薄膜晶体管阵列基板、发光面板及其制造方法和电子设备的制作方法

专利名称：薄膜晶体管阵列基板、发光面板及其制造方法和电子设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及薄膜晶体管阵列基板、发光面板及其制造方法和电子设备。
背景技术：
近年来，作为便携式电话机或便携式音乐播放器等电子设备的显示装置，广为人 知的有应用如下显示面板的装置将有机电致发光元件(下面，简称为“有机EL元件”)等 发光元件二维排列的显示面板(发光元件型显示面板)。特别是，在应用有源矩阵驱动方 式的发光元件型显示面板中，与广泛普及的液晶显示装置相比，具有能够实现如下性质的 优点显示响应速度快，视场角依赖性小，并且，高亮度、高对比度化，显示像质的高精细化 等。此外，发光元件型显示面板不像液晶显示装置那样需要背光或导光板，所以具有能够进 一步实现薄型、轻量化的优点。在这样的显示面板中，在试图得到像质的高精细化或大画面化的情况下，来自驱 动器的布线长度根据具有发光元件的像素的配置位置而不同，所以信号延迟或电压降低显 著。为了解决这样的问题，必须要在上述显示面板中使用低电阻的布线结构。例如，在日本 特开2009-116206号公报中，记载了如下技术内容在具备有机EL元件的多个像素排列的 有机EL面板中，通过将铝单体或铝合金用作电源线的布线材料，能够降低布线电阻。在此，众所周知，例如，有机EL元件具有在玻璃基板等的一面侧依次层叠了正极 (阳极)、有机EL层(发光功能层)、负极(阴极)的元件结构。此外，通过以使得有机EL 层超过发光阈值的方式在正极和负极之间施加电压，利用在有机EL层内注入的空穴和电 子复合时所产生的能量来发射光(激励光)。(参照日本特开2009-116206号公报)在采用了上述那样的有源矩阵驱动方式的显示面板中，各像素除了具有发光元件 之外，还需要具备作为开关元件的薄膜晶体管(TFT)等电路元件。这样的电路元件是通过 多次的成膜、构图工序，在基板上层叠形成导电层、绝缘膜来构成的。此时，需要基板非常干 净。但是，成膜、构图工序越多，基板上越容易生成微粒(微小的异物)，所以通过残留 的微粒，正极和负极短路，发生点缺陷，制造合格率降低(不合格率上升)。即，若比较液晶 元件结构和有机EL元件结构，则由于有机EL元件中的发光功能层远比液晶元件中的液晶 层薄，所以产生微粒的点缺陷的概率变高。此外，如上所述，想要实现显示面板的像质的高 精细化和大画面化的情况下，微粒的影响相对变大。

发明内容
根据实施方式所示内容，薄膜晶体管阵列基板具有基板、形成在基板上的薄膜晶 体管和配设在上述基板上的布线。上述布线用于施加电压，该电压用于驱动包含上述薄膜晶体管的电路。上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。根据实施方式的另一内容，发光面板具备基板；形成在上述基板上的发光元件； 用于驱动上述发光元件的薄膜晶体管；以及布线，被上述薄膜晶体管施加了用于驱动上述 发光元件的电压。上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。根据实施方式的另一内容的发光面板的制造方法，该发光面板在基板上配设了多 个像素，该多个像素至少具有发光元件和用于驱动该发光元件的薄膜晶体管，该制造方法 具备形成布线的工序，该布线上被施加用于驱动上述发光元件的电压；以及通过阳极氧 化处理形成上述布线的各个表面的至少一部分的工序。本发明的优点将在下面说明中进行阐述，或者通过实施本发明来体会到。本发明 的优点能够通过下面指出的各种手段来实现和得到。


附图构成说明书的一部分，用于举例说明本发明，并且与上面的说明以及下面给 出的各个实施例的说明一起用于接触本发明的原理。通过下面的详细说明和附图，能够充分理解本发明，但这些仅仅用于说明，而不限 定本发明的范围。在此，图1A、图IB是示出应用了实施方式的薄膜晶体管阵列基板的显示面板的例子的 示意平面图。图2是示出实施方式的显示面板中的像素的排列状态和布线层的配设状态的一 例的示意平面图。图3是示出实施方式的显示面板上排列的各像素的电路结构例的等价电路图。图4是示出能够应用于实施方式中的像素的一例的平面布局图。图5A、图5B是实施方式的像素的主要部分放大图。图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B是实施方式的显示面板的主要部分截面图。图 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 是示出实施方式
的显示面板的制造方法的工序截面图。图15A、15B是示出作为比较对象的显示面板的一例的主要部分截面图。图16A、16B、16C、17A、17B是示出作为比较对象的显示面板的制造方法的工序截面图。图18是示出实施方式的显示面板上排列的像素的其他电路结构例的等价电路 图。图19是示出能够用于实施方式中的像素的其他例子的平面布局图。图20A、20B是示出实施方式的应用例的数字摄像机的结构的立体图。图21是示出实施方式的应用例的便携式个人计算机的结构的立体图。图22是示出实施方式的应用例的便携式电话机的结构的图。
具体实施例方式下面，示出实施方式来详细说明的实施方式的薄膜晶体管阵列基板、发光面板及 其制造方法和电子设备。首先，对应用了实施方式的薄膜晶体管阵列基板的发光面板及其制造方法进行说明。在此，作为应用了实施方式的薄膜晶体管阵列基板的发光面板，示出排 列了具备有机EL元件的多个像素的显示面板来进行说明。(发光面板)图1A、图IB是示出应用了实施方式的薄膜晶体管阵列基板的显示面板的例子的 示意平面图。图IA是示出显示面板的第一例的示意平面图，图IB是示出显示面板的第二 例的示意平面图。此外，图2是示出图IB所示的显示面板中的像素的排列状态及布线层的 配设状态的一例的示意平面图。在此，在图1所示的平面图中，为了便于说明，只示出了如下构件和内容从显示 面板的一面侧(基板的有机EL元件的形成面侧)观察的、显示区域中的各像素的像素电 极；在用于划分各像素(或发光元件)的形成区域的隔壁层上所设置的开口部；以及在显 示区域外的周边区域上所设置的外部连接用的端子焊盘(pad)的配置。此外，在图2所示 的平面图中，只示出了各像素的像素电极和各布线层之间的配置关系，省略了在发光驱动 电路(参照后述的图幻上所设置的晶体管等的显示，该发光驱动电路用于对各像素的有机 EL元件(发光元件)进行发光驱动。此外，在图1A、1B、2中，为了明确示出像素电极及各布 线层、端子焊盘、隔壁层等的配置和被覆(覆盖)状态，为了方便起见，施加阴影线来示出。例如图1A、1B、2中所示，应用了实施方式的薄膜晶体管阵列基板的显示面板(发 光面板)10，在玻璃基板等透明的基板11的一面侧(纸面的前方)，设有显示区域20及其 周围的周边区域30。在显示区域20上，多个像素PIX沿着行方向(图面的左右方向)和列 方向(图面的上下方向)矩阵状地排列。在此，例如图2所示，在各像素PIX上所设置的显示电极14的周围，沿着列方向配 设有数据线Ld。此外，在与该数据线Ld正交的行方向上，配设有选择线Ls和电源电压线 (例如正极线)La。在选择线Ls的一个端部设有端子焊盘PLs，在电源电压线La的一个端 部设有端子焊盘PLa。此外，在数据线Ld的一个端部，设有省略图示的端子焊盘。此外，在 显示面板10上，由单一电极层(整面电极)构成的对置电极(例如，负极)形成为共同地 与排列在基板11上的多个像素电极14对置，这一点将在后面详述。此外，如图1A、IB所示，在显示面板10的显示区域20上，至少在包含各像素PIX 的显示电极14相互的边界区域的区域设有隔壁层17。换言之，在形成于包含显示区域20 的区域上的隔壁层17上，设有至少露出各像素PIX的像素电极14的开口部。将被该隔壁 层17包围、露出像素电极(例如正极)14的区域划分为用于形成各像素PIX的有机EL像 素(发光元件)的EL元件形成区域(参照后述的图4)。此外，将包含该EL元件形成区域 及其周围的边界区域的隔壁层17的区域划分为各像素PIX的像素形成区域(参照后述的 图4)。另一方面，在显示面板10的周边区域30的规定位置配置有与选择线Ls或电源 电压线La连接的端子焊盘PLs、PLa,与数据线Ld连接的端子焊盘(未图示)，以及连接了 对置电极(例如负极)的接触电极Ecc。各端子焊盘PLs、PLa(包含与数据线Ld连接的端 子焊盘)，例如与省略图示的显示面板外部的挠性基板或驱动用的驱动器IC等电连接，被 供给规定的驱动信号或驱动电压。此外，在图1A、1B所示的显示面板10中，作为配置在周 边区域30上的端子焊盘PLs、PLa以及接触电极Ecc，具有不同的结构。将在后面说明它们 的具体结构(参照图8A、8B、9A、9B)，也可以应用实施方式的显示面板10中的任一种结构。
