半导体背面用切割带集成膜的制作方法

专利名称：半导体背面用切割带集成膜的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。将倒装芯片型半导体背面用膜用于保护 芯片形工件(例如半导体芯片)的背面和增强强度。此外，本发明涉及使用半导体背面用 切割带集成膜的半导体器件和生产所述器件的方法。
背景技术：
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器 件及其封装，已经广泛地利用其中将半导体芯片(芯片形工件)以该半导体芯片的电路面 与基板的电极形成面相对的形式固定至基板的那些(即，通过倒装芯片接合生产的半导体 芯片，或倒装芯片安装的半导体器件)。在此类半导体器件等中，在一些情况下半导体芯片 (芯片形工件)的背面用保护膜保护以抑制半导体芯片损坏(参见，例如，专利文献1至
10)。
专利文献1 JP--A--2008--166451专利文献2 JP--A--2008-006386专利文献3 JP--A--2007--261035专利文献4 JP--A--2007--250970专利文献5 JP--A--2007--158026专利文献6 JP--A--2004--221169专利文献7 JP--A--2004--214288专利文献8 JP--A--2004--142430专利文献9 JP--A--2004-072108专利文献10JP-A-2004-06355
发明内容
然而，将用于保护半导体芯片背面的背面保护膜粘贴至通过在切割步骤中切割半 导体晶片获得的半导体芯片的背面导致增加粘贴步骤，以致步骤的数量增加，成本等增加。 此外，由于近年来的薄型化，在切割步骤后的半导体芯片的拾取步骤中，在一些情况下可能 损害半导体芯片。因此，期望增强半导体晶片或半导体芯片直至拾取步骤。考虑到前述问题发明本发明，其目的在于提供从半导体晶片的切割步骤至半导体 芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用的半导体背面用切割带集成膜。此外，本发明的另一 目的在于提供半导体背面用切割带集成膜，其能够在半导体晶片的切割步骤中显示出优良 的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合步骤后能够进一步显示出优良的激光标识性。作为为解决上述常规问题进行深入研究的结果，本发明人已发现，当将倒装芯片 型半导体背面用膜层压在具有基材和压敏粘合剂层的切割带的压敏粘合剂层上从而以集 成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜并且所述倒装芯片型半导体背面用膜包 含黑色颜料时，从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利用其中以集成形式形成切割带和倒装芯片型半导体背面用膜的层压体(半导体背面用切割带 集成膜)，以及在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯 片接合步骤后能够进一步显示优良的激光标识性，由此完成本发明。S卩，本发明提供半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘 合剂层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。如上所述，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜以倒装芯片型半导体背面用 膜与具有基材和压敏粘合剂层的切割带集成的形式形成，并且在倒装芯片型半导体背面用 膜中将黑色颜料用作着色剂。因此，通过在切割晶片(半导体晶片)时将半导体背面用切 割带集成膜粘贴至工件(半导体晶片)，能够有效地切割和保持工件。此外，在切割工件以 形成芯片形工件(半导体芯片)后，通过将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起 以优良的拾取性从切割带的压敏粘合剂层容易地剥离，能够容易地获得背面受到保护的芯 片形工件。此外，由于其中将黑色颜料用作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜形成于芯 片形工件的背面，因此芯片形工件具有优良的激光标识性。自然，芯片形工件具有优良的外 观性，这是因为将其中将黑色颜料用作着色剂的倒装芯片型半导体背面用膜以优良的紧密 粘合性粘贴至所述芯片形工件背面。此外，在本发明的半导体背面用切割带集成膜中，由于切割带和倒装芯片型半导 体背面用膜以如上所述的集成方式形成，因此，在切割步骤前，当将切割带粘贴至半导体晶 片背面时也能够粘贴倒装芯片型半导体背面用膜，因而单独粘贴倒装芯片型半导体背面用 膜的步骤(倒装芯片型半导体背面用膜粘贴步骤)不是必需的。此外，在随后的切割步骤 和拾取步骤中，由于将倒装芯片型半导体背面用膜粘贴在半导体晶片背面或通过切割形成 的半导体芯片背面上，因此能够有效地保护半导体晶片或半导体芯片，因而在切割步骤或 随后的步骤(拾取步骤等)中能够抑制或防止半导体芯片的损坏。在本发明中，黑色颜料优选炭黑。根据本发明的半导体背面用切割带集成膜适合 用于倒装芯片安装的半导体器件。本发明还提供生产半导体器件的方法，该方法包括将工件粘贴至上述半导体背面用切割带集成膜的倒装芯片型半导体背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，将芯片形工件与倒装芯片型半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离， 和将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。此外，本发明进一步提供倒装芯片安装的半导体器件，其使用上述半导体背面用 切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面的倒装 芯片型半导体背面用膜。由于切割带和晶片背面保护膜以集成方式形成以及倒装芯片型半导体背面用膜 包含黑色颜料，因此从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够利 用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜。具体地，根据本发明的半导体背面用切割带集成膜在半导体晶片的切割步骤中能够显示优良的保持力，在半导体芯片的倒装芯片接合 步骤期间和之后能够进一步显示优良的激光标识性。此外，在倒装芯片接合步骤等中，由于 半导体芯片的背面用倒装芯片型半导体背面用膜保护，因此能够有效抑制或防止半导体芯 片的破坏(breakage)、碎裂(chipping)和翘曲(warp)等。自然，在除了从半导体芯片的切 割步骤至倒装芯片接合步骤的步骤之外的步骤中，根据本发明的半导体背面用切割带集成 膜能够有效地显示其功能。


图1为示出根据本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面 示意图。图2A-2D为示出使用根据本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件 的方法的一个实施方案的横截面示意图。附图标记说明1 半导体背面用切割带集成膜2 倒装芯片型半导体背面用膜3 切割带31 基材32 压敏粘合剂层4:半导体晶片(工件)5 半导体芯片(芯片形工件)51 在半导体芯片5的电路面形成的凸块(bump)6:被粘物61 粘合至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料
具体实施例方式参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于该实施方案。图1为示出根据 本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。在图1中，1为半导 体背面用切割带集成膜(下文中有时也称作“切割带集成的半导体背面保护膜”、“具有切割 带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)，2为倒装芯片型半导体背面 用膜(下文中有时也称作“半导体背面用膜”或“半导体背面保护膜”)，3为切割带，31为 基材，32为压敏粘合剂层。此外，在本说明书的附图中，没有给出不需要描述的部分，为了容易描述，存在通 过放大、缩小等示出的部分。如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1具有以下构造在包括基材31和在基 材31上形成的压敏粘合剂层32的切割带3的压敏粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。 半导体背面用膜2具有包含黑色颜料作为着色剂的构成。在这点上，在直至将半导体背面 用膜2的表面(要粘贴至晶片背面的表面)粘贴至晶片背面时，其可用隔离体等保护此外，半导体背面用切割带集成膜可以具有在切割带的压敏粘合剂层的整个表面 上形成半导体背面用膜的构造，或者可以具有部分形成半导体背面用膜的构造。例如，如图1所示，半导体背面用切割带集成膜可以具有如下构造在切割带的压敏粘合剂层上，仅在 要粘贴半导体晶片的部分上形成半导体背面用膜。(倒装芯片型半导体背面用膜)半导体背面用膜具有膜形状。在将粘贴至半导体背面用膜上的工件(半导体晶 片)切断为芯片形的切断-加工步骤(切割步骤)中，半导体背面用膜具有支承紧密粘合 至该半导体背面用膜的工件的功能，因而能够显示紧密粘合性从而使切断件不会飞散。此 外，在切割步骤后的拾取步骤中，切割的芯片形工件能够与半导体背面用膜一起从切割带 容易地剥离。此外，在拾取步骤后(切割的芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带剥 离后)，半导体背面用膜可具有保护芯片形工件背面的功能。此外，在本发明的半导体背面 用膜中，由于将黑色颜料用作着色剂，因此在拾取步骤后芯片形工件背面具有显示优良的 激光标识性的功能。此外，由于将半导体背面用膜紧密粘合至芯片形工件的背面，因此芯片 形工件能够具有显示优良的外观性的功能。如上所述，由于半导体背面用膜具有优良的激光标识性，所以能够借助半导体背 面用膜，通过利用激光标识法进行激光标识，以将各种信息例如文字信息和图形信息赋予 至芯片形工件或使用芯片形工件的半导体器件的非电路侧上的面。此外，通过控制半导体 背面用膜着色的颜色，变得可以观察具有优良可见度的通过激光标识而赋予的信息(例如 文字信息和图形信息)。此外，由于半导体背面用膜用黑色颜料着色，切割带和半导体背面 用膜能够彼此容易地区分，因此能够提高加工性等。