专利名称：半导体器件和通信方法
技术领域：
本发明涉及一种半导体器件以及通信方法，其中半导体器件是通过将具有电感器 的半导体芯片设置在安装板上并且用树脂将其密封而获得的。
背景技术：
半导体器件和外部之间的通信通常是通过线缆进行的。然而，近年来，已经研究了 通过在半导体芯片中提供电感器并使电感器与外部的电感器电感耦合来进行半导体器件 和外部之间的无线通信。例如，日本未审专利公布NO. 2003-068941公开了将具有电感器的半导体芯片安 装在安装板上，利用键合线彼此连接半导体芯片和安装板，并且利用磁性树脂材料来密封 半导体芯片和键合线。另外，日本未审专利公布NO. 2007-066960公开了在密封安装板上的键合线和半 导体芯片的密封树脂层的上部中嵌入散热构件。为了提高在利用两个电感器的电感耦合进行通信时的通信精确度，需要缩短两个 电感器之间的距离。在一个电感器被提供在半导体芯片中并且该电感器和外部电感器电感 耦合以进行通信的情况下，如果使密封半导体芯片的密封树脂层变厚，会增加两个电感器 之间的距离。另一方面，如果简单地使密封树脂层变薄，则不能充分保证密封树脂层所需的 物理保护功能。
发明内容
在一个实施例中，提供一种半导体器件，包括安装板；半导体芯片，所述半导体 芯片被设置在安装板的第一表面处；电感器，所述电感器提供在半导体芯片的没有面对安 装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信；密封树脂层，所述密封树脂层被 形成在安装板的第一表面处，以便密封半导体芯片；以及凹部或开口，所述凹部或开口被提 供在密封树脂层中，并且当在平面图中观看时在内部包括电感器。根据本发明的实施例，该凹部或开口被形成在密封树脂层中。此外，通过使密封 树脂层在除了凹部或开口之外的区域中变厚，可以确保密封树脂所需的物理保护功能。另 外，该凹部或开口包括电感器，所述电感器被提供在半导体芯片中，当在平面图中观看时处 于凹部或开口的内部。因此，通过将作为半导体芯片中提供的电感器的通信伙伴的外部电 感器设置在该凹部或开口中，可以缩短半导体芯片中提供的电感器与外部电感器之间的距离。在另一实施例中，提供一种通信方法，包括制备半导体器件，该半导体器件包括 安装板、在安装板的第一表面处设置的半导体芯片、在半导体芯片的没有面对安装板的表 面侧处提供以便在半导体芯片与外部之间进行通信的感应器、在安装板的第一表面处形成以便密封半导体芯片的密封树脂层以及在密封树脂层中提供并且当在平面图中观看时内 部包括电感器的凹部或开口 ；以及在外部电感器与半导体器件的电感器之间进行通信，所 述外部电感器位于半导体器件的凹部或开口中，使得外部电感器与半导体器件进行通信。根据本发明的实施例，可以缩短在半导体芯片中的电感器与外部电感器之间的距 离，而不损害密封树脂层所需的物理保护功能。
结合附图对下面的某些优选实施例进行的描述，本发明的上述和其他的目的、优 点和特征将变得更明显，其中图1是示出根据第一实施例的半导体器件的构造的横截面图；图2是示出图1中所示的半导体器件的平面图；图3A和;3B是示出图1和2中所示的制造半导体器件的方法的横截面图；图4是示出图1和2中所示的半导体器件的使用状态的图；图5是示出根据第二实施例的半导体器件的构造的横截面图；图6是示出根据第三实施例的半导体器件的构造的横截面图；图7是示出根据第四实施例的半导体器件的构造的横截面图；图8是示出图7中所示的半导体器件的平面图；图9是示出图7中所示的半导体器件的第一改进例的横截面图；图10是示出图9中所示的半导体器件的平面图；图11是示出图7中所示的半导体器件的第二改进例的平面图；图12是示出图7中所示的半导体器件的第三改进例的平面图；图13是示出图7中所示的半导体器件的第四改进例的平面图；图14是示出图7中所示的半导体器件的第五改进例的平面图；图15是示出图7中所示的半导体器件的第六改进例的横截面图；图16是示出根据第五实施例的半导体器件构造的横截面图；图17是示出图16中所示的半导体器件的使用状态的横截面图18是示出根据第六实施例的半导体器件构造的横截面图；图19是示出根据第七实施例的半导体器件构造的横截面图；图20是示出根据第八实施例的半导体器件的使用状态的横截面图；图21是示出根据第九实施例的半导体器件构造的横截面图；以及图22是示出根据第六实施例的半导体器件的使用状态的横截面图。
