专利名称：适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置的制作方法
技术领域：
本发明涉及一种适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置。
背景技术：
通常将晶圆电路面，即完成芯片功能的那一面称为正面，另外一面即为背面。晶圆 加工过程中，常需要贴一层薄膜。贴覆的薄膜有时是为切割时保护晶圆的，称为切割膜。贴 覆的薄膜有时是在其它工序中起保护作用的薄膜。为晶圆贴切割膜时，将晶圆和框架一同 贴到切割膜上。框架为中间设置通孔的薄片。切割膜贴覆在晶圆背面。框架和切割膜共同 起保护晶圆作用。最简单的切割膜贴膜方式是将晶圆正面朝下放在台盘上，正面与台盘的上表面 通过真空吸附紧密贴合。框架放在基座上，晶圆位于框架的通孔内。将切割膜放置在晶圆 和框架上表面，利用滚轮按压切割膜，将切割膜贴覆在晶圆背面与框架上。贴覆完成后，晶 圆和框架均粘附在切割膜上。此方法中使用的台盘是一实心圆台或圆柱。但对于某些特定功能的晶圆，贴膜时要求晶圆正面不能同台盘接触，需采用非接 触式贴膜。如光学感光芯片，采用凸点工艺封装的芯片等都要求采用非接触式贴膜。为避免晶圆与台盘的大面积接触，一种方法是减小晶圆与台盘接触面积，虽然可 以解决一部分问题，但其仍存在以下缺点1、在为薄晶圆贴膜时，容易导致晶圆破裂。因为滚轮按压切割膜时，必然要施加一 定的压力。这种压力传递到晶圆上，而晶圆大部分是悬空安放在台盘上，因此，晶圆受压时 无支撑的部分将向下弯曲成为弧状。在晶圆比较厚的时候，由于其自身的刚性，可以承受滚 轮的压力而不至于弯曲或弯曲很大，可以完成贴膜。但当晶圆较薄时，晶圆的刚性降低，受 到很小的压力时也很容易向下弯曲。滚轮按压切割膜时，必然导致晶圆的弯曲，当弯曲程度 超过晶圆的承载能力时，晶圆就会破裂。目前利用滚轮按压的方法贴膜，晶圆的最小厚度为 200um，厚度小于200um的晶圆破片率大大升高。厚度小于200um的晶圆也可以称为超薄晶 圆。各领域使用的芯片正越变越薄，因此，贴膜方法成为影响能否使晶圆变薄的重要因素。2、由于贴膜时晶圆受力向下凹，而切割膜贴覆在上表面，因此容易在晶圆与切割 膜之间形成气腔。切割膜贴完后会将气体密封在晶圆与切割膜之间，形成气泡。这在贴膜 工艺中是不允许出现的。形成气泡后，必须将切割膜撕除重新贴膜，增加了工序，降低了效 率。3、厚度不同的晶圆，可承受的压力也不同。要避免滚轮按压时损坏晶圆，要么是调 整滚轮可施加的压力大小，要么是调整对晶圆的支撑力使支撑力抵消滚轮的压力。但是，滚 轮压力的调整非常困难，而且由于接触面积小，且支撑装置与晶圆是直接接触的，因此，也 很难调整对晶圆的支撑力。另外，以上所描述的方法并不是真正意义上的非接触式贴膜。晶圆与支撑装置发 生了直接接触，即使接触面积较小，仍会影响晶圆的品质，降低芯片的良品率。为避免在切割膜与晶圆之间产生气泡，可以采用将整套贴膜装置放置在真空腔内，仍然利用滚轮贴膜。由于在真空中贴膜，空气稀薄，可以降低气泡形成的概率。但此种 方法仍然不能解决薄晶圆贴膜受力容易破碎的问题。以上所介绍的各种贴膜方法，其共同特点是薄膜在上方，晶圆在下方，从上至下按 压薄膜，使薄膜牢固贴覆在晶圆上，而晶圆下方没有任何支撑。这种方法所施加在薄膜上的 压力，难免会在晶圆下方无支撑时压断晶圆。这种方法的缺点是均需要晶圆具有一定的刚 性，因此，其厚度最小为200um。厚度低于200um的晶圆使用这种方法贴膜，十分容易损坏。
发明内容
