半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法

专利名称：半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法,及生产半导体器件的方法
技术领域：
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法。所述半导体背面用膜用于保护半导体元件如半导体芯片的背面和提高其强度。本发明还涉及生产半导体器件的方法。
背景技术：
近年来，日益要求半导体器件及其封装的薄型化和小型化。因此，作为半导体器件及其封装，已经广泛地利用其中借助于倒装芯片接合将半导体元件例如半导体芯片安装 (倒装芯片连接)于基板上的倒装芯片型半导体器件。在此类倒装芯片连接中，将半导体芯片以该半导体芯片的电路面与基板的电极形成面相对的形式固定至基板。在此类半导体器件等中，可能存在半导体芯片的背面用保护膜保护以防止半导体芯片损坏等的情况(参见，专利文献1至3)。专利文献1 JP-A-2008-166451专利文献2 JP-A-2008-006386专利文献3 JP-A-2007-261035然而，为了通过保护膜保护半导体芯片的背面，必须增加将所述保护膜粘贴至切割步骤中获得的半导体芯片的背面的新步骤。结果，加工步骤的数量增加和生产成本等增加。因此，为了降低生产成本的目的，本发明人开发了一种半导体背面用切割带集成膜，且对所述膜提交了专利申请(该申请在本申请提交时是未公开的)。该半导体背面用切割带集成膜具有包括以下的结构具有基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层的切割带，和在切割带的压敏粘合剂层上形成的倒装芯片型半导体背面用膜。为了生产半导体器件，通常如下使用半导体背面用切割带集成膜。首先，将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜中的倒装芯片型半导体背面用膜上。接着，切割半导体晶片以形成半导体芯片。随后，将所述半导体芯片与所述倒装芯片型半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离并拾取，然后将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物如基板上。由此，获得倒装芯片型半导体器件。此处，为了确认切割后是否存在在获得的半导体芯片中发生的任何不足如碎裂 (chipping)等，半导体背面用切割带集成膜可以从其切割带侧(与粘至半导体芯片的一侧相对)用光学显微镜或通过顶照射来检查。然而，在常规器件中，切割带的基材经常看起来发白和浑浊，在这种情况下，可见度在从切割带侧的观察中不能说是令人满意的，半导体图像可能不清楚，因此情况是，不能检测半导体芯片的不足。

发明内容
考虑到前述问题进行本发明，其目的是提供半导体背面用切割带集成膜，及其生产方法，和生产使用该膜的半导体器件的方法，所述半导体背面用切割带集成膜在切割步骤后的半导体芯片检查中具有高透光率且半导体芯片图像的可见度优良。为了解决前述问题，本发明人进行了广泛和深入的研究，结果，得出以下内容。在生产半导体背面用切割带集成膜的前置阶段中，将基材卷绕成卷形物(roll)，为了防止基材彼此粘连的目的及为了通过基材表面的凹凸加工处理来优化其加工性，将基材特定地加工从而在其表面上形成凹凸，例如，通过压花等，由于凹凸加工处理，切割带的基材将看起来发白和浑浊。源于上述感知，发明人进一步发现，当采用以下构造时，则能够提供半导体背面用切割带集成膜，并完成了发明，所述半导体背面用切割带集成膜在切割步骤后的检查步骤中具有高透光率且半导体芯片图像的可见度优良。S卩，本发明提供一种半导体背面用切割带集成膜(下文中称为“集成膜”)，其包括切割带和半导体背面用膜，所述切割带包含具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45%的雾度。在所述集成膜中，包含具有凹凸加工面的基材和压敏粘合剂层的切割带的雾度为至多45%，因此，可以提高在半导体芯片的检查步骤中所述膜的透光率。