形成该基板，具有该上表面及该凹槽，该凹槽是由该底面及由该底面向上延伸至该 上表面的该内侧壁所界定；(b)对该基板实施激光照射，而形成该第一导电层，其中该第一 导电层形成于该凹槽的该底面，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸；(C) 对该基板实施激光照射，而形成该第二导电层，其中该第二导电层形成于该凹槽的该底面 夕卜，并沿该基板的该上表面向外延伸且与该第一导电层电性绝缘；(d)将该光电转换芯片 设置在该凹槽的该底面上，并分别与该第一导电层及该第二导电层电性连接。为让本发明的上述目的、技术特征和优点能更明显易懂，下文以较佳实施例配合附图进行详细说明。


图1为习知光电传送或接收装置；图2为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置的立体图；图3A为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置的前视图； 图3B为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置的右视图；图3C为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置的后视图；图3D为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置的下视图；图4为本发明的第一实施例的光电传送或接收装置于大量制造时的模板示意图；图5为本发明的第二实施例的光电传送或接收装置的立体图；以及图6为本发明的第二实施例的光电传送或接收装置于大量制造时的模板示意图。主要元件符号说明1光电传送或接收装置11导电塑料部分111凹槽12非导电塑料部分14导电层15光电转换芯片16 导线17 沟槽2光电传送或接收装置21基板210 上表面211 凹槽211a 底面211b 内侧壁212焊接点213侧面214 下表面22 激光处理区23 非导电区241 第一导电层242第二导电层25光电转换芯片26导线28模板5光电传送或接收装置51基板510 上表面511 凹槽511a 底面511b 内侧壁512焊接点513侧面52 激光处理区53 非导电区541第一导电层542第二导电层55光电转换芯片 56导线57 沟槽58 模板D深度H 厚度L长度W 宽度
具体实施例方式本发明的光电传送或接收装置利用模制互连元件激光导引结构 (Moldedlnterconnect Device-Laser Direct Structure,MID-LDS) ii^lif^^ W^X高可靠度及小发光散射角度的光电传送或接收装置。所谓MID-LDS为一种模制电路的制 程，其所使用的载体是应用一种特殊的掺杂金属原子的复合材质，而载体经由激光照射，复 合材质内所含的金属原子间的键结会被激光打断，造成金属带电荷而具备键结吸引力，因 此，进行金属化之后，会形成金属层在经激光处理的表面上。应用上述MID-LDS技术，本发明第一实施例的光电传送或接收装置2的结构请参 考图2。本发明的光电传送或接收装置2包含一基板21、二激光处里区22、一非导电区23 及一光电转换芯片25。基板21具有一上表面210形成有一凹槽211，凹槽211是由一底面 211a及一与底面211a及基板21的上表面210相连接的内侧壁211b所界定。光电转换芯 片25设置于凹槽211的底面211a上，光电转换芯片25例如是一发光二极管芯片或一光感芯片。基板21由上述MID-LDS所应用的一复合材质所制成，复合材质包含掺杂如铜等金 属原子。经激光处理之后，于基板21形成二激光处理区22以及一非导电区23。其中，非导 电区23将激光处理区22区分为两电性相反的导电层。详细而言，非导电区23自基板21 的上表面210向下经过凹槽211的底面211a，再沿着凹槽211的底面211a向上朝凹槽211 的内侧壁211b延伸至基板21的上表面210，因此，非导电区23将激光处理区22区分为第 一导电层241及第二导电层242，且彼此电性绝缘。于本实施例中，第一导电层241设置于 凹槽211的底面211a的一第一部分，并沿凹槽211的内侧壁211b及基板21的上表面210 向外延伸，而第二导电层242设置于凹槽211的底面211a的一第二部分，并沿凹槽211的 内侧壁211b及基板21的上表面210向外延伸。光电转换芯片25设置在凹槽211的底面211a上，且与凹槽211的第一导电层241 及第二导电层242电性连接。此外，要说明的是，在凹槽211的底面211a上的第一导电层 241可以例如是一固晶区，光电转换芯片25设置在固晶区上并与固晶区电性连接，而第二 导电层242可以例如是一打线区，因此，光电转换芯片25可通过一导线26与打线区电性连 接。