专利名称：太阳能电池及其制作方法
技术领域：
本发明涉及一种太阳能电池及其制作方法，特别是涉及一种具有选择性发射极结构的太阳能电池及其制作方法。
背景技术：
太阳能电池受光照后，电池吸收一个能量大于带隙宽度的入射光子后产生电子-空穴对，电子和空穴分别激发到导带与价带的高能态。在激发后的瞬间，电子和空穴在激发态的能量位置取决于入射光子的能量。处于高能态的光生载流子很快与晶格相互作用，将能量交给声子而回落到导带底与价带顶，这过程也称作热化过程，热化过程使高能光子的能量损失了一部分。热化过程后，光生载流子的输运过程(势垒区或扩散区)中将有复合损失。最后的电压输出又有一次压降，压降来源于与电极材料的功函数的差异。由上述分析，太阳能电池效率受材料、器件结构及制备工艺的影响，包括电池的光损失、材料的有限迁移率、复合损失、串联电阻和旁路电阻损失等。对于一定的材料，电池结构与制备工艺的改进对提高光电转换效率是重要的。一般来说太阳能电池制备工艺主要经过以下几个过程，以硅片为例说明1、硅片的表面处理硅片的表面准备是制造硅太阳电池的第一步主要工艺，它包括硅片的化学清洗和表面腐蚀。当把掺杂好的硅锭按要求切割成符合生产要求的硅片后， 首先要对其表面处理，因为切割后硅片表面可能有尘埃，金属离子及其他无机物和油脂等有机物，在切割时还会产生一定的机械损伤层。经过酸性腐蚀和碱性腐蚀可以去除掉这些污染和损伤，使硅片表面光亮。之后，将硅片放入1. 2% -1. 5%的氢氧化钠溶液或其它酸性溶液中做金字塔绒面，使入射光在表面多次反射和折射，增加了光的吸收，提高了电池的效率。2、扩散制结制结过程是在一块基体材料上生成导电类型不同的扩散层，它和制结前的表面处理均是电池制造过程中的关键工序。扩散是物质分子或原子运动的一种现象。热扩散制P-N结的方法是通过高温使V族杂质渗入P型硅或III族杂质渗入N型硅。 硅太阳能电池最常用的V族杂质为磷，III族杂质最常用的为硼。对扩散的要求是获得适合于太阳能电池P-N结需要的结深和扩散层方块电阻。浅结死层小，电池短波效应好，而浅结引起串联电阻增加，只有提高栅电极的密度，才能有效提高电池的填充因子。这样就增加了工艺难度。结深太深，死层比较明显。如果扩散浓度太大，则引起重掺杂效应，使电池的开路电压和短路电流下降。在实际的电池制作中，考虑了多个方面的因素，因此太阳能电池的结深一般控制在0. 3 0. 5微米，方块电阻平均为20 70欧姆。目前，硅太阳能电池所用的主要热扩散方法是液态源扩散，这种工艺是通过气体携带的方法将杂质带如扩散炉内实现的。3、去边在扩散过程中，在硅片的周边表面也形成了扩散层，周边扩散层可以使电池的上下电极形成短路环，必须将它除去。周边上存在任何微小的局部短路都会使电池并联电阻下降，对电池的影响是致命的。去边的主要方法有腐蚀法、挤压法和离子干法刻蚀等。现在工业上最长使用的是等离子法，通入氮气、氧气和四氟化碳高压下产生辉光，通过氧离子和氟离子交替对硅作用，去掉扩散层周边的导同层。因为扩散中生成了 p、p2o5、sp2 和磷硅玻璃，现在用10%的HF溶液清洗2分钟，达到出去杂质玻璃的目的。4、制作减反射膜光照射到平面的硅片上，其中有一部分被反射，即使已经绒面的硅表面，也约有11%的反射损失，在硅表面覆盖一层减反射膜，可大大降低光的反射。 现在采用的喷涂法，它是利用高温在硅表面生成二氧化钛膜；还有一种喷涂的方法，是用 PECVD (等离子体化学气相沉淀)系统，它是由电脑控制，在真空、高压射频源条件下，使的氨气和硅烷气体电离，在硅表面形成氮化硅膜。5、电极制作电极就是与P-N结两端形成紧密欧姆接触的导电材料。这样的材料应该满足与硅可形成牢固的接触而且接触电阻小、导电性优良、遮挡面积小、收集效率高等要求。目前商品化电池生产中大量被采用的工艺是银浆或银铝浆印刷，而且该工艺已经走向成熟，栅线的宽高比已经大大减小，这与电池电极设计的原则——让电池的输出最大， 即电池的串联电阻尽可能小且电池的光照作用面积尽可能大是完全一致的。6、电极制作完毕，就到了下一个工序-烧结。烧结是太阳能单片电池的最后一道制作工序，此步中良好的温度曲线是关键，烧结时间要把握好，首先要低温让浆液中的混融剂等物质排除，加热或烧结到铝-硅共熔点以上烧结合金。经过合金化以后，随着降温，液相中的硅将重新凝固起来，形成含有一定量铝的再结晶层，它实际上是一个对硅进行掺杂的过程，它补偿了背面N+层中的施主杂质，得到以铝掺杂的P型层，随着合金温度的上升， 液相中的铝的比例增多，在足够的铝量合金温度下，背面甚至能形成与前方相同的电场，成为背电场，目前该工艺已被用于大批量的工业生产中，从而提高了开路电压和短路电流，并减小了电极接触电阻。背结能否烧穿与基本材料的电阻率、背面扩散层的掺杂浓度和厚度、 背面厚度或印刷铝层厚度、烧结的温度以及时间和温度等因素都有关系。温度过高会把电池的两极烧穿，严重损坏了电池，温度不够高不能保证电极的欧姆接触良好性，所以必须要有一个合适的温度去烧结。这样单片的太阳能电池片就完成了，最后到测试，然后是焊接和封装工艺。由于热扩散工艺中掺杂离子的浓度无法得到精确控制，导致太阳能电池的转换效率受到局限，无法高效地进行光电转换。而且采用热扩散工艺制备太阳能电池，其工艺步骤较多，导致生产效率的降低和成本的提高。