本发明的目的是为了克服现有技术中的不足，提供一种可适于为超薄晶圆安全贴 覆薄膜的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法。为实现以上目的，本发明通过以下技术方案实现适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在贴膜时，提供一压力将晶圆推向 薄膜，使薄膜与晶圆粘贴在一起。优选地是，固定晶圆的边缘，对晶圆施加压力，使晶圆中心区域首先与薄膜接触， 再解除固定晶圆的边缘的力，使整个晶圆与薄膜粘贴在一起。优选地是，利用压力将晶圆推向薄膜是通过使晶圆背向薄膜一侧的气体压力大于 晶圆与薄膜之间的气体压力实现。优选地是，提供一具有第二凹槽的台盘；将晶圆放置在台盘上，使所述的第二凹槽 形成第二密封腔；将薄膜放置在晶圆上方，并在晶圆与薄膜之间形成第一密封腔；利用压 力将晶圆推向薄膜是通过使第二密封腔内的气体压力大于第一密封腔内的气体压力实现。优选地是，晶圆放置到台盘上后，将晶圆的边缘固定在台盘上。优选地是，采用真空吸附方式将晶圆边缘固定在台盘上。优选地是，第二密封腔内的气体压力使晶圆拱起，从而使晶圆中部先与薄膜接触， 解除对薄膜边缘的固定力，第二密封腔内的气体压力将整个晶圆推向薄膜，使整个晶圆与 薄膜粘贴在一起。优选地是，使晶圆背向薄膜一侧的气体压力大于晶圆与薄膜之间的气体压力之 前，移动晶圆使其与切割膜具有合适的距离。优选地是，在切割膜上方，形成第三密封腔，第三密封腔内的气体压力可调。优选地是，在晶圆与薄膜粘贴过程中，调整薄膜背向晶圆一侧的气体压力，使薄膜 背向晶圆一侧的气体压力抵消一部分晶圆对薄膜的压力。优选地是，所述作用力是通过调整晶圆背向薄膜一侧的真空度和晶圆与薄膜之间 的真空度，使晶圆背向薄膜一侧的真空度小于晶圆与薄膜之间的真空度来实现。优选地是，所述作用力是通过向晶圆背向薄膜的一侧吹入压缩气体，使晶圆背向 薄膜一侧的气体压力大于晶圆与薄膜之间的气体压力来实现。本发明的另一个目的是提供一种适于为超薄晶圆安全贴覆薄膜的贴膜装置。为实现上述目的，本发明通过以下技术方案实现贴膜装置，其特征在于，包括基座，所述基座设置第一凹槽；第一凹槽内设置有台 盘，第一凹槽与可调节第一凹槽内的气体压力的第一调节装置联通；所述台盘设置有第二 凹槽；第二凹槽与可调节第二凹槽内的气体压力的第二调节装置联通。
优选地是，所述的台盘与升降装置连接，台盘可移动地安装在第一凹槽内。优选地是，还包括上盖，上盖可盖在基座上并可打开地安装。优选地是，上盖可移动地设置在基座上方，上盖可远离基座，也可靠近基座直至盖 在基座上。优选地是，还包括可将基座与上盖之间密封的第一密封圈，第一密封圈设置在基 座上或上盖上。优选地是，所述的上盖设置有第一气孔，第一气孔与第一凹槽联通；第一气孔与第 一调节装置联通。优选地是，所述的基座的内壁设置有第三凹槽，第三凹槽与第一凹槽联通；当上盖 盖在基座上时，第三凹槽与第一气孔位置相对，第一调节装置通过第一气孔、第三凹槽与第 一凹槽联通；所述的上盖设置有第二密封圈，当上盖盖在基座上时，第一气孔位于第一密封 圈与第二密封圈之间。优选地是，所述上盖设置有第三气孔，第三气孔设置在第二密封圈内；第三气孔与 可调节气体压力的第三调节装置联通；上盖盖在基座上时，第二密封圈可压靠在基座上放 置的薄膜上，第三调节装置可调节薄膜与上盖之间的气体压力。优选地是，所述的第三调节装置为第三抽真空装置。优选地是，所述的台盘上设置有第四气孔，第四气孔与第四抽真空装置联通。第四 气孔和第四抽真空装置用于通过抽真空方式将晶圆边缘固定在台盘上。优选地是，台盘上表面设置有第三密封圈，第四气孔设置于第三密封圈上。