具体实施例方式现在，这里将参考示例性实施例来描述本发明。本领域的技术人员应该认识到利 用本发明的教导可以实现许多可替选的实施例，并且本发明不限于以说明为目的而示出的 实施例。在下文中，将参考附图来描述本发明的实施例。另外，在所有图中，相同的组件用 相同的附图标记来表示，并且将不再重复说明。图1是示出根据第一实施例的半导体器件的构造的横截面图，以及图2是示出图1中所示的半导体器件的平面图。图1相当于是沿着图2的线A-A'的横截面图。该半导 体器件包括安装板100、半导体芯片10、电感器20和密封树脂层300。半导体芯片10被设 置在安装板100的第一表面上，并且在它们之间插入了安装材料(未示出)，诸如Ag浆料或 DAF(管芯附着膜)。半导体芯片10被设置成其有源表面向上。电感器20被提供在有源表 面侧，即，在半导体芯片10的没有面对安装板的表面侧处，以便进行半导体芯片10和外部 之间的通信。密封树脂层300被形成在安装板100的第一表面上，以便密封半导体芯片10。 另外，凹部或开口(在本实施例中，凹部310)被提供在密封树脂层300中。当在平面图中 观看时，该凹部310包括处于其内部的电感器20。当在平面图中观看时，例如，凹部310的 面积等于或大于整个密封树脂层300的1 %，并且等于或小于整个密封树脂层300的70 %。 此外，在下面的平面图中，形成凹部310的密封树脂层300的区域没有划阴影。当在平面图中观看时，凹部310的整个区域位于半导体芯片10的内部，并且凹部 310没有连接到密封树脂层300的任何一个侧表面。凹部310的底表面312被优选形成为 平坦表面。具体地，优选的是，底表面312被形成为平坦表面，其近似地平行于半导体芯片 10的有源表面。此外，密封树脂层300的顶表面302(除了凹部310之外)是平坦表面，并 且优选的是凹部310的底表面312也平行于密封树脂层300的顶表面302。半导体器件具有多个键合线200。多个键合线200将例如电极焊盘(未示出)的 半导体芯片10的外部连接端子连接到安装板100。凹部310与键合线200中的任一个不 重叠。此外，当从密封树脂层300的厚度方向看时，凹部310的底表面312被设置成比键合 线200的顶点202更靠近密封树脂层300的顶表面302。另外，键合线200由选自包括Au、 Cu和Al的组的至少一种金属形成，或者包含选自该组的至少一种金属作为主要成分(也就 是，重量方面大于50% )。此外，多个外部连接端子102，例如，由Sn-Ag-Cu形成的多个凸块被提供在安装板 100的底表面上。外部连接端子102通过在安装板100中提供的互连(未示出)和通孔(未 示出)以及键合线200被连接到半导体芯片10。图3A和:3B是示出图1和2中所示的半导体器件的制造方法的横截面图。首先， 如图3A所示，制备安装板100。在这种状态下，安装板100具有成为多个半导体器件的部分 彼此连接的形状。然后，将半导体芯片10设置在安装板100上，用于成为半导体器件的每 个部分。然后，利用键合线200，将多个半导体芯片10中的每个连接到安装板100的互连。然后，在安装半导体芯片10的状态下，将安装板100设置在作为密封管芯的下铸 模410中。然后，在下铸模410和安装板100上设置与下铸模410相对应的上铸模400。在 上铸模400的内表面的天花板部分中提供多个突起402。突起402具有平坦的顶端(tip)。 在平面图中观看时，该平坦部分与半导体芯片10的电感器20重叠。另外，在突起402的顶 端和半导体芯片10的有源表面之间有间隙。随后，将密封树脂注入到下铸模410和上铸模400之间的空间。结果，形成密封树 脂层300。在该状态下，密封树脂层300没有形成在设置突起402的部分中。然后，如图:3B所示，去除下铸模410和上铸模400。在该状态下，凹部310形成在 密封树脂层300的设置上铸模400的突起402的部分中。然后，形成外部连接端子102。然 后，通过沿着切割线移动切割刀片420，来切割安装板100。结果，多个半导体器件被切开， 并且彼此分离。