(像素)图3是示出本实施方式的显示面板上排列的各像素(发光元件和发光驱动电路) 的电路结构例的等价电路图。例如，如图3所示，像素PIX具备发光驱动电路DC和有机EL元件(发光元件)OEL0 发光驱动电路DC具有具备1至多个晶体管(例如非晶硅薄膜晶体管等)的电路结构。此 外，有机EL元件OEL通过被供给由发光驱动电路DC控制的发光驱动电流来进行发光动作。具体而言，例如，如图3所示，发光驱动电路DC具备晶体管Trll、晶体管(驱动晶 体管)Trl2以及电容器Cs。晶体管Trll的栅极端子经由触点N14与选择线Ls连接，漏极 端子经由触点N13与数据线Ld连接，源极端子与触点Nll连接。晶体管Trl2的栅极端子 与触点Nll连接，漏极端子经由触点N15与电源电压线La连接，源极端子与触点N12连接。 电容器Cs被连接在晶体管Trl2的栅极端子(触点mi)和源极端子(触点之间。在此，晶体管Tr 11、Tr 12均应用η沟道型薄膜晶体管。若晶体管Tr 11、Tr 12为ρ 沟道型，则源极端子和漏极端子变为相反。此外，电容器Cs是在晶体管Trl2的栅源之间形 成的寄生电容，或者是附加在该栅源之间的辅助电容或由这些寄生电容和辅助电容构成的 电容成分。此外，有机EL元件OEL的正极(作为正极的像素电极14)与上述发光驱动电路DC 的触点N12连接，负极(作为负极的对置电极16，参照后述的图6A、6B)与接触电极Ecc连 接，例如直接或间接地连接在规定的低电位电源上。因此，对于排列在基板11上的多个像 素电极14，通过将作为负极的对置电极16由共同对置的单一的电极层(整面电极)来构 成，例如对所有的像素PIX(有机EL元件0EL)共同地施加规定的低电压(基准电压Vsc，例 如接地电位Vgnd)。此外，在图3所示的像素PIX (发光驱动电路DC及有机EL元件0EL)中，选择线Ls 经由图1A、1B、2所示的端子焊盘PLs而与省略了图示的选择驱动器连接。选择驱动器向选 择线Ls施加选择电压Vsel，该选择电压Vsel用于在规定的定时将像素PIX设定为选择状 态。此外，数据线Ld经由省略了图示的连接焊盘，与数据驱动器连接。数据驱动器在与上述 像素PIX的选择状态同步的定时，向数据线Ld施加与图像数据对应的灰度等级电压Vdata。此外，电源电压线La经由图1A、1B、2所示的端子焊盘PLa，例如直接或间接地与规 定的高电位电源连接。在此，在电源电压线La上被施加规定的高电压(电源电压Vsa)，该 规定的高电压能够使得在设在各像素PIX上的有机EL元件OEL的像素电极(正极)14上 流过与图像数据对应的发光驱动电流。该高电压被设定为电位比被施加到有机EL元件OEL 的对置电极16上的基准电压Vsc高的电压。此外，具有这样的电路结构的像素PIX中的驱动控制动作，首先在规定的选择期 间，从省略图示的选择驱动器对选择线Ls施加选择电平(例如高电平)的选择电压Vsel。 由此，设在发光驱动电路DC上的晶体管Trll进行导通动作，像素PIX被设定为选择状态。 与该定时同步地，从省略图示的数据驱动器向数据线Ld施加与图像数据对应的灰度等级 电压Vdata。由此，触点N11(S卩，晶体管Trl2的栅极端子)经由晶体管Trll而与数据线 Ld连接，触点Nll上被施加与灰度等级电压Vdata对应的电位。在此，晶体管Trl2的漏源之间的电流(即，在有机EL元件OEL中流过的发光驱动 电流)的电流值是根据漏源之间的电位差和栅源之间的电位差来决定的。即，在图3所示的发光驱动电路DC中，能够利用灰度等级电压Vdata来控制在晶体管Trl2的漏源之间流 过的电流的电流值。因此，晶体管Tr 12在对应于触点Nll的电位(即，灰度等级电压Vdata)的导通状 态下进行导通动作，从高电位侧的电源电压Vsa，经由晶体管Trl2和有机EL元件OEL向低 电位侧的基准电压Vsc (接地电位Vgnd)流过具有规定的电流值的发光驱动电流。由此，有 机EL元件OEL按照与灰度等级电压Vdata (即图像数据)对应的亮度等级进行发光动作。 此外，此时，根据被施加到触点Nll上的灰度等级电压Vdada，在晶体管Trl2的栅源之间的 电容器Cs上蓄积电荷(充电)。接着，在上述选择期间结束之后的非选择期间，从选择驱动器向选择线Ls施加非 选择电平(截止电平例如低电平)的选择电压Vsel。从而，发光驱动电路DC的晶体管 Trll进行截止动作而被设定为非选择状态，数据线Ld和触点Nll被电切断。此时，在上述 电容器Cs中蓄积的电荷被保持，从而晶体管Trl2的栅源之间的电位差被保持，晶体管Trl2 的栅极端子(触点mi)上被施加与灰度等级电压Vdata相当的电压。因此，与上述选择状态同样，从电源电压Vsa经由晶体管Trl2向有机EL元件OEL 流过与发光动作状态相同程度的电流值的发光驱动电流，发光动作状态持续。由于被写入 与下一图像数据对应的灰度等级电压Vdata，该发光动作状态例如被控制成持续1帧期间。 此外，通过对在显示面板10上二维排列的所有的像素PIX，按各行依次执行上述的驱动控 制动作，执行显示所希望的图像信息的动作。(像素的设备结构)接着，对具有上述那样的电路结构的像素(发光驱动电路及有机EL元件)的具体 器件结构(平面布局和截面结构)进行说明。在此，示出具有将在有机EL层中发光的光经 由基板向视场侧(基板的另一面侧)射出的底部发射型发光结构的有机EL显示面板。
图4是示出能够应用于本实施方式中的像素的一例的平面布局图。此外，图5A、5B 是本实施方式的像素的主要部分放大图。此外，在图4、5A、5B中，以形成有图3所示的发光 驱动电路DC的各晶体管和布线等的层为中心示出，为了明确示出各晶体管的电极和各布 线层、像素电极，为了方便起见，施加阴影线来示出。此外，图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B是本实施方式的显示面板的主要部分 截面图。在此，图6A、6B分别是示出具有图4所示的平面布局的图像中的VIA-VIA线(本 说明书中，为了方便起见，作为与图4中所示的罗马数字“6”对应的记号，使用“VI”，以下 同)、以及沿着VIB-VIB线的截面的示意截面图。此外，图7A、7B、7C、7D分别是示出图5A、5B 中所示的主要部分平面布局中的沿着VIIC-VIIC线(本说明书中，作为与图5A、5B中所示 的罗马数据“7”对应的记号，为了方便起见采用“VII”，以下同)、VIID-VIID线、VIIE-VIIE 线、VIIF-VIIF线的截面的示意截面图。图8A、8B分别是示出具有图1A、1B中所示的平面布 局的显示面板中的沿着VIIIG-VIIIG线(在本说明书中，作为图1A、1B中所示的罗马数字 “8”对应的记号，为了方便起见采用“VIII”，以下同)的截面的示意截面图。图9A、9B分别 是示出具有图1A、1B中所示的平面布局的显示面板中的沿着IXH-IXH线(在本说明书中， 作为图1A、1B中所示的罗马数字“9”对应的记号，为了方便起见采用“IX”，以下同)的截面 的示意截面图。具体而言，如图6A、6B所示，图4所示的像素PIX被设置在每个像素形成区域Rpx中，该像素形成区域Rpx被设定在基板11的一面侧(图面上面侧)。在该像素形成区域Rpx 中，至少设定有机EL元件OEL的形成区域(EL元件形成区域)Rel和邻接的像素PIX之间 的边界区域。在图4所示的像素形成区域Rpx的图面上方和下方的边缘区域，分别在行方向 (图面左右方向)上延伸地配设有选择线Ls和电源电压线La。另一方面，在显示形成区域 Rpx的图面右方的边缘区域，与选择线Ls及电源电压线La垂直地在列方向(图面上下方 向)上延伸配设有数据线Ld。此外，在像素形成区域Rpx的上下及左右的边缘区域设定的边界区域，跨沿上下 及左右方向邻接排列的像素Pix的像素形成区域Rpx，如图4、6A、6B所示，形成有隔壁层 17。并且，被隔壁层17的侧壁17e包围四方、像素电极14露出的区域被划分为EL像素形 成区域Rel。如图4、5A、5B、6A、6B、7A所示，数据线Ld被设置在选择线Ls和电源电压线La的 下层侧(基板11侧)。通过对用于形成晶体管Trll、Trl2的栅电极Trllg、Trl2g的栅金 属层进行构图，数据线Ld和该栅电极Trllg、Trl2g在同一工序中形成。如图4、7A所示，数 据线Ld经由在其上被覆成膜的栅极绝缘膜12上所设置的接触孔CH3 (与触点N13相当)， 与晶体管Trll的漏电极Trlld连接。在此，如图6A、7A所示，在数据线Ld与对置电极16 之间设有栅极绝缘膜12、绝缘膜13和隔壁层17，所以能够减少寄生电容，能够抑制向数据 线Ld供给的信号(灰度等级电压Vdata)的延迟。此外，例如图4、5A、5B、6A、6B、7B、7D所示，选择线Ls和电源电压线La被设置在晶 体管Trll、Trl2的源电极Trlls、Trl2s及漏电极Trlld、Trl2d的上层侧。选择线Ls和电 源电压线La例如由含有几重量％的1 2种高熔点金属或稀土类元素的铝合金材料形成。 特别是，在本实施方式中，例如图6B、7D所示，至少电源电压线La的表层被由阳极氧化膜构 成的绝缘膜Fao被覆并绝缘。此外，在本实施方式中，例如图6B、7B所示，选择线Ls也具有 其表层被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被覆并绝缘的面板结构。此外，如图4、5A、7B所示，选择线Ls经由在下层的绝缘膜13上所设置的接触孔 CH4a，与中间层Lm连接。中间层Lm还经由在下层的栅极绝缘膜12上所设置的接触孔CHb， 与晶体管Trll的栅电极Trllg电连接。