专利名称：半导体处理设备的制作方法
技术领域：
本发明涉及半导体技术领域，特别涉及一种具有改进充气气路的半导体处理设备。
背景技术：
等离子体刻蚀机是半导体生产的关键设备，必须在高真空下才能进行刻蚀工艺。图I示出了现有的等离子体刻蚀机。如图I所示，等离子体刻蚀机通常包括有3个真空腔室，分别为工艺腔6’、传输腔4’和装载腔2’。其中，传输腔4’和装载腔2’是晶片I’在外界大气环境与高真空的工艺腔6’之间传递的过渡腔室，各腔室之间设有门阀5’ 以便传递晶片I’。晶片I’通过机械手3’进行传递。在正常工作时，工艺腔6’始终处于高真空状态，而装载腔2’和传输腔4’则需要不断在真空/大气状态间切换，因此需要频繁地充气/抽真空。充气时间的长短直接关系到设备的工作效率。通常采用的充气气路一般要求具备慢充和快充两种功能。图2和图3分别示出了现有的等离子体刻蚀机中常用的两种充气气路。图2为一种现有的腔室快-慢充气气路。N2由气源进入，经调压阀PR降到合适的压力。气动隔膜阀Vl和V2可以打开或关断相应的气路。其中，Vl控制慢充气路，V2控制快充气路。针阀NV用于调节慢充的速度，过滤器LF用于过滤气体中的杂质。工作时，需要慢充就打Vl并关断V2,需要快充时就打开V2关断VI，不需要充气时就同时关断Vl和V2。但是上述腔室快-慢充气气路具有如下缺点I、适应能力差。当气源供气压力有波动时,充气的时间随之波动,不稳定。2、工作条件缺乏弹性。在实际应用中，不同工厂的气源条件不同。当厂方气源的供气管道的管径较小时，图2中的充气气路的充气时间不能保证达到设计指标。3、快充能力有限。受限于现有的气动阀门尺寸和厂方供气管道直径的限制，当真空腔室的容积较大时，无法通过简单的增大供气管径来提高供气流量。图3为现有的用于等离子体刻蚀机的气罐辅助充气气路。N2由气源进入，经调压阀PR降到合适的压力，然后充入气罐中。在气罐与真空腔室之间设置有气动隔膜阀V以打开或关断充气气路。过滤器LF用于过滤气体中的杂质。工作时，气源先逐渐将气罐充满，当需要充气时，打开隔膜阀V向腔室内充入N2。气罐可以起到缓冲的作用，解决了气源供气不足和真空腔室容积大这两者之间的矛盾。但是上述的气罐辅助充气气路具有如下缺点I、配套用气罐体积大。由于完全由气罐充气,气罐的容积要略大于真空腔室的容积，例如为真空腔室容积的I. 2 I. 5倍。但是当真空腔室容积较大时，气罐的体积将会变得十分大，对于结构要求紧凑的半导体设备很不利。2、现有的气罐通常设置在单独的厂房中，与等离子体刻蚀机分开设置，且所述气罐的体积非常大。由此，系统的调试和维护非常不方便，且成本较高。3、充气效率低。由于气罐容积大，将其充满的时间甚至要比直接充满腔室的时间更长，因此，这种气路只适用于充气频率不高的场合。
发明内容
本发明的目的旨在至少解决上述技术缺陷之一。为此，本发明需要提供一种半导体处理设备，该半导体处理设备可以提供多种方式充气，工作方式灵活，适应能力强，此外，该半导体设备的调试方便、维护成本低。。为解决上述技术问题，根据本发明一方面的实施例提出了一种半导体处理设备，包括真空腔室，所述真空腔室包括进气口 ；以及充气气路，所述充气气路与所述真空腔室的进气口相连，用于向所述真空腔室充气，其中所述充气气路包括快速充气通路、慢速充气通路以及辅助充气通路，其中所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路并联连接在所述供气源与真空腔室之间且所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路中的至少一个可导通；以及所述辅助充气通路上设置有气体储存单元，所述气体储存单元用于 储存气体，所述辅助充气通路可将所述气体储存单元中储存的气体输送至所述真空腔室，用于辅助所述快速充气气路和所述慢速充气气路的充气。根据本发明实施例的半导体处理设备提供了三级并联的充气气路，可以提供多种方式对真空腔室充气，工作方式灵活，适应能力强。并且，利用供气源和气体储存单元的双重供气，提高了充气速度，而且即使在两次充气间隔期间无法充满气体储存单元，也能够利用气源完成对腔室的充气，因此可以允许较高的充气频率。进一步地，由于在本发明中用于储气的气体储存单元是半导体处理设备的一部分，从而，整个设备体积减小，且降低了系统调试和维护的复杂性。在本发明的一个实施例中，所述快速充气通路和所述慢速充气通路的充气速度可调节。由此，快速和慢速充气通路的充气速度可以根据需要进行调节。