由于本发明的导线26通过打线制程电性连接光电转换芯片25与凹槽211的底面211a 上的第二导电层242，因此，在凹槽211的底面211a完成固晶打线制程，不需如习知技术的 将打线区设置在凹槽211之外，故本发明的光电传送或接收装置产生的光形较佳，且相较 于习知技术，由于导线26距离短，因此不易断裂且可靠度高。此外，一封胶(图未示)设置 于凹槽211内，并包覆光电转换芯片25及导线26，封胶具有支撑导线26及保护光电转换芯 片25与导线26的效果。此外，本发明的第一导电层241及第二导电层242为多层结构。其中，第一导电层 241及第二导电层242各依序包含一镀铜层、一镀镍层及一镀金层。镀铜层以化学镀膜制程 形成于基板21上的激光处理区22上，镀镍层则以电镀制程相应形成于镀铜层上，而镀金层 以电镀制程相应形成于镀镍层上。请参考图2至图3d，其中本发明通过MID-LDS制程，并利用激光照射于即激光处理 区22以成长第一导电层241及第二导电层242，而使得本发明的光电传送或接收装置2可 以精确控制导电层成长的部位。相较于习知光电传送或接收装置1利用射出成形技术，难 以精确控制导电塑料部分11及非导电塑料部分12的成形，而无法进一步缩小尺寸，本发明 的光电传送或接收装置2不但尺寸可以进一步缩减，更因为尺寸的缩减，相较于习知光电 传送或接收装置1，本发明的光电传送或接收装置2的导线26可以更为缩短。点胶于导线26上时，尺寸缩减而更为容易，且导线26较不易断裂。如图1所示，因习知光电传送或接收装置1经大量制造，射出成形一条导电及不导 电塑料相互夹置的半成品，经各项制程后，最后再裁切成形。因此，裁切面上未形成有导电 层14，使习知光电传送或接收装置1于直立安装(即整体垂直于安装平面安装)时，仅能以 二侧的导电层14与焊锡固定。然而，本发明的光电传送或接收装置2应用MID-LDS制程， 因此精准的激光照射可突破习知光电传送或接收装置1的射出成形制程限制。本发明的光 电传送或接收装置2可将裁切面设计于光电传送或接收装置2的左右二侧，使与基板21的 上表面210相连接的侧面213受到激光的 照射，而形成有焊接点212。藉此，光电传送或接 收装置2可利用位于侧面213的焊接点212而焊附于一印刷电路板(图未绘示)上，以便 立式安装本发明的光电传送或接收装置2，藉此成为一侧射型光电传送或接收装置2。除此之外，第一导电层241及第二导电层242，可延伸至基板21的相对于上表面 210的下表面214，如图3C所示。藉此，本发明的光电传送或接收装置2适于下表面214形 成焊接点212以与一印刷电路板(图未绘示)焊接，使凹槽211的开口向上，因此，光电传 送或接收装置2可朝上设置。此外，由于与其它电路连结材料固接的面积大为增加，因此， 大幅增加固接的稳定度。请继续参阅图3A至图3D所示，通过MID-LDS制程，光电传送或接收装置2相较于 习知技术可大幅缩减尺寸，并通过高深宽比(aspect ratio)的凹槽211，使光电传送或接 收装置2的发光散射角度大幅缩小。相对于习知光电传送或接收装置1，本发明的光电传送 或接收装置2得以应用于更多不同的微型化装置。于一实际应用中，光电传送或接收装置 2适可应用于遥控器的讯号传送接受器。较佳地，光电传送或接收装置2的凹槽211具有一实质上为1. 145mm的深度D。基 板21具有一长度L、一宽度W及平行于凹槽211的深度D的一厚度H。较佳地，长度L实质 上为2. 3mm，宽度W为2. 25mm及厚度H为1. 6mm。在此需注意者，本发明的光电传送或接收 装置2的前述尺寸并非用以限缩本发明的范围，只为本发明的一较佳实施态样，具有本发 明的相同概念者，在此不作限制。本发明用于制造第一实施例中所述的光电传送或接收装置2的制造方法，请再参 照图2，首先执行步骤(a)提供一基板21，基板21具有一上表面210并且形成有一凹槽211。 凹槽211是由底面211a及与底面211a及基板21的上表面210相连接的内侧壁211b所界 定。基板21由复合材料所制成，并通过激光活化，在复合材料表面可形成一导体层。于步 骤(a)中，为大量制造，将MID-LDS所应用的复合材料射入一模具(图未示)，而成形一如图 4所示的一模板28。模板28包含多个成排相连的基板21，各基板21具有凹槽211。模板 28经后续制程处理后，最后经裁切，成为本发明各个独立的光电传送或接收装置2。步骤(a)后，执行步骤(b)。于步骤(b)中，对部分凹槽211的底面211a的第一部 份、部分内侧壁211b及基板21的部分上表面210实施激光照射，而形成第一导电层241。 