中间层Lm具有层叠了构成后述的晶体管Trll、 Trl2的源/漏金属层SD、及构成有机EL元件OEL的透明电极层ITO的结构。此外，在中间 层Lm的下层设有半导体层SMC和杂质层OHM。此外，如图4、5B、7D所示，电源电压线La经 由在下层的绝缘膜13上所设置的接触孔CH5，与晶体管Trl2的漏电极Trl2d电连接。在此，形成上述的选择线Ls和电源电压线La的铝合金中包含的高熔点金属，例 如能够良好地应用钛(Ti)、钽(Ta)、锆(&)、钨(W)、钼(Mo)等。具体而言，作为选择线Ls 和电源电压线La的布线材料，能够应用Al-Ti (0. 5% 1. 5% )、Al-Ta(1. O% 2. 0% )、 Al-Zr (0. 5% 3% )、A1_W(1· 0% 2. 0% ) ,Al-Mo (0. 5%~ 1. 5% )等铝合金。上述括弧 内的数字表示铝合金中包含的各高熔点金属的重量％。此外，能够良好地应用形成选择线 Ls和电源电压线La的铝合金中所含的稀土类元素，例如钕(Nd)、钆(Gd)、钪(Sc)等。具体 而言，作为选择线Ls和电源电压线La的布线材料，能够应用Al-Cs (0. 5 2. 5% )等铝合金。此外，如图1A、1B、2所示，上述的选择线Ls和电源电压线La的一个端部延伸到显示区域20外的周边区域30，并与端子焊盘PLs、PLa连接。若具体示出与电源电压线La连 接的端子焊盘PLa的第一例，则如图9A所示，电源电压线La经由在绝缘膜13上设置的接 触孔CH9而与上部焊盘层PD2电连接。在此，电源电压线La的表层没有被由阳极氧化膜构 成的绝缘膜Fao被覆。为了实现这样的端子结构，在后述的显示面板的制造方法中，通过对 端子焊盘PLa附近的电源电压线La，在预先用抗蚀剂等被覆而没有露出的状态下进行阳极 氧化，由此不对表层进行绝缘膜化。此外，上部焊盘层PD2与上述的中间层Lm同样，具有层 叠了构成后述的晶体管Trll、Trl2的源/漏金属层SD和构成有机EL元件OEL的透明电极 层ITO的结构。此外，在上部焊盘层PD2的下层，设有半导体层SMC和杂质层OHM。并且，上 部焊盘层PD2经由在杂质层OHM、半导体层SMC及栅极绝缘膜12上所设置的接触孔CH8，而 与下层的下部焊盘层PDl电连接。在此，下部焊盘层PDl与上述的数据线Ld同样，由构成 晶体管Trll、Trl2的栅金属层形成。此外，若具体示出端子焊盘PLa的第二例，则电源电压线La如图9B所示，经由在 绝缘膜13上所设置的接触孔CH9而与上部焊盘层PD2电连接。在此，电源电压线La的表 层被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被覆。此外，上部焊盘层PD2经由在杂质层OHM、半导 体层SMC及栅极绝缘膜12上所设置的多个接触孔CH7、CH8，与下层的下部焊盘层PDl电连接。此外，虽然省略图示，对于在选择线Ls的端部设置的端子焊盘PLs (参照图ΙΑ、1B、 2)，也与上述的端子焊盘PLa同样，使用图9A、9B所示的端子结构中的某一种。此外，在数 据线Ld的端部所设置的端子焊盘(省略图示)中，数据线Ld由构成晶体管Trll、Trl2的 栅金属层SD形成，所以其端部被用作图9A、9B所示的端子结构的下部焊盘层PD1。再有， 经由在栅极绝缘膜12上所设置的接触孔，将数据线Ld的端部(下部焊盘层PDl)和上部焊 盘层电连接，由此应用与图9A、9B所示大致相同的端子结构。在此，图9A、9B所示的端子结 构，在端子焊盘PLa、Pls (包含在数据线Ld的端部设置的端子焊盘)中，也可以应用任一种 结构。此外，具体而言，如图4所示，图3所示的发光驱动电路DC的晶体管Trll和Trl2 沿着数据线Ld被配置成在列方向(图面上下方向)上延伸。在本实施方式中，晶体管Trll 和Trl2的沟道的宽度方向被设定为与数据线Ld并行。在此，各晶体管Trll和Trl2具有公知的场效应型薄膜晶体管结构。即，如图4、 6A、7A所示，晶体管Trll和Tr 12分别具有栅电极Trl lg、Trl2g ；半导体层SMC,隔着栅极 绝缘膜12形成在至少与各栅电极Trllg、Trl2g对应的区域；源电极Trlls、Trlk和漏电 极Trlid、Tr 12d，在该半导体层SMC的两端部延伸形成。此外，如图6A、7A所示，在各晶体管Trll、Trl2的源电极Trlls、Trlk和漏电极 Trlld, Trl2d上，以匹配的方式形成有构成后述的有机EL元件OEL的像素电极14的透明 电极层ΙΤ0。此外，至少在源电极Trlls、Trlk及漏电极Trlld、Trl2d与半导体层SMC之 间，形成有杂质层OHM。杂质层OHM由含有η型杂质的非晶硅构成的η+硅层等形成，具有实 现半导体层SMC与源电极TrlIs、Trlk及漏电极TrlId、Trl2d的欧姆连接的功能。再有， 在本实施方式的显示面板10中，具有源电极Trlls、Trl2s、漏电极Trlld、Trl2d以及与这 些电极同时形成的布线层的下层中所形成的杂质层OHM和半导体层SMC延伸形成的基板结 构。此外，在各晶体管Tr 11、Tr 12的源电极Tr 11 s、Tr 12s和漏电极Tr 11 d、Tr 12d所对置的半导体层SMC上，形成有沟道保护层BL。沟道保护层BL由氧化硅或氮化硅等形成，具有防 止对半导体层SMC造成蚀刻损伤的功能。再有，为了与如图3所示的发光驱动电路DC的电路结构对应，如图4、5A、7B所示， 晶体管Trll的栅电极Trllg经由栅极绝缘膜12上所设置的接触孔CH4b、中间层Lm和绝缘 膜13上所设置的接触孔CH4a而与选择线Ls连接。此外，如图4、5A、7A所示，晶体管Trll 的漏电极Trlld经由在栅极绝缘膜12上所设置的接触孔CH3而与数据线Ld连接。此外， 如图4、5A、7C所示，晶体管Trll的源电极Trlls经由在栅极绝缘膜12上所设置的接触孔 CHl而与晶体管Trl2的栅电极Trl2g连接。在此，接触孔CHl与图3所示的发光驱动电路 DC的触点Nll对应，接触孔CH3与触点N13对应，接触孔CH4a、CH4b与触点N14对应。如图4、5A、6A、7C所示，晶体管Trl2的栅电极Trl2g经由在栅极绝缘膜12上所设 置的接触孔CH1，与上述晶体管Trll的源电极Trlls电连接。此外，栅电极Trl2g直接与电 容器Cs的下部电极Eca连接。此外，如图4、5B、7D所示，晶体管Tr 12的漏电极Trl2d经由 在绝缘膜13上设置的接触孔CH5，与上述电源电压线La电连接。此外，如图4、6A所示，晶 体管Trl2的源电极Trl2s与后述的兼用作电容器Cs的上部电极Ecb的、有机EL元件OEL 的像素电极14直接连接。在此，接触孔CHl与图3所示的发光驱动电路DC的触点Nll对 应，接触孔CH5与触点N15对应。此外，源电极Trlk和像素电极14 (上部电极Ecb)的连 接点与图3所示的发光驱动电路DC的触点N12对应。如图4、6A、6B所示，电容器Cs具有下部电极Eca、与该下部电极Eca对置的上部 电极Ecb以及介于下部电极Eca和上部电极Ecb之间的栅极绝缘膜12。在此，栅极绝缘膜 12兼用作电容器Cs的电介质层。此外，上部电极Ecb兼用作后述的有机EL元件OEL的像 素电极14。S卩，电容器Cs被设在有机EL元件OEL的下层侧(基板11侧)。如图4、6A、6B所示，有机EL元件OEL具有依次层叠了像素电极(正极)14、有机 EL层(发光功能层)15和对置电极(负极)16的元件结构。像素电极14被设在上述晶体 管Trll、Trl2的栅极绝缘膜12上，如上所述，兼用作电容器Cs的上部电极Ecb。此外，像 素电极14的一部分延伸设置，与晶体管Trl2的源电极Trlk直接连接，被供给来自上述发 光驱动电路DC的规定的发光驱动电流。如图4、6A、6B所示，有机EL层15形成在像素电极14上，该像素电极14露出于在 基板11上形成的被隔壁层17的侧壁17e所划分的EL元件形成区域Rell中。有机EL层 15例如由空穴注入层(或者包含空穴注入层的空穴输送层)1 和电子输送型发光层1 形成。在此，有机EL层15是指空穴注入层、发光层和电子注入层等载体输送层中的、具有 发光层的功能的层由有机材料形成的层。对置电极16被设置成共同地与在基板11上二维排列的各像素PIX的像素电极14 对置。对置电极16例如以与基板11的显示区域20对应的方式，由单一的电极层(整面电 极)形成。此外，对置电极16不仅设置在各像素PIX的EL元件形成区域Rel上，还在用于 划分该EL元件形成区域Rel的隔壁层17和/或绝缘膜13上延伸设置。并且，对置电极16 的一部分延伸设置到显示区域20外的周边区域30，经由在周边区域30上配置的接触电极 Ecc而与负极线Lc电连接。若具体示出该负极接触部的第一例，则例如图8A所示，对置电 极16与接触电极Ecc电连接，该接触电极Ecc经由在绝缘膜13上设置的接触孔CH6而与绝 缘膜13的下层的负极线Lc电连接。在此，接触电极Ecc的表层未被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被覆。即，在该情况下，在后述的显示面板的制造方法中，也是对接触电极Ecc， 在预先用抗蚀剂等被覆而没有露出的状态下进行阳极氧化，从而不将表层进行绝缘膜化。