在本发明的一个实施例中，所述快速充气通路上设置有第一控制阀和调节阀，其中，所述第一控制阀设置在邻近所述供气源的一侧，用于控制所述快速充气通路的连通和断开，以及所述调节阀设置在邻近所述真空腔室的一侧，用于调节所述快速充气通路的充气速度。在本发明的一个实施例中，所述慢速充气通路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制所述慢速充气通路的连通和断开。在本发明的一个实施例中，所述辅助充气通路上设置有第三控制阀和第四控制阀，其中，所述第三控制阀设置在邻近所述供气源的一侧，第四控制阀设置在邻近所述真空腔室的一侧，所述气体储存单元位于所述第三控制阀和第四控制阀之间，所述第三控制阀和所述第四控制阀用于控制所述辅助充气通路的连通和断开。在本发明的一个实施例中，所述辅助充气通路上还设置有单向阀，所述单向阀位于所述第三控制阀和所述气体储存单元之间，用于防止所述气体储存单元中的气体逆流。由此，通过在气体储存单元和第三控制阀之间设置单向阀，可以放置气体储存单元中的气体逆流回供气源。在本发明的一个实施例中，所述充气气路还包括一个或两个或三个调压阀，其中，当所述充气气路包括一个调压阀时，所述调压阀位于所述供气源和所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路之间，所述调压阀分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路相连；当所述充气气路包括两个调压阀时，其中一个调压阀位于所述供气源和所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个通路之间，分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个相连，另一个调压阀位于剩余的充气通路之间；当所述充气气路包括三个调压阀时，所述每个调压阀分别位于所述供气源和所述每条充气通路之间由此，根据供气源流出气体的压力在供气源和各个充气通路之间灵活设置调压阀，可以三条充气通路共用一个调压阀，也可以任意两条充气通路共用一个调压阀或者为每条充气通路单独分配调压阀，配置灵活。在本发明的一个实施例中，所述充气气路还包括一个、两个或三个过滤器，其中，
当所述充气气路包括一个过滤器时，所述过滤器位于所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路和所述真空腔室之间且分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路相连；当所述充气气路包括两个过滤器时，其中一个过滤器位于且连接至所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个通路和所述真空腔室之间，另一个过滤器位于剩余的充气通路和所述真空腔室之间；当所述充气气路包括三个过滤器时，所述每个过滤器分别位于每条充气通路和所述真空腔室之间，用于过滤对应的充气通路输送至所述真空腔室的气体。由此，根据各个通路中流出气体的杂质状况，在各个充气通路和真空腔室之间灵活设置过滤器，可以三条充气通路共用一个过滤器，也可以任意两条充气通路共用一个过滤器或者为每条充气通路单独分配过滤器，配置灵活。在本发明的一个实施例中，所述充气气路包括以下六种工作模式I)所述快速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，所述慢速充气通路断开；2)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述快速充气通路和所述辅助充气通路断开；3)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，所述快速充气通路断开；4)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，并且将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速充气通路断开；5)所述供气源向所述气体储存单元中充气，并且将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速和慢速充气通路断开；以及6)将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速和慢速充气通路断开。由此，通过控制三条充气通路的通/断，实现对真空腔室的不同充气方式，从而满足真空腔室的不同充气要求。在本发明的一个实施例中，所述半导体处理设备为等离子体刻蚀机。本发明附加的方面和优点将在下面的描述中部分给出，部分将从下面的描述中变得明显，或通过本发明的实践了解到。