再者，于步骤(c)中，对凹槽211的底面211a的第二部分、另一部分的内侧壁211b及基板 21另一部分的上表面210实施激光照射，而形成第二导电层242。在此需说明，步骤(b)及 步骤(c)较佳地同时执行，亦即同时对二激光处理区22实施激光照射，并且同时形成第一 导电层241及第二导电层242于上述激光处理区22。此外，第一导电层241及第二导电层 242可以延伸至基板21的侧面213上而形成焊接点212，其中侧面213与基板21的上表面210相连接，以便立式安装本发明的光电传送或接收装置2。或者，如图3C所示，第一导电 层241及第二导电层242可延伸至相对于基板21的上表面210的下表面214，以与一印刷 电路板(图未绘示)焊接。其中，未经激光照射的非导电区23自基板21的上表面210向下经过凹槽211的 底面211a，再沿着凹槽211的底面211a向上朝凹槽211的内侧壁211b延伸至基板21的上 表面210，因此，非导电区23将激光处理区22区分为第一导电层241及第二导电层242，且 彼此电性绝缘。于步骤(b)中，第一导电层241的详细形成步骤如下(bl)化镀一镀铜层于基板 21上的其中的 一激光处理区22上；(b2)电镀一镀镍层于镀铜层上；(b3)电镀一镀金层于 镀镍层上。相同地，于步骤(c)中，第二导电层242的详细形成步骤如下(cl)化镀一镀铜 层于基板21上的另一激光处理区22上；(c2)电镀一镀镍层于镀铜层上；(c3)电镀一镀金 层于镀镍层。较佳地，步骤(b)及步骤(c)中，第一导电层241及第二导电层242的二镀铜 层同时形成，二镀镍层同时形成，并且二镀金层同时形成。形成第一导电层241及第二导电层242后，于步骤(d)中，将一光电转换芯片25 设置在凹槽211的底面211a上，并分别与凹槽211的底面211a上的第一导电层241及第 二导电层242电性连接。在步骤(d)之后，本发明的制造方法更包含步骤(e)实施一封胶制程以包覆光电 转换芯片25及导线26。由于导线26距离减小，相应地必需包覆的封胶的长度随之减少，因 此相较于习知的光电传送或接收装置1，本发明的光电传送或接收装置2的点胶制程更加 简易且可靠性亦更为增加。完成上述制程后，最后进行一裁切制程，令形成于如图4所示的模板28上的各个 光电传送或接收装置2裁切分开，最后形成本发明如图2所示的光电传送或接收装置2。本 发明制造方法所形成的光电传送或接收装置2，其详细尺寸如上述，在此不赘述。其中，于本 发明中，上述裁切方向平行于非导电区23的延伸方向。藉此，所切割出来的多个光电传送 或接收装置2，于立式安装时，其侧面213上形成有第一导电层241及第二导电层242的焊 接点212，其均可与焊锡或其它金属接合材料结合。焊接点212更可自第一导电层241及第 二导电层242延伸至基板21相对于上表面210的下表面214，因此于卧式安装时，光电传送 或接收装置2适以下表面214接合于印刷电路板，使凹槽211开口正面朝上。因此，相较于 习知的光电传送或接收装置1，光电传送或接收装置2可以更稳固地固定。上述第一实施例 的详细结构，并不限制本发明的光电传送或接收装置，本发明主要目的仍在于结合MID-LDS 技术的应用。请参考图5，其描绘本发明第二实施例的光电传送或接收装置5的结构。与第一 实施例类似地，光电传送或接收装置5包含一基板51、二激光处里区52、一非导电区53及 一光电转换芯片55。基板51具有一上表面510且形成有一凹槽511，凹槽511是由一底面 511a及一由底面511a向上延伸至基板51的上表面510相连接的内侧壁511b所界定，光电 转换芯片55设置于凹槽511的底面511a上，光电转换芯片55可以是一发光二极管芯片、 一光感芯片、或二者功能兼具。其中，于第二实施例中重复出现的元件，其作用皆与第一实 施例中所述相同，于此不再赘述。然，差异之处在于(一)导电层设置的位置；以及(二) 基板51更包含一沟槽57。
详细来说，如同先前于第一实施例中所描述的，基板51亦由上述MID-LDS所应用 的一复合材质所制成，复合材质包含掺杂如铜等金属原子。而经激光处理之后，于基板51 形成二激光处理区52以及非导电区53。其中，非导电区53将激光处理区52区分为两电 性相反的导电层。须特别注意者，与第一实施例不同之处在于，第一导电层541设置于凹 槽511的底面511a，并且较佳地第一导电层541布满于凹槽511的底面511a ；第二导电层 542至少设置于凹槽511的底面511a之外、基板51的上表面510上，并且较佳地第二导电 层542设置于凹槽511全部之外。同样地，光电转换芯片55设置在凹槽511的底面511a上，且与凹槽511的第一导 电层541第二导电层542电性连接。