专利名称：电浆蚀刻装置的制作方法
技术领域：
本发明关于一种电浆蚀刻装置，其将包含蚀刻气体的处理气体电浆化，且通过经电浆化的处理气体对作为处理对象的基板进行蚀刻。
背景技术：
先前，作为上述电浆蚀刻装置，众所周知有例如图7所示的电浆蚀刻装置(参照日本专利特开2006-54305号公报)、或图8所示的电浆蚀刻装置(参照日本专利特表 2003-533878 号公报)。图7所示的电浆蚀刻装置100包括处理腔室101、配设于处理腔室101内的下部且载置有基板K的基台102、将蚀刻气体供给至处理腔室101内的气体供给装置103、配置于处理腔室101的外周部的线圈104、将高频电力供给至线圈104的高频电源105、将高频电力供给至基台102的高频电源106、及将处理腔室101内的气体排出的排气装置107。于该电浆蚀刻装置100中，通过将高频电力供给至线圈104，而将供给至处理腔室 101内的蚀刻气体电浆化，通过电浆中的自由基、或由于偏压电位而入射至基板K的电浆中的离子，对基台102上的基板K进行蚀刻，该偏压电位是通过将高频电力供给至基台102而产生。另一方面，图8所示的电浆蚀刻装置200包括处理腔室201，其具有上下地设定有两个电浆生成区域202、203的内部空间；接地的平板状构件204，其以上下形成有大致相同大小的空间的方式，且以将电浆生成区域202设置于上侧，将电浆生成区域203设置于下侧的方式，对处理腔室201内进行分隔，且具有贯通于表背的多个贯通孔205 ；基台206，其配设于处理腔室201内的下部，且载置有基板K ；气体供给装置207，其将蚀刻气体自其上部侧供给至处理腔室201内；线圈208，其对应于电浆生成区域202而配置于处理腔室201 的外周部；高频电源209，其将高频电力供给至线圈208 ；线圈210，其对应于电浆生成区域 203而配置于处理腔室201的外周部；高频电源211，其将高频电力供给至线圈210 ；高频电源212，其将高频电力供给至基台206 ；以及排气装置213，其将处理腔室201内的气体自其下部侧予以排出。于该电浆处理装置200中，供给至处理腔室201内的蚀刻气体自电浆生成区域202 经由平板状构件204的贯通孔205而流入至电浆生成区域203，并且将高频电力供给至线圈 208、210，由此，将电浆生成区域202、203的蚀刻气体分别电浆化，通过电浆生成区域203内的电浆中的自由基、或由于偏压电位而入射至基板K的电浆生成区域203内的电浆中的离子，对基台206上的基板K进行蚀刻，该偏压电位通过将高频电力供给至基台206而产生。此外，当蚀刻气体通过平板状构件204时，蚀刻气体(电浆)中的离子与该平板状构件204接触而消失，仅自由基通过该平板状构件204，因此，于电浆生成区域203中，自由基的密度变高，通过此种自由基或离子而对基板K进行蚀刻。[先行技术文献][专利文献]
[专利文献1]日本专利特开2006-54305号公报[专利文献2]日本专利特表2003-533878号公报[发明所欲解决的问题]然而，对于作为蚀刻对象的基板K而言，存在例如，如氧化硅(SiO2)般，主要通过入射至基板K的离子而蚀刻的基板；以及例如，如硅(Si)般，主要通过与自由基的化学反应而蚀刻的基板，根据基板K的不同而有所不同，S卩，主要通过离子入射而进行蚀刻，或主要通过与自由基的化学反应而进行蚀刻。而且，于图7所示的电浆蚀刻装置100中，于进行以离子入射为主体的蚀刻的情形时，如图9(a)所示，若使所生成的电浆的电浆密度(离子密度)均一，则能以均一的蚀刻速度均一地对基板K的整个面进行蚀刻(参照图9(b))，但于进行以自由基的化学反应为主体的蚀刻的情形时，若电浆密度均一，则自由基密度亦均一，因此会产生如下不良，即，由于负载效应，基板K的外周部的蚀刻速度加快，无法均一地对基板K的整个面进行蚀刻(参照图 9(c))。