此外，若具体示出负极接触部的第二例，则例如图8B所示，对置电极16与接触电 极Ecc电连接，并且，经由在绝缘膜13上设置的接触孔CH6b，与绝缘膜13的下层的负极线 Lc直接连接。此外，接触电极Ecc经由在绝缘膜13上设置的接触孔CH6a，与负极线Lc连 接。在此，接触电极Ecc的表层被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被覆。由此，通过接触电极Ecc和负极线Lc上连接的连接焊盘(省略图示)，规定的基准 电压Vsc (负极电压例如接地电位Vgnd)被施加到对置电极16。在此，负极线Lc具有层 叠了构成上述的晶体管Trll、Trl2的源/漏金属层SD和构成有机EL元件OEL的透明电极 层ITO的结构，在该下层匹配地延伸设置半导体层SMC和杂质层OHM。此外，图8A、8B所示的负极接触部的连接结构可以采用任一种结构，包含上述的 端子焊盘的端子结构(参照图9A、9B)，可以适用任意组合。此外，在负极线Lc的端部设置的端子焊盘(省略图示)，其负极线Lc由构成晶体 管Trll、Trl2的源/漏金属层SD形成，所以其端部应用为图9A、9B所示的端子结构的上部 焊盘层PD2。此外，经由在栅极绝缘膜12上设置的接触孔，将负极线Lc的端部(上部焊盘 层P^)和下部焊盘层PDl电连接，由此能够应用与图9A、9B大致相等的端子结构。在此，在本实施方式的显示面板10中，具有底部发射型的发光结构，因此像素电 极14由掺锡氧化铟andium Thin Oxide =ITO)等光透射率高的透明的电极材料来形成。 另一方面，对置电极16含有铝单体(Al)和/或铝合金等具有高反射率的电极材料。如图1A、1B、6A、6B所示，隔壁层17至少在显示面板10上二维排列的多个像素PIX 相互的边界区域设置成格子状。在此，隔壁层17例如由能够利用干式蚀刻法进行构图的绝 缘材料形成，例如由作为感光性绝缘材料的聚酰亚胺类的树脂材料形成。如图1A、1B、6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B 所示，绝缘膜 13 被设置在基板 11 的大致整个区域中。如图6A、6B、7A、7B、7C、7D所示，绝缘膜13在基板11上设置成至少被 覆像素PIX相互的边界区域。由此，在显示区域20中，由晶体管Trll、Trl2以及构成该晶 体管Trl 1、Trl2的源电极TrlIs、Trlk及漏电极TrlId、Trl2d的源/漏金属层形成的布 线层，被绝缘膜13及隔壁层17被覆。此外，在周边区域30中，由源/漏金属层SD形成的 布线层被绝缘膜13被覆。此外，在形成有上述的发光驱动电路DC、有机EL源极OEL (像素电极14、有机EL层 15、对置电极16)、绝缘膜13以及隔壁层17的基板11的一面侧，形成密封层18而密封了显 示面板10。在此，在周边区域30中，如图9A、9B所示，在密封层18中形成有开口部CH10， 以使得至少端子焊盘PLs、PLa露出。此外，显示面板10除了可以应用密封层18的结构，还 可以代替密封层18而采用粘贴了省略了图示的金属盖(密封盖)和/或玻璃等密封基板 的密封结构。在具有以上说明的器件结构的像素PIX中，根据与经由数据线Ld被供给的图像数 据对应的灰度等级电压Vdata，规定的电流值的发光驱动电流在晶体管Trl2的漏源之间流 过而被供给到像素电极14，由此，有机EL元件OEL以与该图像数据对应的希望的亮度等级 进行发光动作。此时，显示面板10的像素电极14具有高的透光率，对置电极16具有高的光反射率(即，因为有机EL元件OEL为底部发射型)，在各像素PIX的有机EL层15中所发出的 光，透过像素电极14直接出射到视场侧的基板11的另一面侧(图6A、图6B的图面下方)， 或者在各像素PIX的有机EL层15中所发出的光在对置电极16反射之后，透过基板11而 出射到视场侧的基板11的另一面侧(图6A、图6B的图面下方)。(发光面板的制造方法)接着说明本实施方式的显示面板的制造方法。图 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 是示出本实施方
式的显示面板的制造方法的工序截面图。在此，为了方便起见，使得图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B的显示面板10 的各部分的截面相邻的方式配置而示出。图中，(VIA-VIA)、(VIB-VIB)、(VIIC-VIIC), (VIID-VIID), (VIIF-VIIF), (VIIIG-VIIIG), (IXH-IHX)分别示出各图 6A、6B、7A、7B、7C、 7D、8A、8B、9A、9B所示的各截面的工序截面。此外，对于作为端子焊盘而应用图9B所示的端 子结构(第二例)、作为负极接触部而应用了图8B所示的连接结构(第二例)的情况进行 说明。上述的显示面板的制造方法首先如图10A、10B、10C、11A、11B所示，在玻璃基板等 基板11的一面侧，形成了构成上述的发光驱动电路DC(参照图3、4)的晶体管Trll、Trl2、 电容器Cs、数据线Ld、选择线Ls、电源电压线La。具体而言，首先，如图IOA所示，在与透明的基板11的一面侧(图面的上面侧)所 设定的各像素Pix的像素形成区域Rpx内的EL元件形成区域Rel(参照图4、6A、6B)对应 的每个区域，形成电容器Cs的下部电极Eca。在此，在基板11上淀积ITO和/或掺锌氧化 铟andium Zinc Oxide)等高透光率的电极材料膜后，利用光刻法来进行构图来形成下部 电极Eca。在此，在对透明的电极材料膜进行构图时，采用湿式蚀刻。接着，如图IOB所示，利用光刻法来对在基板11的一面侧形成的同样栅金属层 进行构图，由此在上述EL元件形成区域Rel以外的显示区域20，同时形成栅电极Trllg、 Trl2g以及数据线Ld。此时，如图4、5A、7C所示，栅电极Trl2g的一端被构图形成为在下部 电极Eca上延伸设置，将栅电极Trl2g和下部电极Eca电连接。此外，此时，在基板11的周 边区域30上，同时形成端子焊盘PLa的下部焊盘层PDl。此外，虽然省略了图示，但是在端 子焊盘PLs上也同样形成下部焊盘层。在此，用于形成栅电极Trllg、Trl2g、数据线Ld和 下部焊盘层PDl的栅金属层，优选例如钼单体或钼铌(MoNb)等含钼的合金。此外，在对栅 金属层进行构图时，使用湿式蚀刻。接着，如图IOC所示，在基板11的整个区域上，连续被覆由氮化硅等构成的栅极绝 缘膜12、由本征非晶硅等构成的半导体膜SMCx、以及由氮化硅等构成的绝缘膜。之后，利用 光刻法对氮化硅等绝缘膜进行构图，从而在半导体膜SMCx上的栅电极Trllg及Trl2g所对 应的区域形成沟道保护层BL。在此，对由氮化硅等构成的绝缘膜进行构图来形成沟道保护 层BL时，采用湿式蚀刻。接着，如图IlA所示，在基板11的整个区域上，被覆形成由η型非晶硅等构成的杂 质层OHMx。此后，利用光刻法，对杂质层OHMx、半导体膜SMCx及栅极绝缘膜12 —起进行构 图，以使得数据线Ld、晶体管Trll、Trl2的栅电极Trllg、Trl2g的规定位置的上面露出。由 此分别形成图4所示的接触孔CH3、CH4a、CHI。此时，同时还形成电源电压线La的下部焊盘层PDl (省略了图示，含有选择线Ls和数据线Ld的下部焊盘层)的规定位置的上面露出 的接触孔CH7、CH8。在此，在对杂质层OHMx、半导体层SMCx及栅极绝缘膜12进行构图时， 能够使用干式蚀刻。 接着，如图1IB所示，在基板11的一面侧形成源/漏金属层SD。在此，源/漏金属 层是能够应用如在用于降低铬(Cr)、钛(Ti)等的迁移的迁移金属层上设置了如用于降低 铝单体、铝合金等布线电阻的低电阻金属层的2层结构，或者进一步层叠了由铬等金属层 的3层结构等层叠结构。之后，利用光刻法，对源/漏金属层SD、上述杂质层OHMx及半导 体膜SMCx —起进行构图，由此至少在沟道保护层BL的两侧的、构成晶体管Trll、Trl2的半 导体层SMC的区域的两端部，隔着用于欧姆连接的杂质层OHM形成源电极Trlls、Trl2s以 及漏电极iTrllcU Trl2d。与此同时，还形成构成中间层Lm的下层的源/漏金属层SD、成为 负极线Lc的下层的源/漏金属层SD以及成为上部焊盘层PD2的下层的源/漏金属层SD。 在此，如上所述，中间层Lm是用于将晶体管Trll的栅电极Trllg和选择线Ls电连接的布 线层。此外，负极线Lc是使连接在对置电极16上的接触电极Ecc相互连接、并用于向对置 电极16供给规定的基准电压Vsc (接地电位Vgnd)的布线层。此外，上部焊盘层PD2是对 电源电压线La(含有选择线Ls)和下部焊盘层PDl电连接的电极层。在此，在对源/漏金 属层SD、上述杂质层OHMx及半导体膜SMCx进行构图时，使用干式蚀刻。由此，形成图6A、7A所示的薄膜晶体管结构的晶体管Trll、Trl2。此时，晶体管 Trll的漏电极Trlld经由在栅极绝缘膜12上形成的接触孔CH3，与下层的数据线Ld电连 接。此外，晶体管Trll的源电极Trlls经由在栅极绝缘膜12上形成的接触孔CH1，来与下 层的晶体管Trl2的栅电极Trl2g电连接。