专利名称：半导体晶片收纳容器的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体晶片收纳容器。
背景技术：
半导体晶片收纳容器大多都具有用于将多片半导体晶片以并列排列的状态收纳的容器主体。在容器主体上形成有用于取送半导体晶片的晶片取送开口，在晶片取送开口上以拆装自如的方式从外侧安装有用于封堵该晶片取送开口的盖体。另外，需要防止收纳在容器主体内的半导体晶片被灰尘或有害气体等污染。因此，设置有将盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间密封的垫圈，由此封闭了容器主体与盖体之间的间隙。 这种垫圈作为整体形成为与晶片取送开口的缘部的形状相匹配的环状。而且，通过使垫圈夹在盖体侧与容器主体侧之间并弹性变形，而使盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间的间隙被密封(例如，专利文献1、2)。现行技术文献专利文献I :日本特开2007-247870专利文献2 :日本特开2007-308161在上述半导体晶片收纳容器中，通过将盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间用垫圈密封，而使半导体晶片与外部环境隔离，由此保持不被灰尘或有害气体等污染的状态。但是，在为了从半导体晶片收纳容器内取出半导体晶片而打开盖体时，直到弹性变形的垫圈恢复到原来的形状为止的期间内，即，在垫圈保持有密封性的状态下盖体向打开方向移动的过程中，容器主体内暂时形成负压。而且，打开盖体直到成为间隙未被垫圈密封的状态为止，在盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间出现间隙的瞬间，外部空气从该间隙被吸入到容器主体内。这样，通过由此产生的快速空气流，而导致附着在盖体和垫圈的外表面等上的微小灰尘等有可能从间隙侵入到容器内。而且，一旦这种灰尘附着到半导体晶片的表面上，就会产生由该半导体晶片制作的半导体产品成为不良的可能性。
发明内容
本发明的目的在于提供一种半导体晶片收纳容器，在将盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间用具有弹性的垫圈密封的半导体晶片收纳容器中，能够防止在盖体打开的瞬间从外部吸入的灰尘等对半导体晶片造成污染。为了达成上述目的，本发明的半导体晶片收纳容器设置有用于将多片半导体晶片以并列排列的状态收纳的容器主体；在相对于收纳在容器主体内的状态的半导体晶片的面垂直的方向上，形成在容器主体上的晶片取送开口 ；为了封堵晶片取送开口而以拆装自如的方式从外侧安装在晶片取送开口上的盖体；和在盖体安装在晶片取送开口上的状态下，通过夹在盖体侧与容器主体侧之间并弹性变形而将盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间密封的垫圈，其中，在晶片取送开口由盖体封闭且盖体的缘部与晶片取送开口的缘部之间由垫圈密封的状态下的垫圈的变形量的大小，与将晶片取送开口的缘部中的与半导体晶片的面平行的缘部密封的区域相比，在将与半导体晶片的面垂直的缘部密封的区域内形成得较小，当使盖体在晶片取送开口打开的方向上移动时，与晶片取送开口的缘部中的相对于半导体晶片的面为平行方向的缘部相比，从相对于半导体晶片的面为垂直方向的缘部开始，率先成为使容器主体的内外连通的状态。此外，也可以为，晶片取送开口形成为大致长方形状。而且，也可以为，垫圈的变形量的大小仅在相对于半导体晶片的面为垂直方向的缘部的中间区域内形成得较小，在晶片取送开口的缘部中的相对于半导体晶片的面为垂直方向的缘部的30 % 80 %的区域内，与其他区域相比，垫圈的变形量的大小形成得较小。另外，也可以为，垫圈的变形量的大小在将晶片取送开口所具有的相对于半导体晶片的面为垂直方向的两个缘部中的至少一方的缘部密封的部分上，与将与半导体晶片的面平行的区域密封的部分相比形成得较小。另外，也可以为，垫圈作为整体形成为环状，其内缘侧的部分气密地安装在盖体 侦牝外缘侧的部分相对于容器主体侧向盖体的闭合方向被按压而使垫圈弹性变形。而且，也可以为，垫圈的外缘侧的部分形成为朝向容器主体侧且倾斜突出的檐状。这种情况下，也可以为，使垫圈的檐状部分的突出长度在全周范围内恒定地形成，根据部位而改变檐状部分的倾斜角度，由此形成变形量的大小。或者，也可以为，使垫圈的檐状部分的倾斜角度在全周范围内恒定地形成，根据部位而改变檐状部分的突出长度，由此形成变形量的大小。
