专利名称：硼扩散源片的制备和检测补源方法
技术领域：
本发明涉及一种用于硼扩散的硼扩散源片的制备和检测补源方法。
背景技术：
氮化硼片源扩散是目前广泛用于硅平面和集成电路的P型掺杂方法。其主要优点 是能在较低的淀积温度下，在大面积硅片上获得高均勻性和高重复性的硼掺杂。使用时选 取与待扩散硅片相同尺寸大小的氮化硼片，并将氮化硼片在高温下进行氧化，使其表面生 成三氧化硼，将表面生长有三氧化硼的氮化硼片与待扩散硅片相间放在石英舟上，利用三 氧化硼做杂质源向硅中进行扩散。这种氮化硼片可重复使用，使用多次后需重新氧化处理， 该扩散源虽扩散均勻性较好，但造价较高，由于厚度相对待扩散硅片要厚很多，批量扩散的 数量受到一定限制，且随着氮化硼源的消耗，最终会报废。
发明内容
本发明的目的是提供一种制造成本低廉、无需烧源处理、适用于大批量生产、批量 扩散数量多、扩散质量好、可重复使用的硼扩散源片的制备和检测补源方法。为达到上述目的，本发明是通过以下技术方案实现的硼扩散源片的制备方法为 将硼扩散源粉末均勻分散于醇类或醚类或酯类有机溶剂中，然后将分散均勻的液态扩散源 均勻涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片。所述的硼扩散源片的制备方法，其硼扩散源粉末为氧化硼或氮化硼或氧化硼与氮 化硼的混合物。所述的硼扩散源片的制备方法，其醇类有机溶剂为无水乙醇，醚类有机溶剂为乙 二醇乙醚，酯类有机溶剂为丁基卡必醇醋酸酯，上述有机溶剂中添加硼扩散源粉末后，经充 分搅拌均勻配置成饱和液态扩散源。所述的硼扩散源片的制备方法，其液态扩散源均勻涂抹在与待扩散硅片相同大小 的硅基片上下两面，硅基片为P型重掺杂硅片。一种硼扩散源片的检测补源方法为通过检测每次使用后被扩散硅片表面的方块 电阻值来判断硼扩散源片是否还符合使用要求，若测得的方块电阻值明显偏大且离散性增 加，则需要对硼扩散源片进行补源，其补源方法是在硼扩散源片表面重新涂覆所述的液态 扩散源，烘烤干燥后即可继续使用。本发明由于采用了上述技术方案，因而具有以下优点(一)本发明提供的硼扩散 源片不需要烧源处理，操作及使用更加简单；(二)本发明提供的硼扩散源片制造成本较低， 可重复多次使用；(三)本发明提供的硼扩散源片在使用中占用的空间仅与被扩散的硅片相 当，远小于其他类型的片状扩散源片，与其他类型的片状扩散源片相比，在相同的扩散空间 使用时可大大提高效率。
图1本发明所述硼扩散源片的结构示意图。图2本发明所述硼扩散源片装舟双面扩散示意图。图3本发明所述硼扩散源片装舟单面扩散示意图。
具体实施例方式下面对本发明的实施例作进一步详细的描述。实施例1 一种硼扩散源片的制备方法为将硼扩散源粉末均勻分散于醇类或醚 类或酯类有机溶剂中，然后如图1所示，将分散均勻的液态扩散源5均勻涂抹在硅基片1表 面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片3，硼扩散源粉末为氧化硼或氮化硼或氧化硼与氮 化硼的混合物，醇类有机溶剂为无水乙醇，醚类有机溶剂为乙二醇乙醚，酯类有机溶剂为丁 基卡必醇醋酸酯，上述有机溶剂中添加硼扩散源粉末后，经充分搅拌均勻配置成饱和液态 扩散源，液态扩散源5均勻涂抹在与待扩散硅片2相同大小的硅基片1上下两面，硅基片1 为P型重掺杂硅片。使用时，如图2及图3所示，将硼扩散源片3与待扩散硅片2相间放 在石英舟4上，对待扩散硅片2进行双面或单面扩散。