专利名称：有机电激发光元件封装及其制造方法
技术领域：
本发明涉及一种有机电激发光元件(organic electro-luminescent device)封装及其封装方法，且特别涉及一种使用熔接胶(frit)的有机电激发光元件封装及其封装 方法。
背景技术：
随着电子产品的蓬勃发展以及便携式电子产品的需求日益增加，电子产品的显示 器在反应速度、解析度、图像品质上的表现已逐渐受到重视。除了需具备多功能之外，重量 轻、体积小也是电子产品研发的重点之一。由于有机电激发光显示器为自发光形态的显示 器，不需要背光模块，因此有机电激发光显示器十分符合电子产品在重量轻以及体积小方 面的要求。一般的有机电激发光元件(organic electro-luminescent devices)多半使 用紫外线固化胶(UV curable sealant)来阻隔水气进入有机电激发光元件的封装体 内，但是紫外线固化胶的阻水氧能力仍嫌不足，容易影响到有机电激发光元件的信赖性 (reliability)。为了确保有机电激发光元件的封装信赖性，已有现有技术开发出激光熔接 胶(laser frit)，并利用激光照射熔接胶以使熔接胶分别与上、下基板熔接。虽然使用激光 熔接胶可以获得较佳的阻水氧能力，但由于激光熔接胶必须被适当的激光照射后才能顺利 地与上、下基板熔接，因此激光熔接胶在应用上有其限制。举例而言，当布局于上基板的用 以传递信号的导线材质为不透明的金属或金属合金时，激光容易被这些不透明的金属或金 属合金所遮蔽，导致激光无法顺利地照射于熔接胶上，进而造成激光熔接不完全。激光熔接 不完全会导致熔接胶无法有效地阻隔水气与氧气，进而影响有机电激发光元件的寿命以及 元件效能。
发明内容
本发明提供一种有机电激发光元件封装，其具有允许激光穿透的导电层。本发明提供一种有机电激发光元件封装的制造方法，以有效降低激光封装技术中 的工艺困难度。本发明提出一种有机电激发光元件封装。此有机电激发光元件封装包括有机电激 发光元件阵列基板、透明盖板以及熔接胶(frit)。其中，有机电激发光元件阵列基板包括第 一基板以及多个阵列排列于第一基板上的有机电激发光元件。透明盖板配置于有机电激发 光元件阵列基板上方，其中透明盖板包括第二基板以及位于第二基板上的导电层，且有机 电激发光元件位于第一基板与第二基板之间。熔接胶配置于有机电激发光元件阵列基板与 透明盖板之间，并环绕有机电激发光元件，其中熔接胶位于第一基板与部分该导电层之间， 且对应于熔接胶的部分导电层为透明的。在本发明的一实施例中，上述的有机电激发光元件包括多个有机电激发光二极管。
在本发明的一实施例中，上述的有机电激发光元件阵列基板包括有源式有机电激 发光元件阵列基板或无源式有机电激发光元件阵列基板。在本发明的一实施例中，上述的透明盖板包括玻璃盖板。在本发明的一实施例中，上述的导电层包括触控线路(touch sensingcircuit) 0在本发明的一实施例中，上述的导电层的材质包括透明导电氧化物(transparent conductive oxides)。在本发明的一实施例中，上述的有机电激发光元件与导电层位于第一基板与第二 基板之间。在本发明的一实施例中，上述的第二基板位于有机电激发光元件与导电层之间。在本发明的一实施例中，上述的熔接胶包括玻璃熔接胶(glass frit)。在本发明的一实施例中，上述的熔接胶的材质包括胶体以及多个氧化物微粒。其 中，多个氧化物微粒掺杂于胶体内，其中氧化物微粒包括金属氧化物、过渡元素的氧化物或 所述氧化物的组合。此时，上述的氧化物微粒的粒径例如介于1微米至5微米之间。在本发明的一实施例中，上述的熔接胶适于被波长介于800纳米至1000纳米之间 的激光照射，而与有机电激发光元件阵列基板或透明盖板熔接。本发明另提出一种有机电激发光元件封装的制造方法，其包括下列步骤。提供有 机电激发光元件阵列基板。于透明盖板上形成熔接胶，其中透明盖板具有导电层。将透明 盖板与有机电激发光元件阵列基板对组，以使熔接胶位于有机电激发光元件阵列基板与透 明盖板之间。借由波长介于800纳米至1000纳米之间的激光照射熔接胶，以使有机电激发 光元件阵列基板与熔接胶接合。基于上述，由于对应于熔接胶的部分导电层为透明的，因此本发明可以降低有机 电激发光元件封装利用激光封装技术进行封装时的工艺困难度，进而提高激光封装技术的 可行性。为让本发明的上述特征和优点能更明显易懂，下文特举实施例，并配合附图作详 细说明如下。