再者，产生该负载效应的原因在于由于在较基板K的外周部更外侧生成大电浆， 故而与中央部相比，于基板K的外周部中，更多的自由基参与蚀刻。另一方面，如图10(a)所示，若于基板K的中央部侧使电浆密度升高，且于基板K 的外周部侧使该电浆密度降低，则自由基密度亦会成为与电浆密度相同的密度分布，因此， 于进行以自由基的化学反应为主体的蚀刻的情形时，可将自由基密度高的基板K的中央部侧的蚀刻速度提高至与基板K的外周部的蚀刻速度相同的程度为止，从而均一地对基板K 的整个面进行蚀刻(参照图10(C))，但于进行以离子入射为主体的蚀刻的情形时，会产生如下不良，即，基板K的中央部的蚀刻速度加快，导致无法均一地对基板K的整个面进行蚀刻(参照图10(b))，或如图11般，无法通过倾斜地入射的离子而精度良好地对基板K的外周部进行蚀刻。亦即，如图11所示，于基板K的中央部(C部)，与表面垂直地形成有槽H或孔H，但于基板K的外周部(L部、R部)，倾斜地形成有槽H或孔H。因此，于图7所示的电浆蚀刻装置100中，仅可均一地对主要通过入射的离子而蚀刻的基板K、及主要通过与自由基的化学反应而蚀刻的基板K中的其中一基板K进行蚀刻， 无法均一地对两个基板K进行蚀刻。此外，于图8所示的电浆蚀刻装置200中，虽可通过平板状构件204提高电浆生成区域203中的自由基密度，但会导致自由基密度整体地变高而非局部地变高，因此，该装置 200亦会产生与上述问题相同的问题。本发明鉴于以上情形经开发而成，其目的在于提供如下电浆蚀刻装置，无论基板的种类如何，亦即，无论当主要通过自由基的化学反应对基板进行蚀刻时，还是主要通过离子入射对基板进行蚀刻时，该电浆蚀刻装置均可均一地对基板的整个面进行蚀刻。
发明内容
[解决问题的技术手段]用以实现上述目的的本发明关于一种电浆蚀刻装置，其包括处理腔室，其包含由下表面形成开口的圆筒容器状的构件构成的上腔室、及由上表面形成开口的圆筒容器状的构件构成的下腔室，该上腔室及下腔室上下地配设且内部空间彼此连通，上述上腔室的外径小于上述下腔室的外径且该上腔室设置于该下腔室的上表面中央部；基台，其配设于上述下腔室内，且载置有基板；气体供给机构，其将包含蚀刻气体的处理气体至少供给至上述上腔室内；第1电浆生成机构，其将上述上腔室内的处理气体电浆化；第2电浆生成机构，其将上述下腔室内的处理气体电浆化；排气机构，其将上述处理腔室内的气体予以排出以对内部进行减压；电力供给机构，其将高频电力供给至上述基台；以及离子除去机构，其将通过上述第1电浆生成机构而电浆化且自上述上腔室内流入至下腔室内的处理气体中的离子除去。根据本发明，通过排气机构对处理腔室内进行减压，并且通过气体供给机构将包含蚀刻气体的处理气体供给至上腔室内，所供给的处理气体自上腔室内朝下腔室内流动， 并且通过第1电浆生成机构及第2电浆生成机构将上述处理气体电浆化。此外，通过电力供给机构将高频电力供给至基台，于基台与下腔室内的处理气体的电浆的间产生电位差(偏压电位)。继而，通过下腔室内的电浆中的自由基、或由于偏压电位而入射至基板的离子，对基台上的基板进行蚀刻。通过离子除去机构，将通过第1电浆生成机构而电浆化且自上腔室内流入至下腔室内的处理气体(电浆)中的离子除去，但处理气体中的自由基会移动而不会被除去。此外，上腔室的外径小于下腔室的外径，上腔室设置于下腔室的上表面中央部。由此，可使下腔室内的基板中央部侧的自由基密度升高而不会使电浆密度(离子密度)发生变化。