实施例2 —种硼扩散源片的检测补源方法为通过检测每次使用后被扩散硅片2 表面的方块电阻值来判断硼扩散源片3是否还符合使用要求，若测得的方块电阻值明显偏 大且离散性增加，则需要对硼扩散源片3进行补源，其补源方法是在硼扩散源片3表面重 新涂覆如实施例1所述的液态扩散源5，烘烤干燥后即可继续使用。实施例3 将85g氧化硼粉末溶解于300ml乙二醇乙醚中，配置成饱和溶液，充分 搅拌溶解后滤去沉淀物，取过滤后的氧化硼清液双面旋涂于厚度为300mm，电阻率为0. 01 欧姆的P型硅基片上下两面，烘干后硼扩散源片制作完成，其余同实施例1或实施例2。实施例4 将4g氮化硼粉末均勻分散于40ml乙二醇乙醚中，搅拌均勻后将溶液双 面均勻旋涂于厚度为300mm，电阻率为0. 01欧姆的P型硅基片上下两面，烘干后硼扩散源片 制作完成，其余同实施例1或实施例2。实施例5 将2g氧化硼粉末和2g氮化硼粉末混合物均勻分散于40ml乙二醇乙醚 中，搅拌均勻后将溶液双面均勻旋涂于厚度为300mm，电阻率为0. 01欧姆的P型硅基片上下 两面，烘干后硼扩散源片制作完成，其余同实施例1或实施例2。以上对本发明作了详细说明，不能认为本发明的保护范围仅局限于上述实施方 式。如果与本发明权利要求的技术方案没有产生本质上的区别，对上述实施方式的推演或 替换仍然被视为在本发明的保护范围之内。
权利要求
1.一种硼扩散源片的制备方法，其特征在于将硼扩散源粉末均勻分散于醇类或醚类 或酯类有机溶剂中，然后将分散均勻的液态扩散源(5 )均勻涂抹在硅基片(1)表面，烘干后 形成用于硼扩散的硼扩散源片(3 )。
2.根据权利要求1所述的硼扩散源片的制备方法，其特征在于硼扩散源粉末为氧化 硼或氮化硼或氧化硼与氮化硼的混合物。
3.根据权利要求1或2所述的硼扩散源片的制备方法，其特征在于醇类有机溶剂为 无水乙醇，醚类有机溶剂为乙二醇乙醚，酯类有机溶剂为丁基卡必醇醋酸酯，上述有机溶剂 中添加硼扩散源粉末后，经充分搅拌均勻配置成饱和液态扩散源。
4.根据权利要求1或2所述的硼扩散源片的制备方法，其特征在于液态扩散源(5)均 勻涂抹在与待扩散硅片(2)相同大小的硅基片(1)上下两面，硅基片(I)SP型重掺杂硅 片。
5.根据权利要求3所述的硼扩散源片的制备方法，其特征在于液态扩散源(5)均勻涂 抹在与待扩散硅片(2)相同大小的硅基片(1)上下两面，硅基片(I)SP型重掺杂硅片。
6.一种硼扩散源片的检测补源方法，其特征在于通过检测每次使用后被扩散硅片(2)表面的方块电阻值来判断硼扩散源片(3)是否还符合使用要求，若测得的方块电阻值 明显偏大且离散性增加，则需要对硼扩散源片(3)进行补源，其补源方法是在硼扩散源片(3)表面重新涂覆如权利要求1所述的液态扩散源(5)，烘烤干燥后即可继续使用。
全文摘要
本发明公开了一种硼扩散源片的制备和检测补源方法。其制备方法为将硼扩散源粉末均匀分散于醇类或醚类或酯类有机溶剂中，然后将分散均匀的液态扩散源均匀涂抹在硅基片表面，烘干后形成用于硼扩散的硼扩散源片。其检测补源方法为通过检测确定是否对硼扩散源片进行补源，如需补源，其方法是在硼扩散源片表面重新涂覆所述的液态扩散源，烘烤干燥后即可继续使用。本发明具有成本低廉、操作简单、可多次重复使用且适用于大批量硼扩散作业等优点。
文档编号H01L21/66GK102148145SQ201110056260
公开日2011年8月10日 申请日期2011年3月9日 优先权日2011年3月9日
发明者保爱林, 朱建华, 谢晓东, 邓爱民 申请人:绍兴旭昌科技企业有限公司