发明内容
本发明要解决的技术问题是为了克服现有技术太阳能电池转换效率低、热扩散工艺中掺杂离子的浓度无法得到精确控制且工艺步骤复杂、成本较高的缺陷，提供一种制程成本低、掺杂离子浓度得以精确控制以及光电转换效率高的具有选择性发射极结构的太阳能电池及其制作方法。本发明是通过下述技术方案来解决上述技术问题的一种太阳能电池的制作方法，其特点在于，其包括以下步骤步骤S1、加速P型离子并通过离子注入的方式在P型晶片背面形成P型局部掺杂区域，本领域技术人员可以根据实际需要选择适合的掺杂离子以及掺杂离子的浓度、能量等参数以得到合适的方块电阻；
步骤&、在P型晶片表面中形成N型掺杂层；步骤&、在P型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤、、在P型晶片表面形成表面电极；步骤&、在P型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置；步骤S6、将P型晶片在700--1100°C的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合，其中优选地，将P型晶片在850--1000°C的温度下烧结30秒至30分钟；其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。优选地，步骤S1还包括以下步骤步骤Sn、将掩模板置于该P型晶片的背面；步骤S12、加速P型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式将该P型离子从该 P型晶片背面注入，优选地，该P型离子被加速至lkeV-40keV，更优选地，该P型离子被加速至 5keV-30keV ；步骤S13、在P型晶片背面未被掩模板阻挡的区域形成P型局部掺杂区域，该P 型局部掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/ □，优选地，该P型局部掺杂区域的方块电阻为 15-45 Ω / □，更优选地，该P型局部掺杂区域的方块电阻为20-40 Ω / 口。优选地，步骤&中通过离子注入或者热扩散的方法形成该N型掺杂层，所形成的N型掺杂层的方块电阻为60-120 Ω/ □，其中较佳地，该N型掺杂层的方块电阻为 70-110 Ω / □，更佳地，该N型掺杂层的方块电阻为80-100 Ω / 口。本领域技术人员可以根据实际需要选择适合的工艺，例如采用热扩散的方式或者离子注入的方式形成该N型掺杂层，倘若采用热扩散工艺，在进行热扩散之前，需要在晶片背面设置一扩散保护层，因为采用热扩散对晶片进行加工是针对整个晶片而言的，为了防止破坏已经加工的其他位置的掺杂层，采用该扩散保护层以阻挡非加工区域的热扩散，例如可以采用掩模板或者使用氮化硅并通过PECVD方法(等离子体增强化学气相沉积法)形成该扩散保护层；倘若采用离子注入的工艺，由于离子注入具有方向性，所以无需设置扩散保护层，但需要高温退火，例如 700-1100°C，退火时间为30秒至30分钟；优选地，步骤&中通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。该涂层的厚度为60-150nm，优选地，该涂层的厚度为70-140nm，更优选地，该涂层的厚度为 80-120nm。表面钝化能够降低半导体的表面活性，使表面的复合速率降低，其主要方式是饱和半导体表面处的悬挂键，降低表面活性，增加表面的清洁程序，避免由于杂质在表面层的引入而形成复合中心，以此来降低少数载流子的复合速度。通过表面钝化，使得表面复合降低，从而提高有效少子寿命。增透膜能减少表面太阳光的反射，提高太阳光的利用率。采用上述涂层均为提高太阳能电池光电转换效率的有效手段。优选地，步骤、中采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极，本领域技术人员可以根据实际需要选择其他已知材料和已知工艺制作表面电极。优选地，步骤&中采用银浆或银铝浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。优选地，步骤&还包括以下步骤