此外，设置于中间层Lm的源/漏金属层SD经由 在栅极绝缘膜12上形成的接触孔CH4a，与下层的栅电极Trllg电连接。此外，在负极线Lc 上所设置的源/漏金属层SD，配置成将在周边区域30的规定位置设置的接触电极Ecc相互 电连接。此外，在电源电压线La的端子焊盘PLa(包含选择线Ls的端子焊盘PLs、数据线 Ld的端子焊盘)的上部焊盘层PD2上所设置的源/漏金属层SD，经由在栅极绝缘膜12上 形成的接触孔CH7、CH8，而与下层的下部焊盘层PDl电连接。接着，在基板11的整个区域上淀积了 ITO或掺锌的氧化铟等高透光率的电极材料 膜(透明电极层)之后，利用光刻法来对该电极材料膜进行构图，由此如图Iic所示，至少 在各像素PIX的EL元件形成区域Rel的栅极绝缘膜12上，例如形成具有矩形状的平面图 形的像素电极14。此时，通过像素电极14的一部分被构图形成为延伸到晶体管Trl2的源 电极Trlk上，由此直接连接源电极Trlk和像素电极14。此外，在本实施方式中，形成像 素电极14的透明电极层ITO还在由上述的源/漏金属层SD构成的电极(源电极Trlls、 Trl2s、漏电极Trlld、Trl2d)和/或布线层(中间层Lm、阴极线Lc、上部焊盘层PD2)之上 匹配地形成。在此，在对透明电极层ITO进行构图时，采用湿式蚀刻。由此，在各像素PIX的EL源极形成区域Rell中，形成电容器Cs，该电容器Cs的像 素电极14和下部电极Eca隔着栅极绝缘膜12而对置配置。即，像素电极14是有机EL元 件OEL的正极，并且兼用作与下部电极Eca对置的上部电极Ecb，此外，栅极绝缘膜12兼用 作电介质层。此外，形成具有将源/漏金属层SD设为下层、将透明电极层ITO设为上层的 层叠结构的源电极iTrlIs、Trl2s和漏电极Trlld、Trl2d、中间层Lm、阴极线Lc和上部焊盘 层 PD2。
由此，用透明的电极材料形成电容器Cs的上部电极Ecb (像素电极14)和下部电 极Eca，由此，即使是具有底部发射型的发光结构的显示面板，也能够实现高的开口率。接着，如图12A所示，例如利用化学气相成长(CVD)法，在包含上述的像素电极14、 晶体管Trll、12、中间层Lm、阴极线Lc及上部焊盘层PD2的基板11的整个区域，形成由氮 化硅等无机绝缘性材料构成、且用作层间绝缘膜或保护绝缘膜的绝缘膜13。由于已知ITO 和氮化硅的密着性优良，所以在本实施方式中，在由上述的源/漏金属层SD构成的电极和 /或布线层上也形成构成像素电极14的透明电极层ΙΤ0，由此使得由ITO和氮化硅构成的 绝缘膜之间的接触面积变大，能够不易引起膜剥离。其后，利用干式蚀刻法，对绝缘膜13进 行构图，由此形成用于露出各像素PIX的像素电极14的上面的开口部，以及用于露出中间 层Lmj·电极1^12(1、阴极线Lc和上部焊盘层PD2的规定位置的上面的各接触孔CH4b、CH5、 CH6a、CH6b、CH9 和开口部 CHlOx。接着，如图12B所示，例如利用溅射法来在基板11的一面侧形成由铝合金等构成 的布线层之后，利用光刻法，对该布线层进行构图，由此形成具有规定的布线图形、且成为 选择线La的布线层Lsx和成为电源电压线La的布线层Lax。与此同时，还形成成为配置在 周边区域30上的接触电极Ecc的电极层Ecx。在此，在对由铝合金等构成的布线层进行构 图时，采用湿式蚀刻。此时，在显示区域20中，成为电源电压线La的布线层Lax经由在绝缘膜13上形 成的接触孔CH5，与下层的漏电极Trl2d电连接。此外，在周边区域30中，布线层Lax经由 在绝缘膜13上形成的接触孔CH9，与端子焊盘PLa的上部焊盘层PD2电连接。此外，在显示 区域20中，成为选择线Ls的布线层Lsx经由在绝缘膜13上形成的接触孔CH4b，与下层的 中间层Lm电连接。此外，在周边区域30中，布线层Lsx与上述布线层Lax同样，经由在绝 缘膜13上形成的接触孔与端子焊盘PLs的上部焊盘层PD2电连接。此外，成为接触电极的 电极层Ecx经由在绝缘膜13上形成的接触孔CH6a，与下层的阴极线Lc电连接。接着，如图12C所示，对由铝合金等构成的布线层Lax、Lsx及电极层Ecx进行阳极 氧化，在各布线层LaX、LsX和电极层Ecx的表层上形成由阳极氧化膜构成的绝缘膜 ^ο。由 此，由铝合金等构成的布线层LaX、LsX中的未被阳极氧化的布线层内部成为电源电压线La 和选择线Ls，其上面和侧面被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被覆。此外，在电极层Ecx中 的未被阳极氧化的电极层内部成为接触电极Ecc，其上面和侧面被由阳极氧化膜构成的绝 缘膜Fao被覆。在此，在基板11上形成的由铝合金等构成的布线层和/或电极中、未对表 层进行绝缘膜化的区域的布线层和/或电极处于预先被抗蚀剂等被覆而未露出的状态，进 行阳极氧化。在对整个布线层和/或电极的表层进行绝缘膜化的情况下，能够省略用抗蚀 剂等被覆的工序。具体而言，如本实施方式的制造方法所示，在应用了图8B所示的阴极接 触部的连接结构和图9B所示的端子焊盘的端子结构的显示面板10中，能够省略用抗蚀剂 等来被覆由铝合金等构成的布线层Lax、Lsx和电极层Ecx的工序。此外，作为阳极氧化处理的具体条件，能够良好地应用如下的例子。(1)阳极氧化使用电解液(下面的任一种)a)硼酸铵水溶液b)稀硫酸c)草酸
d)乙二醇和水的混合液，其容积比为7 3 9 1左右，还有酒石酸等的电解质e)用乙二醇稀释酒石酸铵来调整为PH7. 0左右的电解液f)硫酸水溶液g)酒石酸铵在本实施例中，a)使用了 2. 5%的硼酸铵水溶液。(2)电极材料(阴极)a)钼金(Pt)(3)电极形状a)网状b)平板(4)处理电压/处理时间电流密度4. 5mA/cm2 (3 15mA/cm2的范围)，化成电流3. 4A，化成电压200V，最终 化成电流0. 06A(到达该值之后设置60秒的成熟时间)在上述条件下进行阳极氧化处理的情况下，例如为了在由膜厚400nm的铝合金构 成的电源电压线La和/或选择线Ls的表层形成具有充分的绝缘性的阳极氧化膜，必须要 成膜大致由550nm以上膜厚的铝合金构成的布线层Lax、Lsx0即，需要利用阳极氧化来对 膜厚550nm的铝合金中的膜厚150nm的量进行绝缘膜化。接着，在基板11上例如涂敷聚酰亚胺或丙烯类等感光性有机树脂材料，例如在形 成具有1 5 μ m膜厚的树脂层之后，对该树脂层进行构图来形成图1A、IB、13A所述的隔壁 层17。在此，隔壁层17至少在显示区域20中用于突出到基板11的一面侧，并且具有开口 部，该开口部用于矩形状地露出各像素PIX的像素电极14。由此，在各像素形成区域Rpx中，在隔壁层17中形成的开口部即由侧壁17e包围 的区域被划分为各像素PIX的EL元件形成区域Rel。在此，作为形成隔壁层17的感光性有 机树脂材料，能够良好地应用例如“Toray ”株式会社制造的聚酰亚胺涂敷材料“ Wiotoneece Pff-1030” 或"Photoneece DL-1000” 等。接着，在用纯净水清洗基板11之后，例如通过实施氧等离子处理或UV臭氧处理 等，能够对在由隔壁层17划分了的各EL元件形成区域Rell露出的像素电极14的表面，实 施针对后述的空穴输送材料或电子输送性发光材料的有机化合物含有液的亲液化处理。如上所示，利用隔壁层17来划分用于涂敷有机化合物含有液的区域，加之，对各 像素PIX(有机EL元件0EL)的像素电极14表面进行亲液化，如后所述，即使利用喷嘴印刷 法和喷墨法来涂敷有机化合物含有液来形成有机EL层15的发光层(电子输送性发光层 15b)的情况下，也能够抑制有机化合物含有液向在显示面板10的行方向上邻接配置的、不 同颜色的像素PIX的EL元件形成区域Rel漏出或越过。因此，即使在制造与彩色显示对应 的显示面板10的情况下，也能够防止邻接像素相互的混色，能够良好地进行红(R)、绿(G)、 蓝(B)色的发光材料的分别涂敷。此外，在本实施方式中，只对像素电极14的表面进行了亲液化的工序进行了说 明，但是本发明不限于此，也可以在对上述的像素电极14的表面进行亲液化处理之后，至 少对隔壁层17的表面进行疏液化的处理。据此，能够实现隔壁层17的表面具有疏液性、并 且在各EL元件形成区域Rell中所露出的像素电极14的表面具有亲液性的基板表面。因此，能够进一步抑制在基板11的表面涂敷的有机化合物含有液推上隔壁层17的侧壁17e 的现象，并且在像素电极14的表面上充分浸染而大致均勻地扩散，所以能够在像素电极14 上的整个区域形成具有大致均勻的膜厚的有机EL层15(空穴输送层1 和电子输送性发 光层15b)。此外，在本实施方式中所使用的“疏液性”，规定为在将含有成为后述的空穴输送 层的空穴输送材料的有机化合物含有液，含有成为电子输送性发光层的电子输送性发光材 料的有机化合物含有液，或者在这些溶液中使用的有机溶液滴落到绝缘性基板上等来测量 了接触角度的情况下，该接触角度大体上成为50°以上的状态。此外，在本实施例中，与“疏 液性”相对的“亲液性”规定为上述接触角度大体上成为40°以下，最好大体上成为成为 10°以下的状态。