本发明上述的和/或附加的方面和优点从下面结合附图对实施例的描述中将变得明显和容易理解，其中图I为现有的等离子体刻蚀机腔室结构示意图；图2为现有的腔室快-慢充气气路示意图；图3为现有的气罐辅助充气气路示意图；图4为根据本发明实施例的半导体处理设备的示意图；图5为根据本发明的一个实施例的半导体处理设备中的充气气路的示意图； 图6为根据本发明的另一个实施例的半导体处理设备中的充气气路的示意图；图7为根据本发明的再一个实施例的半导体处理设备中的充气气路的示意图；图8为根据本发明的又一个实施例的半导体处理设备中的充气气路的示意图。
具体实施例方式下面详细描述本发明的实施例，所述实施例的示例在附图中示出，其中自始至终相同或类似的标号表示相同或类似的元件或具有相同或类似功能的元件。下面通过参考附图描述的实施例是示例性的，仅用于解释本发明，而不能解释为对本发明的限制。下文的公开提供了许多不同的实施例或例子用来实现本发明的不同结构。为了简化本发明的公开，下文中对特定例子的部件和设置进行描述。当然，它们仅仅为示例，并且目的不在于限制本发明。此外，本发明可以在不同例子中重复参考数字和/或字母。这种重复是为了简化和清楚的目的，其本身不指示所讨论各种实施例和/或设置之间的关系。此夕卜，本发明提供了的各种特定的工艺和材料的例子，但是本领域普通技术人员可以意识到其他工艺的可应用于性和/或其他材料的使用。在本发明的描述中，需要理解的是，术语“纵向”、“横向”、“上”、“下”、“前”、“后”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“顶”、“底” “内”、“外”等指示的方位或位置关系为基于附图所
示的方位或位置关系，仅是为了便于描述本发明和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本发明的限制。在本发明的描述中，需要说明的是，除非另有规定和限定，术语“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是机械连接或电连接，也可以是两个元件内部的连通，可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，对于本领域的普通技术人员而言，可以根据具体情况理解上述术语的具体含义。下面参考图4描述根据本发明实施例的半导体处理设备1000。如图4所示，半导体处理设备1000包括真空腔室和充气气路100 (将在下面进行详细描述)。真空腔室包括用于进气的进气口，充气气路100与真空腔室的进气口相连，用于向真空腔室中充气。具体而言，等离子体刻蚀机的真空腔室可以包括装载腔2、传输腔4和工艺腔6。其中，传输腔4和装载腔2是晶片I在外界大气环境与高真空的工艺腔6之间传递的过渡腔室，各腔室之间设有门阀5以便传递晶片I。晶片I通过机械手3进行传递。在正常工作时，工艺腔6始终处于高真空状态，充气气路100向传输腔4和装载腔2充气，从而使得传输腔4和装载腔2需要不断在真空/大气状态间切换。气体从抽气管7排出。下面将参考图5至图8来详细描述根据本发明实施例的充气气路100。如图5所示，根据本发明实施例的充气气路100设置在供气源300和真空腔室200之间，用于向真空腔室200充气。供气源300可以提供高纯氮气N2，将真空腔室200由真空状态填充至大气压状态。并且，供气源300提供的气体的压力合适，对供气源300输出的气体无需进行调压。充气气路100包括快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130，其中快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130并联连接在供气源300和真空腔室200之间。快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130中的至少一个可导通。 快速充气通路110向真空腔室200中充气。如图5所示，在快速充气通路110上设置有第一控制阀Vl和针阀NV。第一控制阀Vl设置在邻近供气源300的一侧，可以控制快速充气通路110的连通和断开。