详言之，在凹槽511的底面511a上的第一导电层541 可以例如是一固晶区，光电转换芯片55设置在固晶区上并与固晶区电性连接，而第 二导电 层542可以例如是一打线区，因此，光电转换芯片55可通过一导线56与打线区电性连接。 然而，与第一实施例不同的处在于，第二实施例中的基板51的上表面510更形成一沟槽57， 其用以连结凹槽511以及打线区(亦即第二导电层542)，其中导线56经由沟槽57连结光 电转换芯片55与打线区。相似于第一实施例，本发明第二实施例的光电传送或接收装置5亦可将裁切面设 计于光电传送或接收装置5的左右二侧，使与基板51的上表面510相连接的侧面513受到 激光的照射，而形成有焊接点512。藉此，光电传送或接收装置5可利用位于侧面513的焊 接点512而焊附于一印刷电路板(图未绘示)上，以便立式安装本发明的光电传送或接收 装置5，藉此成为一侧射型光电传送或接收装置5。除此的外，第一导电层541及第二导电 层542更延伸至基板51的相对于上表面510的一下表面。藉此，本发明的光电传送或接收 装置5适于下表面形成焊接点512以与一印刷电路板(图未绘示)焊接，使凹槽511的开 口向上，因此，第二实施例的光电传送或接收装置5可朝上设置。此外，由于与其它电路连 结材料固接的面积大为增加，因此，大幅增加固接的稳定度。另，一封胶(图未示)亦可设置于凹槽511及沟槽57内，并包覆光电转换芯片55 及导线56，封胶具有支撑导线56及保护光电转换芯片55与导线56的效果。更者，第二实 施例的第一导电层541及第二导电层542亦为多层结构。其中，第一导电层541及第二导 电层542各依序包含一镀铜层、一镀镍层及一镀金层。镀铜层以化学镀膜制程形成于基板 51上的激光处理区52上，镀镍层则以电镀制程相应形成于镀铜层上，而镀金层以电镀制程 相应形成于镀镍层上。本发明用于制造第二实施例的光电传送或接收装置5的方法，请同样参照图5，首 先执行步骤(a)提供一基板51，基板51具有一上表面510并且形成有一凹槽511以及一 沟槽57。凹槽511是由底面511a及与底面511a及基板51的上表面510相连接的内侧壁 511b所界定。基板51由复合材料所制成，并通过激光活化，在复合材料表面可形成一导体 层。于步骤(a)中，为大量制造，将MID-LDS所应用的复合材料射入一模具(图未示)，而成 形一如图6所示的一模板58。其中，模板58与图4的模板28不同之处在于模板58更包含 沟槽57。同样地，模板58包含多个成排相连的基板51，各基板51具有凹槽511以及沟槽 57。模板58经后续制程处理后，最后经裁切，成为本发明各个独立的光电传送或接收装置 5。步骤(a)后，执行步骤(b)。于步骤(b)中，对凹槽511的底面511a、凹槽511的内侧壁511b及基板51的上表面510实施激光照射，而形成第一导电层541。较佳地，于步 骤(b)中，针对凹槽511的底面511a全部进行激光照射。再者，于步骤(c)中，对凹槽511 的底面511a之外且基板51的上表面510实施激光照射，而形成第二导电层542。较佳地， 于步骤(c)中，对凹槽511全部的外且基板51的上表面510实施激光照射，而形成第二导 电层542。在此需说明，步骤(b)及步骤(c)较佳地同时执行，亦即同时对二激光处理区52 实施激光照射，并且同时形成第一导电层541及第二导电层542于上述激光处理区52。此外，第一导电层541及第二导电层542可以延伸至基板51的侧面513上而形成 焊接点512，其中侧面513与基板51的上表面510相连接，以便立式安装本发明的光电传 送或接收装置5。第一导电层541及第二导电层542更延伸至相对于基板51的上表面510 的下表面514，以与一印刷电路板(图未绘示)焊接。
于步骤(b)中，第一导电层541的详细形成步骤如下(bl)化镀一镀铜层于基板 51上的激光处理区52其中之一上；(b2)电镀一镀镍层于镀铜层上；(b3)电镀一镀金层于 镀镍层上。相同地，于步骤(c)中，第二导电层542的详细形成步骤如下(cl)化镀一镀铜 层于基板51上的另一激光处理区52上；(c2)电镀一镀镍层于镀铜层上；(c3)电镀一镀金 层于镀镍层。较佳地，步骤(b)及步骤(c)中，第一导电层541及第二导电层542的二镀铜 层同时形成，二镀镍层同时形成，并且二镀金层同时形成。形成第一导电层541及第二导电层542后，于步骤(d)中，将一光电转换芯片55 设置在凹槽511的底面511a上，并分别与凹槽511的底面511a上的第一导电层241及第 二导电层242电性连接。在步骤(d)之后，本发明的制造方法更包含步骤(e)实施一封胶 制程于凹槽511及沟槽57中以包覆光电转换芯片55及导线56。