步骤S51、在该P型局部掺杂区域精确套印可烧穿钝化层的银浆或银铝浆并烘干；步骤S52、通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；步骤S53、可烧穿钝化层的银浆或银铝浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极。二次印刷的具体实现是本领域技术人员所公知的，故此不展开叙述。优选地，所述银铝浆中铝的含量大于3 %，更优选地，所述银铝浆中铝的含量大于 5 %，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比。本发明还提供一种使用如上所述的太阳能电池的制作方法制得的太阳能电池，其特点在于，其包括一 P型晶片；一位于该P型晶片背面中的P型局部掺杂区域；一位于该P型晶片表面中的N型掺杂层；分别位于该P型局部掺杂区域背面和该N型掺杂层表面的涂层，该涂层为钝化层和增透膜；位于该N型掺杂层表面的表面电极；以及位于该P型晶片背面的背面电极；其中，所述表面电极和背面电极中的金属元素与晶片中的硅共晶复合，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。优选地，该P型局部掺杂区域的方块电阻为10-50Ω/ □，其中较佳地，该P型局部掺杂区域的方块电阻为15-45Ω/ □，更佳地，该P型局部掺杂区域的方块电阻为 20-40 Ω / 口。优选地，该N型掺杂层的方块电阻为60-120 Ω / 口，其中较佳地，该N型掺杂层的方块电阻为70-110 Ω / □，更佳地，该N型掺杂层的方块电阻为80-100 Ω / 口。优选地，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。另外，只需要在上述过程中，调换基底材料和以离子注入或扩散生长的方式掺杂的杂质材料，则该方法同样适用于N型太阳能晶片的制作，即所述的P型替换为N型时，N 型同时替换为P型。不过此时在N型基底晶片表面上注入的是硼离子等P型离子，以形成 P型掺杂。测量太阳能电池和组件的光伏性能，是在稳定的自然光或模拟太阳光下，在恒定温度下，描绘出其输出电流-电压特性曲线，同时测定入射光的辐照度以计算电池的光电转换效率。太阳能光伏能源系统标准化技术委员会(IEC-TCS》规定了标准测试条件。按照上述方法制得的太阳能电池的光电转换效率在19. 25%以上。本发明的积极进步效果在于1、采用选择性发射极和局部背场的结构，减少了表面电极和基底之间的接触电阻，太阳能转换效率可以提高10%左右。具体来说，目前生产线上量产的太阳能电池的光电转换效率在17. 5%左右，而本发明的太阳能电池的转换效率能提高至19. 25%左右。2、本发明制得的太阳能电池具有双面结构，可以两面受光，这样与传统的单面电池不同，本发明制得的太阳能电池的背面也能利用散射太阳光以及反射的太阳光，由此太阳能转换效率可以提高10%左右。3、采用离子注入进行掺杂，掺杂离子的浓度得到了精确的控制，比起热扩散工艺的掺杂而言对提高光电转换的效率更有利，同时也减少了工艺步骤，降低制作成本。
图1-图5为本发明的制作太阳能电池的分解步骤示意图。
具体实施例方式下面结合附图给出本发明较佳实施例，以详细说明本发明的技术方案。实施例1参考图1，步骤S1、加速硼离子并通过离子注入的方式在P型晶片1背面形成P型局部掺杂区域2。具体来说，先将掩模板20置于该P型晶片1的背面；再加速该硼离子至 500eV并通过离子注入的方式将该硼离子从该P型晶片1背面注入；最后就在P型晶片1背面未被掩模板20阻挡的区域形成P型局部掺杂区域2。由此获得的该P型局部掺杂区域2 的方块电阻为10Ω/ □，图1中的箭头所示为离子注入的方向，仅是为了便于理解，不应解释为对本发明的限制。参考图2，步骤&、在P型晶片1表面形成N型掺杂层3。本实施例中通过离子注入的方法形成该N型掺杂层3，将磷离子加速至500eV以进行离子注入，所形成的N型掺杂层3的方块电阻为60 Ω / □，完成注入后需要高温退火，在700°C下退火30分钟以使掺杂杂质活化。参考图3，步骤&、在P型晶片表面和背面形成涂层4，该涂层4为钝化层和增透膜。具体来说，通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。该涂层的厚度为60nm。