因此，例如，若通过第2电浆生成机构于下腔室内所生成的电浆密度及自由基密度均一，则可使电浆密度保持固定，且可使基板中央部侧的自由基密度较基板外周部侧仅提高与自上腔室内移动至下腔室内的自由基相当的量(参照图2 (a))，因此，于作为蚀刻对象的基板主要通过自由基的化学反应而蚀刻的情形时，可将基板中央部的蚀刻速度提高至与利用负载效应的基板外周部的蚀刻速度相同的程度为止(参照图2(c))，其结果，可均一地对基板的整个面进行蚀刻。另一方面，于作为蚀刻对象的基板主要通过离子入射而蚀刻的情形时，可通过均一地分布的离子以均一的蚀刻速度，均一地对基板的整个面进行蚀刻 (参照图2 (b))。此外，如图3所示，无论于基板K的中央部(C部)，还是于基板K的外周部 (L部、R部)，均可与表面垂直地形成槽H或孔H。如此，根据本发明的电浆蚀刻装置，可使基板中央部侧的自由基密度高于基板外周部侧的自由基密度而不会使电浆密度发生变化，因此，无论当以自由基的化学反应为主体对基板进行蚀刻时，还是以离子入射为主体对基板进行蚀刻时，均可均一地对基板的整个面进行蚀刻。再者，上述离子除去机构由具有贯通于表背的多个贯通孔且接地的平板状的构件构成，上述平板状的构件以分隔上述处理腔室的内部空间的方式配设于上述上腔室内的下部或下腔室内的上部。于该情形时，自上腔室内朝下腔室内流动的处理气体于其流动途中， 通过平板状的构件，但此时，处理气体(电浆)中的离子与平板状的构件接触而消失，自由基不会消失而是直接移动。此外，于上述上腔室的下部及上述下腔室的上部的至少之一，形成有接地的部分，
5上述离子除去机构构成为包括以卷绕于上述上腔室的方式而配设该上腔室的外周部的线圈、及使直流电流于上述线圈中流动的直流电源，通过流动有直流电流的线圈所形成的磁场，使通过上述第1电浆生成机构而电浆化的处理气体中的离子朝上述处理腔室的上述接地的部分的内表面移动，并与该内表面接触。于该情形时，自上腔室内流动至下腔室内的处理气体(电浆)中的离子通过流动有直流电流的线圈所形成的磁场，朝处理腔室的接地的部分的内表面移动，该离子与该内表面接触并消失，自由基不会消失而是直接移动。此外，上述离子除去机构由上述上腔室构成，上述上腔室于内部空间的上部设定有电浆生成区域，并且与该电浆生成区域的下方相对应的部分接地，或者上述离子除去机构由在内部空间的上部设定有电浆生成区域的上述上腔室、及使相当于顶板的环状板接地的上述下腔室构成，上述电浆生成区域设定于远离上述上腔室的下端的上方位置，以使于该电浆生成区域中，通过上述第1电浆生成机构而电浆化的处理气体中的离子与上述接地的部分的内表面接触。于该情形时，供给至上腔室内的处理气体于电浆生成区域中被电浆化，经由上腔室的接地的部分或环状板的内周面而流入至下腔室内，但当通过上述接地的部分或环状板的内周面时，处理气体(电浆)中的离子与该接地的部分的内表面或环状板的内周面接触而消失，自由基不会消失，其通过上述接地的部分或环状板的内周面而移动至下腔室内。因此，即便如此，虽无积极意义，但可使离子消失。再者，例如可实验性地求出上腔室的高度或电浆生成区域的高度位置、环状板的厚度，彼等对于使电浆生成区域中经电浆化的处理气体中的离子与上腔室的接地的部分的内表面或环状板的内周面接触以消失而言较佳。[发明的效果]如此，根据本发明的电浆蚀刻装置，无论作为蚀刻对象的基板为何种基板，均可如图2所示，使基板的蚀刻速度相同，从而可通过自由基或离子入射而均一地对基板的整个面进行蚀刻。