特别地，由于半导体背面用膜具有优良的对于半导体晶片或半导体芯片的紧密粘 合性，因此没有观察到浮起等。此外，由于半导体背面用膜能够显示出优良的外观性，因此 能够获得具有优良的增值外观性的半导体器件。例如，作为半导体器件，可以通过使用不同 的颜色将其产品分类。此外，作为半导体背面用膜，重要的是具有紧密粘合性从而在工件的切断加工时 切断件不飞散。如上所述，半导体背面用膜不用于将半导体芯片模片接合至被粘物例如基板，而 用于保护将要倒装芯片安装(或已经倒装芯片安装)的半导体芯片的背面(非电路面)，并 且该半导体背面用膜具有最适合的功能和组成。在这点上，用于将半导体芯片强烈地粘合 至被粘物例如基板上的用途的模片接合膜为粘合剂层并用封装材料封装，因此该膜不具有 激光标识层也不具有激光标识性。因此，本发明的半导体背面用膜具有不同于模片接合膜 的功能或构成，因而不适合将该膜用作模片接合膜。在本发明中，半导体背面用膜可由包含黑色颜料作为着色颜料的树脂组合物形 成，并优选由包含黑色颜料作为着色剂以及热塑性树脂和热固性树脂的树脂组合物构成。 在这点上，半导体背面用膜可由不使用热固性树脂的热塑性树脂组合物构成或可由不使用 热塑性树脂的热固性树脂组合物构成。热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙 酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树 脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6，6-尼龙、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、 饱和聚酯树脂如PET (聚对苯二甲酸乙二酯)和PBT (聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺酰亚 胺树脂或氟碳树脂。热塑性树脂可以单独使用或以其两种以上组合使用。在这些热塑性树脂中，优选仅包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸 类树脂。丙烯酸类树脂不特别限定，其实例包括包含一种或两种以上具有30个以下碳原 子，优选4至18个碳原子的直链或支化烷基的丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合 物。即，在本发明中，丙烯酸类树脂具有还包括甲基丙烯酸类树脂的宽的含义。所述烷基的 实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、庚基、2-乙 基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷 基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除具有30个以下碳原子的烷基的丙烯酸或 甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)没有特别限制，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、甲基 丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸(crotonic acid)； 酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸 2-羟丙酯、(甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛 酯、(甲基)丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)-甲基 丙烯酸酯；含磺酸单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、 (甲基)丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷 酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯O-hydroethylacryloyl phosphate)。此类树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得的产品。此外，热固性树脂的实例包括环氧树脂和酚醛树脂以及氨基树脂、不饱和聚酯树 脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。热固性树脂可以单独使用或以其两种以 上组合使用。作为热固性树脂，仅包含少量腐蚀半导体元件的离子性杂质的环氧树脂是合 适的。此外，优选将酚醛树脂用作环氧树脂的固化剂。环氧树脂没有特别限定，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A 型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型 环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、可溶可熔 酚醛(phenolNovolak)型环氧树脂、邻甲酚可溶酚醛(o-cresolNovolak)型环氧树脂、三羟 基苯甲烷型环氧树脂或四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如 乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。作为环氧树脂，在以上示例的那些中，可溶可熔酚醛型环氧树脂、联苯型环氧树 脂、三羟基苯基甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧 树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优异。所述环氧树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得的产品。此外，酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括可溶可熔型酚醛树脂 如可溶可熔酚醛树脂、苯酚芳烷基树脂、甲酚可溶酚醛树脂、叔丁基可溶可熔酚醛树脂和壬 基可溶可熔酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯(polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙 烯。酚醛树脂可单独使用或以其两种以上组合使用。在这些酚醛树脂中，可溶可熔酚醛树 脂和苯酚芳烷基树脂是优选的。这是因为可提高半导体器件的连接可靠性。所述酚醛树脂可根据已知方法合成或可使用商购可得的产品。环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基变为0. 5至2. 0当量，基于每当量的在环氧树脂组分中的环氧基团。其更优选0.8至1.2当量。S卩，当混合比 变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产物的特性趋于劣化。环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限定，可适当选自已知的热固 化促进催化剂并使用。热固化促进催化剂可单独使用或以两种以上的组合使用。作为热固 化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进 催化剂、硼类固化促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。在本发明中，半导体背面用膜特别优选由包含环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树 脂的树脂组合物形成。由于这些树脂仅包含少量离子性杂质并具有高的耐热性，因此能够 确保半导体元件可靠性。在该情况下的混合比不特别限定，但例如，环氧树脂与酚醛树脂的 混合量可适当选自10至300重量份的范围，基于100重量份丙烯酸类树脂。重要的是半导体背面用膜具有对半导体晶片背面(非电路形成面)的紧密粘合 性。此类具有紧密粘合性的半导体背面用膜例如可由包含环氧树脂的树脂组合物形成。为 了交联，可将能够与在聚合物分子链末端的官能团等反应的多官能化合物作为交联剂添加 至半导体背面用膜。由于此构成，能够提高在高温下的紧密粘合性并能够实现耐热性的改 进。交联剂没有特别限定，可以适当使用已知的交联剂。具体地，交联剂的实例不仅包 括异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，而且还包括 脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联 剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环 氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或两种以上组合使用。异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2_亚乙基二异氰酸 酯、1，4_亚丁基二异氰酸酯和1，6_六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基 二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二 甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、 4，4’ - 二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。此外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二 异氰酸酯三聚体加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]、三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co. , Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括 N,N,N' ,N'-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3_双(N，N-缩水甘油 基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油 醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩 水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖 醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘 油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩 水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。交联剂的用量不特别限定，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的用 量为例如0. 05至7重量份，基于100重量份树脂组分(聚合物组分)(特别地，在分子链末 端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份树脂组分为0. 05至7重量份时， 能够高水平地显示紧密粘合性和内聚特性。