完成上述制程后，最后进行一裁切制程，令形成于如图6所示的模板58上的各个 光电传送或接收装置5裁切分开，最后形成本发明如图5所示的光电传送或接收装置5。其 中，裁切的方式与第一实施例中相同，于此不在赘述。综上所述，本发明的光电传送或接收装置及其制造方法采用MID-LDS的技术，改 善习知光电传送或接收装置制程过于繁复，且体积大、发光散射角度大及成本高等缺失，达 到制程简单、体积小、发光散射角度小且成本低的目的。再者，本发明的光电传送或接收装 置及其制造方法适可利用同一种模具射出成形，再通过更换激光照射的设计图面，而更得 以制造成形具不同设计的产品，使产品设计多样化大幅提升，而不必更换模具。上述实施例仅为例示性说明本发明的原理及其功效，以及阐释本发明的技术特 征，而非用于限制本发明的保护范畴。任何熟悉本技术者的人士均可在不违背本发明的技 术原理及精神的情况下，可轻易完成的改变或均等性的安排均属于本发明所主张的范围。 因此，本发明的权利保护范围应如后述的权利要求书所列。
权利要求
一种光电传送或接收装置，包含一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层；一第一导电层，设置在该凹槽的该底面的一第一部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第一导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；一第二导电层，与该第一导电层电性绝缘，该第二导电层设置在该凹槽的该底面的一第二部分，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸，其中该第二导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；以及一光电转换芯片，设置于该凹槽的该底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。
2.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该复合材料包括一模制互 连元件激光导引结构所应用的复合材料。
3.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，在该凹槽的该底面上的该 第一导电层为一固晶区，在该凹槽的该底面上的该第二导电层为一打线区，该光电转换芯 片设置在该固晶区并与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线电性 连接。
4.如权利要求3所述的光电传送或接收装置，其特征在于，更包括一封胶，设置于该凹 槽内，并包覆该光电转换芯片及该导线。
5.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该光电转换芯片为一发光 二极管芯片或一光感芯片。
6.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 铜层。
7.如权利要求6所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 镍层，形成于该镀铜层上。
8.如权利要求7所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层更包含一镀 金层，形成于该镀镍层上。
9.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一镀 铜层。
10.如权利要求9所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一镀 镍层，形成于该镀铜层上。
11.如权利要求10所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第二导电层更包含一 镀金层，形成于该镀镍层上。
12.如权利要求1所述的光电传送或接收装置，其特征在于，更包括一焊接点，该焊接 点设置在该基板的一侧面上，该侧面与该基板的该上表面相连接，该焊接点自该第一导电 层或该第二导电层延伸。
13.一种光电传送或接收装置的制造方法，包含下列步骤(a)提供一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至 该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所构成，该复合材料通过激光活化而适可在该复合材料表面形成一导体层；(b)对该凹槽的该底面的一第一部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激 光照射，而形成一第一导电层；(c)对该凹槽的该底面的一第二部分、部分该内侧壁及该基板的部分该上表面实施激 光照射，而形成一第二导电层，其中该第二导电层与该第一导电层电性绝缘；(d)将一光电转换芯片设置在该凹槽的该底面上，并分别与该凹槽的该底面上的该第 一导电层及该第二导电层电性连接。