针阀NV设置邻近真空腔室200的一侧，用于调节快速充气通路110的充气速度，进而可以调节快速充气通路110向真空腔室200的充气速度。由供气源300提供的高纯氮气N2通过快速充气通路110填充至真空腔室200。慢速充气通路120向真空腔室200中充气。如图5所示，在慢速充气通路120上设置有第二控制阀V2，用于控制慢速充气通路120的连通和断开。由供气源300提供的高纯氮气N2通过慢速充气通路120填充至真空腔室200。在辅助充气通路130上依次设置有第三控制阀V3、气体储存单元140和第四控制阀V4。第三控制阀V3设置在邻近供气源300的一侧，用于控制辅助充气通路130的连通和断开。第四控制阀V4设置在邻近真空腔室200的一侧。气体储存单元140位于第三控制阀V3和第四控制阀V4之间，用于储存来自供气源300的气体。气体储存单元140具有单向防逆流功能。在本发明的一个实施例中，气体储存单元140的体积可以为真空腔室200的0.5 I倍。其中，气体储存单元140可以为气罐。所述辅助充气通路130用于辅助所述快速充气气路110和所述慢速充气气路120的充气。工作时，供气源300先逐渐将气体储存单元140充满。当需要对真空腔室200充气时，例如供气源300供气不足时，打开第四控制阀V4，将气体储存单元140中的N2冲入真空腔室200内。由此，辅助充气气路130中的气体储存单元140可以对气体起到缓冲储存的作用，并在供气源300的供气不足且真空腔室200需要进一步供给气体时，提供辅助的充气供给。同时，由于气体储存单元140的存在，在不必更改充气气路的情况下，气体储存单元140与真空腔室200之间可以采用管径更大的供气管道，从而可以降低充气时间。在本发明的一个实施例中，第一控制阀Vl、第二控制阀V2、第三控制阀V3和第四控制阀V4可以为气动隔膜阀或者由外部能源(例如，电能或液体等)控制的阀门。其中，第三控制阀V3还可以为手动阀门，从而通过人工控制辅助充气通路130的连通和断开。当气体储存单元140不具有单向防逆流功能时，则在辅助充气通路130上进一步设置有单向阀，其中单向阀位于第三控制阀V3和气体储存单元140之间。单向阀可以防止气体储存单元140中的气体逆流，即使在供气源300压力不足时，气体储存单元140也可以保留已贮存的气体。
在供气源300提供的气源压力波动较大时，不能直接输送到充气气路，此时充气气路100还包括调压阀，设置在供气源300和充气通路之间。其中，每条充气通路上都可以设置一个调压阀，或者任意两条充气通路共用一个调压阀，又或者三条充气通路共用一个调压阀。在本发明的一个实施例中，调压阀的数量可以为一个、两个或三个。当充气气路100包括一个调压阀时，调压阀位于供气源300和快速充气通路110、慢速充气通路120、辅助充气通路130的并联端之间。具体而言，该调压阀与快速充气通路110、慢速充气通路120、辅助充气通路130均相连，可以同时调节供气源300输出到快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130的气体的压力。
当充气气路100包括两个调压阀时，其中一个调压阀位于供气源300和快速、慢速以及辅助充气通路的任意两个充气通路之间，分别与上述两个充气通路相连。该调压阀可以调节供气源300输出到与调压阀相连的两条充气通路的气体的压力。例如其中一个的调压阀位于供气源300和快速充气通路110、慢速充气通路120之间，与快速充气通路110和慢速充气通路120的并联端相连，该调压阀可以调节供气源300输出到快速充气通路110和慢速充气通路120的气体的压力。两个调压阀中的另一个调压阀位于供气源300和快速、慢速和辅助充气通路中剩余的一个充气通路之间，用于调节供气源300输出到该充气通路的气体的压力。例如另一个调压阀位于供气源300和辅助充气通路130之间，用于调节供气源300输出到辅助充气通路的气体的压力。当充气气路100包括三个调压阀时，每个调压阀一一对应地位于供气源300和每条充气通路之间，即在快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130和供气源300之间分别设置一个调压阀。每个调压阀用于调节供气源输出到与该调压阀对应相连的充气通路的气体的压力。由于各条充气通路输送到真空腔室200的气体中包含有杂质，为了保证真空腔室200内的晶片的处理效果，需要对气体中的杂质进行过滤。此时，充气气路100还包括过滤器，设置在充气通路和真空腔室200之间。