参考图4，步骤\、在P型晶片1表面形成表面电极5。本实施例中采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。参考图5，步骤&、在P型晶片1背面形成背面电极6，该背面电极6位于与该P型局部掺杂区域2相对应的位置；步骤&、将P型晶片在700°C的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合。其中，步骤&中采用银浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。由此，所述太阳能电池制作完成。实施例2参考图1，步骤S1、加速硼离子并通过离子注入的方式在P型晶片1背面形成P型局部掺杂区域2。先将掩模板20置于该P型晶片1的背面；接着加速硼离子至50keV并通过离子注入的方式将该硼离子从该P型晶片1背面注入；这样就在P型晶片1背面未被掩模板20阻挡的区域形成P型局部掺杂区域2，得到的P型局部掺杂区域2的方块电阻为 50Ω/口。另外，图1中的箭头所示为离子注入的方向，仅是为了便于理解，不应解释为对本发明的限制。参考图2-图2a，步骤&、在P型晶片1表面形成N型掺杂层3。其中通过热扩散的方法形成该N型掺杂层3，所形成的N型掺杂层3的方块电阻为120 Ω / 口。参考图加， 在进行热扩散之前，需要在晶片背面设置一扩散保护层21，因为采用热扩散对晶片进行加工是针对整个晶片而言的，为了防止破坏已经加工的其他位置的掺杂层，采用该扩散保护层以阻挡非加工区域的热扩散，使用氮化硅并通过PECVD方法(等离子体增强化学气相沉积法)形成该扩散保护层，在完成热扩散后，通过湿法化学法去除该氮化硅扩散保护层。参考图3，步骤&、在P型晶片表面和背面形成涂层4，该涂层4为钝化层和增透膜。 具体来说，通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为碳化硅、氧化铝、氮化硅薄膜的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。该涂层的厚度为150nm。参考图4，步骤\、在P型晶片1表面形成表面电极5。采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。参考图5，步骤&、在P型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置；步骤&、将P型晶片在1100°c的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合。其中，步骤&中采用银铝浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。为了获得更优的电池性能，采用如下所述的二次印刷的方式制作背面电极首先在该P型局部掺杂区域2精确套印可烧穿钝化层的银铝浆并烘干； 接着通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；最后可烧穿钝化层的银铝浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极6。二次印刷的具体实现是本领域技术人员所公知的，故此不展开叙述。所述银铝浆中铝的含量为3%，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比。 由此，所述太阳能电池制作完成。实施例3参考图1，步骤S1、加速硼离子并通过离子注入的方式在P型晶片1背面形成P型局部掺杂区域2。具体来说，步骤S1还包括以下步骤首先将掩模板20置于该P型晶片1 的背面；接着加速硼离子至30keV并通过离子注入的方式将该硼离子从该P型晶片1背面注入；由此在P型晶片1背面未被掩模板20阻挡的区域形成P型局部掺杂区域2，形成的 P型局部掺杂区域2的方块电阻为30Ω/ 口。另外，图1中的箭头所示为离子注入的方向， 仅是为了便于理解，不应解释为对本发明的限制。参考图2，步骤&、在P型晶片1表面形成N型掺杂层3。其中加速磷离子至30keV 通过离子注入的方法形成该N型掺杂层3，所形成的N型掺杂层3的方块电阻为100 Ω / 口。 完成离子注入后需要高温退火，即在850°C的温度下退火10分钟。参考图3，步骤&、在P型晶片表面和背面形成涂层4，该涂层4为钝化层和增透膜。 具体来说，通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氮化硅和非晶硅薄膜中的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。