接着，如图1 所示，在显示区域20的各像素PIX的EL元件形成区域Rel中所露 出的像素电极14上形成有机EL层(发光功能层)15，该有机EL层15是空穴输送层(载体 输送层)1 和电子输送性发光层(载体输送层)1 层叠形成的。首先，利用吐出连续的溶液(液流)的喷嘴印刷(或喷嘴涂敷)法或在规定位置 吐出相互分离的不连续的多个液滴的喷墨法等，对各像素PIX的EL元件形成区域Rell涂 敷空穴输送材料的溶液或分散液之后，对其进行加热干燥来在像素电极14上形成空穴输 送层15a。具体而言，作为含有有机高分子类的空穴输送材料(载体输送性材料)的有机化 合物含有液(有机溶液)，例如将聚二氧乙基噻吩/聚对苯乙烯磺酸水溶液(PED0T/PSS 将 作为导电性聚合物的聚二氧乙基噻吩PEDOT和作为掺杂剂的聚对苯乙烯磺酸PSS分散在水 系溶剂中的分散液)涂敷到EL元件形成区域Rell中。之后，在100°C以上的温度条件下对 载置有基板11的工作台进行加热而进行干燥处理来除去残余溶剂，由此仅在露出于各有 机EL元件形成区域Rell的像素电极14上固定有机高分子类的空穴输送发光材料，形成空 穴输送层15a。在此，露出于各EL元件形成区域Rell的像素电极14的上面，对通过上述的亲液 化处理而含有空穴输送材料的有机化合物混合液具有亲液性，所以被涂敷的有机化合物含 有液在像素电极14上充分浸染并扩散。另一方面，隔壁层17形成为充分高于被涂敷的有 机化合物含有液的液面高度，并且，感光性的有机树脂材料一般对该有机化合物含有液具 有疏液性，所以，能够防止有机化合物含有液向邻接的像素PIX的EL元件形成区域Rel漏 出或越过。接着，在各EL元件形成区域Rell上形成的空穴输送层1 上，利用喷嘴印刷法或 喷墨法等，将电子输送性发光材料的溶液或分散液涂敷之后，对其进行加热干燥来形成电 子输送性发光层(载体输送层)15b。具体而言，作为含有有机高分子类的电子输送性发光材料(载体输送性材料)的 有机化合物含有液(有机溶液)，例如将含有聚对苯撑乙烯类或聚芴类等共轭双键聚合物 的红(R)、绿(G)、蓝(B)色的发光材料溶解或分散到适当的水系溶剂或四氢萘、四甲基苯、 均三甲苯、二甲苯等有机溶剂中的0. 的溶液涂敷到上述空穴输送层1 上。之 后，在氮气氛围中，对上述工作台进行加热来进行干燥处理而除去残余溶剂，由此在空穴输 送层1 上固定有机高分子类的电子输送性发光材料，形成电子输送性发光层15b。
在此，在EL元件形成区域Rel内形成的上述空穴输送层15a的表面，对包含电子 输送性发光材料的有机化合物含有液具有亲液性，所以在各EL元件形成区域Rell上所涂 敷的有机化合物含有液在空穴输送层1 上充分浸染扩散。另一方面，隔壁层17被设定为 充分高于被涂敷的有机化合物含有液的高度，并且，一般感光性的有机树脂材料对该有机 化合物含有液具有疏液性，所以能够防止有机化合物含有液向邻接的像素PIX的EL元件形 成区域Rel漏出或越过。接着，如图14A所示，在形成有上述隔壁层17及有机EL层15 (空穴输送层1 及 电子输送性发光层15b)的基板11的至少显示区域20，形成具有光反射特性的共同的对置 电极(负极)16，该对置电极16隔着各像素PIX的有机EL层15与像素电极14对置。此 时，对置电极16不限于显示区域20，通过一部分在周边区域30上延伸而形成，由此，直接与 接触电极Ecc连接，并且经由在绝缘膜13上形成的接触孔CH6b而直接与下层的负极线Lc 连接。在此，作为对置电极16，例如采用如下电极结构利用真空蒸镀法和/或溅射法， 层叠了 1 IOnm膜厚的钙(Ca)、钡(Ba)、· (Li)JB (In)等工作函数小的电子注入层(负 极)和IOOnm以上膜厚的铝(Al)、铬(Cr)、银(Ag)、钯(Pd)中的任一种的单体或由包含这 些金属中的至少一种的合金构成的高工作函数的薄膜(供电电极)的结构。在此，在对构 成对置电极16的电极层进行构图时，使用湿式蚀刻。此外，在这样的电极结构的情况下，只 要经由上述对置电极16中的、仅上述高工作函数的薄膜经由接触电极Ecc和接触孔CH6b， 与负极线Lc连接就可以。接着，在形成上述对置电极16之后，如图14B所示，在基板11的一面侧的整个区 域，利用CVD法等来形成由氧化硅膜和/或氮化硅膜等构成的密封层18。其后，在密封层 18上形成开口部CH10，该开口部CHlO用于露出在基板11周边区域形成的端子焊盘PLa、 PLs (包含省略了图示的数据线Ld的端子焊盘)的上面。在此，开口部CHlO例如形成为与 上述的开口部CHlOx(参照图12A)匹配。由此完成具有图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、 9B所示的截面结构的显示面板10。此外，除了上述密封层18之外，也可以代替密封层18 而采用使得金属盖(密封盖)和/或玻璃等密封基板与基板11对置地结合的结构。如上所述，在本实施方式的显示面板(发光面板)及其制造方法中，其特征在于， 与基板11上形成的晶体管Trll、Trl2连接的布线层中、至少形成在最上层的布线层(电源 电压线La、选择线Ls)由铝合金材料构成，并且其表层被由阳极氧化膜构成的绝缘膜Fao被 覆。(作用效果的验证)接着，对应用了具有上述特征的薄膜晶体管阵列基板的显示面板及其制造方法所 特有的作用效果，进行详细说明。图15A、15B是示出作为上述实施方式的比较对象的显示面板的一例的主要部 分截面图。在此，为了容易与上述的实施方式进行比较，关于与图6A、6B、7A、7B、7C、7D、 8A、8B、9A、9B 相同的截面，使用了(VIA-VIA)、(VIB-VIB), (VIIC-VIIC), (VIID-VI ID), (VIIF-VIIF), (VIIIG-VIIIG), (IXH-IHX)的标记。此外，图 16A、16B、17A、17B 是示出成 为比较对象的显示面板的制造方法的工序截面图。在此，为了容易进行与上述的实施方 式的比较，与图 10A、10B、10C、11A、11B、11C、12A、12B、12C、13A、13B、14A、14B 同样，为了方便起见，使各部分的截面邻接地配置来示出。图中，(VIA-VIA)、(VIB-VIB)、(VIIC-VIIC), (VIID-VIID)、(VIIF-VIIF)、(VIIIG-VIIIG)、(IXH-IHX)示出在各图 15AU5B 上示出的各截 面中的工序截面。此外，对与上述的实施方式相同的结构，标注相同的标记来简化其说明。如图15A、15B所示，成为比较对象的显示面板，对在与形成于基板11上的晶体管 Trll、Trl2连接的布线层中、形成在最上层的布线层(电源电压线La、选择线Ls)进行被覆 的绝缘膜，不由阳极氧化膜构成，而是由氮化硅等无机绝缘性材料构成的这一点，不同于上 述的实施方式。S卩，在显示面板的显示区域，经由在绝缘膜13a上设置的接触孔而与晶体管Trll 的栅电极Trllg电连接的选择线Ls和/或晶体管Trl2的漏极电连接的电源电压线La，被 由氮化硅膜等构成的绝缘膜1 被覆。在此，在选择线La和/或电源电压线La的下层设 置的绝缘膜13a对应于上述的实施方式中的绝缘膜13。另一方面，在显示面板的周边区域，经由在绝缘膜13a上设置的接触孔与负极线 Lc电连接的接触电极Ecc，经由在被覆该接触电极Ecc的绝缘膜1 上所设置的接触孔，而 与有机EL元件OEL的对置电极16电连接。此外，经由在绝缘膜13a上所设置的接触孔而 与端子焊盘PLs、PLa的上部焊盘层PD2电连接的选择线Ls和/或电源电压线La，被绝缘 膜1 被覆。具有这样的面板结构的显示面板的制造方法与上述的实施方式同样，首先，如图 16A所示，在基板11的一面侧，形成用于构成发光驱动电路DC的晶体管Trll、Trl2、电容器 Cs、数据线Ld、中间层Lm、负极线Lc、端子焊盘PLa的上部焊盘层PD2及下部焊盘层PDl。接着，如图16B所示，利用CVD法在基板11的整个区域形成由氮化硅等构成的绝 缘膜13a之后，利用干式蚀刻法，形成中间层Lmj·电极Trl2d、负极线Lc及上部焊盘层PD2 的规定位置的上面露出的接触孔和开口部。之后，利用溅射法，在基板11上形成由铝合金 等构成的布线层之后，利用湿式蚀刻法进行构图，由此形成具有规定的布线图形的选择线 Ls及电源电压线La。与此同时，在周边区域30上形成接触电极Ecc。此时，在显示区域20，电源电压线La经由在绝缘膜13a上形成的接触孔，与下层的 漏电极Trl2d电连接。此外，在周边区域30，电源电压线La经由在绝缘膜13a上形成的接 触孔，与端子焊盘PLa的上部焊盘层PD2电连接。此外，在显示区域20，选择线Ls经由在绝 缘膜13a上形成的接触孔，与下层的中间层Lm电连接。此外，在周边区域30，选择线Ls与 上述电源电压线La同样，经由在绝缘膜13a上形成的接触孔，与端子焊盘PLs的上部焊盘 层PD2电连接(省略图示)。此外，接触电极Ecc经由在绝缘膜13a上形成的接触孔，与下 层的负极线Lc电连接。接着，如图16C所示，利用CVD法，在基板11的整个区域被覆形成由氮化硅等构成 的绝缘膜1 之后，利用干式蚀刻法，形成用于露出像素电极14、接触电极Ecc及上部焊盘 层PD2的规定位置的上面的接触孔和开口部。