其中，每条充气通路上都可以设置一个过滤器，或者任意两条充气通路共用一个过滤器，又或者三条充气通路共用一个过滤器。在本发明的一个实施例中，过滤器的数量可以为一个、两个或三个。当充气气路100包括一个过滤器时，过滤器位于快速充气通路110、慢速充气通路120、辅助充气通路130的并联端和真空腔室200之间。具体而言，该过滤器与快速充气通路110、慢速充气通路120、辅助充气通路130均相连，可以同时对三条充气通路输送到真空腔室20的气体中的杂质进行过滤。当充气气路包括两个过滤器时，其中一个过滤器位于快速、慢速和辅助充气通路的任意两个通路和真空腔室200之间，分别与上述两个充气通路相连。该过滤器可以过滤相连的两条充气通路输送到真空腔室200的气体中的杂质。例如其中一个的过滤器位于快速充气通路110、慢速充气通路120和真空腔室200之间，与快速充气通路110和慢速充气通路120的并联端相连，该过滤器可以对快速充气通路110和慢速充气通路120输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。两个过滤器中的另一个过滤器位于快速、慢速和辅助充气通路中剩余的一个充气通路和真空腔室200之间，用于过滤该充气通路输送至真空腔室200的气体中的杂质。例如另一个过滤器位于辅助充气通路130和真空腔室200之间，用于调节辅助充气通路的气体输送到真空腔室200的气体中的杂质。
当充气气路100包括三个过滤器时，每个过滤器一一对应地位于每条充气通路和真空腔室200之间，即在快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130和真空腔室200之间分别设置一个过滤器。每个过滤器用于过滤与该过滤器相连的充气通路与真空腔室200之间的气体中的杂质。在本发明的一个实施例中，对于充气气路100中的调压阀的数量和过滤器的数量可以任意组合，不同组合方式的充气气路均落入本发明的保护范围。下面结合图6至图8举例描述根据本发明实施例的充气气路100。图6示出了具有一个调压阀和三个过滤器的充气气路100。如图6所示，充气气路100的三条充气通路共用一个调压阀PR，对供气源300输送到各个充气通路的气体进行调压。在每条充气通路和真空腔室200之间分别具有一个过滤器。具体而言，在快速充气通 路110和真空腔室200之间设有第一过滤器LFl，用于对快速充气通路110输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。在慢速充气通路120和真空腔室200之间设有第二过滤器LF2，用于对慢速充气通路120输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。在辅助充气通路130和真空腔室200之间设有第三过滤器LF3，用于对辅助充气通路130输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。图7示出了具有一个调压阀和两个过滤器的充气气路100。如图7所示，充气气路100的三条充气通路共用一个调压阀PR，对供气源300输送到各个充气通路的气体进行调压。将快速充气通路110和慢速充气通路120利用一根管道输入到真空腔室200，从而，快速充气通路110和慢速充气通路120可以共用一个第一过滤器LF1。该第一过滤器LFl可以对快速充气通路110和慢速充气通路120输送到真空腔室200的气体进行过滤。在辅助充气通路130和真空腔室200之间设有第二过滤器LF2，用于对辅助充气通路130输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。采用上述两个充气通路共用过滤器的方式，可以降低充气气路的生产成本。图8示出了具有三个调压阀和三个过滤器的充气气路100。如图8所示，在每条充气通路和供气源300之间分别设有一个调压阀。具体而言，在供气源300和快速充气通路110之间设由第一调压阀PRl，用于对供气源300输送到快速充气通路110的气体进行调压。在供气源300和慢速充气通路120之间设由第二调压阀PR2，用于对供气源300输送到慢速充气通路120的气体进行调压。在供气源300和辅助充气通路130之间设由第三调压阀PR3，用于对供气源300输送到辅助充气通路130的气体进行调压。通过对三条充气通路分别提供单独的调压阀，可以获得更为细致的调节范围，特别是对要求很低慢充速度的应用场合。