在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外 线等照射进行交联处理。(着色剂)在本发明中，半导体背面用膜通过使用黑色颜料作为着色剂着色。如上所述，将半 导体背面用膜着色(在该膜既不是无色的也不是透明的情况下)，通过着色显示的颜色主 要为黑色系暗色(如黑色、棕色、深绿色、深蓝色)，但可为例如暗色如蓝色或红色。在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40 以下(ο至40)的在LW颜色空间中定义的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以 下(0至25)的在LW颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在LW 颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，f和b*两者均在优选-10至 10，更优选-5至5，进一步优选-3至3 (特别地0或约0)的范围内。在本发明中，在LW颜色空间中定义的ΙΛ f和b*可通过用色差计(商品 名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差计)测量来确定。LW颜色空间为在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建议的颜色空间，是指称为 CIE1976(L*aV)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定义了 L*a*b* 颜色空间。黑色颜料可为无机黑色颜料和有机黑色颜料的任一种，但无机黑色颜料是适合 的。黑色颜料的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨(黑铅 (black lead))、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料(例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、 花青黑、复合氧化物型黑色着色物质、钛黑、活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素 体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼和铬配合物。作为黑色颜料，适合使用碳质黑色颜料 如炭黑、石墨和活性炭，特别地，炭黑是适合的。炭黑可为炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑和灯 黑的任一种，但炉黑是适合的。在这点上，黑色颜料可以单独使用或两种以上组合使用。黑色颜料的用量不特别限定，但基于着色剂的总量为50重量％以上，优选80重 量％以上，更优选90重量％以上，并且可为100重量％ (即，可仅使用黑色颜料作为着色 剂)。此外，在半导体背面用膜中，根据目标颜色，除黑色颜料之外可使用适当的着色剂 (着色试剂)。此类着色剂可适当选自各种暗色着色剂如除黑色颜料之外的黑色着色剂、蓝 色着色剂以及红色着色剂和浅色着色的(hypochromic-colored)着色剂并使用。除黑色颜 料之外的着色剂(在一些情况下称作“非黑色颜料类着色剂”)可为任意颜料和染料。非 黑色颜料类着色剂可单独使用或两种以上组合使用。在这点上，在非黑色颜料类着色剂中， 作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离 子染料。此外，在非黑色颜料类着色剂中，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料 (排除黑色颜料)中适当选择和使用。在非黑色颜料类着色剂中的黑色着色剂不特别限定，只要其为除黑色颜料之外的 黑色着色剂即可，但例如，可提及黑色染料等。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂 (蓝-绿着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)混合的着色 剂混合物。黑色着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。作为黑色着色剂，例如，可使用蒽醌型有机黑色着色物质等。在非黑色颜料类着色剂中，在将除黑色着色剂之外的着色剂或其中将青色着色 剂、品红色着色剂和黄色着色剂混合的着色剂混合物用作黑色着色剂的情况下，青色着色 剂的实例包括青色染料如C. I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95 ；C. I.酸性蓝6和45 ；青色颜 料如 C. I.颜料蓝 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、22、25、56、 60、63、65、66 ；C. I.瓮蓝 4、60 ；C. I.颜料绿 7。此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C. I.溶剂红1、3、8、23、对、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散红 9 ；C. I.溶剂紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.碱性红 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.碱性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C. I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C.I.颜料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.瓮红 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C. I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黄色颜料如 C. I.颜料橙 31,43 ；C. I.颜料黄 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.瓮黄 1、3 和 20。在非黑色颜料类着色剂中，作为黑色着色剂，可提及黑色染料如C. I.溶剂黑3、7、 22、27、29、34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、 52、107、109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；等。作为该黑色着色剂，例如，商品 名 “Oil Black BY”、商品名 “Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “OilBlack 803”、商品名“Oil Black 860”、商品名“Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”、商品 名 “Oil Black 5905” (由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商购可得 的。各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独使用或以两种 以上的组合使用。在这点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂 的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定，可根据各着色剂的 种类和目标颜色等适当选择。此外，在将通过混合青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂形成的着色剂混合 物用作黑色着色剂的情况下，这些着色剂可单独使用或以两种以上的组合使用。青色着色 剂、品红色着色剂和黄色着色剂在混合墨组合物中的混合比(或共混比)没有特别限定，只 要能够显示黑色系颜色(例如，具有在上述范围内的在LW颜色空间中定义的L*、a*和b* 的黑色系颜色)即可，可根据各着色剂的类型等适当选择。青色着色剂、品红色着色剂和黄 色着色剂在混合墨组合物中的含量例如可在以下范围内适当选择相对于着色剂总量，青色着色剂/品红色着色剂/黄色着色剂=10重量％ -50重量％ /10重量％ -50重量％ /10 重量％ -50重量％ (优选20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重量％ /20重量％ -40重 量％ )。着色剂的含量可适当选自在形成半导体背面用膜的树脂组合物(排除溶剂)中 0. 1至10重量％的范围，优选0.5至8重量％，更优选1至5重量％。在这点上，在半导体背面用膜中，根据需要可适当共混其它添加剂。除了填料、阻 燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外，其它添加剂的实例还包括增量剂、防老剂、抗氧化剂 和表面活性剂。填料可为任意无机填料和有机填料，但无机填料是合适的。通过共混填料如无机 填料，能够实现赋予半导体背面用膜以导电性、改进半导体背面用膜的导热性、控制半导体 背面用膜的弹性模量等。在这点上，半导体背面用膜可为导电性的或非导电性的。