在此，在EL元件形成区域Rel、端子焊盘PLa 及PLs的形成区域，通过在单一的蚀刻工序中对绝缘膜1 及13a连续进行蚀刻，来形成用 于露出像素电极14和上部焊盘层PD2的上面的接触孔和开口部。另一方面，在接触电极 Ecc的形成区域中，通过对绝缘膜1 进行蚀刻，形成用于露出接触电极Ecc的上面的接触 孔。接着，如图17A所示，在基板11上的至少显示区域，形成由感光性的有机树脂材料构成的隔壁层17，该隔壁层17具有用于露出各像素PIX的像素电极14的开口部。从而各 像素PIX的EL元件形成区域Rel被划分。接着，在对露出于各EL元件形成区域Rell的像素电极14的表面进行了亲液化处 理之后，如图17B所示，在各像素电极14上形成由空穴输送层1 和电子输送型发光层1 构成的有机EL层15。接着，在基板11的至少显示区域20上，形成具有光反射特性的对置 电极16。在此，对置电极16以隔着各像素PIX的有机EL层15而共同地与各像素电极14 对置的方式，由单一多的电极层(整面电极)形成。此时，对置电极16配置在周边区域30 上，与在绝缘膜1 上设置的接触孔内所露出的接触电极Ecc连接。从而，对置电极16经 由接触电极Ecc而与负极线Lc电连接。在具有这样的面板结构的显示面板中，在形成包含晶体管Trll、Trl2的发光驱动 电路DC之后，形成绝缘膜13a、13b、选择线Ls、电源电压线La等布线层，所以需要反复进行 多次的成膜工序和构图工序。一般来说，在成膜、构图工序中，已知在溅射时或抗蚀剂清洗 时、蚀刻等时会发生微粒(微小的异物)，残留在基板11上。尤其是，在多使用于对绝缘膜 13a、1 进行成膜时的CVD法或干式蚀刻工序中，容易发生微粒。若在基板上存在这样的微 粒，则在成膜时，微粒进入膜中而成为粒子化，阻碍来自有机EL元件OEL(发光元件)的发 光，具有导致点缺陷和/或亮度降低等像素不良、制造合格率降低的问题。此外，在尤其是 想要实现显示面板的像质的高精细化和/或大画面化的情况下，这样的微粒的问题的以下 相对变大。相对于此，在上述的实施方式的显示面板10中，具有用由阳极氧化膜构成的绝缘 膜Fao被覆了选择线Ls、电源电压线La等布线层的表层的面板结构。由此，在本实施方 式的制造方法中，通过在形成选择线Ls、电源电压线La等布线层之后进行阳极氧化处理， 能够对该布线层的表层进行绝缘膜化，因此能够省略比较对象所示的对绝缘膜1 进行成 膜、构图的工序。即，在本实施方式的制造方法中，能够削减在绝缘膜13b的成膜时所使用 的CVD工序、在构图时所使用的干式蚀刻工序的次数，因此能够抑制产生斑点，能够降低显 示面板(薄膜晶体管阵列基板)的不良发生率，能够改善制造合格率。并且，通过作为选择线Ls和/或电源电压线La等的布线层而使用铝单体或含铝 的合金材料，能够在表层形成具有良好的绝缘特性的阳极氧化膜(绝缘膜!^0)。加之，通 过作为布线层而应用铝单体或含铝的合金材料，能够充分降低布线电阻。因此，即使在使显 示面板10高精细化或大画面化的情况下，也能够抑制信号延迟和电压降低，能够使得像素 PIX以与图像数据对应的适当的亮度等级进行发光动作，能够抑制像质的劣化。此外，在上述的实施方式中，作为在像素PIX上设置的发光驱动电路DC，示出了如 下的电压指定型的灰度等级控制方式的电路结构(参照图幻根据图像数据来调整写入各 像素Pix(具体而言，发光驱动电路DC的晶体管Trl2的栅极端子；触点mi)的灰度等级电 压Vdata的电压值，由此控制向有机EL元件OEL流的发光驱动电流的电流值，并使其以规 定的亮度等级进行发光动作。本发明不限于此，也可以具有如下的电流指定型的灰度等级 控制方式的电路结构通过根据图像数据来调整(指定)写入各像素PIX的灰度等级电流 的电流值，控制向有机EL元件OEL流的发光驱动电流的电流值，并使其以规定的亮度等级 进行发光动作。下面示出其一例。(像素的其他例)
图18是示出本实施方式的显示面板上排列的像素的其他电路结构例的等价电路 图。此外，图19是示出能够应用于本实施方式的像素的其他例子的平面布局图。在此，对 于与上述的实施方式所示的像素(参照图3)相同或同等的结构，标注同等的标记，并简化 其说明。如图18所示，像素PIX的其他电路结构具备具有三个晶体管的发光驱动电路DC 和有机EL元件0EL。具体而言，发光驱动电路DC具备晶体管Tr21 Tr23和电容器Cs。晶 体管Tr21的栅极端子经由触点拟4与选择线Ls连接，漏极端子经由触点N25与电源电压 线La连接，源极端子与触点N21连接。晶体管Tr22的栅极端子经由触点拟4与选择线Ls 连接，漏极端子经由触点N23与数据线Ld连接，漏极端子与触点N22连接。晶体管(驱动 晶体管)Tr23的栅极端子与触点N21连接，漏极端子经由触点N25与电源电压线La连接， 源极端子与触点N22连接。电容器Cs连接在晶体管Tr23的栅极端子(触点N21)和源极 端子(触点N22)之间。此外，有机EL元件OEL与上述的实施方式所示的像素(参照图3)同样，正极(成 为正极的像素电极14，参照后述的图19)与上述发光驱动电路DC的触点N22连接，负极(成 为负极的对置电极)与规定的低电位的电位电源(基准电压Vsc;例如接地电位Vgnd)连接。之后，具有这样的电路结构的像素PIX中的驱动控制动作，在规定的处理周期期 间内，被控制成执行使得保持与图像数据对应的电压成分的写入动作(选择期间)；以及 在该写入动作结束之后，使得有机EL元件OEL以与图像数据对应的亮度等级进行发光动作 的发光动作(非选择期间)。首先，在向像素PIX写入的写入动作(选择期间)中，通过向选择线Ls施加选择 电平(导通电平；例如高电平)的选择电压Vsel，从而将像素PIX设定为选择状态。此夕卜， 在向电源电压线La施加低电平(基准电压Vsc以下的电压电平；例如负电压)的电源电 压Vsa的状态下，向数据线Ld供给设定为与图像数据对应的负的电流值的灰度等级电流由此，灰度等级电流Idata从像素PIX向数据线Ld方向引出地流过，比低电平的 电源电压Vsa还要低电位的电压被施加到晶体管Tr23的源极端子(触点N22)。因此，通过在触点N21和N22之间(S卩，晶体管Tr23的栅源之间)产生电位差，晶 体管Tr23进行导通动作，从电源电压线La经由晶体管Tr23、触点N22、晶体管Tr22、触点 N23，向数据线Ld方向流过与灰度等级电流Idata对应的写入电流。此时，在电容器Cs中被蓄积与在触点N13及N14之间生成的电位差对应的电荷， 被保持为电压成分。此外，在电源电压线La上被施加基准电压Vsc以下的电压电平的电源 电压Vsa，并且，写入电流被设定为从像素PIX向数据线Ld方向引出。因此，被施加到有机 EL元件OEL的正极(触点N22)上的电位成为比负极的电位(基准电压Vsc)低，在有机EL 元件OEl中不流过电流，不进行发光动作(非发光动作)。接着，在写入动作结束后的发光动作(非选择期间)，通过对选择线Ls施加非选择 电平(低电平)的选择电压Vsel，由此能够将像素PIX设定为非选择状态。此时，在电容器 Cs中保持在上述的写入动作中被蓄积的电荷，所以晶体管Tr23维持导通状态。并且，通过 在电源电压线La中施加高电平(比基准电压Vsc高的电压电平)的电源电压Vsa，由此从电源电压La经由晶体管Tr23、触点N22，向有机EL元件OEL流过规定的发光驱动电流。此时，由电容器Cs保持的电压成分，与在晶体管Tr23中流过与灰度等级电流 Idata对应的写入电流的情况下的电位差相当，所以在有机EL元件OEL中流过的发光驱动 电流成为与该写入电流大致相等的电流值，有机EL元件OEL以与图像数据对应的亮度等级 进行发光动作。(像素的器件结构)具有图18所示的电路结构的像素，能够由例如图19所示的器件结构(平面阵列) 来实现。在图19中，用于将晶体管Tr21的源电极Tr21s、晶体管Tr23的栅电极Tr2!3g和电 容器Cs的下部电极Eca电连接的接触孔CH21，与图18所示的等价电路的触点N21对应。 此外，晶体管Tr23的源电极Tr23s和作为电容器Cs的上部电极Ecb的像素电极14的连接 点，与触点N22对应。此外，用于将晶体管Tr22的源电极和数据线Ld电连接的接触 孔CH23，与触点N23对应。此外，用于将晶体管Tr21的栅电极Tr21g、晶体管Tr22的栅电 极Tr22g和中间层Lm电连接的接触孔OE4a，以及将中间层Lm和选择线Ls电连接的接触 孔OE4b，与触点拟4对应。此外，用于将晶体管Tr21的漏电极Tr21d、晶体管Tr23的漏电 极Tr22d和电源电压线La电连接的接触孔CH25，与触点N25对应。在排列有包含这些触点N21 N25的像素PIX的显示面板，在上述实施方式中，大 致直接应用图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、8B、9A、9B所示的主要部分截面图的结构。因此，即 使在具备图18、19所示的其他例子的像素PIX (发光驱动电路DC及有机EL元件0EL)的显 示面板(薄膜晶体管阵列基板)中，与上述的实施方式同样，能够应用在与基板11上形成 的晶体管Tr21 Tr23连接的布线层中、至少形成在最上层的布线层(电源电压线La、选择 线Ls)的表层被由阳极氧化膜构成的绝缘膜被覆了的面板结构。