用于半导体晶片处理的光腔炉的制作方法

专利名称：用于半导体晶片处理的光腔炉的制作方法
用于半导体晶片处理的光腔炉
契约由来
根据美国能源部与国家可再生能源实验室的管理者与经营者一可持续能源联 盟，LLC之间的DE-AC36-08GC^8308号合同，美国政府对本发明享有权利。
背景技术：
半导体晶片制造涉及许多高温步骤，例如磷扩散、铝合金化、涂层沉积、氢钝 化、前触点形成和其他处理。当前，半导体晶片通常在传统电热炉或红外线(IR)炉中 处理。电烤炉或电炉通常是昂贵的且使用起来很缓慢，而且可能导致半导体晶片扭曲变 形。在传统处理烤炉中也会发生杂质重新分布，因为杂质可从炉或烤炉的热壁渗透进晶 片或穿过上述热壁渗透进晶片。
快速热退火炉是已知的，这些退火炉利用光能量源(光能源)快速升高半导体晶 片的温度。然而，这些退火炉在提高加热速度的同时，也可能增加正被处理的晶片的非 均一加热。传统的光辅助快速热退火炉通常在晶片上产生非均一光能，这可能在晶片中 产生热应力，从而导致可能的破裂和不期望的残余电特性。举例来说，不均勻加热或其 他处理变化可能导致非均一的电活化、缺陷或晶片变形。另外，若可在晶片上获得非均 一光通量，则上述非均一光通量通常由于晶片表面多个区域上的不同辐射热损失量而导 致不均勻的晶片加热。
已知改进的光处理炉，所述光处理炉可利用光子效应增强热反应。然而，已 知的光炉通常是不适用于诸如在商用炉中期望的高生产量或连续操作的单批实验室炉。 另外，设计成处理单批或小批晶片的已知光实验室炉可能以非常高的光能损耗率有效操 作，因而比商业生产炉中所期望的效率低。
这里公开的实施例意欲解决上述问题中的一个或多个。现有技术的上述实例和 与其相关的局限仅仅是示例性的，而不是排他性的。本领域技术人员在阅读说明书并研 究附图后将很容易了解现有技术的其他局限。发明内容
结合仅仅是示例性且示意性而不限制范围的系统、工具和方法描述和举例说明 下面的实施例和其方面。在多个实施例中，已减少或消除了上述问题中的一个或多个， 而其他实施例则针对其他改进。
这里公开的一个实施例是具有与光腔(optical cavity)相关联的多个光能量源的光 腔炉。所述多个光能量源可以是灯或适用于产生适当级光能的其他装置。光腔炉也可包 括与所述光能量源相关联的一个或多个反射器或者一个或多个壁，以使得反射器和壁限 定光腔。壁可具有任何期望的构造或形状，以增强炉作为光腔的操作。光能量源可相对 于限定光腔的反射器和壁设置(或定位)于任何位置。举例来说，能量源可设置于顶壁、 侧壁或底壁中。光能量源可设置成在光腔内的不同位置处获得所期望的通量级。举例来 说，选定光能量源可安置成更靠近晶片边缘，以补偿可能的晶片边缘冷却效应。
反射器可制造成壁内或壁上的结构。另外，光能量源可相对于炉的光腔横向、 平行或成一定角度地定向。光能量源因而相对于光腔位于任何期望位置处。光腔炉可进 一步包括用于输送一个或多个半导体晶片通过光腔的半导体晶片输送系统。半导体晶片 输送系统可以是任何合适类型的输送系统，包括但不限于机械托架(车架)、机动输送或 传送带系统。
限定光腔的反射器和壁可具有漫反射表面。漫反射光腔表面有利于确保光能在 腔内高效且均勻地反射并具有最小的光能损失。光腔炉也可包括位于光腔内在输送系统 与漫反射表面之间的透射包覆件。
可独立控制与光腔炉相关的不同处理参数。举例来说，可提供通量控制器， 该通量控制器控制输入每个光能量源的功率，上述光能量源可与选定的能量源安置一起 获得沿选定维度或通过光腔炉的选定区域的选择通量分布。通量分布可变化或可完全调 节。可提供输送速率控制器，该输送速率控制器控制半导体晶片输送通过光腔炉的速 率。类似地，可提供处理物质控制器，该处理物质控制器控制可通过特定入口或出口引 入光腔内的诸如处理气体的处理物质的引入或排出。处理物质出口可位于输送系统平面 下方或远离输送系统平面，以最小化处理物质与光能量源的相互作用。
另一个实施例是处理半导体晶片的方法，其包括输送半导体晶片通过上述光腔 炉。该方法可包括使晶片经受来自光能量源的通量。可根据选定或控制的通量分布(图) 提供通量。类似地，也可控制半导体晶片输送通过光腔炉的速率或者添加或提取处理物 质。