结果，可以改进通过用光照射的半导体芯片的可见度，且可以有效地检测半导体芯片中不足的发生。在本发明中，光具有包括顶射线的概念。优选地，将压敏粘合剂层层压在基材的凹凸加工面上。具体地采用该构造使得易于控制切割带的雾度落入本发明限定的范围内。具体地，通过粘合基材的凹凸加工面和层压在其上的压敏粘合剂层，凹凸加工面和压敏粘合剂层彼此紧密接合，可填满两者之间的间隙。因此，可以防止透过切割带的光散射，由此可以提高切割带的透过率从而降低其雾度。优选地，凹凸加工面是压花表面。压花作为基材的处理是容易的，且其在易于将基材彼此剥离方面是优良的。另外，通过在表面上压花经凹凸加工处理而在表面上形成的凹凸可以具有适合的尺寸，因此，可以改进在凹凸加工面和压敏粘合剂层之间的紧密粘合性， 因此，可以由此容易地减低切割带的雾度。优选地，通过热层压来层压基材和压敏粘合剂层。在热层压中的加热改进了压敏粘合剂层的挠性，因此，可以由此改进压敏粘合剂层对于凹凸加工面的凹凸的追随性 (followability)，可以有效地去除在基材和压敏粘合剂层之间的间隙，可以进一步降低切割带的雾度。优选地，压敏粘合剂层的厚度为ΙΟμπι至50μπι。当压敏粘合剂层的厚度落入上述范围内时，则可以充分地提高在基材的凹凸加工面和压敏粘合剂层之间的紧密粘合性，可以确保被切割的半导体晶片的保持力。本发明还提供了生产上述半导体背面用切割带集成膜的方法(下文中可称作“生产方法(i)”)，所述方法包括制备具有凹凸加工面的基材，在所述基材的所述凹凸加工面上层压压敏粘合剂层，和在所述压敏粘合剂层上层压半导体背面用膜。根据生产方法(i)， 在基材的凹凸加工面上层压压敏粘合剂层，因此，可以用压敏粘合剂层充分地填满凹凸加工面的间隙，因此，可以有效地生产设置有具有降低雾度的切割带的集成膜。在生产方法⑴中，通过经由热层压来层压基材和压敏粘合剂层，可以更加改进基材和压敏粘合剂层之间的紧密粘合性，由此可以容易地降低切割带的雾度。
本发明进一步提供生产半导体器件的方法(下文中可称作“生产方法(I) ”)，所述方法包括将半导体晶片粘贴至上述半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上，切割所述半导体晶片以形成半导体芯片，检查所述半导体芯片，将所述半导体芯片与所述半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物上。在生产方法(I)中，使用了集成膜，因此可以有效地检测在切割步骤后的检查步骤中半导体芯片不足的发生，最终，可以由此提高半导体器件的产率。


图1为示出本发明的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。图2A-2D为示出使用本发明的半导体背面用切割带集成膜生产半导体器件的方法的一个实施方案的横截面示意图。附图标记说明1 半导体背面用切割带集成膜2 半导体背面用膜3 切割带31 基材31a:凹凸加工面32 压敏粘合剂层33 与半导体晶片粘贴部分相应的部分4 半导体晶片5:半导体芯片51 在半导体芯片5的电路面侧形成的凸块(bump)6 被粘物61 粘贴至被粘物6的连接垫(connecting pad)的连结用导电性材料
具体实施例方式参考图1描述本发明的实施方案，但本发明不限于这些实施方案。图1为示出根据该实施方案的半导体背面用切割带集成膜的一个实施方案的横截面示意图。此外，在本说明书的图中，没有给出不需要描述的部分，为了容易描述，存在通过放大、缩小等示出的部分。(半导体背面用切割带集成膜)如图1所示，半导体背面用切割带集成膜1 (下文中有时也称作“集成膜”、“切割带集成的半导体背面保护膜”、“具有切割带的半导体背面用膜”或“具有切割带的半导体背面保护膜”)具有包括以下的构造包括在具有凹凸加工面的基材31上形成的压敏粘合剂层 32的切割带3，和作为在所述压敏粘合剂层32上形成的适用于倒装芯片型半导体的半导体背面用膜2(下文中有时也称作“半导体背面用膜”或“半导体背面保护膜”)。也如图1所示，可以这样设计本发明的半导体背面用切割带集成膜，以使得仅在与半导体晶片粘贴部分相应的部分33上形成半导体背面用膜2 ；然而，可以在压敏粘合剂层32的整个表面上形成半导体背面用膜，或可以在比与半导体晶片粘贴部分相应的部分33大但是比压敏粘合剂层32的整个表面小的部分上形成半导体背面用膜。