发明效果根据本发明，当打开盖体时，在容器主体的晶片取送开口的缘部中，与相对于半导体晶片的面为平行方向的缘部相比，从相对于晶片的面为垂直方向的缘部开始，率先成为使容器主体的内外连通的状态，因此，届时从外部吸入的灰尘等不会与半导体晶片的表面接触而是落到容器主体的底部，由此半导体晶片不会被灰尘等污染。
图I是表示本发明的第一实施例的半导体晶片收纳容器的整体结构的立体图。图2是本发明的第一实施例的半导体晶片收纳容器的俯视剖视图。图3是在本发明的第一实施例的半导体晶片收纳容器中，盖体封闭状态的局部剖视图。图4是在本发明的第一实施例的半导体晶片收纳容器中，盖体打开状态的局部剖视图((A)为垂直方向的缘部，(B)为水平方向的缘部)。图5是本发明的第一实施例的半导体晶片收纳容器的垫圈的主视图。图6是在本发明的第二实施例的半导体晶片收纳容器中，盖体打开状态的局部剖视图((A)为垂直方向的缘部，(B)为水平方向的缘部)。
具体实施例方式以下，参照附图对本发明的实施例进行说明。
图I表示半导体晶片收纳容器的整体结构。I是用于将多片半导体晶片W以并列排列的状态收纳的容器主体。图中，仅图示了一片半导体晶片W。在容器主体I的前侧的侧面(前表面)上，在相对于收纳在容器主体I内的状态的半导体晶片W的面垂直的朝向上，形成有晶片取送开口 2。晶片取送开口 2形成为大致长方形状。多片半导体晶片W以相互之间隔开恒定间隔地各自水平且使轴线一致的方式收纳在容器主体I内。3是为了以这种方式保持各半导体晶片W而设置在容器主体I的内表面上的晶片保持槽。
5是为了封堵晶片取送开口 2而从外侧拆装自如地安装在晶片取送开口 2上的盖体。盖体5与晶片取送开口 2的形状相匹配而形成为大致长方形状。在盖体5的内壁部上，设置有用于将多片半导体晶片W保持在弹性压入到容器主体I内侧的状态下的保持器，但未在图中表示。在盖体5上，设置有一对用于保持晶片取送开口 2的封堵状态的手动的闩锁机构
6。若使闩锁机构6动作而解开与容器主体I侧的卡合，则盖体5成为相对于晶片取送开口2拆装自如的状态。8是在盖体5安装到晶片取送开口 2上的状态下，将盖体5的外缘部与晶片取送开口 2的内缘部之间的间隙密封的垫圈。垫圈8与盖体5的缘部和晶片取送开口 2的缘部的形状相匹配，作为整体形成为大致长方形的环状。由具有弹性的材料形成的垫圈8在盖体5安装到晶片取送开口 2上的状态下，夹在盖体5侧与容器主体I侧之间而弹性变形，由此，成为将盖体5的缘部与晶片取送开口 2的缘部之间的间隙密封的状态。图2是简略表示半导体晶片W收纳在容器主体I内的状态下的半导体晶片收纳容器的俯视剖视图。但是，省略了晶片保持槽3等的图示。形成为圆盘状的半导体晶片W的外缘，在晶片取送开口 2的中央位置C附近位于非常接近盖体5的位置上，而在晶片取送开口 2的左右两端部S侧则位于远离盖体5的位置上。因此，在晶片取送开口 2的中央位置C附近，若灰尘等从盖体5的缘部与晶片取送开口 2的缘部之间的间隙中被吸入到容器主体I内，则该灰尘掉落并附着到半导体晶片W的表面上的可能性较大。但是，在晶片取送开口 2的两端部S侧附近，若灰尘等从盖体5的缘部与晶片取送开口 2的缘部之间的间隙中被吸入到容器主体I内，则该灰尘不与半导体晶片W的表面接触而落到容器主体I的底部的可能性较大。因此，在本发明的半导体晶片收纳容器中，通过设计垫圈8的形状，而在将封闭晶片取送开口 2的盖体5打开时，首先率先从晶片取送开口 2的两端部S侧开始将容器主体I的内外连通，以使在晶片取送开口 2的中央位置C附近不产生将灰尘吸入的空气流动。以下，对该内容进行说明。图3是表示盖体5安装在容器主体I的晶片取送开口 2上，且盖体5的缘部与晶片取送开口 2的缘部之间的间隙由垫圈8密封的状态的局部剖视图。在由盖体5将晶片取送开口 2封闭的状态下，垫圈8在全周范围内成为图3所示的状态。