优选地是，所述第二凹槽内设置有第二气孔，第二气孔与第二调节装置联通。优选地是，所述第一调节装置为第一抽真空装置。优选地是，所述第二调节装置为第二抽真空装置。优选地是，所述第一调节装置为第一气体压缩机。优选地是，所述第二调节装置为第二气体压缩机。本发明中，要调整晶圆两侧的压力，一是可通过减小晶圆两侧气体压力来实现， 即，将面对薄膜的晶圆一侧的气体压力调整为小于晶圆背对薄膜一侧的气体压力；另一种 方法是向晶圆背对薄膜一侧吹入压缩气体，增大该侧的气体压力，保持晶圆面对薄膜一侧 的气体压力不变，也可以实现将晶圆压向薄膜的目的；如向晶圆背对薄膜一侧和面对薄膜 一侧分别吹入压力不同的气体，只要使晶圆背对薄膜的一侧气体压力大于晶圆面对薄膜一 侧的气体压力，就能够将晶圆压向薄膜。本发明中的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置，采用对晶圆施加压力， 使其贴向薄膜。晶圆受到的压力可以将晶圆牢固贴覆在薄膜上。在贴膜时，薄膜可以为晶圆 提供支撑力，防止晶圆变形过大而破裂。薄膜在受到晶圆的压力时，既可以利用上盖支撑， 也可以利用薄膜与上盖之间的气体提供部分支撑力。利用本发明方法和装置贴膜，可有效 避免超薄晶圆破裂的问题。与现有技术相比，本发明具有以下有益效果1、利用本发明中的方法和装置，打破了传统的将切割膜往晶圆上贴的习惯，传统 方法受制于非接触式贴膜的要求，不可能实现超薄晶圆的贴膜。利用本发明中的方法和 装置，大大提高了对超薄晶圆非接触式贴膜的能力，晶圆最小厚度从原先的200um降低到50um。在理论上，使用本发明方法和装置，晶圆越薄越有利于贴膜，目前50um的限制主要是 受限于周边装置，而非本发明方法本身。2、利用本发明中的方法和装置，通过调节晶圆与薄膜之间的距离以及第一密封腔 与第二密封腔之间的气压差，可以控制贴膜时晶圆的弯曲变形范围以及晶圆与薄膜之间的 压力范围，从而保证晶圆不会因变形过大而破裂，提高了工作的安全性。而且，通过合理设 置吸附晶圆边缘的真空吸力大小，在吹向晶圆的气体压力过大时，可使整个晶圆全部与台 盘分离，也可以避免晶圆破裂。3、利用本发明中的方法和装置，贴膜时从晶圆圆心开始贴覆，逐渐向四周扩散，直 至整个晶圆全部贴覆在薄膜上，不会形成气泡。4、利用本发明中的方法和装置，节省成本。以8"晶圆贴膜为例，晶圆直径为 200mm，框架的直径为296mm，框架平边之间的距离为276mm，所以利用本技术每次消耗薄膜 的长度不大于276mm。而使用现有的方法贴膜时，薄膜消耗长度不小于^6mm，从实际使用 上看要超过310mm。因此使用本发明方法每次可节约薄膜10%以上。
图1为本发明中的贴膜装置俯视图。图2为图1的B-B部视图。图3为本发明中的基座结构示意图。图4为本发明中的上盖结构示意图。图5为图4中的上盖的仰视图。图6为本发明中的台盘结构示意图。
具体实施例方式下面结合附图对本发明进行详细的描述图1为本发明中的新型贴膜装置俯视图。图2为图1的B-B剖视图。图3为本发 明中的基座结构示意图。贴膜装置，如图1、图2和图3所示，包括圆形的基座1。基座1设 置有圆形的第一凹槽11。基座1的内壁设置有8个沿圆周方向分布的第三凹槽13，第三凹 槽13与第一凹槽11联通。基座1的上表面12还沿圆周方向设置有四组磁铁15，每组磁铁 15包括两个。磁铁15可将框架吸附固定在基座1的上表面12上。基座1的上表面12设 置有第一密封圈14。第一密封圈14位于第三凹槽13和磁铁15外侧。本发明中，外侧是指 第一密封圈14比磁铁15更加远离圆心；内侧是指更加靠近圆心。图2为图1的B-B剖视图，图4为本发明中的上盖结构示意图。