除了上述示例性方面和实施例外，参照附图并研究下文的描述后将很容易了解 其他方面和实施例。


在附图中举例图解了示例性实施例。应理解，所公开的实施例和附图是示意性 而非限制性的。
图1是光腔炉的透视图。
图2是图1中的光腔炉的横截面图。
图3是选定的均勻加热晶片的光通量分布的图形表示。
图4是替换光腔炉的透视图。
图5是替换光腔炉的透视图。
图6是图5中的光腔炉的示意性俯视图。
图7是图5中的光腔炉的示意性正截面图。
图8是代表性通量分布的图形表示。
具体实施方式
图1以非限制性实例的方式示出了光腔炉10的一个实施例。光腔炉10包括沿 长度L分布的多个光能量源12a-n。虽然光能量源12在图1中被示出为平行于长度L设 置在光腔炉10的顶部和侧面的灯，但是应注意，该构造不是典型地或限制性的。相反， 如下文所述，多个实施例将以分布在光腔炉的顶部、侧面和底部上以实现特定通量目标的光能量源12为特征。
就使用具有大致细长圆柱形形状的灯而言，灯可垂直于长度L、平行于长度L或 相对于长度L以选定角度设置。光腔炉10不限于任何特定数目的光能量源12或任何特 定类型的光能量源12。可选择光能量源12的任何合适数目和定向，以实现这里公开的特 定半导体制造目标。
可从产生具有期望强度、波长或其他光特性的能量的任何类型的装置中选择光 能量源。举例来说，光能量源12可以是沿着光腔炉10的长度L布置的多个卤钨灯。光 能量源12可具有非平面孔口。可使用多个混合类型的灯或光源来实现选定的制造目标。
如图1所示，每个光能量源12a-n可与一个或多个对应反射器14相关联(或相 连)。反射器可位于光腔炉10的顶壁、侧壁或底壁内。虽然图1中的反射器14与位于 光腔炉10的顶部和侧面且平行于长度L设置的灯对应，重要的是注意该构造不是典型的 或者限制性的。另外，反射器14和对应灯可平行于光腔炉10的长度L、横向于长度L或 相对于长度L以选定角度设置。在许多情况下，反射器14可制造在光腔炉壁内或其上。 反射器14可具有任何类型的反射表面；然而，如本文所述，如果反射器具有漫反射表面 而非镜面反射表面，则可呈现出一些优点。
—个或多个壁16可与光能量源12相关联，以使得壁16与反射器14 一起限定光 腔18。这里使用的光腔18是照明空间，在照明空间中，可通过来自多个反射表面或多个 反射表面之间的反射或通过直接辐射施加光能。
图1中的光腔炉10实施例的壁16铰接且可打开，以提供进入腔18的通路。图 1示出了壁打开的光腔炉10。图2示出了壁在操作状态下关闭的光腔炉10。壁16可构 造或成形为在炉内实现特定通量条件。举例来说，壁可定向为相对于预期的半导体晶片 位置提供多个光能漫反射。光腔18的反射器14和漫反射壁16便于沿光腔炉10的长度 L的任何选定位置处的定制通量特性。如下文详细描述的那样，可通过多种方式操纵和 控制沿长度L的多个位置处的通量分布。光腔炉10的反射器14和漫反射壁16可由任何 漫反射高温材料制成。举例来说，光腔炉10的反射器14和壁16可由诸如Zircar的高温 陶瓷材料制成。其他类似材料也同等适用于光腔炉10的构造。
在光腔炉10内的硅晶片或一系列晶片上获得均一温度可能是非常困难的，因为 在存在几乎完美均一的光通量的情况下，晶片在边缘处将具有略微较低的温度。存在观 察到的较低的边缘温度，因为晶片冷却主要通过辐射损失以及处理气体流动导致的对流 发生。因为发自晶片边缘的辐射比在晶片其余部分上看到的辐射相对高，所以在均一通 量下晶片边缘通常比晶片其余部分冷。因此，如图3中的图形所示，在晶片20上实现横 向均一的温度分布的一种途径是增大晶片边缘处的光通量(由通量分布21以图形方式示 出)。图2示出了实现该目的的一种方法是将光能量源(例如12a)设置在边缘附近更靠 近晶片处，因而增大了边缘处的通量密度。该配置对于设计成一次加热一个晶片的较小 实验室炉也是有用的，在此情况下可在X和Y两个方向上施加增加的通量。