即，作为整体形成为环状的垫圈8的内缘侧的部分，在全周范围内气密地嵌入到形成于盖体5侧的嵌入槽9内。8A是其内缘侧嵌入部。另一方面，垫圈8的外缘侧的部分形成为从内缘侧嵌入部8A朝向着容器主体I侧且向斜外侧突出的檐状。SB为该檐状部(檐状的部分)。檐状部8B从盖体5侧向容器主体I侧被向着盖体5的闭合方向按压并弹性变形，由此，在全周范围内使盖体5的缘部与晶片取送开口 2的缘部之间的间隙密封。但是，该状态下的垫圈8的变形量(即，盖体5的开闭方向上的垫圈8的弹性变形量)的大小，与将晶片取送开口 2的缘部中的与半导体晶片W的面平行的缘部(图I所示的2h)密封的水平部分(8h)相比，在将与半导体晶片W的面垂直的缘部(2p)密封的垂直部分(8p)上形成得较小。S卩，如图4的(A)、⑶中表示的盖体5从晶片取送开口 2离开且垫圈8恢复成自然形状的状态所示，垫圈8的檐状部SB的突出长度(檐长度) 在全周范围内恒定地形成，根据部位而改变檐状部8B的倾斜角度，由此，与垫圈8的水平部分8h上的檐状部8B的变形量Xh相比，垂直部分8p上的檐状部8B的变形量Xp形成得较小。即为Xp < Xh。但是，无需将檐状部8B的垂直部分8p整体形成为小的变形量Xp，只要例如使垂直部分8p的至少30%左右以上的范围形成为小的变形量Xp即可。另外，在作为整体形成为长方形的垫圈8的四角的附近部分上，从确保密封的可靠性等观点出发，具有期望不缩小变形量的情况。其结果是，如图5中表示的垫圈8的主视图所示，垫圈8的垂直部分8p中的变形量较小的区域S只要能够形成在靠近中央的约30% 80%的范围内即可。另外，只要在垫圈8的两个垂直部分8p中的至少一方上形成变形量较小的区域即可。在由此构成的实施例的半导体晶片收纳容器中，当从如图3所示的盖体5将容器主体I的晶片取送开口 2封堵的状态，使盖体5如图4所示地向晶片取送开口 2打开的方向移动时，与晶片取送开口 2的水平的缘部2h相比在垂直的缘部2p上，率先失去垫圈8的密封性而成为容器主体I的内外连通的状态。由此，在晶片取送开口 2的水平的缘部2h上不会产生将附着在盖体5或垫圈8的外表面等上的灰尘吸入的空气流动，虽然存在从垂直的缘部2p侧将灰尘等吸入到容器主体I内的情况，但是这样的灰尘不会与半导体晶片W的表面接触而是落到容器主体I的底部。此外，本发明并不限定于上述实施例，例如，如图6中表示的第二实施例所示，使垫圈8的檐状部8B的倾斜角度在全周范围内恒定地形成，并根据部位而改变檐状部8B的突出长度(檐长度)，由此也可以形成变形量Xh、Xp的大小。另外，通过使檐状部SB的硬度或厚度发生变化，也可以形成变形量Xh、Xp的大小。另外，垫圈8的变形量的大小不需要一定在晶片取送开口 2的水平的缘部2h的整个区域内相同。即，与水平的缘部2h的中央附近相比，在水平的缘部2h的其他区域内也可以减少垫圈8的变形量。另外，水平的缘部2h在晶片取送开口 2的上侧和下侧形成有一对，但是，与其上侧相比，也可以在下侧减少垫圈8的变形量。这是因为，即使从位于下侧的水平的缘部2h吸入灰尘，只要该灰尘保持状态不变地落到容器主体I的底面上，就不会对半导体晶片W造成不良影响。
另外，本发明也可以适用于将多片半导体晶片W分别垂直地立在容器主体I内并同轴排列地收纳的半导体晶片收纳容器，在该情况下，只要构成为从长方形的晶片取送开口 2的下端侧的缘部开始率先使容器主体I的内外连通即可。另外，在上述各实施例中，使垫圈8嵌入在盖体5侧并向容器主体I侧按压，但是，与此相反地，也可以是使垫圈8安装在容器主体I侧并向盖体5侧按压的结构。进一步地，在上述各实施例中，通过改变垫圈8的剖面形状而构成为使变形量根据部位而不同，但是，不改变垫圈8的剖面形状，通过改变按压垫圈8的容器主体I侧或盖体5侧的面的位置(面的高度)，也可以构成为使垫圈8的变形量根据部位而不同。附图标记说明
1容器主体
2晶片取送开口
2h 水平的缘部(与半导体晶片的面平行的缘部)
2p 垂直的缘部(与半导体晶片的面垂直的缘部)
5 盖体 8 垫圈 8A 内缘侧嵌入部 8B 檐状部 8h 水平部分 8p 垂直部分 W 半导体晶片 Xh、Xp 垫圈的变形量
权利要求