如图1、图2和图 4所示，还包括圆形的上盖2，上盖2可移动地设置在基座1的上方。上盖2可朝基座1运 动直至盖在基座1上；上盖2也可远离基座1。当上盖2盖在基座1上时，第一密封圈14将 基座1与上盖2之间密封。图5为图4中的上盖的仰视图。如图2和图5所示，上盖2包括主盖M和副盖 25。主盖M与副盖25通过螺钉28连接。主盖M与副盖25连接后，主盖M与副盖25之 间形成第五凹槽四。第五凹槽四沿圆周方向设置一圈。当上盖2盖在基座1的上表面时， 第五凹槽四与第三凹槽13相对。主盖M设置有第一通孔21，第一通孔21与第五凹槽四相通。第一通孔21与第一抽真空装置(图中未示出)联通。第一抽真空装置通过第一气孔 21、第五凹槽四和第三凹槽13可调节第一凹槽11内的气体压力。使第一凹槽11内的真 空度降低，可增大其内的气体压力；使第一凹槽11内真空度增加，可减小其内的气体压力。 副盖25设置有第四凹槽沈，第四凹槽沈设置在副盖沈与主盖M相对的一面上。主盖M 与副盖25连接后，第四凹槽沈成为一个腔。副盖25中部设置有通孔27与第四凹槽沈相 通，主盖M上设置有第三气孔23与第四凹槽沈相通。第三气孔23位置既可以对准通孔 27 ；也可以不对准而通过第四凹槽沈联通两者。第三气孔23与第三抽真空装置(图中未 示出)联通。副盖25上设置有两个第二密封圈021，222)，两个第二密封圈(221，222)设 置在副盖25与主盖M相背的一面上。两个第二密封圈(221,22 设置于通孔27与第五 凹槽四之间。第二密封圈021，222)的作用是将薄膜与副盖之间密封为一个密封腔，其数 目也可以是一个。在基座1上表面12放置框架和薄膜后，上盖2盖在基座1上时，第二密封圈221 压靠在薄膜上，将副盖25与薄膜之间密封。第五凹槽四位于第一密封圈11与第二密封圈 221之间，第一密封圈14与第二密封圈221将与薄膜和副盖25之间相通的通道和与第一凹 槽11相通的通道密封隔开，因此，可以单独调节薄膜与副盖之间的气体压力；也可单独调 节第一凹槽11内的气体压力。图2为图1的B-B剖视图。图6为本发明中的台盘结构示意图。如图2和图6所 示，台盘3设置有第二凹槽32。第二凹槽32内设置有第二气孔322。台盘3可移动地设置 在第一凹槽11内。台盘3的移动方式可采用公知的驱动方式驱动。本发明中，台盘3下端 与支柱31连接，台盘3与支柱31之间设置有两个第四密封圈311。支柱31上下移动可使 台盘3上下移动，以使台盘3上放置的晶圆靠近或远离基座1上放置的薄膜。支柱31设置 第五气孔315，第五气孔315与第二气孔322相通，第五气孔315与第二抽真空装置联通。 台盘3上表面设置有第三密封圈33，第三密封圈33上设置第四气孔34，第三密封圈33设 置于第六凹槽(图中未示出)内，第六凹槽内设置有与第四气孔相同的内孔，内孔与第六气 孔316联通。第四气孔34通过支柱31的第六气孔316与第四抽真空装置(图中未示出) 联通。将晶圆放置在台盘3的上表面时，启动第四抽真空装置，可通过第六气孔316和第四 气孔34将晶圆4边缘紧密吸附在第三密封圈33上，使第二凹槽32内形成第二密封腔。通 过第二抽真空装置可调节第二凹槽32内的气体压力。降低第二凹槽32内的真空度，可增 加其内的气体压力；增加第二凹槽32内的真空度，可减小其内的气体压力。为晶圆贴膜时，如图2所示，通过真空吸附将晶圆4固定在台盘3的上表面，第二 凹槽32形成第二密封腔。将框架(图中未示出)和薄膜(图中未示出)放置在基座1的 上表面，利用磁铁15的吸附力使框架牢固固定。将上盖2盖在基座1上，形成三个密封腔， 第一密封腔是晶圆4与薄膜之间的第一凹槽11内；第二密封腔是晶圆4下方的第二凹槽32 内；第三密封腔是薄膜与副盖25之间。