图1为本发明一实施例的有机电激发光元件封装的剖面示意图。图2为本发明另一实施例的有机电激发光元件封装的剖面示意图。图3A-图3B为本发明一实施例的有机电激发光元件封装的制造方法。附图标记说明100,200,300 有机电激发光元件封装110 有机电激发光元件阵列基板112:第一基板114:有机电激发光元件120 透明盖板122 第二基板124:导电层130:熔接胶
132 胶体134 氧化物微粒A 透明的部分导电层X 第一基板与熔接胶的接触处
Y 熔接胶与透明盖板的接触处L 激光
具体实施例方式图1为本发明一实施例的有机电激发光元件封装的剖面示意图。请参照图1，本实 施例的有机电激发光元件封装100包括有机电激发光元件阵列基板110、透明盖板120以 及熔接胶130。有机电激发光元件阵列基板110包括第一基板112以及多个阵列排列于第 一基板112上的有机电激发光元件114，图1中仅示出一个为代表进行说明。第一基板112 例如为玻璃基板，且有机电激发光元件114例如为有机电激发光二极管。当然，有机电激发 光元件阵列基板110可视不同的驱动方式而为有源式有机电激发光元件阵列基板或无源 式有机电激发光元件阵列基板。举例来说，有源式有机电激发光元件阵列基板中的每一有 机电激发光元件114例如是由有源元件以及与其电性连接的有机电激发光二极管所构成， 借由有源元件来分别控制有机电激发光二极管的发光特性。请继续参照图1，透明盖板120配置于有机电激发光元件阵列基板110的上方，其 中透明盖板120例如是玻璃盖板。透明盖板120包括第二基板122以及位于第二基板122 上的导电层124，且有机电激发光元件114位于第一基板112与第二基板122之间。在本实 施例中，有机电激发光元件114与导电层124位于第一基板112与第二基板122之间。具 体而言，导电层124例如为触控线路(touch sensing circuit)，换言之，本实施例的导电层 124例如为内建式(in cell)触控面板。当然，导电层124亦可以是任何导电线路，视产品 需求而定。导电层124的材质例如是透明导电氧化物(transparent conductiveoxides)， 本发明并不限定导电层124的材质与构成形态。如图1所示，熔接胶130配置于有机电激发光元件阵列基板110与透明盖板120之 间，并环绕有机电激发光元件114。在本实施例中，熔接胶130适于被波长介于800纳米至 1000纳米之间的激光照射，而与有机电激发光元件阵列基板110或透明盖板120熔接。熔 接胶130位于第一基板112与部分导电层124之间，特别的是，对应于熔接胶130的部分导 电层124为透明的，更具体而言，本实施例中位于第二基板122与熔接胶130之间的部分导 电层124为透明的，如图中标示A处的部分。借此，当有机电激发光元件封装100利用激光 来熔接有机电激发光元件阵列基板110与透明盖板120时，激光可以顺利地穿透第二基板 122以及导电层124而到达导电层124与熔接胶130的接触处以及第一基板112与熔接胶 130的接触处，因此导电层124与熔接胶130的接触处以及第一基板112与熔接胶130的 接触处在吸收激光能量之后会产生微观结构的变化，使得有机电激发光元件阵列基板110 与透明盖板120之间可借由熔接胶130而紧密地接合在一起。举例来说，如图1中标示X 处，第一基板112与熔接胶130的接触处在吸收激光能量之后会产生浅灰色至黑色的熔接 痕迹。