图1表示本发明的一实施形态的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图2(a)表示本实施形态中的下腔室内的电浆密度分布及自由基密度分布的图表，图2(b)及图2(c)表示使用本实施形态的电浆蚀刻装置对基板进行蚀刻时的蚀刻速度的图表；图3是使用本实施形态的电浆蚀刻装置对基板进行蚀刻时的蚀刻形状的剖面图；图4表示本发明的其它实施形态的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图5表示本发明的其它实施形态的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图6表示本发明的其它实施形态的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图7表示先前例的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图8表示先前例的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图；图9是对先前的问题点进行说明时所使用的与电浆密度分布及蚀刻速度相关的图表；图10是对先前的问题点进行说明时所使用的与电浆密度分布及蚀刻速度相关的图表；
图11对先前的问题点进行说明时所使用的表示蚀刻形状的剖面图。
具体实施例方式以下，基于随附附图，对本发明的具体实施形态进行说明。再者，图1为表示本发明的一实施形态的电浆蚀刻装置的概略构成的剖面图。如图1所示，本例的电浆蚀刻装置1包括具有闭塞空间的处理腔室11 ；基台16， 其配置于处理腔室11内，且载置有作为蚀刻对象的基板K ；气体供给装置20，其将蚀刻气体 (处理气体)供给至处理腔室11内；电浆生成装置25，其将供给至处理腔室11内的蚀刻气体电浆化；高频电源32，其将高频电力供给至基台16 ；以及对处理腔室11内的压力进行减压的排气装置35。上述处理腔室11通过上腔室12以及下腔室13而形成为上下两部分的构成，该上腔室12及下腔室13分别由呈圆筒容器状的构件构成。此外，上腔室12的下表面形成开口， 下腔室13的上表面形成开口，上腔室12及下腔室13的内部空间相互连通。上述上腔室12的外径形成得小于下腔室13的外径，该上腔室12配设于下腔室13 的上表面中央部。于上述下腔室13的顶板面设置有接地的平板状构件(离子除去构件)14， 该平板状构件14将处理腔室11的内部空间分隔为上腔室12侧的空间与下腔室13侧的空间，该平板状构件14包括贯通于表背的多个贯通孔14a，且例如由铝等金属构成。此外，于下腔室13的外周面设置有用以将基板K搬入或搬出的开口部13a，该开口部13a通过挡闸 15而开闭。再者，上述上腔室12的顶板1 及侧壁下部12c、及上述下腔室13的顶板(环状板)1 例如由铝等金属构成，上述上腔室12的侧壁上部12b及上述下腔室13的侧壁13c 例如由陶瓷构成，例如，上腔室12的侧壁下部12c及下腔室13的顶板1 接地。上述基台16包括上构件17及下构件18，且配设于下腔室13内。于上述上构件 17上载置有基板K，用以使基台16升降的升降气缸19连接于上述下构件18。上述气体供给装置20由供给蚀刻气体(例如，SF6气体)的供给部21、与供给管 22构成，该供给管22的一端连接于供给部21、另一端连接于上腔室12的上部，上述气体供给装置20将蚀刻气体自供给部21经由供给管22而供给至上腔室12内。上述电浆生成装置25由第1电浆生成部沈与第2电浆生成部四构成，该第1电浆生成部沈包括上下地并排设置于上腔室12的外周部的多个呈环状的线圈27、及将高频电力供给至各线圈27的高频电源观，上述第2电浆生成部四包括上下地并排设置于下腔室13的外周部的多个呈环状的线圈30、及将高频电力供给至各线圈30的高频电源31。