利用各个抽真空装置，分别调整三个密封腔内的气 体压力，使第一密封腔内的真空度大于第二真空腔内的真空度，晶圆4下表面受到的气体 压力大于上表面受到的气体压力，因此，可将晶圆4压向薄膜。由于晶圆边缘被吸附固定， 因此，晶圆将从中心开始拱起，从中心开始与薄膜接触，薄膜具有一定的粘附性，晶圆中心 与薄膜接触后两者粘贴在一起。解除对晶圆边缘的吸附力后，晶圆下表面受到的压力将晶 圆推向薄膜，整个被粘贴在薄膜上。
在晶圆中心拱起与薄膜接触时直至晶圆贴覆在薄膜上，薄膜将承受来自晶圆的压 力，此压力会使薄膜变形，变形过大会影响贴膜效果。副盖25位于薄膜上方，可为薄膜提供 一定的支撑力，可防止薄膜变形过大而损坏。另外，还可以调整薄膜与副盖之间的第三密封 腔内的真空度使其小于第一密封腔内的真空度，也可以对薄膜上表面施加一定的压力，以 缓冲晶圆对薄膜向上的压力，减小薄膜的变形程度。即使不利用第三密封腔内的气体压力 支撑薄膜，同样可以实现本发明的目的，本实施例优选采用副盖25支撑薄膜。本实施例中，台盘3的第二凹槽32，位于晶圆4背向薄膜的一侧。本实施例中，将上盖2分为主盖M和副盖25，设置第四凹槽沈联通第三气孔23 和通孔27 ；并设置第五凹槽四联通第一气孔21和第三凹槽13，使得对上盖2的制造精度 及组装精度要求降低，安装更加容易。本实施例中，如上盖2采用一体式设计，第一气孔21 直接与第三凹槽13对准，第三气孔23直接通向上盖2与薄膜之间，同样可实现本发明的目 的。本实施例中采用抽真空方式调节各密封腔内的气体压力，降低了各密封腔内的气 体含量，更容易防止出现气泡。实施例2将实施例1中的第二抽真空装置更换为第二气体压缩机，第二气体压缩机与第二 凹槽联通，省略第三凹槽13、第一气孔21、第一抽真空装置、第三气孔23及第三抽真空装 置。第二气体压缩机可通过第二气孔向第二凹槽32内吹入压缩气体，在晶圆放置在台盘3 上表面时，第二气体压缩机可调整第二凹槽32内的气体压力。由于晶圆与薄膜之间气体压 力不变，只要增加第二凹槽32内的气体压力，就可以将晶圆压向薄膜，而且由于晶圆边缘 被吸附固定，晶圆从中心部位拱起先与薄膜接触，且自中心开始向边缘逐渐与薄膜接触，直 至解除吸附晶圆边缘的吸力，晶圆整体与薄膜粘贴在一起。实施例3将实施例1中的第二抽真空装置更换为第二气体压缩机，第二气体压缩机与第二 凹槽联通，省略第三凹槽13和第一气孔21，第三抽真空装置更换为第三气体压缩机，第三 气体压缩机与第三气孔23联通。气体压缩机可通过第二气孔向第二凹槽32内吹入压缩气 体，在晶圆放置在台盘3上表面时，第二气体压缩机可调整第二凹槽32内的气体压力。由 于晶圆与薄膜之间气体压力不变，只要增加第二凹槽32内的气体压力，就可以将晶圆压向 薄膜，而且由于晶圆边缘被吸附固定，晶圆从中心部位开始拱起与薄膜接触，且自中心开始 向边缘逐渐与薄膜接触，直至吸附晶圆边缘的真空吸力消失，晶圆整体与薄膜粘贴在一起。 从晶圆与薄膜一开始接触后，第二凹槽内的气体压力会通过晶圆传递至薄膜，为防止薄膜 在压力存在下变形过大，第三气体压缩机通过第三气孔增大薄膜与副盖之间的气体压力， 可防止薄膜变形过大。实施例2和3中，也可以将第一抽真空装置更换为第一气体压缩机，通过第一气体 压缩机调节晶圆与薄膜之间的气体压力，可防止晶圆下侧的气体压力过大而损坏晶圆。以上各实施例中的各零部件，可在不影响发明目的的情况下进行另外的组合。本发明虽然适于为超薄晶圆贴膜，但并非仅限于为超薄晶圆贴膜。本发明中的实施例仅用于对本发明进行说明，并不构成对权利要求范围的限制， 本领域内技术人员可以想到的其他实质上等同的替代，均在本发明保护范围内。