此外，第一基板112及/或第二基板122例如为玻璃时，且熔接胶130例如为玻璃熔接胶(glass frit)，则熔接胶130的硬度例如与第一基板112以及第二基板122的硬度相近，以进一步增加第一基板112、第二基板122与熔接胶130之间的密合度，但不限于此。 于其它实施例中，若第一基板112及/或第二基板122例如为聚合物材料，则熔接胶的硬 度，就不一定与上述二基板112/122其中一个的硬度相近。在一实施例中，熔接胶130的材 质包括胶体132以及多个氧化物微粒134，其中多个氧化物微粒134掺杂于胶体132内，氧 化物微粒134包括金属氧化物、过渡元素的氧化物或所述氧化物的组合，而氧化物微粒134 的粒径例如是介于1微米至5微米之间。氧化物微粒的材质例如为V205、Si02、Al203，胶体的 材质例如为酯醇类(例如=Texanol)，乙基纤维素类(例如=Ethyl cellulose T100)。利用 上述材料所组成的熔接胶130具有良好的阻隔水气及氧气的特性，举例而言，利用上述材 料所组成的熔接胶130于每天的水氧穿透速率(Water/Oxygen Vapor Transmission Rate, WVTR/OTR)小于等于 lXl(T5g/m2Xday。图2为本发明另一实施例的有机电激发光元件封装的剖面示意图。请参照图2， 本实施例的有机电激发光元件封装200与图1的有机电激发光元件封装100类似，因此相 同构件以相同符号表示。然而，在本实施例中，第二基板122位于有机电激发光元件114与 导电层124之间，更具体而言，位于熔接胶130正上方的部分导电层124为透明的，本实施 例的导电层124例如为整合式(on cell)触控线路，当然，此处的导电层124不限于触控线 路，其也可以是其他的线路，视产品需求而定。此外，其他构件与图1的有机电激发光元件 封装100相同，可参照前述说明，不再重述。图3A-图3B为本发明一实施例的有机电激发光元件封装的制造方法。首先，请参 照图3A，提供有机电激发光元件阵列基板110以及透明盖板120，其中有机电激发光元件阵 列基板110上具有第一基板112以及多个阵列排列于第一基板112上的有机电激发光元件 114。透明盖板120具有第二基板122以及位于第二基板122上的导电层124。在本实施例 中，第一基板112与第二基板122例如是玻璃基板、塑胶基板或其他材质的基板。之后，于透明盖板120上形成熔接胶130，其中熔接胶130的硬度与第一基板112 以及第二基板122的硬度相近。在本实施例中，熔接胶130是先形成于透明盖板120的导 电层124上，当然，如同前述，熔接胶130也可以先形成于透明盖板120的第二基板122上， 本发明并不以此为限。值得一提的是，于透明盖板120上形成熔接胶130时，可以先初步地以激光L经由 透明盖板120照射于熔接胶130与透明盖板120的接触处Y，使得熔接胶130与透明盖板 120熔接，并使熔接胶130初步固化。接着，请参照图3B，将透明盖板120与有机电激发光元件阵列基板110对组，以使 熔接胶130位于有机电激发光元件阵列基板110与透明盖板120之间。之后，借由波长介 于800纳米至1000纳米之间的激光L照射熔接胶130，以使有机电激发光元件阵列基板110 与熔接胶130接合，而形成有机电激发光元件封装300。如同前述，有机电激发光元件阵列 基板110与熔接胶130的接合处在被激光L照射后例如产生黑色熔接痕迹，如标示X处。值得一提的是，位于第二基板122与熔接胶130之间的部分导电层124例如是透 明的，因此本发明的有机电激发光元件封装的制造方法可以避免透明盖板上的导电层遮蔽 或吸收激光，解决激光封装技术无法被使用的问题，进而降低激光封装技术的工艺困难度， 并且确保有机电激发光元件阵列基板与透明盖板借由熔接胶熔接的密合度。承上述，本发明可以有效地阻隔外界水气、氧气等对有机电激发光元件的破坏，进而提升有机电激发光元件封装的元件特性。 虽然本发明已以实施例揭示如上，然而其并非用以限定本发明，任何本领域普通 技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，当可作些许的改变与润饰，因此本发明的保护 范围应当视随附的权利要求所界定的范围为准。