因此，能够削减绝缘膜的 成膜、构图工序，能够抑制斑点的产生，降低显示面板(薄膜晶体管阵列基板)的不良发生 率，改善制造合格率。此外，图3、18所示的像素PIX只不过是能够应用于本发明中的电路结构的一例， 本发明不限于此。此外，在上述的像素Pix的器件结构(参照图6A、6B、7A、7B、7C、7D、8A、 8B、9A、9B)中，示出了在由源/漏金属层SD形成的源极、漏极、布线层上层叠了构成像素电 极14的透明电极层ITO的电极、布线结构，但是本发明不限于此。本发明也可以具有如下 结构透明电极层ITO只与作为发光驱动电路DC的驱动晶体管的晶体管Trl2或Tr23的源 极电连接，没有形成在其他电极或布线层上。此外，在上述的实施方式中，作为有机EL元件OEL的元件结构，说明了底部发射型 发光结构的情况，但是本发明不限于此，也可以是具有顶部发射型发光结构的结构。此外， 在上述的实施方式中，对有机EL层15由空穴输送层15a及电子输送型发光层1 构成的 情况进行了说明，但是本发明不限于此。即，适用于本发明的有机EL元件OEL可以具有有 机EL层15例如仅由空穴输送兼电子输送性发光层构成的元件结构，或者由空穴输送性发 光层和电子输送层构成，或者，在这些层之间设有适当的电荷输送层，并且也可以是组合了 其他电荷输送层。此外，在上述的各实施例中，将像素电极14设为正极，将对置电极16设 为负极，但是不限于此，也可以将像素电极14设为负极，将对置电极16设为阳极。此时，有 机EL层15只要是与像素电极14接触的载体输送层为电子输送性层就可以。此外，在上述的实施方式中，示出了作为由发光驱动电路DC进行发光驱动的发光元件而应用有机EL元件OEL的情况，但是本发明不限于这些，只要是电流控制型的发光元 件，例如是发光二极管等其他发光元件就可以。(发光面板的应用例)下面，参照附图对应用了上述的实施方式的显示面板(具备薄膜晶体管阵列的发 光面板)的电子设备。上述实施方式所示的显示面板10例如能够应用于数字摄像机或便 携式个人计算机或便携式电话机等各种电子设备。图20A、20B是示出本实施方式的应用例的数字摄像机的结构的立体图，图21是示 出本实施方式的应用例的便携式个人计算机的结构的立体图，图22是示出本实施方式的 应用例的便携式电话机的结构的图。在图20A、20B中，数字摄像机200大概具备主体部201 ；镜头部202 ；操作部203 ； 具有上述的实施方式中示出的显示面板10的显示部204;以及快门按钮205。据此，在显示 部204中，能够应用被抑制产生点缺陷和/或亮度降低等像素不良的显示面板10，能够使像 素以与图像数据对应的适当的亮度等级进行发光动作，因此能够实现良好且均勻的像质。此外，在图21中，个人计算机210大概具有主体部211 ；键盘212 ；和具备上述的 实施方式中示出的显示面板10的显示部213。在该情况下，在显示部213中，能够应用被抑 制产生点缺陷和/或亮度降低等像素不良的显示面板10，能够使像素以与图像数据对应的 适当的亮度等级进行发光动作，因此能够实现良好且均勻的像质。此外，在图22中，便携式电话机220大概具有操作部221 ；受话口 222 ；送话口 223 ；和具备上述的实施方式中所示的显示面板10的显示部224。在该情况下，在显示部2M 中，也能够应用被抑制产生点缺陷和/或亮度降低等像素不良的显示面板10，能够使像素 以与图像数据对应的适当的亮度等级进行发光动作，因此能够实现良好且均勻的像质。此外，在上述的实施方式中，对将薄膜晶体管阵列基板应用于有机EL显示面板 (发光面板)的情况进行了详细说明，但是本发明不限于此。本发明也可以应用于如下的 曝光装置具备例如具有有机EL元件OEL的多个像素PIC在一个方向上排列的发光元件阵 列，对感光体鼓照射根据图像数据从发光元件阵列射出的光进行曝光。此外，本发明不限于 发光面板，只要是应用在基板上配列有驱动控制用的薄膜晶体管的薄膜晶体管阵列基板， 则例如能够应用于液晶显示装置或二维传感器等中。对于本领域的技术人员人员能够得到附加性的优点和变形例。因此，本发明的范 围不限于上述的对各实施方式的详细说明。当然，在不脱离所附的权利要求及其等同技术 方案所规定的本发明的精神和主旨的范围内，能够做出各种变形例。
权利要求
1.一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，具有 基板；形成在基板上的薄膜晶体管；以及配设在上述基板上的布线，该布线用于施加电压，该电压用于驱动包含上述薄膜晶体 管的电路，上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。
2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 上述布线由铝或含铝的合金材料构成。
3.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 上述布线是通过湿式蚀刻法进行了构图的。
4.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 上述布线是被施加用于驱动上述电路的电源电压的电源电压线。
5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 上述电路是在上述基板上规则地排列的像素，上述薄膜晶体管是根据经由上述电源电压线而被施加的上述电源电压来驱动上述像 素的驱动晶体管。
6.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其特征在于， 上述阳极氧化膜的膜厚在150nm以上。
7.一种发光面板，其特征在于，具备 基板；形成在上述基板上的发光元件； 用于驱动上述发光元件的薄膜晶体管；以及 布线，被上述薄膜晶体管施加了用于驱动上述发光元件的电压， 上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。
8.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于，各个上述发光元件具备形成在上述基板上的第一电极、形成在上述第一电极之上的第 二电极、形成在上述第一电极和上述第二电极之间的发光层，各个上述布线形成在与上述第一电极相同材料且设在同一面上的层上。
9.根据权利要求8所述的发光面板，其特征在于，上述第一电极和在与上述第一电极同一面上所设置的层由透明导电材料构成。
10.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于， 上述布线由铝或含铝的合金材料构成。
11.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于， 上述布线是通过湿式蚀刻法进行了构图的。
12.根据权利要求7所述的发光面板，其特征在于，上述布线是被施加用于对包含上述薄膜晶体管的电路进行驱动的电源电压的电源电 压线。
13.根据权利要求12所述的发光面板，其特征在于， 上述电路是在上述基板上规则地排列的像素，上述薄膜晶体管是根据经由上述电源电压线而被施加的上述电源电压来驱动上述像 素的驱动晶体管。
14.一种电子设备，其特征在于，该电子设备是安装上述权利要求7所述的上述发光面板来构成的。
15.一种发光面板的制造方法，其特征在于，该发光面板在基板上配设了多个像素，该多个像素至少具有发光元件和用于驱动该发 光元件的薄膜晶体管， 该制造方法具备形成布线的工序，该布线上被施加用于驱动上述发光元件的电压；以及 通过阳极氧化处理形成上述布线的表面的至少一部分的工序。
16.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，其特征在于， 上述布线由铝或含铝的合金材料构成。
17.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，其特征在于， 上述布线是通过湿式蚀刻法进行了构图的。
18.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，其特征在于，上述布线是被施加用于对包含上述薄膜晶体管的电路进行驱动的电源电压的电源电 压线。
19.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，其特征在于， 在上述阳极氧化处理中，作为阴极材料而使用钼金。
20.根据权利要求15所述的发光面板的制造方法，其特征在于，用于上述阳极氧化处理中的电解液是硼酸铵水溶液、稀硫酸、草酸、乙二醇混合液、酒 石酸铵混合液、硫酸水溶液、酒石酸铵中的任一种。
全文摘要
本发明提供薄膜晶体管阵列基板、发光面板及其制造方法和电子设备。薄膜晶体管阵列基板，具有基板；形成在基板上的薄膜晶体管；以及配设在上述基板上的布线。该布线用于施加电压，该电压用于驱动包含上述薄膜晶体管的电路。上述布线的表面的至少一部分由阳极氧化膜构成。
文档编号H01L27/32GK102082151SQ201010503608
公开日2011年6月1日 申请日期2010年9月30日 优先权日2009年9月30日
发明者东俊明 申请人:卡西欧计算机株式会社