图2是垂直于长度L获得的与图1类似的光腔炉10的示意性横截面图。图2的 视解了光腔18的概念，在该光腔中，光能量源12的位置被选择，以最小化边缘损 失。具体地说，与外晶片边缘对应的光能量源1 可设置成比与内晶片或中心晶片对应 的光能量源12η更靠近晶片表面。另外，来自多个光能量源12的光从反射器14和壁16漫反射，以照射代表性的半导体晶片20，而直接散射和漫反射的光在晶片20的表面处产 生特别选定的通量。虽然图2中未示出，但是光能量源12可额外与光腔炉10的前壁、 端壁或底壁相关联。另外，灯不是必须沿一致方向定位。如下文详细描述的那样，可选 择光能量源12的位置和这些源的定向，以确保光腔18内的任何期望通量特性。以这里 描述的光腔18为特征的炉可显著地比已知光炉更高效，因为几乎所有光都限制在炉内并 具有最小的光功率损失。
光腔炉10也可包括用于沿光腔18的长度L输送半导体晶片20或者一系列或成 批晶片的系统。多种类型的带、托盘、滚子、机械化托架或其他装置可用于沿一维、例 如光腔炉10的长度L输送一个或多个半导体晶片20。通过非限制性的实例，传送带22 被示出作为图1中的代表性的输送系统。传送带22可由诸如石英、石墨网或其他材料的 适当材料制成，可选择所述材料，以承受在光腔18内存在的高温和强光能。传送带22可 包括设计成在带22或其他输送系统的表面上保持和支撑晶片20的一个或多个独立结构。 通过将晶片保持在带或输送系统上，可实现晶片下侧的适当加热。这在光腔炉10包括位 于下侧和底壁16上的光能量源的情况下是特别重要的。
如图2和4所示，光腔炉10也可包括位于带22或其他晶片输送系统与限定光腔 18的壁16和反射器14的漫反射表面之间的透射包覆件M。透射包覆件M能够透光， 因而光能可以穿过包覆件到达半导体晶片。包覆件可由石英或其他具有适当高温特性的 透射材料构成。透射包覆件M用于进一步发散、缓和以及控制提供给半导体晶片20的 光通量强度。因此，如果期望，包覆件可装配有传感器和反馈机构，以对入射在半导体 晶片20上的光能进行监测和控制。透射包覆件M也可用于限定在体积上比整个光腔18 小的处理室25。较小的处理室25将会对于如下文描述高效执行气体处理步骤有用。
也如图4所示，透射包覆件对和/或光腔炉10可装配一个或多个适当入口沈和 出口观开口，上述开口允许多种物质、诸如半导体器件处理所需的气体流经处理室25。 限定处理室25的透射包覆件M可用于确保从处理室附近或如下文所述从晶片平面下方施 加和移除处理气体或其他处理物质。流经光腔炉10的气体或其他物质可包括但不限于诸 如用于冷却目的的氩气或其他惰性气体的选定用于控制温度的气体。或者，气体可直接 包含在半导体制造领域技术人员熟知的多个处理步骤中，诸如磷扩散、氢钝化或涂层沉 积中。
可沿诸如光腔炉10的长度L的维度分布多个入口沈和出口观，以使在各种处 理步骤中所需的各种物质流入炉10或处理室25内。另外，重要的是注意，在半导体处 理中存在可出现形成流出蒸汽的情形。举例来说，当合金化通过丝网印刷工艺形成的接 触件时，可能在加热处理的初始阶段中形成蒸汽。这些或其他蒸汽倘若不适当排尽，则 可能与制造步骤的适当完成相冲突。在一些情况下，可能期望将出口或排气孔设置在光 腔18底部、包覆件M附近，或者远离光能量源12设置出口。举例来说，如果光能量源 主要设置在光腔顶部附近，则排气口可位于晶片输送系统限定的平面下方。排气口远离 光能量源设置的构造允许移除蒸汽，而不会存在与光能量源相冲突或者光能量源对蒸汽 过度加热的风险。类似地，诸如Ar、N2和O2的处理所需气体以及冷却光能量源所需的 气体、例如N2可从任一端或沿着光腔侧面供给到光腔或包覆件M中。冷却气体尤其可 从位于光能量源后方的喷嘴注入，以最佳便利于这些元件的冷却。
如上所述，光能量源12可沿着一个维度分布，例如沿着光腔炉10的长度L且 相对于光腔炉10的侧面、顶部或底部以任何期望的定向或构造分布。输入任何选定灯或 其他能量源的功率可以独立选择或控制。因此，可例如通过处理计算机控制炉内的一定 位置处的通量强度和通量分布，且上述通量强度和通量分布可按需要沿着长度L变化， 以实现选定的处理目标。可调节或选择光腔炉10的宽度和整个尺寸，以适应期望的生产 率。
这里公开的光腔设计的一个优点在于它可易于密封而不会影响可获得的通量分 布。炉长度L和晶片输送穿过炉的速率均与这里描述的炉内维持的不同通量区内的晶片 停留时间相关。