无机填 料的实例包括由以下组成的各种无机粉末二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铝， 氧化铍，陶瓷如碳化硅和氮化硅，金属或合金如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、锌、钯，和焊料 及碳等。填料可以单独使用或两种以上组合使用。特别地，填料适合为二氧化硅，更适合为 熔凝硅石。无机填料的平均粒径优选在0. 1至80 μ m的范围内。无机填料的平均粒径可通 过激光衍射型粒径分布测量设备来测量。填料(例如无机填料)的共混量优选为80重量份以下(例如，0至80重量份)， 更优选为O至70重量份，基于100重量份有机树脂组分的总量。阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可以单独使用或 两种以上组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β_(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可以 单独使用或两种以上组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可 以单独使用或两种以上组合使用。半导体背面用膜可例如通过利用包括以下步骤的常用方法形成混合作为着色剂 的黑色颜料、热固性树脂如环氧树脂和/或热塑性树脂如丙烯酸类树脂和任选的溶剂及其 它添加剂从而制备树脂组合物，接着将其成形为膜状层。具体地，作为半导体背面用膜的膜 状层能够例如通过以下方法形成包括将树脂组合物施涂至切割带的压敏粘合剂层上的方 法；包括将树脂组合物施涂至适当的隔离体(例如，剥离纸)上以形成树脂层，然后将其转 移(转换)至切割带的压敏粘合剂层上的方法；等。在这点上，树脂组合物可为溶液或分散 液。在这点上，在半导体背面用膜由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形成的 情况下，在将半导体背面用膜应用至半导体晶片前的阶段，该膜处于其中热固性树脂未固 化或部分固化的状态。在这种情况下，将其应用至半导体晶片后(具体地，通常，当在倒装 芯片接合步骤中固化封装材料时)，在半导体背面用膜中的热固性树脂完全或几乎完全固 化。如上所述，由于即使当半导体背面用膜包含热固性树脂时，所述膜也处于热固性 树脂未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜的凝胶分数没有特别限定，但能够例 如在50重量％以下(0-50重量％ )的范围内选择，并优选30重量％以下(0-30重量％ )， 更优选10重量％以下(0-10重量％ )。半导体背面用膜的凝胶分数能够以下述测量方法测量。<凝胶分数测量方法>从半导体背面用膜中取样约0. Ig样品，并精确称重(样品重量)，将样品包裹在 网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯 中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在130°C下干燥约2小时，将干燥后的溶 剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据下述表达式(a)计算凝胶分数(重
量％ )。凝胶分数(重量％) = {(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量MXlOO (a)此外，半导体背面用膜的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含量、交联剂的种 类和含量、加热温度和加热时间等来控制。在本发明中，在半导体背面用膜为由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形 成的膜状制品的情况下，能够有效地显示对半导体晶片的紧密粘合性。此外，由于在工件(半导体晶片)的切割步骤中使用切割水(cutting water)，半 导体背面用膜吸收水分，从而在一些情况下具有常规状态以上的水分含量。当在维持该高 水分含量的情况下进行倒装芯片接合时，水蒸气残留在半导体背面用膜和工件或其加工体 (芯片形工件)之间的紧密粘合界面处，并且在一些情况下产生浮起。因此，作为半导体背 面用膜，由具有高透湿性的芯材料组成的层的存在扩散水蒸气，由此可以避免该问题。从该 观点，半导体背面用膜可为在其一面或两面层压由该芯材料组成的层的膜。芯材料的实例 包括膜(例如，聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、聚碳酸 酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板，硅基板和玻璃基板。半导体背面用膜的厚度没有特别限定，但能够例如在约2-200 μ m的范围内适当 选择。在本发明中，半导体背面用膜的厚度优选为约4-160 μ m,更优选约6-100 μ m,进一步 更优选约10-80μπι。半导体背面用膜可具有单层或层压层的形式。在半导体背面用膜具 有层压层的形式的情况下，作为层压层形式，例如，可示例由晶片粘合层和激光标识层组成 的层压形式。此外，在晶片粘合层和激光标识层之间，可设置其它层(中间层、遮光层、补强 曾、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、导热层、压敏粘合剂层等)。在这点上，晶片粘合层为显 示优良的对晶片的紧密粘合性(粘合性)的层和与晶片背面接触的层。另一方面，激光标 识层为显示优良激光标识性的层和在激光标识半导体晶片背面时利用的层。作为本发明的半导体背面用膜，在23°C下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E’)优 选为IGPa以上，更优选2GPa以上，进一步优选3GPa以上。当半导体背面用膜的弹性模量 为IGPa以上时，在当将芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离， 然后将半导体背面用膜放置在支承体(例如载带)上进行输送等时，能够有效地抑制或防 止半导体背面用膜粘贴至支承体(例如，载带的顶带(top tape)或底带(bottom tape))。 在这点上，如上所述，在半导体背面用膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，热 固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜在23°C下的弹性模量为 处于热固性树脂未固化或部分固化的状态的在23°C下的弹性模量。半导体背面用膜的在23°C下的弹性模量(拉伸贮能弹性模量E')通过以下方式 测定制备半导体背面用膜但不层压至切割带上，并使用由!Geometries Co.，Ltd.制造的动态粘弹性测量设备〃 Solid Analyzer RS A2"，在预定温度(23°C )下，在氮气气氛下， 在样品宽度10mm、样品长度22. 5mm、样品厚度0. 2mm、频率IHz和升温速率10°C /min的条 件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将测量的弹性模量作为拉伸贮能弹性模量E’的值。半导体背面用膜的弹性模量能够通过树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂) 的种类和含量、填料例如二氧化硅填料的种类和含量等来控制。半导体背面用膜在可见光区域(波长400nm-800nm)的透光率(可见光透过率) 没有特别限定，但例如，优选在不大于20% (0% -20% )的范围内、更优选在不大于10% (0%-10%)的范围内，特别优选不大于5% (0%-5%)的范围内。当半导体背面用膜在 可见光区域中的透光率为不大于20%时，可见光透过半导体背面用膜并到达半导体芯片， 从而能够消除对半导体芯片的不利影响。半导体背面用膜的可见光透过率(％ )能够通过构成半导体背面用膜的树脂组分 的种类和含量、着色剂(例如，颜料和染料)的种类和含量、填料的种类和含量等来控制。可见光透过率(％)能够例如以以下方式计算。即，制备厚度(平均厚度)为20 μ m 的半导体背面用膜而不将其层压至切割带上。接着，将半导体背面用膜使用“ABSORPTION SPECTRO PHOTOMETER”(商品名Shimadzu Corporation)利用可见光照射。可见光具有 400nm-800nm的波长。通过该照射透过半导体背面用膜的可见光的光强度能够根据以下表 达式计算。可见光透过率(％)=[(透过半导体背面用膜后的可见光的光强度)/(可见光的 初始光强度)]X100前述透光率(％ )的计算方法还能够应用于厚度不是20 μ m的半导体背面用膜的 透光率(％ )的计算。具体地，根据朗伯-比尔定律(Lambert-Beer law)，在厚度为20 μ m 的情况下的吸光度A2tl能够如下计算。A20 = α XL20XC (1)(在该式中，L2tl为光程长度，α为吸收系数(absorbanceindex)，C为样品浓度。)此外，在厚度为Χ(μπι)的情况下的吸光度A5Jg够如下计算。Ax = α XLxXC(2)此外，在厚度为20 μ m的情况下的吸光度A2tl能够如下计算。A20 = -Iog10T20 (3)(在该式中，T^1为在厚度为20μ m的情况下的透光率。)从上述式(1)_(3)，吸光度Ax可以由下式表示。Ax = A20X (Lx/L20) = -[Iog10 (T20) ] X (Lx/L20)因此，在厚度为Xym的情况下的透光率Tx(% )能够如下计算。Tx = 1(ΓΑχ其中Ax = -[Iog10(T20)IX (Lx/L20)。此外，在前述透光率(％)的计算方法中半导体背面用膜的厚度调整为20μπι的事 实并不特别限定本发明的半导体背面用膜的厚度。“20 μ m"的值是为了在测量时方便起 见而采用的厚度。在本发明中，半导体背面用膜优选具有低的吸湿度。具体地，作为半导体背面用 膜，当使膜在温度85°C和湿度85% RH的气氛下静置168小时时的吸湿度优选1重量％以下，更优选0.8重量％以下。通过调节半导体背面用膜的吸湿度(在温度85°C和湿度85% RH的气氛下静置168小时后)至1重量％以下，能够增强激光标识性能。此外，例如，在再 流(reflow)步骤中能够抑制或防止产生空隙。半导体背面用膜的吸湿度例如可通过改变 要添加的无机填料的量来调节。半导体背面用膜的吸湿度(重量％)为从当使膜在温度 85°C和湿度85% RH的气氛下静置168小时时的重量变化计算的值(参见下述表达式)。