再者，上述各线圈30于下腔室13的上部，设置于较基台16更上侧。而且，于该电浆生成部沈、四中，当通过高频电源28、31而将高频电力供给至线圈 27,30时，于各腔室12、13内形成磁场，通过该磁场所引起的电场而将各腔室12、13内的蚀刻气体电浆化，从而生成自由基、离子及电子等。此外，当通过上述高频电源32而将高频电力供给至基台16时，基台16与下腔室 13内所生成的电浆的间会产生电位差(偏压电位)。上述排气装置35由排气泵36、及将排气泵36与下腔室13予以连接的排气管37 构成，通过排气泵36，经由排气管37而将下腔室13内的气体予以排出，将处理腔室11的内
7部减压至特定压力。根据以上述方式构成的本例的电浆蚀刻装置1，将基板K载置于下腔室13内的基台16上之后，通过各高频电源观、31、32将高频电力分别供给至线圈27、30及基台16，通过排气装置35对处理腔室11内进行减压，通过气体供给装置20将蚀刻气体供给至处理腔室 11内。所供给的蚀刻气体的一部分经电浆化而自上腔室12内朝下腔室13内流动，经由平板状构件14的各贯通孔1 流入至下腔室13内，且扩散，但此时，蚀刻气体(电浆)中的离子A与平板状构件14接触而消失，未经电浆化的蚀刻气体及电浆中的自由基B流入至下腔室13内(参照图1)。继而，于下腔室13内，与上腔室12内同样地，将流入的蚀刻气体的一部分电浆化。另一方面，载置于下腔室13内的基台16上的基板K与下腔室13内的电浆中的自由基发生化学反应，或通过偏压电位而使电浆中的离子入射至基板K，由此，对该基板K进行蚀刻。然而，如上所述，当经电浆化的蚀刻气体通过平板状构件14时，蚀刻气体(电浆) 中的离子与平板状构件14接触而消失，自由基不会消失而是直接流入至下腔室13内。此外，上腔室12的外径小于下腔室13的外径，上腔室12设置于下腔室13的上表面中央部。因此，于下腔室13内，由于自上腔室12内流入的自由基，基板K的中央部侧的自由基密度升高，而且，由于流入有上腔室12内的蚀刻气体，故而下腔室13内的电浆密度 (离子密度)不发生变化。因此，例如，若于下腔室13内所生成的电浆密度及自由基密度均一，则如图2(a) 所示，在电浆密度保持固定的状态下，可使基板K的中央部侧的自由基密度较基板K的外周部侧仅提高与自上腔室12内移动至下腔室13内的自由基相当的量。由此，于作为蚀刻对象的基板K主要通过自由基的化学反应而蚀刻的情形时，如图2(c)所示，可将基板K的中央部的蚀刻速度提高至与利用负载效应的基板K的外周部的蚀刻速度相同的程度为止，其结果，可均一地对基板K的整个面进行蚀刻。另一方面，于作为蚀刻对象的基板K主要通过离子入射而蚀刻的情形时，如图2(b)所示，可通过均一地分布的离子而以均一的蚀刻速度，均一地对基板K的整个面进行蚀刻。此外，如图3所示，无论于基板K的中央部(C部)，还是于基板K的外周部(L部、R部)，均可与表面垂直地形成槽H或孔H。如此，根据本例的电浆蚀刻装置1，可使基板K的中央部侧的自由基密度高于基板 K的外周部侧的自由基密度而不会使电浆密度发生变化，因此，无论当以自由基的化学反应为主体而对基板K进行蚀刻时，还是以离子入射为主体而对基板K进行蚀刻时，如图2所示，均可使基板K的蚀刻速度相同而均一地对基板K的整个面进行蚀刻。以上，对本发明的一实施形态进行了说明，但本发明可采用的具体形态完全不限定于此。于上例中，将平板状构件14设置于下腔室13的顶板面，该平板状构件14与在上腔室12内将蚀刻气体电浆化所生成的离子接触，并使该离子消失，但并不限于此，可将平板状构件14设置于上腔室12的下部内周面，于蚀刻气体实际上流入至下腔室13内的前， 与蚀刻气体中的离子接触，并使该离子消失；亦可将平板状构件14设置于下腔室13的上部内周面，于蚀刻气体流入至下腔室13内的后，立即与蚀刻气体中的离子接触，并使该离子消失。