图4是示出图1和2中所示的半导体器件的使用状态的图。该半导体器件与电子 器件500配对使用。电子器件500具有通信头510。通信头510具有电感器512。当在平 面图中观看时，通信头510小于凹部310。通过将通信头510设置在凹部310的内，电感器 512和电感器20彼此面对，以便电感耦合。因此，在半导体器件和电子器件500之间进行通另外，电子器件500具有用于将通信头510设置在凹部310中并且从凹部310中 将其移回的移动机构(未示出)。接下来，将描述本实施例的操作和效果。密封树脂层300所需的物理保护功能包 括保护半导体芯片10防止受损或变形的功能，防止湿气渗入半导体器件的功能以及为了 使半导体器件容易处理而增加整个半导体器件硬度的功能。另外，密封树脂层300具有确 保半导体器件中引线或电极之间的绝缘的功能，确保半导体器件的内部和外部之间的绝缘 的功能以及作为显示产品信息的压印(stamp)区域的功能。在本实施例中，凹部310被形成在密封树脂层300中。此外，通过加厚除了凹部 310之外的区域中的密封树脂层300厚度，可以保证密封树脂层300所需的上述功能。另 外，通过将除了凹部310之外的密封树脂层300的区域设定为显示产品信息的压印区域，例 如，当通过部分地挖取密封树脂层300来放置压印时，诸如在激光冲压中，可以防止半导体 芯片10和键合线200中的至少一个被密封树脂层300暴露。另外，当在平面图中观看时，凹部310在其内部包括在半导体芯片10中提供的电 感器20。因此，通过将作为电感器20的通信伙伴的电感器512设置在凹部310中，可以减 小电感器20和电感器512之间的距离。此外，在本实施例中，凹部310没有被连接到密封树脂层300的任何一个侧表面。 为此，可以使密封树脂层300的整个外围边缘厚。因此，由于密封树脂层300的外围边缘用 作凹部310的保护部，所以即使提供凹部310，也不降低半导体器件的加工容易度。另外，由于能够使密封树脂层300的整个外围边缘厚，所以可以抑制由于凹部310 导致的整个半导体器件硬度降低。因而，在将安装板分成半导体器件之前的步骤中，在焊接 期间的回流工艺中等，可以抑制由安装板100或半导体器件的翘曲造成的半导体器件生产 率降低。另外，存在键合线200的顶点202的高度变化。因此，如果凹部310与键合线200 重叠，则键合线200的顶点202会从密封树脂层300暴露。另一方面，在本实施例中，由于 如上所述凹部310没有与键合线200重叠，所以可以防止键合线200的顶点202从密封树
脂层300暴露。形成密封树脂层300的树脂包括由S^2等形成的填充物。在该填充物中，存在颗 粒直径的变化。此外，如果具有大颗粒直径的填充物被设置在凹部310下方，半导体芯片10 或键合线200的表面会被填充物损伤。另一方面，在本实施例中，当在平面图中观看时，凹 部310小于半导体芯片10，并且凹部310的整个区域位于半导体芯片10中。因此，与凹部 310制造得比半导体芯片10大的情况或者整个密封树脂层300制作得薄的情况相比，可以 防止半导体芯片10的表面被填充物损坏。另外，由于凹部310不与键合键合线200重叠， 所以也可以防止键合线200被填充物损伤。图5是示出根据第二实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且相当于第一实施例中的图1。除了在从密封树脂层300的厚度方向看时凹部310形成得深并且凹部310 的底表面312被设置成比键合线200的顶点202更靠近半导体芯片10之外，根据本实施例 的半导体器件具有与根据第一实施例的半导体器件相同的构造。还在本实施例中，可以实现与第一实施例中的效果相同的效果。另外，由于凹部 310的底表面312被设置得更靠近半导体芯片10，所以可以进一步缩短电感器20和外部电 感器之间的距离。图6是示出根据第三实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且相当于第一实 施例中的图1。除了在密封树脂层300中而不是在凹部310中提供开口 311之外，根据本实 施例的半导体器件具有与根据第一实施例的半导体器件的构造相同的构造。通过增加图3A中所示的突起402的高度使得突起402的顶端与半导体芯片10的 有源表面接触，可以形成开口 311。此外，在本实施例中，如果突起402通过弹性体(例如， 弹簧)被固定到上铸模400的主体，或者由弹性材料来形成突起402，则在突起402的顶端 与半导体芯片10的有源表面接触时，可以防止半导体芯片10被损伤。还在本实施例中，可以实现与第一实施例的效果相同的效果。另外，由于密封树脂 层300没有形成在位于电感器20上方的部分中，所以可以进一步缩短电感器20和外部电 感器之间的距离。图7是示出根据第四实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且图8是示出图 7中所示的半导体器件的平面图。