权利要求
1.适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在贴膜时，提供一压力将晶圆推向薄 膜，使薄膜与晶圆粘贴在一起。
2.根据权利要求1所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，固定晶圆的 边缘，对晶圆施加压力，使晶圆中心区域首先与薄膜接触，再解除固定晶圆的边缘的力，使 整个晶圆与薄膜粘贴在一起。
3.根据权利要求1所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，利用压力将 晶圆推向薄膜是通过使晶圆背向薄膜一侧的气体压力大于晶圆与薄膜之间的气体压力实 现。
4.根据权利要求3所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，提供一具有 第二凹槽的台盘；将晶圆放置在台盘上，使所述的第二凹槽形成第二密封腔；将薄膜放置 在晶圆上方，并在晶圆与薄膜之间形成第一密封腔；利用压力将晶圆推向薄膜是通过使第 二密封腔内的气体压力大于第一密封腔内的气体压力实现。
5.根据权利要求4所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，晶圆放置到 台盘上后，将晶圆的边缘固定在台盘上。
6.根据权利要求5所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，采用真空吸 附方式将晶圆边缘固定在台盘上。
7.根据权利要求5或6所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，第二密封 腔内的气体压力使晶圆拱起，从而使晶圆中部先与薄膜接触，解除对薄膜边缘的固定力，第 二密封腔内的气体压力将整个晶圆推向薄膜，使整个晶圆与薄膜粘贴在一起。
8.根据权利要求4所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，使晶圆背向 薄膜一侧的气体压力大于晶圆与薄膜之间的气体压力之前，移动晶圆使其与薄膜具有合适 的距离。
9.根据权利要求4所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在薄膜上方， 形成第三密封腔，第三密封腔内的气体压力可调。
10.根据权利要求3所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在晶圆与薄 膜粘贴过程中，调整薄膜背向晶圆一侧的气体压力，使薄膜背向晶圆一侧的气体压力抵消 一部分晶圆对薄膜的压力。
11.根据权利要求3所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，所述压力是 通过调整晶圆背向薄膜一侧的真空度和晶圆与薄膜之间的真空度，使晶圆背向薄膜一侧的 真空度小于晶圆与薄膜之间的真空度来实现。
12.根据权利要求3所述的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，所述压力是 通过向晶圆背向薄膜的一侧吹入压缩气体，使晶圆背向薄膜一侧的气体压力大于晶圆与薄 膜之间的气体压力来实现。
13.贴膜装置，其特征在于，包括基座，所述基座设置第一凹槽；第一凹槽内设置有台 盘，第一凹槽与可调节第一凹槽内的气体压力的第一调节装置联通；所述台盘设置有第二 凹槽；第二凹槽与可调节第二凹槽内的气体压力的第二调节装置联通。