这里描述的光腔炉的不同实施例也与商业操作所需的高生产能力或半导体晶片 的连续处理相适应。在使用时，在适当的装置、例如图1中的传送带系统22上输送供应 的半导体晶片20穿过光腔炉10。因此，半导体晶片20沿长度L从光腔炉10的一端输 送至相反端。当晶片20输送通过炉时，可连续或并行完成若干处理步骤，因而降低了总 晶片制造成本。因为光处理使用了光子效应且因为可组合若干处理步骤，所以这里描述 的光腔炉10的能耗明显比传统热炉的能耗低。这里描述的光腔炉10的不同实施例也提 供了对处理步骤的大量控制。
举例来说，当半导体晶片20输送通过炉时，可主动控制若干处理变量，以实现 选定的处理结果。这些变量包括但不限于输送系统移动晶片穿过炉的速率(可以是可变 速率)、诸如处理气体的物质进入处理室25内的选择性和可变引入以及应用至选定光能 量源12的功率。这些和其他可控变量可手动控制或例如通过使用合适的计算机由自动化 系统控制，所述计算机具有通量控制、处理物质控制、输送速度控制或其他控制功能。 虽然可组合操纵一些处理变量，以获得期望结果，但是也可独立控制每个变量。在选定 的时间段内呈现在晶片表面处的总通量是通过光能量源的相对位置在晶片附近施加至光 能量源12的光功率以及晶片输送通过相关通量区的速率的函数。可控制这些变量中的任 一个，以获得特定通量分布，同时在一系列晶片或选定晶片的不同区域上维持一致的温 度。类似地，注入处理室25内的不同物质、例如不同处理气体的效应是注入和排出处理 室25的处理气体的性质、可由光功率控制器控制的温度和光子效应以及晶片输送通过炉 的速率的函数。可独立控制这些和其他变量中的每一个，以实现高效的总体晶片处理。
通过光处理，可通过计算机分析预测给定通量分布产生的晶片20上的热应力和 可能的缺陷生成。因此，可最小化缺陷晶片处理的风险和废物。当使用这里描述的光腔 炉10时，重要的是注意，任何选定晶片20上的热效应或热应力将受到晶片在传送带22 或其他晶片输送系统上的位置的影响。举例来说，所有晶片将倾向于从其边缘比从其中 心辐射更多的热量。可安置朝向传送带22中心的晶片，以使得它们的相邻边缘彼此非常 接近。因此，通过靠近相邻晶片边缘来缓和边缘辐射的效果。因此，可最小化选定晶片 20的边缘与中心之间的热应力。相反，带22的外缘上的晶片将经受更剧烈的边缘冷却。 如上所述，可选择光能量源12的分布，以产生期望的通量分布。举例来说，可在侧壁中 安置额外的能量源，以补偿来自外组晶片20的外缘的辐射。
这里描述的光腔型光炉的不同实施例可用于许多半导体晶片处理步骤。这里 公开的炉实施例可用于例如N/P结形成、背面场制备的铝合金化、触点形成、吸除(吸气)、前触点形成、氢钝化、磷扩散和许多其他处理步骤。
使用光处理可增大每个处理步骤的总体速度并进而进一步降低能耗。光处理提 供了高效的杂质(溶解杂质以及淀析杂质)吸除。因此，如果通过光处理生产，则可预 期诸如受到杂质的不利影响的太阳能电池的半导体晶片将具有较高效率。
这里公开的另一实施例是一种处理半导体晶片的方法。该方法包括输送晶片20 通过如上所述的光腔炉10。在晶片输送通过光腔炉10时，其将经受光通量分布，该光通 量分布可以为可变通量分布。另外，当半导体晶片20输送通过选定的通量区时，可向半 导体晶片20施加诸如处理气体的不同物质。一个或多个半导体晶片20输送通过光腔炉 10的速率或速度可以变化或受到控制。透射包覆件M可在光腔炉10内应用且位于半导 体晶片20与光能量源12之间，以控制温度或热积累、限定处理室并确保光腔炉10内给 定位置处的均勻通量分布。
上文详细描述的光腔炉10的实施例也适用于半导体晶片的连续或相对大批量生 产。这里描述的概念也可应用于诸如通常在研究设置中使用的较小单个晶片或小批量烤 炉。图5-7示出了较小研究型光腔炉40的一种可能构造。图1中的研究型光腔炉40与 生产光腔炉10之间的一个区别在于，诸如传送带22的输送机构对于小批量或单个晶片处 理可能不是必需的。在小批量或单个晶片光腔炉40中仍然重要的是，可控制晶片上的通 量分布。因此，如图5-7所示，光能量源42可配置在可独立控制的不同区中。举例来 说，图5-7中的实施例包括中心区44、前后区妨a和46b以及侧区48a和48b。最佳如 图7所示，可选择这些区的总体布置，以实现期望的光通量分布特性。举例来说，侧区 48a和48b可相对更靠近包覆件50和容纳在其中的晶片50，以增大晶片52的边缘上的通 量密度。另外，施加至光能量源42的功率水平和功率持续时间可由区或独立光能量源控 制。
