电子装置壳体及其制作方法

文档序号:7003355阅读:253来源:国知局
专利名称:电子装置壳体及其制作方法
技术领域
本发明涉及一种电子装置壳体,尤其涉及一种设有外部天线的电子装置壳体及其制作方法。
背景技术
随着移动通信、蓝牙 等技术的发展,实现这些应用的电子装置具有了越来越多的功能,然而这些电子装置的体积向着轻、薄的方向发展,因此,如何简化这些电子装置中内置元件的结构、减小这些内置元件的体积对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有非常重要的作用。天线作为电子装置中ー收发信号的重要元件,其结构的简化及体积的减小对于简化整个电子装置的结构及降低该电子装置的体积具有重要的作用。现有的电子装置包括一本体、一天线辐射体及ー壳体。该天线辐射体通过粘贴的方式固定在本体的内壁上。该壳体通过卡合的方式固定在该本体上井覆盖该天线辐射体。然而,通过上述方式形成电子装置,采用粘贴的方式将天线辐射体固定于本体上,天线容易脱胶而与本体相分离,影响了电子装置地使用寿命并且天线设置在本体的内壁上,从而影响了天线的接收效果。

发明内容
鉴于此,有必要提供ー种外部设有天线,且天线使用寿命长、接收效果好的电子装置壳体。另外,还有必要提供ー种上述电子装置壳体的制作方法。—种电子装置壳体,其包括一基体层、一天线层及一装饰层,该基体层为ー不可电镀塑料层,所述天线层为ー电镀层,其为ー对基体外表面上形成有可电镀的塑料层,并对该可电镀的塑料层进行电镀而形成,该装饰层为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成在所述天线层上的非导电膜层。一种电子装置壳体的制作方法,其包括如下步骤
提供一成型模具,该成型模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的ニ次成型型腔;
向所述一次成型型腔中注塑不可电镀塑料形成电子装置壳体的基体层;
向所述二次成型型腔中注塑可电镀的塑料层,对该可电镀的塑料层电镀形成天线层,该天线层形成于基体层外表面;
通过磁控溅射或非导电性真空电镀于天线层上形成装饰层,该装饰层与该基体层连接并覆盖天线层。相较于现有技木,本发明电子装置壳体的制作方法采用双射注塑成型,所述一次成型体可使用普通的塑材,二次成型使用可电镀塑料,之后,对该二次成型体进行电镀,在该壳体上形成天线层,将天线层形成于基体层的外表面上,再通过装饰层覆盖天线层,该天线层为装饰层所覆盖,不易分离,使用寿命长,因为该天线层覆盖在基体层的外表面上,所以,安装有该天线的电子装置的接收信号好,另,所述在基体体层上直接形成可电镀塑料的方法可以减少可电镀塑料用量,节省成本。


图I为本发明较佳实施例的电子装置壳体立体示意 图2为图I中电子装置壳体的剖示图。主要元件符号说明
权利要求
1.一种电子装置壳体,其包括一基体层、一天线层及一装饰层,其特征在于该基体层为一不可电镀塑料层,所述天线层为一电镀层,其由在基体层的外表面上形成有可电镀的塑料层,并对该可电镀的塑料层进行电镀而形成,该装饰层为通过磁控溅射或非导电性真空电镀形成在所述天线层上的非导电膜层。
2.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于所述二次成型以注塑成型的方式制成,注塑成型二次成型的材质为可电镀的材质。
3.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于所述不可电镀塑料可选自为聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。
4.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于所述可电镀塑料可为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯PP、聚碳酸酯及聚氨酯。
5.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于所述天线层包括依次形成于所述二次成型体预选表面的电镀铜层、电镀镍层及电镀金层。
6.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于该装饰层为一非导电的氮化硅层。
7.如权利要求I所述的电子装置壳体,其特征在于该电子装置壳体至少包括一导电件,所述导电件一端与天线层电连接,另一端穿过基体层。
8.一种电子装置壳体的制作方法,其包括如下步骤 提供一成型模具,该成型模具具有一一次成型型腔及一与该一次成型型腔相连通的二次成型型腔; 向所述一次成型型腔中注塑不可电镀塑料形成电子装置壳体的基体层; 向所述二次成型型腔中注塑可电镀的塑料层质,对该可电镀的塑料层质电镀形成天线层,该天线层形成于基体层外表面; 通过磁控溅射或非导电性真空电镀于天线层上形成装饰层,该装饰层为一非导电膜层,该装饰层与该基体层连接并覆盖所述天线层。
9.如权利要求8所述的电子装置壳体,其特征在于所述不可电镀塑料可选自为聚对苯二甲酸乙二酯及聚甲基丙烯酸甲酯中的任一种。
10.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于所述可电镀塑料可为丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物、聚丙烯、聚碳酸酯及聚氨酯。
11.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于利用磁控溅射来形成一装饰层工艺参数如下氩气流量为10(T200sccm,氮气流量为5(Tl00sccm,设置占空比为30% 50%,于基体层上施加-5(T-100V的偏压,并加热镀膜室至10(Tl5(TC,开启硅靶材,设置其功率为2、kw,沉积时间为9(Tl80min,其厚度为0. 5 I. 0 y m,形成一氮化硅层。
12.如权利要求8所述的电子装置壳体的制作方法,其特征在于所述非导电性真空电镀中的材料可为锡(Sn)、铝(Al)、铜(Cu)、铬(Cr)、钛(Ti)等金属。
全文摘要
本发明提供一种电子装置壳体及其制作方法。该电子装置壳体包括一基体层、一天线层及一装饰层;该天线层通过注塑成型于基体层的外表面上形成一可电镀的塑料层质天线层与基体层不易分离,使用寿命长,成本低,且接收信号好。
文档编号H01Q1/40GK102833966SQ20111016236
公开日2012年12月19日 申请日期2011年6月16日 优先权日2011年6月16日
发明者吴照毅, 阎勇, 樊永发, 张薛丽 申请人:深圳富泰宏精密工业有限公司
网友询问留言 已有0条留言
  • 还没有人留言评论。精彩留言会获得点赞!
1