另外，半导体背面用膜2的表面(要粘贴至晶片背面的表面)可以用隔离膜等保护直至该膜粘贴至晶片背面。下文中，依次解释半导体背面用膜和切割带。(半导体背面用膜)半导体背面用膜2具有膜形状。半导体背面用膜2在半导体背面用切割带集成膜作为产品的实施方案中通常处于未固化状态(包括半固化状态)，且在将半导体背面用切割带集成膜粘贴至半导体晶片后被热固化。优选地，半导体背面用膜2至少由热固性树脂形成，更优选地至少由热固性树脂和热塑性树脂形成。热固化促进催化剂可加入至该树脂中以构成半导体背面用膜2。至少由热固性树脂形成的半导体背面用膜可以有效地显示其粘合功能。热塑性树脂的实例包括天然橡胶、丁基橡胶、异戊二烯橡胶、氯丁橡胶、乙烯-乙酸乙烯酯共聚物、乙烯-丙烯酸共聚物、乙烯-丙烯酸酯共聚物、聚丁二烯树脂、聚碳酸酯树脂、热塑性聚酰亚胺树脂、聚酰胺树脂如6-尼龙和6，6_尼龙、苯氧基树脂、丙烯酸类树脂、饱和聚酯树脂如PET(聚对苯二甲酸乙二酯)或PBT (聚对苯二甲酸丁二醇酯)、聚酰胺-酰亚胺树脂或氟树脂。可以单独或以两种以上组合使用热塑性树脂。在这些热塑性树脂中，特别优选包含少量离子性杂质、具有高耐热性和能够确保半导体元件可靠性的丙烯酸类树脂。丙烯酸类树脂没有特别限定，其实例包括包含一种或两种以上丙烯酸或甲基丙烯酸的酯作为组分的聚合物，其中所述丙烯酸或甲基丙烯酸的酯具有直链或支链的烷基，所述烷基具有30个以下碳原子，优选4至18个碳原子，更优选6至10个碳原子，特别优选8 或9个碳原子。即，本发明中，丙烯酸类树脂具有还包括甲基丙烯酸类树脂的宽泛含义。所述烷基的实例包括甲基、乙基、丙基、异丙基、正丁基、叔丁基、异丁基、戊基、异戊基、己基、 庚基、2-乙基己基、辛基、异辛基、壬基、异壬基、癸基、异癸基、十一烷基、十二烷基(月桂基)、十三烷基、十四烷基、硬脂基和十八烷基。此外，形成丙烯酸类树脂的其它单体(除其中烷基为具有30个以下碳原子的丙烯酸或甲基丙烯酸的烷基酯以外的单体)没有特别限定，其实例包括含羧基单体如丙烯酸、 甲基丙烯酸、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸和巴豆酸；酸酐单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸2-羟乙酯、(甲基)丙烯酸2-羟丙酯、 (甲基)丙烯酸4-羟丁酯、(甲基)丙烯酸6-羟己酯、(甲基)丙烯酸8-羟辛酯、(甲基) 丙烯酸10-羟癸酯、(甲基)丙烯酸12-羟月桂酯和(4-羟甲基环己基)-甲基丙烯酸酯；含磺酸基团单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰氨基-2-甲基丙磺酸、(甲基) 丙烯酰氨基丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯和(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；和含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯Q-hydroethylacryloyl phosphate) 0在这点上，(甲基) 丙烯酸是指丙烯酸和/或甲基丙烯酸，(甲基)丙烯酸酯是指丙烯酸酯和/或甲基丙烯酸酯，(甲基)丙烯酰是指丙烯酰和/或甲基丙烯酰，等等，其在贯穿全说明书中应用。除了环氧树脂和酚醛树脂之外，热固性树脂的实例包括，氨基树脂、不饱和聚酯树脂、聚氨酯树脂、硅酮树脂和热固性聚酰亚胺树脂。可以单独或以两种以上组合使用热固性树脂。作为热固性树脂，包含仅少量腐蚀半导体元件的离子性杂质的环氧树脂是合适的。此外，酚醛树脂适合用作环氧树脂的固化剂。