如图5所示，单个晶片小批量光腔炉40也可包括气体入口或气体出口，以提供 和提取必要的处理气体。
实例
仅出于示例性目的提供以下实例，并且所述实例不意欲限制这里公开的若干实 施例中的任一个的范围。光腔炉10或40可用于这里未在详细实例中描述的多个处理步马聚ο
实例1
图8是铝墨烧制处理所需的典型通量分布的图形表示。该处理适用于硅太阳能 电池制备中的前触点形成。出于此预示性实例，假设期望每小时900个晶片通过上文所 述的光腔炉10的生产量。还假设光腔炉10的宽度建构成适用于每行输送并处理9个晶 片。
每小时900个晶片的期望生产量结合炉宽度需要1小时(3600秒)处理100行晶 片。因此，每行晶片的供给速率是每36秒送入烤炉(或从烤炉移出)一行。典型的太阳 能电池晶片是具有约5英寸边长的正方形。因此，必须每秒约0.14英寸的初始带速，以 实现期望的供给速率。必须考虑铝墨烧制处理的总处理时间，以确定此预示性实例所需 的炉长度。总处理时间约为60秒干燥铝墨、60秒烘烤墨、10秒合金化铝和60秒冷却。 因此，此处理的总处理时间约为以0.14英寸每秒的3分钟。因此，合适的炉长度将为约34英寸。如图4所示，上述干燥、烘烤、合金化和冷却步骤中的每一个期望的总通量是 变化的，且步骤与步骤之间不同。每个步骤的所述通量变化可如上文所述通过控制当晶 片输送通过炉时施加至适当光能量源的功率和位置实现。或者，可控制输送速率，同时 保持或独立控制局部通量。虽然铝墨烧制处理不需要施加处理气体，但是也可经由上述 入口沈和出口观施加或排出处理气体。
虽然上文已讨论了多个示例性方面和实施例，但是本领域技术人员将了解对这 些方面和实施例的一些变型、替换、附加和子组合。应当理解，以下所附权利要求和以 后引入的权利要求应解释为包括落入权利要求的真实精神和范围内的所有这些变型、替 换、附加和子组合。
权利要求
1.一种光腔炉，其包括多个光能量源；与所述光能量源相关联的一个或多个反射器；与所述光能量源相关联的一个或多个壁，其中所述壁和反射器限定光腔，且所述光 能量源与所述光腔相关联；以及半导体晶片输送系统，其用于输送半导体晶片通过所述光腔。
2.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，所述反射器和壁包括漫反射表面。
3.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括与所述光腔炉的顶壁、底壁 和侧壁中的一个以上相关联地设置的光能量源。
4.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，所述光能量源中的至少一个比所述光能 量源中的另一个更靠近所述半导体晶片输送系统，以在晶片表面上的选定位置上获得选 定的通量密度。
5.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括位于所述光腔内在所述半导 体晶片输送系统与所述漫反射表面之间的透射包覆件。
6.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，所述半导体晶片输送系统包括传送带。
7.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括对所述光能量源中的至少一 个的独立可控功率输入。
8.如权利要求7所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括通量控制器，其与多个光能 量源工作地关联，以控制输入选定光能量源的功率，从而获得所述光腔内的选择通量分 布。