14.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该复合材料包含一模制互连元件激 光导引结构所应用的复合材料。
15.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，步骤 (bl)化镀一镀铜层。
16.如权利要求15所述的制造方法，其特征在于，步骤 (b2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。
17.如权利要求16所述的制造方法，其特征在于，步骤 (b3)电镀一镀金层于该镀镍层上。
18.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，步骤 (cl)化镀一镀铜层。
19.如权利要求18所述的制造方法，其特征在于，步骤 (c2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。
20.如权利要求19所述的制造方法，其特征在于，步骤 (c3)电镀一镀金层于该镀镍层上。
21.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该凹槽的该底面上的该第一导电层 为一固晶区，在该凹槽的该底面上的该第二导电层为一打线区，且于步骤(d)中，该光电转 换芯片设置在该固晶区并与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线 电性连接。
22.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该光电转换芯片为一发光二极管芯 片或一光感芯片。
23.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，于步骤(d)后更包含下述步骤(e)施加一封胶，以包覆该光电转换芯片及该导线。
24.如权利要求13所述的制造方法，其特征在于，该第一导电层或该第二导电层更延 伸形成一焊接点，并且该焊接点设置在该基板的一侧面上，该侧面与该基板的该上表面相 连接。
25.一种光电传送或接收装置，包含一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至该上表 面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所制成，该复合材料通过激光活化而适可在 该复合材料表面形成一导体层；一第一导电层，设置在该凹槽的该底面，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面 向外延伸，其中该第一导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；一第二导电层，设置在凹槽的该底面的外，并沿该基板的该上表面向外延伸且与该第(b)包含下述步骤 (b)更包含下述步骤(b)更包含下述步骤(c)包含下述步骤 (c)更包含下述步骤 (c)更包含下述步骤一导电层电性绝缘，其中该第二导电层利用激光活化该基板的该复合材料而形成；以及一光电转换芯片，设置于该凹槽的该底面上并分别与该第一导电层及该第二导电层电 性连接。
26.如权利要求25所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该光电传送或接收装置 更包括多个焊接点，该等焊接点设置在该基板的一侧面上，该侧面与该基板的该上表面相 连接并适以与一电路板表面接合，并且该等焊接点自该第一导电层及该第二导电层延伸。
27.如权利要求26所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该复合材料包括一模制 互连元件激光导引结构所应用的复合材料。
28.如权利要求27所述的光电传送或接收装置，其特征在于，在该凹槽的该底面上的 该第一导电层为一固晶区，该第二导电层为一打线区，该光电转换芯片设置在该固晶区并 与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线电性连接。