在 半导体背面用膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背面用膜的吸湿度 为从当在热固化后使膜在温度85°C和湿度85% RH的气氛下静置168小时时的的重量变化 计算的值。吸湿度(重量％ ) = [{(使半导体背面用有色膜静置后的重量)_(使半导体背面 用有色膜静置前的重量)} / (使半导体背面用有色膜静置前的重量)]X100此外，在本发明中，半导体背面用膜优选具有小比例的挥发性物质。具体地，作为 半导体背面用膜，在温度250°C下加热1小时后的重量减少的比例(重量减少率)优选1重 量％以下，更优选0.8重量％以下。通过将半导体背面用膜的重量减少率(在温度250°C下 加热1小时后)调整至1重量％以下，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤中能 够抑制或防止封装时裂纹的产生。半导体背面用膜的重量减少率能够例如通过添加能够降 低在无铅焊料再流时裂纹产生的无机材料例如无机填料如二氧化硅或氧化铝来调整。半导 体背面用膜的重量减少率为由当将膜在250°C下加热1小时时的重量变化计算的值(参见 下述表达式)。在半导体背面用膜由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，半导体背 面用膜的重量减少率(重量％)为由当将膜在热固化后在250°C下加热1小时时的重量变 化计算的值。重量减少率(重量％) = [{(使半导体背面用膜静置前的重量)_(使半导体背面 用膜静置后的重量)} / (使半导体背面用膜静置前的重量)]X100半导体背面用膜优选通过隔离体(剥离衬垫，在图中未示出)保护。隔离体具有 作为保护半导体背面用膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，隔离体能够进一步用 作在将半导体背面用膜转移至在切割带的基材上的压敏粘合剂层时的支承基材。当将工件 粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上时，剥离隔离体。作为隔离体，能够 使用聚乙烯或聚丙烯的膜、其表面用脱模剂例如氟类脱模剂和长链烷基丙烯酸酯类脱模剂 涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸等。隔离体可通过常规已知的方法形成。 此外，隔离体的厚度等没有特别限定。(切割带)切割带包括基材和形成于基材上的压敏粘合剂层。因而，切割带充分具有层压基 材和压敏粘合剂层的构造。基材(支承基材)能够用作压敏粘合剂层等的支承材料。作为 基材，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网； 金属类基材如金属箔和金属板；塑料类材料如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体 (foamed body)如发泡片；及其层压体[塑料类材料与其它基材的层压体，塑料膜(或片) 彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适合使用塑料类材料如塑料膜和片。此类塑 料材料的原料实例包括烯烃树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙 烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、乙烯_(甲基) 丙烯酸共聚物，和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯 乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPS)；酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚 酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰 亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS (丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和 氟化树脂。此外，作为基材的材料，也可以使用聚合物如各上述树脂的交联体。这些原料可 以单独使用或两种以上组合使用。在将塑料基材用作基材的情况下，变形性如伸长度(elongation degree)可通过 拉伸处理等控制。基材的厚度不特别限制，可依赖于强度、屈挠性、预期的使用用途等适当选择。例 如，厚度通常为1000 μ m以下(例如1至1000 μ m)，优选10至500 μ m,进一步优选20至 300 μ m,进一步优选约30至200 μ m,但不限于此。在这点上，基材可具有单层形式和层压层 形式的任何形式。为了提高与邻接层的紧密粘合性、保持性等，可在基材的表面上实施常规使用的 表面处理，例如通过化学处理或物理处理如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压 电击或电离辐射处理的氧化处理，或用底漆剂(imdercoating agent)的涂布处理。此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材可包含各种添加剂(着色剂、填 料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。压敏粘合剂层由压敏粘合剂形成并具有压敏粘合性。该压敏粘合剂没有特别限 定，可在已知压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，具有上述特性的压敏粘 合剂可在已知压敏粘合剂中适当选择并使用，所述已知压敏粘合剂例如丙烯酸类压敏粘 合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏 粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌 段共聚物类压敏粘合剂，和其中将具有约200°C以下熔点的热熔融性树脂混入这些压敏 粘合剂中的蠕变特性改进的压敏粘合剂(参见例如，JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、 JP-A-63-17981、JP-A-56-13040等，将其每一个引入此处以作参考)。此外，作为压敏粘合 剂，也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)或热膨胀性压敏粘 合剂。压敏粘合剂可单独或以两种以上的组合使用。在本发明中，作为压敏粘合剂，可适当使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘 合剂，特别地，丙烯酸类压敏粘合剂是适合的。作为丙烯酸类压敏粘合剂，可提及其中将使 用一种或两种以上(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚 物)用作基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。在丙烯酸类压敏粘合剂中的(甲基)丙烯酸烷基酯的实例包括(甲基)丙烯酸烷 基酯，如(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸 异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙 烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙 烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲 基)丙烯酸异壬酯、(甲基)丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、 (甲基)丙烯酸十二烷酯、(甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙 烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯和(甲基)丙烯酸二十烷酯。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，存 在具有4至18个碳原子的烷基的(甲基)丙烯酸烷基酯是适合的。此外，(甲基)丙烯酸 烷基酯的烷基可为线性或支化的。为了改善内聚力、耐热性及交联性等目的，上述丙烯酸类聚合物可包含与(甲基) 丙烯酸烷基酯可聚合的其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。此类可共聚合 单体组分的实例包括含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸或甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙 酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸 酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、 (甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基)丙烯酸 羟月桂酯和甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基团单体如苯乙烯磺酸、烯丙基 磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺 丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代 的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N-二甲基(甲基)丙烯酰胺、N-丁基(甲基)丙 烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺和N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸 氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯和(甲 基)丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基 乙酯和(甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；氰基丙烯酸酯类单体如丙烯腈和甲基丙烯腈；含环氧 