该涂层的厚度为80nm。参考图4，步骤\、在P型晶片1表面形成表面电极5。例如采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。参考图5，步骤&、在P型晶片1背面形成背面电极6，该背面电极6位于与该P型局部掺杂区域2相对应的位置；步骤&、将P型晶片在850°C的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合。其中，步骤&中采用银铝浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极6。为了获得更优的电池性能，采用下述的二次印刷的方式制作背面电极，首先在该P型局部掺杂区域2精确套印可烧穿钝化层的银铝浆并烘干；接着通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；最后可烧穿钝化层的银铝浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极6。二次印刷的具体实现是本领域技术人员所公知的，故此不展开叙述。其中所述银铝浆中铝的含量为5%，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比。由此，所述太阳能电池制作完成。实施例4参考图1，步骤S1、加速磷离子并通过离子注入的方式在N型晶片背面形成N型局部掺杂区域。具体来说，首先将掩模板置于该N型晶片的背面；接着加速磷离子至500eV并通过离子注入的方式将该磷离子从该N型晶片背面注入；由此在N型晶片背面未被掩模板阻挡的区域形成N型局部掺杂区域，该N型局部掺杂区域的方块电阻为10Ω / 口。参考图2，步骤&、在N型晶片表面形成P型掺杂层。其中通过离子注入的方法形成该P型掺杂层，所形成的P型掺杂层的方块电阻为60Ω / 口。完成离子注入后需要高温退火，在700°C下退火30分钟。参考图3，步骤&、在N型晶片表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜。具体来说，通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。 该涂层的厚度为60nm。参考图4，步骤、、在N型晶片表面形成表面电极。本实施例中采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。参考图5，步骤&、在N型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该N型局部掺杂区域相对应的位置；步骤&、将N型晶片在850°C的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合。其中，步骤&中采用银浆并通过丝网印刷法在与该N型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。为了获得更优的电池性能，可以采用如下所述的二次印刷的方式制作背面电极首先在该N型局部掺杂区域精确套印可烧穿钝化层的银浆并烘干；接着通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；最后可烧穿钝化层的银浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极。二次印刷的具体实现是本领域技术人员所公知的，故此不展开叙述。由此，所述太阳能电池制作完成。采用选择性发射极的优点是可以提高太阳电池的开路电压Voc，短路电流Isc和填充因子F. F.，从而使电池获得高的光电转换效率。而这样的好处正是在太阳电池不同的区域中掺杂浓度高低不同、扩散深浅不同所带来的。虽然以上描述了本发明的具体实施方式
，但是本领域的技术人员应当理解，这些仅是举例说明，本发明的保护范围是由所附权利要求书限定的。本领域的技术人员在不背离本发明的原理和实质的前提下，可以对这些实施方式做出多种变更或修改，但这些变更和修改均落入本发明的保护范围。
权利要求