29.如权利要求28所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该基板更形成有一沟槽， 连结该凹槽及该打线区，而该导线经由该沟槽连接该光电转换芯片与该打线区。
30.如权利要求29所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该光电传送或接收装置 更包括一封胶，包覆该光电转换芯片及该导线。
31.如权利要求25所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该光电转换芯片为一发 光二极管芯片或一光感芯片。
32.如权利要求25所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层及第二导 电层更各包含一镀铜层，形成于该基板上。
33.如权利要求32所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层及第二导 电层更各包含一镀镍层，相应形成于各该镀铜层上。
34.如权利要求33所述的光电传送或接收装置，其特征在于，该第一导电层及第二导 电层更各包含一镀金层，相应形成于各该镀镍层上。
35.一种光电传送或接收装置的制造方法，包含下列步骤(a)形成一基板，具有一上表面及一凹槽，该凹槽是由一底面及一由该底面向上延伸至 该上表面的内侧壁所界定，其中该基板由一复合材料所制成，该复合材料通过激光活化而 适可在该复合材料表面形成一导体层；(b)对该基板实施激光照射，而形成一第一导电层，其中该第一导电层形成于该凹槽的 该底面，并沿该凹槽的该内侧壁及该基板的该上表面向外延伸；(c)对该基板实施激光照射，而形成一第二导电层，其中该第二导电层形成于该凹槽的 该底面外，并沿该基板的该上表面向外延伸且与该第一导电层电性绝缘；(d)将一光电转换芯片设置在该凹槽的该底面上，并分别与该凹槽的该底面上的该第 一导电层及该第二导电层电性连接。
36.如权利要求35所述的制造方法，其特征在于，于步骤(b)及步骤(c)中，该第一导 电层或该第二导电层更延伸至该基板的一侧面上，以形成多个焊接点，该侧面与该基板的 该上表面相连接并适以与一电路板表面接合。
37.如权利要求36所述的制造方法，其特征在于，该复合材料包含一模制互连元件激 光导引结构所应用的复合材料。
38.如权利要求37所述的制造方法，其特征在于，该凹槽的该底面上的该第一导电层为一固晶区，该第二导电层为一打线区，且于步骤(d)中，该光电转换芯片设置在该固晶区 并与该固晶区电性连接，而该光电转换芯片与该打线区通过一导线电性连接。
39.如权利要求38所述的光电传送或接收装置，其特征在于，于步骤(a)中该基板更形 成有一沟槽，连结该凹槽及该打线区，而该导线经由该沟槽连接该光电转换芯片与该打线 区。
40.如权利要求39所述的制造方法，其特征在于，于步骤(d)后更包含下述步骤 (e)施加一封胶，以包覆该光电转换芯片及该导线。
41.如权利要求35所述的制造方法，其特征在于，该光电转换芯片为一发光二极管芯 片或一光感芯片。
42.如权利要求35所述的制造方法，其特征在于，步骤(b)包含下述步骤 (bl)化镀一镀铜层于该基板上。
43.如权利要求42所述的制造方法，其特征在于，步骤(b)更包含下述步骤 (b2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。
44.如权利要求43所述的制造方法，其特征在于，步骤(b)更包含下述步骤 (b3)电镀一镀金层于该镀镍层上。
45.如权利要求35所述的制造方法，其特征在于，步骤(c)包含下述步骤 (cl)化镀一镀铜层于该基板上。
46.如权利要求45所述的制造方法，其特征在于，步骤(c)更包含下述步骤 (c2)电镀一镀镍层于该镀铜层上。
47.如权利要求46所述的制造方法，其特征在于，步骤(c)更包含下述步骤 (c3)电镀一镀金层于该镀镍层上。
全文摘要
本发明关于一种光电传送或接收装置及其制造方法，包括一基板、一第一导电层、一第二导电层以及一光电转换芯片。其中，基板具有一上表面及一凹槽，并由一复合材料所制成。凹槽是由一底面及一由底面向上延伸至上表面的内侧壁所界定。第一导电层及第二导电层利用激光活化基板的复合材料而形成。第一导电层设置在凹槽的底面，并沿凹槽的内侧壁及基板的上表面向外延伸。第二导电层与第一导电层电性绝缘，并沿基板的上表面向外延伸。光电转换芯片设置于凹槽的底面上并分别与该凹槽的该底面上的该第一导电层及该第二导电层电性连接。
文档编号H01L33/62GK101847678SQ20091024718
公开日2010年9月29日 申请日期2009年11月27日 优先权日2009年11月27日
发明者赖律名 申请人:亿光电子工业股份有限公司