图7和8分别相当于第一实施例中的图1和图2。除了 在平面图中观看时凹部310被提供在半导体芯片10的一侧12上方之外，根据本实施例的 半导体器件具有与根据第一实施例的半导体器件的构造相同的构造。还在本实施例中，可以实现与第一实施例中的效果相同的效果。另外，由于凹部 310的平面形状可以制造得比第一实施例中的更大，所以变得容易定位与凹部310中的电 感器20进行通信的电感器512 (如图4所示)。另外，由于提高了凹部310的布局中的自由 度，所以提高具有电感器512的通信头510 (如图4所示)的形状或布置的自由度。此外，在本实施例中，像如图9的横截面图和图10的平面图所示的那样，凹部310 可以被连接到密封树脂层300的侧表面303。在这种情况下，通过从侧表面303侧平行于安 装板100滑动通信头510，可以使具有电感器512的通信头510(如图4所示)面向半导体 芯片10的电感器20。因此，即使在电子器件500中不提供上下移动通信头510的移动机 构，也可以使电感器512面对电感器20 (如图4所示)。另外，通过在与切割线重叠的位置处上布置图3A中所示的突起402，可以形成图9 和10中所示的凹部310。另外，如图11的平面图所示，凹部310可以形成在半导体芯片10的两个相对侧14 和16上方。另外，如图12的平面图所示，电感器20的中间可以靠近半导体芯片10的一侧12。 在这种情况下，由于可以使凹部310的面积小，所以可以进一步抑制密封树脂层300的强度 降低。另外，可以确保显示产品信息的压印区域在宽面积上方。另外，如图13的平面图所示，凹部310可以被形成为不仅连接到密封树脂层300 的侧表面303而且连接到另一侧表面304，所述侧表面304被连接到侧表面303和由侧表面 303和304形成的顶点。
另外，如图14的平面图所示，凹部310可以被形成为连接到密封树脂层300的两 个相对侧表面304和305这两者。另外，如图15的横截面图所示，凹部301的侧表面314可以在底表面312的面积 小于凹部的开口面积的方向上倾斜。在这种情况下，当形成密封树脂层300时，图3A中所 示的突起402与密封树脂层300容易地分离。图16是示出根据第五实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且相当于第一 实施例中的图1。除了凹部310的侧表面314在向内突出的方向上倾斜并且底表面312的 面积小于凹部的开口面积之外，根据本实施例的半导体器件具有与根据第一实施例的半导 体器件的构造相同的构造。图17是示出图16中所示的半导体器件的使用状态的横截面图。如图16和17所 示，由于凹部310的侧表面314是倾斜的，所以侧表面314可以用作通信头510的定位部。 也就是，由于通信头510被插入在凹部310中直到使其与侧表面314接触，所以通信头510 以三维方式精确地定位。因此，根据本实施例，不仅可以实现与第一实施例的效果相同的效果，而且通信头 510的电感器512可以被制造成面对半导体芯片10的电感器20。结果，可以抑制电感器20 和512之间的耦合系数降低。另外，可以防止通信头500与凹部310的底表面312错误地 接触。此外，由于可以使凹部310的侧表面314和密封树脂层300的顶表面302之间的 分界线具有钝角，所以可以防止在该部分中产生断裂。另外，由于侧表面314倾斜，所以在 形成密封树脂层300时，容易使图3A中所示的突起402与密封树脂层300分离。图18是示出根据第六实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且相当于第五 实施例中的图16。除了凹部310的侧表面314在整个外围上以阶梯方式形成之外，根据本 实施例的半导体器件具有与根据第五实施例的半导体器件的构造相同的构造。还在本实施例中，可以实现与第一实施例中的效果相同的效果。此外，由于凹部 310的侧表面314的阶梯部向凹部310的内部突出，所以通过使通信头510(如图17所示) 与阶梯部接触，可以使通信头510的电感器512和半导体芯片10的电感器20以高精度彼 此面对。结果，可以抑制电感器20和512之间耦合系数的降低。另外，可以防止通信头510 与凹部310的底表面312的错误地接触。图19是示出根据第七实施例的半导体器件的构造的横截面图，并且相当于第一 实施例中的图1。