此外，亦可通过形成磁场而非通过与上述平板状构件14的接触，使蚀刻气体中的离子消失。于该情形时，如图4所示，代替上述平板状构件14，电浆蚀刻装置2包括由线圈 51与直流电源52构成的除去装置50，该线圈51以卷绕于上腔室12的方式而配设于该上腔室12的外周下部，该直流电源52使直流电流于上述线圈51中流动。再者，上述除去装置50以外的部分为与上述电浆蚀刻装置1相同的构成。当上述直流电源52使直流电流于线圈51中流动时，以形成朝如图4所示的磁力线G的方向的磁场的方式而使直流电流于线圈51中流动。亦即，以通过线圈51而形成如下磁场的方式，使直流电流流动，于线圈51的内周部，该磁场的磁力线G自上侧朝向下侧， 于线圈51的外周部，该磁场的磁力线G自下侧朝向上侧。而且，根据以上述方式构成的除去装置50，于上腔室12内将蚀刻气体电浆化所生成的离子A，通过上述线圈51所形成的磁场而沿磁力线G的方向移动，该离子A与处理腔室 11的内表面(主要为下腔室13的天井部(顶板13b))接触而消失。因此，自上腔室12内流入至下腔室13内的蚀刻气体中的离子A立即消失，且蚀刻气体中的自由基B不会消失而朝下方移动。因此，上述电浆蚀刻装置2亦可获得与上述电浆蚀刻装置1相同的效果。此外，当使蚀刻气体中的离子消失时，亦可以图5及图6所示的方式而构成电浆蚀刻装置3、4。对于图5所示的电浆蚀刻装置3而言，上腔室12本身具有除去功能，上腔室 12上下地形成得较长，并且于内部空间的上部设定有电浆生成区域，与该电浆生成区域的下方相对应的部分成为上述侧壁下部12c。再者，于该电浆蚀刻装置3中，上腔室12的长度及平板状构件14以外的部分为与上述电浆蚀刻装置1相同的构成。此外，上述侧壁下部 12c作为与在电浆生成区域中经电浆化的处理气体中的离子接触，并使该离子消失的部分而发挥功能，例如，可实验性地求出用以使侧壁下部12c如上述般发挥功能的上腔室12的高度或电浆生成区域的高度位置。另一方面，图6所示的电浆蚀刻装置4通过上腔室12及下腔室13的构造而发挥除去功能，上腔室12上下地形成得较长，并且于内部空间的上部设定有电浆生成区域，下腔室13的顶板(环状板)1 形成得较厚。此外，上腔室12的侧壁12d的构成上下并无不同，例如由陶瓷构成。再者，于该电浆蚀刻装置4中，上腔室12、下腔室13的环状板13b的厚度及平板状构件14以外的部分为与上述电浆蚀刻装置1相同的构成。此外，上述环状板 1 作为与在电浆生成区域中经电浆化的处理气体中的离子接触，并使该离子消失的部分而发挥功能，例如可实验性地求出用以使上述环状板1 如上述般发挥功能的上腔室12的高度或电浆生成区域的高度位置、及环状板13b的厚度。而且，根据以上述方式构成的电浆蚀刻装置3、4，供给至上腔室12内的蚀刻气体于电浆生成区域中经电浆化，经由侧壁下部12c及环状板13b的内周面而流入至下腔室12 内，但于图5的电浆蚀刻装置3中，当通过侧壁下部12c时，蚀刻气体中的离子A与侧壁下部12c的内表面接触而消失，于图6的电浆蚀刻装置4中，当通过环状板13b的内表面时， 蚀刻气体中的离子A与环状板13b的内周面接触而消失，自由基B不会消失而通过侧壁下部12c及环状板13b的内周面，朝下方移动。因此，即便如该电浆蚀刻装置3、4般，将上腔室12上下地形成得较长，且于其内部空间的上部设定电浆生成区域，使电浆生成区域远离上腔室12的下端，亦可获得与上述电浆蚀刻装置1相同的效果。此外，使经电浆化的蚀刻气体中的离子消失的形态并不限定于上述形态，亦可通过其它形态，使离子与接地的构件(包括构件的一部分)接触而消失。此外，于上例中，将蚀刻气体仅直接供给至上腔室12内，但不限于此，亦可通过气体供给装置20而将蚀刻气体分别供给至上腔室12及下腔室13的两者。符号说明