基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯和α -甲基苯乙烯； 乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯和丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯和异丁烯； 乙烯基醚类单体例如乙烯基醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙 烯基吡啶、乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、 乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺和N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如 N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺和N-苯基马来酰亚胺； 衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N- 丁基衣康酰亚胺、N-辛 基衣康酰亚胺、Ν-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺和N-月桂基衣康酰亚胺； 琥珀酰亚胺类单体如N-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧 六亚甲基琥珀酰亚胺和N-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯 单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙 烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有杂环、1 原子或 原子等的丙;I；希酸 酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluorine (meth) acrylate) 和含硅酮(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能单体如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇 二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯 酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯和二(甲基)丙烯酸己酯 等。这些可共聚合单体组分可单独或以两种以上的组合使用。在将照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)用作压敏粘合剂的 情况下，照射固化型压敏粘合剂(组合物)的实例包括其中在聚合物侧链或主链中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及其中将 UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中的照射固化型压敏粘合剂等。此外， 在将热膨胀性压敏粘合剂用作压敏粘合剂的情况下，可提及包含压敏粘合剂和发泡剂(特 别地，热膨胀性微球)等的热膨胀性压敏粘合剂作为热膨胀性压敏粘合剂。在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层可包含各种添加剂 (例如，增粘树脂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交 联剂等)。交联剂没有特别限定，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异 氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联 剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉 类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是合适的。 异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂的具体实例包括在关于半导体背面用膜的段落中具体 示例的化合物(具体实例)。交联剂可以单独使用或两种以上组合使用。此外，交联剂的量 没有特别限定。在本发明中，代替使用交联剂或与使用交联剂一起，也可以通过用电子束或紫外 线照射进行交联处理。压敏粘合剂层例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂， 然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，压敏粘合剂层例如可通过 以下方法形成，所述方法为包括将包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物 施涂至基材上的方法；包括施涂上述混合物至适当隔离体(如剥离纸)上以形成压敏粘合 剂层，然后将其转移(转换)至基材上的方法；或类似方法。压敏粘合剂层的厚度没有特别限定，例如，优选为约5至300 μ m,更优选5至 200 μ m,进一步优选5至100 μ m，甚至更优选7至50 μ m。当压敏粘合剂层的厚度在上述范 围内时，能够显示适当的压敏粘合力。压敏粘合剂层可为单层或多层。此外，切割带的厚度(包括基材和压敏粘合剂层的整个带的厚度)可选自例如6 至1300 μ m的范围，优选15至700 μ m,更优选25至400 μ m,进一步优选37至250 μ m。此外，在本发明中，可使半导体背面用切割带集成膜具有抗静电功能。由于该构 造，能够防止电路由于在其紧密粘合时(在粘合时)和在剥离时静电能的产生或由于工件 (半导体晶片等)通过静电能的带电导致的击穿。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以 下方法进行添加抗静电剂或导电性物质至基材、压敏粘合剂层和半导体背面用膜的方法， 或在基材上设置由电荷转移配合物(complex)组成的导电层或金属膜等的方法。作为这些 方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和 改进热传导性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、铝、金、铜、镍或 导电性合金等的球形、针形或薄片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。 然而，从不具有漏电性的观点，半导体背面用膜优选非导电性的。在本发明中，切割带可如上所述制备并使用，或可使用商购可得的产品。此外，半导体背面用切割带集成膜可以以卷绕成卷形物(roll)的形式形成或可 以以将片材(膜)层压的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况下，根据需 要，以通过隔离体保护半导体背面用膜的状态将膜卷绕成卷形物，由此可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜。在这点上，处于卷绕成卷形物状 态或形式的半导体背面用切割带集成膜可由基材、在基材的一个表面上形成的压敏粘合剂 层、在压敏粘合剂层上形成的半导体背面用膜，和在基材的另一表面上形成的可剥离处理 层(后表面处理层)构成。此外，半导体背面用切割带集成膜的厚度(半导体背面用膜的厚度以及包括基材 和压敏粘合剂层的切割带的厚度的总厚度)可选自例如8至1500 μ m的范围内，其优选20 至850 μ m、更优选31至500 μ m、进一步优选47 μ m至330 μ m的范围内。在半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度与切割带的压敏粘合剂 层的厚度的比没有特别限定，但例如，可在以(半导体背面用膜的厚度)/(切割带的压敏粘 合剂层的厚度)的比例计为150/5至3/100的范围内适当选择。该比例优选100/5至3/50， 更优选60/5至3/40。当半导体背面用膜的厚度与切割带的压敏粘合剂层的厚度的比例在 前述范围内时，能够显示适当的压敏粘合力，并能够显示优良的切割性和拾取性。此外，在半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度与切割带的厚 度(基材和压敏粘合剂层的总厚度)的比例没有特别限定，但例如，可在以(半导体背面 用膜的厚度)/(切割带的厚度)的比例计为150/50至3/500的范围内适当选择，并优选 100/50至3/300，更优选60/50至3/150。当半导体背面用膜的厚度与切割带的厚度的比例 在150/50至3/500范围内时，拾取性良好并能够抑制或防止切割时横向残余物(lateral residue)的产生。如上所述，通过控制在半导体背面用切割带集成膜中半导体背面用膜的厚度与切 割带的压敏粘合剂层的厚度的比例或半导体背面用膜的厚度与切割带的厚度(基材和压 敏粘合剂层的总厚度)的比例，在切割步骤时的切割性和在拾取步骤时的拾取性等能够得 到改进，并且从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤均能够有效地利 用半导体背面用切割带集成膜。(半导体背面用切割带集成膜的生产方法)本发明的半导体背面用切割带集成膜的生产方法使用半导体背面用切割带集成 膜1为例描述。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延 成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、T-模挤出法、共挤出法 和干法层压法。接着，压敏粘合剂层32通过以下形成将压敏粘合剂组合物施涂至基材31上， 接着干燥(根据需要，在加热下交联)。施涂方法的实例包括辊涂、丝网涂布(screen coating)和凹版涂布(gravure coating)。在这点上，压敏粘合剂组合物可直接施涂至基 材31以在基材31上形成压敏粘合剂层32，或可将压敏粘合剂组合物施涂至表面已进行剥 离处理的剥离纸等上以形成压敏粘合剂层，然后将其转移至基材31上，从而在基材31上形 成压敏粘合剂层32。因而，切割带3通过在基材31上形成压敏粘合剂层32来制备。另一方面，涂布层可通过以下形成将用于形成半导体背面用膜2的形成材料施 涂至剥离纸上以在干燥后具有规定厚度，并在规定条件下进一步将其干燥(在需要热固化 的情况下，根据需要进行加热处理和干燥)。