1.一种太阳能电池的制作方法，其特征在于，其包括以下步骤步骤S1、加速P型离子并通过离子注入的方式在P型晶片背面形成P型局部掺杂区域； 步骤&、在P型晶片的表面中形成N型掺杂层； 步骤&、在P型晶片的表面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜； 步骤、、在P型晶片表面形成表面电极；步骤&、在P型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置；步骤&、将P型晶片在700--1100°C的温度下烧结，使金属电极元素和晶片共晶复合， 其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。
2.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S1还包括以下步骤 步骤Sn、将掩模板置于该P型晶片的背面；步骤S12、加速P型离子至500eV-50keV并通过离子注入的方式将该P型离子从该P型晶片背面注入；步骤S13、在P型晶片背面未被掩模板阻挡的区域形成P型局部掺杂区域，该P型局部掺杂区域的方块电阻为10-50 Ω / 口。
3.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤&中通过离子注入或者热扩散的方法形成该N型掺杂层，所形成的N型掺杂层的方块电阻为60-120 Ω / 口。
4.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤&中通过PECVD形成涂层，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。
5.如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤、中采用银浆并通过丝网印刷法制作表面电极。
6.如权利要求1-5中任意一项所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤S5中采用银浆或银铝浆并通过丝网印刷法在与该P型局部掺杂区域相对应的区域上制作背面电极。
7.如权利要求6所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，步骤&还包括以下步骤 步骤S51、在该P型局部掺杂区域精确套印可烧穿钝化层的银浆或银铝浆并烘干； 步骤S52、通过丝网印刷法镀压不烧穿钝化层的银浆；步骤S53、可烧穿钝化层的银浆或银铝浆和不烧穿钝化层的银浆连接以形成背面电极。
8.如权利要求7所述的太阳能电池的制作方法，其特征在于，所述银铝浆中铝的含量大于3%，所述百分比为铝占银铝浆总量的质量百分比。
9.一种使用如权利要求1所述的太阳能电池的制作方法制得的太阳能电池，其特征在于，其包括一P型晶片；一位于该P型晶片背面中的P型局部掺杂区域； 一位于该P型晶片表面中的N型掺杂层；分别位于该P型局部掺杂区域背面和该N型掺杂层表面的涂层，该涂层为钝化层和增透膜；位于该N型掺杂层表面的表面电极；以及位于该P型晶片背面的背面电极；其中，所述表面电极和背面电极中的金属元素与晶片共晶复合，该背面电极位于与该P 型局部掺杂区域相对应的位置，其中，所述的P型替换为N型时，N型同时替换为P型。
10.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该P型局部掺杂区域的方块电阻为 10-50 Ω / 口。
11.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该N型掺杂层的方块电阻为 60-120 Ω / 口。
12.如权利要求9所述的太阳能电池，其特征在于，该涂层的钝化层为氧化硅、碳化硅、 氧化铝、氮化硅或非晶硅薄膜中的一种或多种的叠层，该涂层的增透膜为氮化硅薄膜。
全文摘要
本发明公开了一种太阳能电池的制作方法包括以下步骤步骤S1、加速P型离子通过离子注入在P型晶片背面形成P型局部掺杂区域；步骤S2、在P型晶片正面形成N型掺杂层；步骤S3、在P型晶片正面和背面形成涂层，该涂层为钝化层和增透膜；步骤S4、在P型晶片正面形成表面电极；步骤S5、在P型晶片背面形成背面电极，该背面电极位于与该P型局部掺杂区域相对应的位置；步骤S6、将P型晶片在700--1100℃的温度下烧结，使金属电极元素和晶片中的硅共晶复合，其中所述P型替换为N型时，N型同时替换为P型。本发明还公开了一种太阳能电池。本发明采用选择性发射极和局部背场的结构，减少了表面电极和基底之间的接触电阻，提高了太阳能电池的光电转换效率。
文档编号H01L31/0352GK102544195SQ20101061918
公开日2012年7月4日 申请日期2010年12月30日 优先权日2010年12月30日
发明者钱锋, 陈炯 申请人:上海凯世通半导体有限公司