环氧树脂没有特别限定，例如，可使用双官能环氧树脂或多官能环氧树脂如双酚A 型环氧树脂、双酚F型环氧树脂、双酚S型环氧树脂、溴化双酚A型环氧树脂、氢化双酚A型环氧树脂、双酚AF型环氧树脂、联苯型环氧树脂、萘型环氧树脂、芴型环氧树脂、可溶可熔酚醛(phenol novolak)型环氧树脂、邻甲酚可溶酚醛(o-cresol novolak)型环氧树脂、 三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷(tetraphenylolethane)型环氧树脂，或环氧树脂如乙内酰脲型环氧树脂、三缩水甘油基异氰脲酸酯型环氧树脂或缩水甘油基胺型环氧树脂。作为环氧树脂，在以上示例的那些中，可溶可熔(novolak)型环氧树脂、联苯型环氧树脂、三羟基苯甲烷型环氧树脂和四羟苯基乙烷型环氧树脂是优选的。这是因为这些环氧树脂与作为固化剂的酚醛树脂具有高反应性，且耐热性等优良。此外，上述酚醛树脂起到环氧树脂的固化剂的作用，其实例包括可溶可熔型酚醛树脂如可溶可熔酚醛树脂(phenol novolak resins)、苯酚芳烷基树脂、甲酚可溶酚醛树脂、叔丁基可溶可熔酚醛树脂和壬基可溶可熔酚醛树脂；甲阶型酚醛树脂；和聚氧苯乙烯 (polyoxystyrenes)如聚对氧苯乙烯。可单独或以两种以上组合使用酚醛树脂。在这些酚醛树脂中，可溶可熔酚醛树脂和苯酚芳烷基树脂是特别优选的。这是因为可改进半导体器件的连接可靠性。环氧树脂与酚醛树脂的混合比优选使得例如酚醛树脂中的羟基变为0. 5至2. 0当量，基于每当量环氧树脂组分中的环氧基团。其更优选0.8至1.2当量。S卩，当混合比变为在该范围之外时，固化反应不能充分进行，环氧树脂固化产品的特性趋于劣化。热固性树脂的含量优选为5重量％至90重量％，更优选10重量％至85重量％， 甚至更优选15重量％至80重量％，基于半导体背面用膜中的所有树脂组分。当该含量为至少5重量％时，则可以容易地控制热固化收缩率为至少2体积％。另外，在热固化包封树脂时，可以充分热固化半导体背面用膜以使得可靠地粘合和固定至半导体元件的背面，由此生产倒装芯片型半导体器件而没有膜剥离的风险。另一方面，当该含量为至多90重量％ 时，可以防止封装体(PKG ；倒装芯片型半导体器件)翘曲。环氧树脂和酚醛树脂的热固化促进催化剂没有特别限定，可适当选自已知的热固化促进催化剂。一种或多种热固化促进催化剂可单独或组合使用。作为热固化促进催化剂，例如，可使用胺类固化促进催化剂、磷类固化促进催化剂、咪唑类固化促进催化剂、硼类固化促进催化剂或磷-硼类固化促进催化剂。半导体背面用膜特别适合由含有环氧树脂和酚醛树脂的树脂组合物或含有环氧树脂、酚醛树脂和丙烯酸类树脂的树脂组合物形成。由于这些树脂仅包含少量离子性杂质并且耐热性高，所以能够确保半导体元件的可靠性。重要的是半导体背面用膜2具有对半导体晶片背面(非电路形成面)的粘合性 (紧密粘合性)。半导体背面用膜2可以由例如含有环氧树脂作为热固性树脂组分的树脂组合物形成。在将半导体背面用膜2预先固化至一定程度的情况下，在制备时，优选添加作为交联剂的能够与在聚合物的分子链末端的官能团等反应的多官能化合物。据此，可以改进在高温下的粘合特性，并且实现膜的耐热性的改进。半导体背面用膜对半导体晶片的粘合力(23°C，剥离角180度，剥离速率300mm/min)优选为0. 5N/20mm至15N/20mm的范围，更优选为0. 7N/20mm至10N/20mm的范围内。 当粘合力为至少0. 5N/20mm时，则可以以优良的粘合性将该膜粘合至半导体晶片和半导体元件，且该膜没有膜膨胀等粘合不足。另外，在切割半导体晶片时，可防止芯片飞出。另一方面，当粘合力为至多15N/20mm时，则便于从切割带剥离。交联剂没有特别限定，可以使用已知的交联剂。具体地，例如，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还提及脲类交联剂、 金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等。作为交联剂，异氰酸酯类交联剂或环氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或以两种以上组合使用。