除了在平面图中观看时凹部310与键合线200的至少一部分(例如包括 顶点202的部分)重叠之外，根据本实施例的半导体器件具有与根据第一实施例的半导体 器件的构造相同的构造。还在本实施例中，通过使除了凹部310之外的区域中将密封树脂层300制作得厚， 可以保证密封树脂层300所需的每个功能。另外，通过将作为电感器20的通信伙伴的电感 器512 (如图17所示)设置在凹部310中，可以减少电感器20和电感器512之间的距离。 另外，可以抑制由凹部310引起的整个半导体器件的硬度降低。图20是用于说明根据第八实施例的半导体器件的使用状态的横截面图。在图20 中，作为通信头510 —部分的半导体器件600位于半导体器件的凹部310中。半导体器件 600具有如下构造具有电感器512的半导体芯片620被安装在安装板610上，并且通过密封树脂层630来密封安装版610上的半导体芯片620。凹部632被形成在密封树脂层630 的表面层中。当在平面图中观看时，凹部632包括处于其内部的电感器512。根据本实施例，即使作为半导体芯片10的通信伙伴的半导体器件600和具有半导 体芯片10的半导体器件的尺寸不同，作为半导体芯片10的通信伙伴的半导体器件600也 具有与具有半导体芯片10的半导体器件的构造相同的构造。从而，半导体器件600和具有 半导体芯片10的半导体器件能够被处理和制造为相同模块。另外，由于凹部632也被形成 在半导体器件600的密封树脂层630中，所以可以抑制由密封树脂层630引起的在电感器 512和20之间产生的磁场的衰减。从而，降低了在电感器512和20之间产生通信错误的可 能性。图21是示出根据第九实施例的半导体器件的构造的平面图。该半导体器件除了 下面几点之外具有与图13示出的半导体器件的构造相同的构造。首先，当在平面图中观看时，凹部310被形成为分别连接到安装板100的两个相邻 顶点、在两端具有两个顶点的边103以及作为一端的具有两个顶点的边104和105的一部 分。此外，在图21中，半导体芯片10的中间被设置成比安装板100的中间更靠近边103。图22是示出沿着图21的线A-A'的截面以及作为通信伙伴的半导体器件600的 图。在图22中，使用与图20相同的附图标记来指示半导体器件600的组成组件。在图22 中，除了尺寸区别之外，半导体器件600具有与图21示出的半导体器件的构造相同的构造。 因而，可以使具有半导体芯片10的半导体器件和半导体器件600彼此面对，使得凹部310 和632彼此重叠。通过这种方式，由于可以进一步缩短电感器20和512之间的距离，所以 即使电感器20和512制造得小，也可以使要产生通信错误的可能性低。此外，在本实施例中，如果具有半导体芯片10的半导体器件和半导体器件600中 的一个比另一个大，那么一个半导体器件的密封树脂层的构造可以制造成如图9和10所示 的构造那样。还在这种情况下，如图22所示，具有半导体芯片10的半导体器件和半导体器 件600可以制造成彼此面对，使得凹部310和632彼此重叠。虽然参考附图已经描述了本发明的实施例，但这些仅是本发明的的示例，并且还 可以采用各种其他构造。例如，在上述的每个实施例中，可以在密封树脂层300中提供虚置 凹部。优选地，该虚置凹部被提供在相对于密封树脂层300的中间与凹部310点对称或线 对称的位置处。以这种方式，通过虚置凹部，可以降低由凹部310引起的热应力。另外，在安装板100上可以安装除了半导体芯片10之外的元件(例如，半导体芯 片)，或者可以在安装板100上安装多个半导体芯片10。在这种情况下，优选的是，密封树 脂层300同时密封半导体芯片10和其他元件。另外，当安装多个半导体芯片10时，一些半 导体芯片10可以用于信号传送，并且剩余的半导体芯片10可以用于信号接收。此外，虽然在上述的每个实施例中半导体器件具有球栅阵列(BGA)结构，但是还 可以采用四方扁平封装(QFP)结构、针脚栅格阵列(PGA)结构、接点栅格阵列(Land Grid Array, LGA)结构、双列直插封装(DIP)结构或在同一安装板100上提供半导体芯片10和 其他组件的模块。可替选地，还可以采用将半导体芯片10安装在另一半导体芯片上的芯片 上芯片结构。具体地，在PGA结构、LGA结构或DIP结构的情况下，可以减小在安装板100上安装 半导体芯片10时的固定高度的变化。结果，可以提高电感器20的高度的精确度，也就是，电感器20和512之间的距离的精确度。