9.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括输送速率控制器，其与所述 半导体晶体输送系统工作地关联。
10.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括进入所述光腔的一个或多 个处理物质入口和排出所述光腔的一个或多个处理物质出口。
11.如权利要求10所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括位于所述半导体晶片输送 系统限定的处理平面下方的一个或多个处理物质出口。
12.如权利要求10所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括处理物质控制器，其与一 个或多个处理物质入口或处理物质出口工作地关联。
13.如权利要求1所述的光腔炉，其特征在于，一个或多个光能量源包括非平面孔
14.一种光腔炉，其包括用于产生光能的构件；用于在光腔中漫反射光能的构件；以及用于输送半导体晶片通过所述光腔的构件。
15.如权利要求14所述的光腔炉，其特征在于，所述用于产生光能的构件包括多个能 量源，且所述光能量源中的至少一个比所述光能量源中的另一个更靠近所述用于输送半 导体晶片的构件，以在晶片表面上的选定位置上获得选定的通量密度。
16.如权利要求14所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括用于将处理物质引入所述 光腔内以及从所述光腔排出处理物质的构件。
17.如权利要求16所述的光腔炉，其特征在于，进一步包括用于控制所述光能的输 入、处理物质的施加以及半导体晶片输送通过所述光腔的速率中的至少一个的构件。
18.—种处理半导体晶片的方法，其包括提供光腔炉，所述光腔炉具有与光腔相关联的多个光能量源；输送半导体晶片通过所述光腔，同时使所述晶片经受来自所述光能量源的通量。
19.如权利要求18所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，所述光腔由反射器和 包括漫反射表面的壁限定。
20.如权利要求18所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，进一步包括利用透射 包覆件散射来自所述光能量源的光能。
21.如权利要求18所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，进一步包括控制输入 每个光能量源的功率。
22.如权利要求18所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，进一步包括控制所述 半导体晶片输送通过所述光腔的速率。
23.如权利要求18所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，进一步包括控制向所 述光腔添加处理物质或者从所述光腔提取处理物质。
24.如权利要求23所述的处理半导体晶片的方法，其特征在于，进一步包括从位于所 述半导体晶片输送系统限定的处理平面下方的出口排出一种或多种处理物质。
全文摘要
一种光腔炉(10)，其具有与炉的光腔(18)相关联的多个光能量源(12)。所述多个光能量源(12)可以是灯或适用于产生适当级光能的其他装置。光腔炉(10)也可包括与光能量源(12)相关联的一个或多个反射器(14)和一个或多个壁(16)，以使得反射器(14)和壁(16)限定光腔(18)。壁(16)可具有任何期望构造或形状，以增强炉作为光腔(18)的操作。光能量源(12)可相对于限定光腔的反射器(14)和壁设置在任何位置。光腔炉(10)可进一步包括用于输送一个或多个半导体晶片(20)通过光腔的半导体晶片输送系统(22)。
文档编号H01L21/02GK102027581SQ200980108644
公开日2011年4月20日 申请日期2009年3月12日 优先权日2008年3月13日
发明者B·L·索波里 申请人:可持续能源联盟有限责任公司