异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2_亚乙基二异氰酸酯、1，4_亚丁基二异氰酸酯和1，6_六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；和芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、 4,4' -二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括 N,N,N' ,N'-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3_双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6_己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。交联剂的使用量没有特别限定，可依赖于交联程度适当选择。具体地，优选交联剂的使用量通常为7重量份以下(例如0. 05至7重量份)，基于100重量份聚合物组分(特别地，在分子链末端具有官能团的聚合物)。当交联剂的量基于100重量份聚合物组分大于 7重量份时，粘合力降低，因此该情况不优选。从改进内聚力的观点，交联剂的量基于100重量份聚合物组分优选为0. 05重量份以上。在本发明中，代替使用交联剂或与交联剂一起使用，也可以通过用电子束或UV光等照射来进行交联处理。优选将半导体背面用膜着色。由此，可以显示优良的激光标识性和优良的外观性， 且可使半导体器件具有增值的外观性。如上，由于半导体背面用着色膜具有优良的标识性， 所以通过利用经由半导体背面用膜的任意各种标识方法如打印方法或激光标识法，可以进行标识以将各种信息例如文字信息和图形信息赋予至半导体元件或使用半导体元件的半导体器件的非电路侧上的面。特别地，通过控制着色的颜色，可以观察具有优良可见度的通过标识而赋予的信息(例如，文字信息和图形信息)。此外，当将半导体背面用膜着色时， 可以将切割带和半导体背面用膜彼此容易地区分，因此能够提高加工性等。此外，例如，作为半导体器件，可以通过使用不同的颜色将其产品分类。在将半导体背面用膜着色的情况(该膜既不是无色的也不是透明的情况)下，通过着色显示的颜色没有特别限定，但例如优选暗色如黑色、蓝色或红色，黑色是特别适合的。在本发明中，暗色主要指具有60以下(0至60)，优选50以下(0至50)，更优选40 以下(ο至40)的在LW颜色空间中定义的L*的暗色。此外，黑色主要是指具有35以下(0至35)，优选30以下(0至30)，更优选25以下(0至25)的在LW颜色空间中定义的L*的黑色系颜色。在这点上，在黑色中，在LW 颜色空间中定义的各a*和b*可根据L*的值适当选择。例如，f和b*两者均在优选-10至 10，更优选-5至5，进一步优选-3至3 (特别地0或约0)的范围内。在本发明中，在LW颜色空间中定义的ΙΛ f和b*可通过用色差计(商品名“CR-200”，由Minolta Ltd制造；色差计)测量来确定。LW颜色空间为在1976 年由 Commission Internationale de 1，Eclairage (CIE)建议的颜色空间，是指称为 CIE1976(L*aV)颜色空间的颜色空间。此外，在日本工业标准(Japanese Industrial Standards) JIS Z8729 中定义了 L*a*b* 颜色空间。在半导体背面用膜着色时，根据目标颜色，可使用着色剂(着色试剂)。作为该着色剂，可适当使用各种暗色着色剂如黑色着色剂、蓝色着色剂和红色着色剂，黑色着色剂是更适合的。着色剂可为任意颜料和染料。着色剂可单独或以两种以上的组合使用。在这点上，作为染料，可以使用任何形式的染料如酸性染料、反应性染料、直接染料、分散染料和阳离子染料。此外，同样关于颜料，其形式不特别限制，可在已知颜料中适当选择和使用。特别地，当染料用作着色剂时，染料变为处于通过溶解于半导体背面用膜中而均勻地或几乎均勻地分散的状态中，因此可容易地生产具有均勻的或几乎均勻的着色浓度 (color density)的半导体背面用膜(作为结果，半导体背面用切割带集成膜)。因此，当染料用作着色剂时，半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜可具有均勻的或几乎均勻的着色浓度且可提高标识性和外观性。