权利要求
一种有机电激发光元件封装，包括有机电激发光元件阵列基板，包括第一基板以及多个阵列排列于该第一基板上的有机电激发光元件；透明盖板，配置于该有机电激发光元件阵列基板上方，其中该透明盖板包括第二基板以及位于该第二基板上的导电层，且所述多个有机电激发光元件位于该第一基板与该第二基板之间；以及熔接胶，配置于该有机电激发光元件阵列基板与该透明盖板之间，并环绕所述多个有机电激发光元件，其中该熔接胶位于该第一基板与部分该导电层之间，且对应于该熔接胶的部分该导电层为透明的。
2.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中所述多个有机电激发光元件包括 多个有机电激发光二极管。
3.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中该有机电激发光元件阵列基板包 括有源式有机电激发光元件阵列基板或无源式有机电激发光元件阵列基板。
4.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中该透明盖板包括玻璃盖板。
5.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中该导电层包括触控线路。
6.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中该导电层的材质包括透明导电氧 化物。
7.如权利要求1所述的有机电激发光元件封装，其中所述多个有机电激发光元件与该 导电层位于该第一基板与该第二基板之间。
8.如权利要求1所述的有机电激发光二极管封装，其中该第二基板位于所述多个有机 电激发光元件与该导电层之间。
9.如权利要求1所述的有机电激发光二极管封装，其中该熔接胶包括玻璃熔接胶。
10.如权利要求1所述的有机电激发光二极管封装，其中该熔接胶的材质包括胶体以及多个氧化物微粒，掺杂于该胶体内，其中该氧化物微粒包括金属氧化物、过渡元素的氧 化物或所述氧化物的组合。
11.如权利要求10所述的有机电激发光二极管封装，其中该氧化物微粒的粒径介于1 微米至5微米之间。
12.如权利要求1所述的有机电激发光二极管封装，其中该熔接胶适于被波长介于800 纳米至1000纳米之间的激光照射，而与该有机电激发光元件阵列基板或该透明盖板熔接。
13.一种有机电激发光元件封装的制造方法，包括提供有机电激发光元件阵列基板；于透明盖板上形成熔接胶，其中该透明盖板具有导电层；将该透明盖板与该有机电激发光元件阵列基板对组，以使该熔接胶位于该有机电激发 光元件阵列基板与该透明盖板之间；以及借由波长介于800纳米至1000纳米之间的激光照射该熔接胶，以使该有机电激发光元 件阵列基板与该熔接胶接合。
14.如权利要求13所述的有机电激发光元件封装的制造方法，其中该熔接胶在被该激 光照射后产生浅灰色至黑色的熔接痕迹。
全文摘要
本发明提供一种有机电激发光元件封装，其包括有机电激发光元件阵列基板、透明盖板以及熔接胶。有机电激发光元件阵列基板包括第一基板以及多个阵列排列于第一基板上的有机电激发光元件。透明盖板配置于有机电激发光元件阵列基板上方，其中透明盖板包括第二基板以及位于第二基板上的导电层，且有机电激发光元件位于第一基板与第二基板之间。熔接胶配置于有机电激发光元件阵列基板与透明盖板之间，并环绕有机电激发光元件。熔接胶位于第一基板与部分导电层之间，且对应于熔接胶的部分导电层为透明的。本发明可以降低有机电激发光元件封装利用激光封装技术进行封装时的工艺困难度，进而提高激光封装技术的可行性。
文档编号H01L51/56GK101826601SQ20101016144
公开日2010年9月8日 申请日期2010年4月13日 优先权日2010年4月13日
发明者刘至哲, 徐士峰 申请人:友达光电股份有限公司