此外，在模块的情况下，具有电感器20的半导体芯片10的安装位置可以改变。在 这种情况下，通过利用密封树脂层300的凹部310作为用于定位的基准，能够提高电感器20 和512之间的相对位置的精确度。此外，当比半导体芯片10更厚的组件与半导体芯片10 一起安装在安装板100上时，需要加厚密封树脂层300。然而，在这种情况下，通过提供凹部 310，可以抑制电感器20和512之间的距离增加。另外，当形成开口 311时，可以预先在半导体芯片10上方设置虚置块，并在形成密 封树脂层300之后去除该虚置块，代替在上铸模400中形成突起402。在这种情况下，由于 虚置模块的位置可以利用半导体芯片10作为基准来设定，所以可以提高开口 311与电感器 20的相对位置的精确度。另外，优选弹性体作为虚置块。此外，通过将密封树脂层300的顶表面形成为平坦的，然后去除密封树脂层300的 顶表面的一部分，代替在形成凹部310时在上铸模400中形成突起402，来形成凹部310。此外，可以提供电容耦合型元件，如电极板，代替电感器20。显然，本发明不限于上述实施例，但是在没有偏离本发明的范围和精神的前提下， 可以进行修改和改变。
权利要求
1.一种半导体器件，包括 安装板；半导体芯片，所述半导体芯片被设置在所述安装板的第一表面处； 电感器，所述电感器被提供在所述半导体芯片的不面对所述安装板的表面侧处，以便 在所述半导体芯片与外部之间进行通信；密封树脂层，所述密封树脂层被形成在所述安装板的所述第一表面处，以便密封所述 半导体芯片；以及凹部或开口，所述凹部或开口被提供在所述密封树脂层中，并且当在平面图中观看时， 所述凹部或开口包括位于内部的所述电感器。
2.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，当在平面图中观看时，所述凹部或所述开口的整个区域位于所述半导体芯片的内部。
3.根据权利要求2所述的半导体器件，进一步包括键合线，所述键合线使所述半导体芯片和所述安装板相互连接， 其中，当在平面图中观看时，所述凹部与所述键合线不重叠。
4.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括键合线，所述键合线使所述半导体芯片和所述安装板相互连接， 其中，当从所述密封树脂层的厚度方向看时，所述凹部的底表面被设置成比所述键合 线的顶点更靠近所述半导体芯片。
5.根据权利要求1所述的半导体器件，进一步包括多个键合线，所述多个键合线使所述半导体芯片和所述安装板相互连接， 其中，当在平面图中观看时，所述凹部仅与所述半导体芯片的一部分外围重叠，并且所 述多个键合线不形成在与所述凹部相重叠的区域中。
6.根据权利要求1所述的半导体器件，其中，所述凹部的侧表面的至少一部分向所述凹部的内部突出。
7.根据权利要求6所述的半导体器件，其中， 所述凹部的所述侧表面是倾斜的。
8.根据权利要求6所述的半导体器件，其中， 所述凹部的所述侧表面被以阶梯状形式来形成。
9.一种通信方法，包括制备半导体器件，所述半导体器件包括 安装板；半导体芯片，所述半导体芯片被设置在所述安装板的第一表面处； 电感器，所述电感器被提供在所述半导体芯片的不面对所述安装板的表面侧，以便在 所述半导体芯片和外部之间进行通信；密封树脂层，所述密封树脂层被形成在所述安装板的所述第一表面处，以便密封所述 半导体芯片；以及凹部或开口，所述凹部或开口被提供在所述密封树脂层中，并且当在平面图中观看时， 所述凹部或开口包括位于内部的所述电感器；以及在外部电感器与所述半导体器件的所述电感器之间进行通信，所述外部电感器位于所述半导体器件的所述凹部或所述开口中以使得该外部电感器与所述半导体器件进行通信。
全文摘要
本发明提供一种半导体器件和通信方法。半导体芯片设置在其有源表面向上的安装板的第一表面上。电感器被提供在有源表面侧，也就是，被提供在半导体芯片的不面对安装板的表面侧处，以便在半导体芯片和外部之间进行通信。密封树脂层被形成在安装板的第一表面上，以便密封半导体芯片。另外，凹部或开口(在本实施例中的凹部)被提供在密封树脂层中。当在平面图中观看时，凹部在其内部包括电感器。
文档编号H01L21/56GK102142404SQ201010593030
公开日2011年8月3日 申请日期2010年12月14日 优先权日2009年12月15日
发明者中柴康隆, 小川健太 申请人:瑞萨电子株式会社