通过将涂布层转移至压敏粘合剂层32上将半 导体背面用膜2形成于压敏粘合剂层32上。在这点上，半导体背面用膜2也能够通过在压 敏粘合剂层32上直接施涂用于形成半导体背面用膜2的形成材料、接着在规定条件下干燥(在需要热固化的情况下，根据需要进行加热处理和干燥)而形成于压敏粘合剂层32上。 因此，获得根据本发明的半导体背面用切割带集成膜1。此外，在半导体背面用膜2形成时 进行热固化的情况下，重要的是进行热固化至实现部分固化的程度，但优选不进行热固化。本发明的半导体背面用切割带集成膜能够在包括倒装芯片接合步骤的半导体器 件生产时适当使用。即，在倒装芯片安装的半导体器件的生产时使用本发明的半导体背面 用切割带集成膜，因此以将半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜粘贴至半导体芯 片背面的状态或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，将本发明的半导体背面用切 割带集成膜用于倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固 定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。(半导体晶片)工件(半导体晶片)不特别限制，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，可 在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适 当地使用硅晶片。(半导体器件的生产方法)用于生产本发明半导体器件的方法没有特别限定，只要其为使用上述半导体背面 用切割带集成膜生产半导体器件的方法即可。例如，可提及包括以下步骤的生产方法等将工件粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上的步骤(安装步 骤)；切割工件以形成芯片形工件的步骤(切割步骤)；将芯片形工件与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤(拾 取步骤)；和通过倒装芯片接合将芯片形工件固定至被粘物的步骤(倒装芯片接合步骤)。更具体地，作为半导体器件的生产方法，例如，半导体器件可以如下在适当剥离任 选地设置于半导体背面用膜上的隔离体后使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产。 下文中，参考图2A至2D，使用半导体背面用切割带集成膜1作为实例描述该方法。图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方 法的一个实施方案的横截面示意图。在图2A至2D中，如上所述，4为工件(半导体晶片)， 5为芯片形工件(半导体芯片)，51为在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块，6为被粘物， 61为粘合至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料，1、2、3、31和32分别为半导体背面用 切割带集成膜、半导体背面用膜、切割带、基材和压敏粘合剂层。(安装步骤)首先，如图2A所示，将半导体晶片(工件)4粘贴(压接)至半导体背面用切割 带集成膜1中的半导体背面用膜2上，以通过紧密粘合和保持来固定半导体晶片(安装步 骤)。通常在用加压装置如加压辊加压的同时进行本步骤。(切割步骤)接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切断成规定尺寸并 个体化(成形为小片)，以生产半导体芯片(芯片形工件)5。例如，所述切割根据常规方法 从半导体晶片4的电路面侧进行。另外，本步骤可采取例如形成达到半导体背面用切割带 集成膜1的切口(slit)的称作完全切断的切断方法。在本发明中，重要的是在切割步骤中将工件充分切断(完全切断)。在此情况下，重要的是在将半导体背面用膜完全切断的同 时将工件与半导体背面用膜一起切割。即，重要的是本步骤为通过将工件与半导体背面用 膜一起切割形成芯片形工件的步骤。在这点上，在将工件与半导体背面用膜一起切割时，切 割可在其中在切割带上没有形成切口的形式下或在其中在切割带上至少部分地形成切口 (优选部分地，从而不切断切割带)的形式下进行。用于本步骤的切割设备没有特别限定， 可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过具有半导体背面用膜的半导体背面 用切割带集成膜1粘合并固定，可抑制芯片破裂和芯片飞散，以及还可抑制半导体晶片4破 损。在这点上，当半导体背面用膜2由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过 切割切断时，也抑制或防止在切断面处发生粘合剂从半导体背面用膜挤出。结果，可抑制或 防止切断面自身的再粘贴(粘连(blocking))，从而可进一步方便地进行以下要描述的拾 取。在扩展半导体背面用切割带集成膜的情况下，扩展(expansion)可使用常规已知 的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动半导体背面用切割带集成膜向下通过切割环 的环形外环，和直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜的内环。由于该扩展步骤， 可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。(拾取步骤)为了收集粘合并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半导体芯片5，如图2C所 示进行半导体芯片5的拾取以将半导体芯片5与半导体背面用膜2 —起从切割带3剥离。 拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从半导体 背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半 导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5在背面(也称为非电路面、非电极形成 面等)已用半导体背面用膜2保护。(倒装芯片接合步骤)如图2D所示，拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定 于被粘物如基板。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为正面、电路图案形成面、电极 形成面等)与被粘物6相对的形式，根据常规方式将半导体芯片5固定于被粘物6上。例 如，使在半导体芯片5的电路面处形成的凸块51与粘贴至被粘物6的连接垫的连结用导电 性材料61 (如焊料)接触，并在加压下熔融导电性材料，由此能够确保半导体芯片5和被粘 物6之间的电连接，并能够将半导体芯片5固定于被粘物6上。在这点上，在将半导体芯片 5固定至被粘物6时，重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙预先洗涤，然 后将封装材料(如封装树脂)填充入该间隙中。作为被粘物，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料没 有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三 嗪基板和聚酰亚胺基板。在倒装芯片接合中，凸块的材料和导电性材料没有特别限定，其实例包括焊料 (合金)如锡-铅基金属材料、锡-银基金属材料、锡-银-铜基金属材料、锡-锌基金属材 料和锡-锌-铋基金属材料，以及金基金属材料和铜基金属材料。此外，在本步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面侧的凸块和 在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约^KTC (例如，250°C至300°C )。通过形成具有环氧树脂等的半导体背面用膜，可使本发明的半导体背面用切割 带集成膜具有能够承受在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。此外，在倒装芯片接合中在洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形 成面)以及间隙时使用的洗涤液没有特别限定，该液体可为有机洗涤液或可为水性洗涤 液。在本发明的半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜具有对洗涤液的耐溶剂 性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤 液，并可通过任何常规方法而无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。在本发明中，在封装半导体芯片5和被粘物6之间的间隙时使用的封装材料没有 特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知封装材料如封装树 脂中适当选择和使用。封装树脂优选具有弹性的绝缘树脂。封装树脂的实例包括含环氧树 脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的 树脂组合物组成的封装树脂除了环氧树脂之外还可包含除了环氧树脂之外的热固性树脂 (如酚醛树脂)或热塑性树脂。此外，可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为该酚醛 树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。在用封装树脂的封装步骤中，封装树脂通常通过加热来固化以实现封装。在很多 情况下，封装树脂的固化通常在175°C下进行60至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例 如，固化可在165至185°C的温度下进行几分钟。在半导体背面用膜由包含热固性树脂的树 脂组合物形成的情况下，在固化该封装树脂时，构成半导体背面用膜的热固性树脂可完全 或几乎完全固化。半导体芯片5和被粘物6之间间隙的距离通常为约30至约300 μ m。在使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的半导体器件(倒装芯片安装 的半导体器件)中，由于半导体背面用膜粘贴至芯片形工件背面上，因此可以以优良的可 见度实施激光标识。