1.一种半导体晶片收纳容器，其设置有用于将多片半导体晶片以并列排列的状态收纳的容器主体；在相对于收纳在上述容器主体内的状态的半导体晶片的面垂直的方向上，形成在上述容器主体上的晶片取送开口 ；为了封堵上述晶片取送开口而以拆装自如的方式从外侧安装在上述晶片取送开口上的盖体；和在上述盖体安装在上述晶片取送开口上的状态下，通过夹在上述盖体侧与上述容器主体侧之间并弹性变形而将上述盖体的缘部与上述晶片取送开口的缘部之间密封的垫圈，其特征在于， 在上述晶片取送开口由上述盖体封闭且上述盖体的缘部与上述晶片取送开口的缘部之间由上述垫圈密封的状态下的上述垫圈的变形量的大小，与将上述晶片取送开口的缘部中的与上述半导体晶片的面平行的缘部密封的区域相比，在将与上述半导体晶片的面垂直的缘部密封的区域内形成得较小， 当使上述盖体在上述晶片取送开口打开的方向上移动时，与上述晶片取送开口的缘部中的相对于上述半导体晶片的面为平行方向的缘部相比，从相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部开始，率先成为使上述容器主体的内外连通的状态。
2.根据权利要求I所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，上述晶片取送开口形成为大致长方形状。
3.根据权利要求2所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，上述垫圈的变形量的大小，仅在相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部的中间区域内形成得较小。
4.根据权利要求3所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，在上述晶片取送开口的缘部中的相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的缘部的30 % 80 %的区域内，与其他区域相比，上述垫圈的变形量的大小形成得较小。
5.根据权利要求2所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，上述垫圈的变形量的大小，在将上述晶片取送开口所具有的相对于上述半导体晶片的面为垂直方向的两个缘部中的至少一方的缘部密封的部分上，与将与上述半导体晶片的面平行的区域密封的部分相比形成得较小。
6.根据权利要求I所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，上述垫圈作为整体形成为环状，其内缘侧的部分气密地安装在上述盖体侧，外缘侧的部分相对于上述容器主体侧向上述盖体的闭合方向被按压而使上述垫圈弹性变形。
7.根据权利要求6所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，上述垫圈的外缘侧的部分形成为朝向上述容器主体侧且倾斜突出的檐状。
8.根据权利要求7所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，使上述垫圈的上述檐状的部分的突出长度在全周范围内恒定地形成，根据部位而改变上述檐状部分的倾斜角度，由此形成上述变形量的大小。
9.根据权利要求7所述的半导体晶片收纳容器，其特征在于，使上述垫圈的上述檐状部分的倾斜角度在全周范围内恒定地形成，根据部位而改变上述檐状部分的突出长度，由此形成上述变形量的大小。
全文摘要
本发明提供一种半导体晶片收纳容器，在晶片取送开口(2)由盖体(5)封闭且盖体(5)的缘部与晶片取送开口(2)的缘部之间由垫圈(8)密封的状态下，垫圈(8)的变形量(Xh、Xp)的大小与将与晶片取送开口(2)的缘部中的与半导体晶片(W)的面平行的缘部(2h)密封的区域相比，在将与半导体晶片(W)的面垂直的缘部(2p)密封的区域内形成得较小，由此，在盖体(5)打开的瞬间从外部吸入的灰尘等不会对半导体晶片(W)造成污染。
文档编号H01L21/673GK102725837SQ201080062170
公开日2012年10月10日 申请日期2010年1月26日 优先权日2010年1月26日
发明者永岛刚 申请人:未来儿株式会社