黑色着色剂不特别限制，例如，可适当选自无机黑色颜料和黑色染料。此外，黑色着色剂可为其中将青色着色剂(蓝-绿着色剂)、品红色着色剂(红-紫着色剂)和黄色着色剂(黄着色剂)混合的着色剂混合物。黑色着色剂可单独或以两种以上的组合使用。当然，黑色着色剂可与除黑色之外其它颜色的着色剂组合使用。黑色着色剂的具体实例包括炭黑(如炉黑、槽黑、乙炔黑、热裂炭黑或灯黑)、石墨、氧化铜、二氧化锰、偶氮型颜料(例如，偶氮甲碱偶氮黑)、苯胺黑、茈黑、钛黑、花青黑、 活性炭、铁素体(如非磁性铁素体或磁性铁素体)、磁铁矿、氧化铬、氧化铁、二硫化钼、铬配合物、复合氧化物型黑色颜料和蒽醌型有机黑色颜料。在本发明中，作为黑色着色剂，也可利用黑色染料如C. I.溶剂黑3、7、22、27、29、 34、43、70，C. I.直接黑 17、19、22、32、38、51、71，C. I.酸性黑 1、2、24、26、31、48、52、107、 109、110、119、154，和C. I.分散黑1、3、10、24 ；和黑色颜料如C. I.颜料黑1、7 ；等等。作为此类黑色着色剂，例如，商品名“Oil Black BY”、商品名“Oil Black BS”、商品名 “Oil Black HBB”、商品名 “Oil Black803”、商品名 “Oil Black 860”、商品名 “Oil Black 5970”、商品名“Oil Black 5906”和商品名“Oil Black 5905”(由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)等是商购可得的。除了黑色着色剂之外的着色剂的实例包括青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂。青色着色剂的实例包括青色染料如C. I.溶剂蓝25、36、60、70、93、95 ;C. I.酸性蓝6和 45 ；青色颜料如 C. I.颜料蓝 1、2、3、15、15:1、15:2、15:3、15:4、15:5、15:6、16、17、17:1、18、 22、25、56、60、63、65、66 ；C. I.瓮蓝 4、60 ;C. I.颜料绿 7。此外，在品红色着色剂中，品红色染料的实例包括C. I.溶剂红1、3、8、23、对、25、 27、30、49、52、58、63、81、82、83、84、100、109、111、121、122 ；C. I.分散红 9 ；C. I.溶剂紫 8、 13、14、21、27 ；C. I.分散紫 1 ；C. I.碱性红 1、2、9、12、13、14、15、17、18、22、23、24、27、29、
32、34、35、36、37、38、39、40；C. I.碱性紫 1、3、7、10、14、15、21、25、26、27 和 28。在品红色着色剂中，品红色颜料的实例包括C. I.颜料红1、2、3、4、5、6、7、8、9、
10、11、12、13、14、15、16、17、18、19、21、22、23、30、31、32、37、38、39、40、41、42、48:1、48:2、 48:3、48:4、49、49:1、50、51、52、52:2、53:1、54、55、56、57:1、58、60、60:1、63、63:1、63:2、 64、64:1、67、 68、81、83、87、88、89、90、92、101、104、105、106、108、112、114、122、123、139、 144、146、147、149、150、151、163、166、168、170、171、172、175、176、177、178、179、184、185、 187、190、193、202、206、207、209、219、222、224、238、245 ；C.I.颜料紫 3、9、19、23、31、32、
33、36、38、43、50；C. I.瓮红 1、2、10、13、15、23、29 和 35。此外，黄色着色剂的实例包括黄色染料如C. I.溶剂黄19、44、77、79、81、82、93、 98、103、104、112 和 162 ；黄色颜料如 C. I.颜料橙 31,43 ；C. I.颜料黄 1、2、3、4、5、6、7、10、