特别地，标识能够以优良的对比度实施，因而可以以良好可见度观察通 过激光标识实施的各种信息(文字信息、图形信息等)。在激光标识时，可利用已知激光标 识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。 具体地，作为气体激光器，可利用任何已知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光 器(O)2激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等) 是合适的。作为固态激光器，可利用任何已知的固态激光器而没有特别限定，但YAG激光器 (如Nd: YAG激光器)和YVO4激光器是合适的。由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产的倒装芯片安装的半导体器 件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的 半导体器件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用倒装芯片安装的半导体 器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯 片安装的半导体器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小型计算机[所谓 的“PDA” (手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个人计算机”，所谓的“Net Book (商标)，，和 所谓的“可穿戴计算机”等]，具有“移动电话”和计算机集成形式的小型电子器件，所谓的 "Digital Camera (商标)”，所谓的“数码摄像机”，小型电视机，小型游戏机，小型数字音频 播放机，所谓的“电子记事本”，所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端， 移动电子器件(可携带电子器件)如小型数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于 记录和复制的电子器件(硬盘记录器(hard disk recorders)、DVD播放机等)、投影仪和 微型机等。此外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件不特别限制，其实例包 括用于所谓“CPU”的部件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。实施例以下将详细地示例性描述本发明的优选实施例。然而，在这些实施例中描述的材 料和混合量等不意欲将本发明的范围仅限制于此，除非另外说明，它们仅为说明性实例。此 外，除非另外说明，在各实施例中的份为重量标准。实施例1<半导体背面用膜的制造>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co. ,Ltd.制造)，将 113 份环氧树脂(商品名=EPICOAt 1004，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛树脂(商品名 MILEX XLC-4L，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名S0_25R，由 Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒径0. 5 μ m)和3份黑色颜料(商品名Mitsubishi Carbon Black#47，由Mitsubishi Chemical Corporation制造)溶解于甲乙酮中，以调整固体浓度 为23. 6重量％，并借助于球磨机制备树脂组合物分散液。将该树脂组合物溶液施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由 具有厚度50 μ m的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130°C下干燥2分 钟，以制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半导体背面用膜A。<半导体背面用切割带集成膜的制造>将上述半导体背面用膜A使用手动辊粘贴至切割带(商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，压敏粘合剂层的平均厚度=IOym)的压 敏粘合剂层上，以制造半导体背面用切割带集成膜。比较例1<半导体背面用膜的制造>基于100份具有丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合 物(商品名PARACR0N W-197CM，由 Negami Chemical Industrial Co. ,Ltd.制造)，将 113 份环氧树脂(商品名=EPICOAt 1004，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛树脂(商品名 MILEX XLC-4L，由 Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246 份球形二氧化硅(商品名S0_25R， 由Admatechs Co. Ltd.制造，平均粒径0. 5 μ m)、5份染料1 (商品名“OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2 (商品名“OIL BLACK BS”，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为 23. 6重量％的树脂组合物溶液。将该树脂组合物溶液施涂至作为可剥离衬垫(隔离体)已进行硅酮剥离处理的由 具有厚度50 μ m的聚对苯二甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130°C下干燥2分 钟，以制造具有厚度(平均厚度)20 μ m的半导体背面用膜B。<半导体背面用切割带集成膜的制造>将上述半导体背面用膜B使用手动辊粘贴至切割带(商品名“V-8-T”，由NittoDenko Corporation制造；基材的平均厚度65 μ m，压敏粘合剂层的平均厚度=IOym)的压 敏粘合剂层上，以制造半导体背面用切割带集成膜。此外，在根据实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的厚度 (平均厚度)为20μπι。此外，关于切割带(商品名“V-8-T”，由Nitto Denko Corporation 制造)，基材的厚度(平均厚度)为65 μ m，压敏粘合剂层的厚度(平均厚度)为ΙΟμπι，总 厚度为75 μ m。因此，在根据实施例1的半导体背面用切割带集成膜中，半导体背面用膜的 厚度与切割带的压敏粘合剂层的厚度的比(半导体背面用膜的厚度/切割带的压敏粘合剂 层的厚度；以平均厚度计的比)为20/10，半导体背面用膜的厚度与切割带的厚度(基材和 压敏粘合剂层的总厚度)的比(半导体背面用膜的厚度/切割带的厚度；以平均厚度计的 比)为 20/75。(半导体背面用膜的物理性质的测量)关于在实施例1和比较例1中制备的各半导体背面用切割带集成膜中的各半导体 背面用膜，分别以以下方式测量可见光透过率(％ )、吸湿度(重量％ )和重量减少率(重 量％)。测量结果示于下表1中。<可见光透过率的测量方法>将在实施例1和比较例1中制备的各半导体背面用膜(平均厚度20μπι)使用 "ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER”(商品名，由 Shimadzu Corporation 制造)利用可见 光照射。将可见光的波长调整为400nm-800nm。测量通过该照射而透过半导体背面用膜的 可见光的光强度并根据以下表达式计算。可见光透过率(％)=[(透过半导体背面用膜后的可见光的光强度)/(可见光的 初始光强度)]X100<吸湿度的测量方法>将在实施例1和比较例1中制备的各半导体背面用膜在温度85°C和湿度85% RH 的恒温恒湿室中静置168小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算吸湿度(重 量％ )。吸湿度(重量％ ) = [{(使半导体背面用膜静置后的重量)_(使半导体背面用膜 静置前的重量)} / (使半导体背面用膜静置前的重量)]X100<重量减少率的测量方法>将在实施例1和比较例1中制备的各半导体背面用膜在温度250°C的干燥机中静 置1小时。测量静置前后的重量，根据以下表达式计算重量减少率(重量％ )。重量减少率(重量％) = [{(使半导体背面用膜静置前的重量)_(使半导体背面 用膜静置后的重量)} / (使半导体背面用膜静置前的重量)]X100表权利要求
1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层；和倒装芯片型半导体背面用膜，所述倒装芯片型半导体背面用膜设置于所述压敏粘合剂 层上，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述黑色颜料为炭黑。
3.根据权利要求1或2所述的半导体背面用切割带集成膜，其用于倒装芯片安装的半 导体器件。
4.一种生产半导体器件的方法，所述方法包括将工件粘贴至根据权利要求1至3任一项所述的半导体背面用切割带集成膜的倒装芯 片型半导体背面用膜上，切割所述工件以形成芯片形工件，将所述芯片形工件与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合 剂层剥离，和将所述芯片形工件通过倒装芯片接合固定至被粘物。
5.一种倒装芯片安装的半导体器件，其使用根据权利要求1至3任一项所述的半导体 背面用切割带集成膜制造，所述半导体器件包括芯片形工件和粘贴至所述芯片形工件背面 的倒装芯片型半导体背面用膜。
全文摘要
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜。本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜，其包括包括基材和设置于所述基材上的压敏粘合剂层的切割带；和设置于所述压敏粘合剂层上的倒装芯片型半导体背面用膜，其中所述倒装芯片型半导体背面用膜包含黑色颜料。
文档编号H01L21/50GK102146265SQ20101062181
公开日2011年8月10日 申请日期2010年12月24日 优先权日2009年12月24日
发明者志贺豪士, 松村健, 高本尚英 申请人:日东电工株式会社