14.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述的台盘与升降装置连接，台盘 可移动地安装在第一凹槽内。
15.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，还包括上盖，上盖可盖在基座上并可打开地安装。
16.根据权利要求15所述的贴膜装置，其特征在于，上盖可移动地设置在基座上方；上 盖可远离基座、也可靠近基座直至盖在基座上。
17.根据权利要求15所述的贴膜装置，其特征在于，还包括可将基座与上盖之间密封 的第一密封圈，第一密封圈设置在基座上或上盖上。
18.根据权利要求15所述的贴膜装置，其特征在于，所述的上盖设置有第一气孔，第一 气孔与第一凹槽联通；第一气孔与第一调节装置联通。
19.根据权利要求18所述的贴膜装置，其特征在于，所述的基座的内壁设置有第三凹 槽，第三凹槽与第一凹槽联通；当上盖盖在基座上时，第三凹槽与第一气孔位置相对，第一 调节装置通过第一气孔、第三凹槽与第一凹槽联通；所述的上盖设置有第二密封圈，当上盖 盖在基座上时，第一气孔位于第一密封圈与第二密封圈之间。
20.根据权利要求19所述的贴膜装置，其特征在于，所述上盖设置有第三气孔，第三气 孔设置在第二密封圈内侧；第三气孔与可调节气体压力的第三调节装置联通；上盖盖在基 座上时，第二密封圈可压靠在基座上放置的薄膜上，第三调节装置可调节薄膜与上盖之间 的气体压力。
21.根据权利要求20所述的贴膜装置，其特征在于，所述的第三调节装置为第三抽真空装置。
22.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述的台盘上设置有第四气孔，第 四气孔与第四抽真空装置联通。
23.根据权利要求22所述的贴膜装置，其特征在于，台盘上表面设置有第三密封圈，第 四气孔设置于第三密封圈上。
24.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述第二凹槽内设置有第二气孔， 第二气孔与第二调节装置联通。
25.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述第一调节装置为第一抽真空装置。
26.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述第二调节装置为第二抽真空装置。
27.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述第一调节装置为第一气体压 缩机。
28.根据权利要求13所述的贴膜装置，其特征在于，所述第二调节装置为第二气体压 缩机。
全文摘要
本发明公开了一种适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法，其特征在于，在贴膜时，提供一压力将晶圆推向薄膜，使薄膜与晶圆粘贴在一起。本发明中的适于为超薄晶圆贴膜的贴膜方法及贴膜装置，采用对晶圆施加压力，使其贴向薄膜。晶圆受到的压力可以将晶圆与薄膜牢固粘贴在一起。在贴膜时，薄膜可以为晶圆提供支撑力，防止晶圆变形过大而破裂。因此，利用本发明方法和装置贴膜，可有效避免超薄晶圆破裂的问题。
文档编号H01L21/00GK102082078SQ201010517200
公开日2011年6月1日 申请日期2010年10月22日 优先权日2010年10月22日
发明者周曙国, 张明星 申请人:上海技美电子科技有限公司