1电浆蚀刻装置
11处理腔室
12上腔室
13下腔室
14平板状构件
16基台
20气体供给装置
25电浆生成装置
26第1电浆生成部
27线圈
28高频电源
29第2电浆生成部
30线圈
31高频电源
35排气装置
K基板
权利要求
1.一种电浆蚀刻装置，其特征在于，包括处理腔室，其包含由下表面形成开口的圆筒容器状的构件构成的上腔室、及由上表面形成开口的圆筒容器状的构件构成的下腔室，该上腔室及下腔室上下地配设且内部空间彼此连通，上述上腔室的外径小于上述下腔室的外径且该上腔室设置于该下腔室的上表面中央部；基台，其配设于上述下腔室内，且载置有基板；气体供给机构，其将包含蚀刻气体的处理气体至少供给至上述上腔室内；第1电浆生成机构，其将上述上腔室内的处理气体电浆化；第2电浆生成机构，其将上述下腔室内的处理气体电浆化；排气机构，其将上述处理腔室内的气体予以排出以对内部进行减压；电力供给机构，其将高频电力供给至上述基台；以及离子除去机构，其将通过上述第1电浆生成机构而电浆化且自上述上腔室内流入至下腔室内的处理气体中的离子除去。
2.根据权利要求1所述的电浆蚀刻装置，其特征在于上述离子除去机构由具有贯通于表背的多个贯通孔且接地的平板状的构件构成；上述平板状的构件以分隔上述处理腔室的内部空间的方式而配设于上述上腔室内的下部或下腔室内的上部。
3.根据权利要求1所述的电浆蚀刻装置，其特征在于于上述上腔室的下部及上述下腔室的上部的至少之一，形成有接地的部分；上述离子除去机构构成为包含以卷绕于上述上腔室的方式而配设该上腔室的外周部的线圈、及使直流电流于上述线圈中流动的直流电源，通过流动有直流电流的线圈所形成的磁场，使通过上述第1电浆生成机构而电浆化的处理气体中的离子朝上述处理腔室的上述接地的部分的内表面移动，并与该内表面接触。
4.根据权利要求1所述的电浆蚀刻装置，其特征在于上述离子除去机构由上述上腔室构成，上述上腔室于内部空间的上部设定有电浆生成区域，并且与该电浆生成区域的下方相对应的部分接地，或者上述离子除去机构由在内部空间的上部设定有电浆生成区域的上述上腔室、及使相当于顶板的环状板接地的上述下腔室构成；上述电浆生成区域设定于远离上述上腔室的下端的上方位置，以使该电浆生成区域中，通过上述第1电浆生成机构而电浆化的处理气体中的离子与上述接地的部分的内表面接触。
全文摘要
本发明提供一种无论基板的种类如何，均可均一地对基板的整个面进行蚀刻的电浆蚀刻装置。电浆蚀刻装置(1)包括处理腔室(11)，上腔室(12)的外径形成得小于下腔室(13)的外径，且上腔室(12)设置于该下腔室(13)的上表面中央部；接地的平板状构件(14)，其以分隔处理腔室(11)的内部空间的方式而设置于下腔室(13)的顶板面，且具有贯通于表背的多个贯通孔(14a)；基台(16)，其配设于下腔室(13)内，且载置有基板(K)；气体供给装置(20)，其将蚀刻气体供给至上腔室(12)内；电浆生成装置(26、29)，其等将上腔室(12)内及下腔室(13)内的蚀刻气体分别电浆化；排气装置(35)，其对处理腔室(11)内进行减压；以及高频电源(32)，其将高频电力供给至基台(16)。
文档编号H01L21/3065GK102318043SQ20108000791
公开日2012年1月11日 申请日期2010年7月16日 优先权日2009年9月15日
发明者山本孝, 池本尚弥 申请人:住友精密工业股份有限公司