在每条充气通路和真空腔室200之间分别设有一个过滤器。具体而言，在快速充气通路110和真空腔室200之间设由第一过滤器LF1，用于对快速充气通路110输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。在慢速充气通路120和真空腔室200之间设由第二过滤器LF2，用于对慢速充气通路120输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。在辅助充气通路130和真空腔室200之间设由第三过滤器LF3，用于对辅助充气通路130输送到真空腔室200的气体中的杂质进行过滤。当然本领域技术人员可以理解的是，本发明实施例的充气气路100不限于上述实施例提供的形式，不同数量的调压阀和过滤器任意组合的充气气路均落入本发明的保护范围。
下面结合具体实施例描述本发明实施例的充气气路100的工作流程。在充气气路100工作时，当不需要气体储存单元140辅助充气时，则关断第三控制阀V3和第四控制阀V4。此时，当需要向真空腔室200中快充气体时，则打开第一控制阀Vl且关断第二控制阀V2，即只保留快速充气通路110向真空腔室200中充气。当需要向真空腔室200中慢充气体时，则打开第二控制阀V2且关断第一控制阀VI，即只保留慢速充气通路120向真空腔室200中充气。在充气气路100工作时，当需要气体储存单元140辅助充气时，则打开第三控制阀V3让气源在充气间隔期间充满气体储存单元140。此时，当需要向真空腔室200中慢充气体时，则打开第一控制阀Vl并同时关断第二控制阀V2和第四控制阀V4。当需要向真空腔室200中快速充气时，则打开第二控制阀V2并同时关断第一控制阀Vl和第四控制阀V4。当需要更快速地向真空腔室200中充气时，同时打开第二控制阀V2和第四控制阀V4且关闭第一控制阀VI，从而获得供气源300和气体储存单元140的双重供气，大大提高了充气速度。当供气源200提供的气体的压力波动较大时，打开第三控制阀V3和第四控制阀V4且关断第一控制阀Vl和第二控制阀V2，从而可以由气体储存单元140所波动较大的气体压力提供缓冲的作用。当供气源200因故障失压时，气体储存单元140中储存的N2仍然可供真空腔室200中充气使用，从而可以为真空腔室200的充气提供了安全保障。通过三级并联的快速充气通路110、慢速充气通路120和辅助充气通路130的灵活组合应用，本发明实施例的充气气路100可以提供表I所示的六种工作模式。表I
权利要求
1.一种半导体处理设备，其特征在于，包括 真空腔室，所述真空腔室包括进气口 ；以及 充气气路，所述充气气路与所述真空腔室的进气口相连，用于向所述真空腔室充气，其中所述充气气路包括 快速充气通路、慢速充气通路以及辅助充气通路，其中，所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路并联连接在所述供气源与真空腔室之间且所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路中的至少一个可导通；以及 所述辅助充气通路上设置有气体储存单元，所述气体储存单元用于储存气体，所述辅助充气通路可将所述气体储存单元中储存的气体输送至所述真空腔室，用于辅助所述快速充气气路和所述慢速充气气路的充气。
2.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述快速充气通路和所述慢速充气通路的充气速度可调节。
3.如权利要求2所述的半导体处理设备，其特征在于，所述快速充气通路上设置有第 一控制阀和调节阀，其中，所述第一控制阀设置在邻近所述供气源的一侧，用于控制所述快速充气通路的连通和断开，以及 所述调节阀设置在邻近所述真空腔室的一侧，用于调节所述快速充气通路的充气速度。
4.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述慢速充气通路上设置有第二控制阀，所述第二控制阀用于控制所述慢速充气通路的连通和断开。
5.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述辅助充气通路上设置有第三控制阀和第四控制阀，其中，所述第三控制阀设置在邻近所述供气源的一侧，第四控制阀设置在邻近所述真空腔室的一侧，所述气体储存单元位于所述第三控制阀和第四控制阀之间，所述第三控制阀和所述第四控制阀用于控制所述辅助充气通路的连通和断开。
6.如权利要求5所述的半导体处理设备，其特征在于，所述辅助充气通路上还设置有单向阀，所述单向阀位于所述第三控制阀和所述气体储存单元之间，用于防止所述气体储存单元中的气体逆流。
7.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述充气气路还包括一个或两个或三个调压阀，其中， 当所述充气气路包括一个调压阀时，所述调压阀位于所述供气源和所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路之间，所述调压阀分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路相连； 当所述充气气路包括两个调压阀时，其中一个调压阀位于所述供气源和所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个通路之间，分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个相连，另一个调压阀位于剩余的充气通路之间； 当所述充气气路包括三个调压阀时，所述每个调压阀分别位于所述供气源和所述每条充气通路之间。
8.如权利要求I或7所述的半导体处理设备，其特征在于，所述充气气路还包括一个、两个或三个过滤器，其中，当所述充气气路包括一个过滤器时，所述过滤器位于所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路和所述真空腔室之间且分别与所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路相连； 当所述充气气路包括两个过滤器时，其中一个过滤器位于且连接至所述快速充气通路、所述慢速充气通路以及所述辅助充气通路的任意两个通路和所述真空腔室之间，另一个过滤器位于剩余的充气通路和所述真空腔室之间； 当所述充气气路包括三个过滤器时，所述每个过滤器分别位于每条充气通路和所述真空腔室之间，用于过滤对应的充气通路输送至所述真空腔室的气体。
9.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述充气气路包括以下六种工作模式 1)所述快速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，所述慢速充气通路断开； 2)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述快速充气通路和所述辅助充气通路断开； 3)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，所述快速充气通路断开； 4)所述慢速充气通路向所述真空腔室中充气，所述供气源向所述气体储存单元中充气，并且将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速充气通路断开； 5)所述供气源向所述气体储存单元中充气，并且将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速和慢速充气通路断开；以及 6)将所述气体储存单元中的气体输送至所述真空腔室，所述快速和慢速充气通路断开。
10.如权利要求I所述的半导体处理设备，其特征在于，所述半导体处理设备为等离子体刻蚀机。
全文摘要
本发明公开了一种半导体处理设备，包括真空腔室，包括进气口；以及充气气路，其中所述充气气路包括快速充气通路、慢速充气通路以及辅助充气通路，其中，所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路并联连接在所述供气源与真空腔室之间且所述快速充气通路、慢速充气通路和辅助充气通路中的至少一个可导通；以及所述辅助充气通路上设置有气体储存单元，所述气体储存单元用于储存气体，所述辅助充气通路可将所述气体储存单元中储存的气体输送至所述真空腔室，用于辅助所述快速充气气路和所述慢速充气气路的充气。在本发明中，可以提供多种方式对真空腔室充气，工作方式灵活，适应能力强，此外，该半导体设备的调试方便、维护成本低。
文档编号H01L21/00GK102751170SQ20111009799
公开日2012年10月24日 申请日期2011年4月19日 优先权日2011年4月19日
发明者张鹏 申请人:北京北方微电子基地设备工艺研究中心有限责任公司