11、12、13、14、15、16、17、23、24、34、35、37、42、53、55、65、73、74、75、81、83、93、94、95、97、 98、100、101、104、108、109、110、113、114、116、117、120、128、129、133、138、139、147、150、 151、153、154、155、156、167、172、173、180、185、195 ；C. I.瓮黄 1、3 和 20。各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂可分别单独使用或以两种以上的组合使用。在这点上，在使用各种着色剂如青色着色剂、品红色着色剂和黄色着色剂中的两种以上的情况下，这些着色剂的混合比(或共混比)没有特别限定，可根据各着色剂的种类和目标颜色等适当选择。在将半导体背面用膜2着色的情况下，着色形式没有特别限定。半导体背面用膜可为例如添加有着色剂的单层膜状制品。此外，该膜可为至少将至少由热固性树脂形成的树脂层与着色剂层层压的层压膜。在这点上，在半导体背面用膜2为树脂层和着色剂层的层压膜的情况下，层压形式的半导体背面用膜2优选具有树脂层/着色剂层/树脂层的层压形式。在该情况下，在着色剂层两侧处的两树脂层可为具有相同组成的树脂层或可为具有不同组成的树脂层。向半导体背面用膜2中，根据需要可适当共混其它添加剂。除了填料、阻燃剂、硅烷偶联剂和离子捕集剂之外，其它添加剂的实例还包括增量剂、防老剂、抗氧化剂和表面活性剂。填料可为任意无机填料和有机填料，但优选无机填料。通过向其加入其它填料如无机填料，使其可以赋予半导体背面用膜以导电性、改进该膜的导热性和控制该膜的弹性。 半导体背面用膜2可为导电性的或非导电性的。无机填料包括例如以下的各种无机粉末 陶瓷如二氧化硅，粘土，石膏，碳酸钙，硫酸钡，氧化铍；金属如铝、铜、银、金、镍、铬、铅、锡、 锌、钯、焊料；它们的合金及其它碳。一个或多种该类填料在此处可以单独或组合使用。作为填料，优选二氧化硅，更优选熔凝二氧化硅(fused silica)。优选地，无机填料的平均粒径在0. 1μπι-80μπι的范围内。无机填料的平均粒径可以用激光衍射粒径测量仪来测量。
填料(特别地，无机填料)的共混量优选为80重量份以下(0重量份-80重量份)， 更优选为0重量份-70重量份，基于100重量份有机树脂组分。阻燃剂的实例包括三氧化锑、五氧化锑和溴化环氧树脂。阻燃剂可以单独或以两种以上的组合使用。硅烷偶联剂的实例包括β_(3，4-环氧环己基)乙基三甲氧基硅烷、 Y-环氧丙氧丙基三甲氧基硅烷和Y-环氧丙氧丙基甲基二乙氧基硅烷。硅烷偶联剂可以单独或以两种以上的组合使用。离子捕集剂的实例包括水滑石和氢氧化铋。离子捕集剂可以单独或以两种以上的组合使用。半导体背面用膜2例如可通过利用包括以下步骤的常规使用方法形成将热固性树脂例如环氧树脂和如果需要的热塑性树脂如丙烯酸类树脂以及任选的溶剂和其它添加剂混合从而制备树脂组合物，接着将其成形为膜状层。具体地，作为半导体背面用膜的膜状层(粘合剂层)例如，能够通过以下方法形成包括将树脂组合物施涂至切割带的压敏粘合剂层32上的方法；或者包括将树脂组合物施涂至适当的隔离膜(例如，剥离纸)上以形成树脂层(或粘合剂层)，然后将其转移(转换)至压敏粘合剂层32上的方法；等等。在这点上，树脂组合物可为溶液或分散液。此外，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形成的情况下，在将半导体背面用膜2应用至半导体晶片之前的阶段，该膜处于热固性树脂未固化或部分固化的状态。在该情况下，在将其应用至半导体晶片之后(具体地，通常，在当包封材料在倒装芯片接合步骤中固化时)，半导体背面用膜中的热固性树脂完全或几乎完全固化。如上所述，由于即使当半导体背面用膜包含热固性树脂时，该膜也处于热固性树脂未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜的凝胶分数没有特别限定，但例如适当选自50重量％以下(0-50重量％ )的范围，并优选30重量％以下(0-30重量％)，特别优选10重量％以下(0-10重量％ )。半导体背面用膜的凝胶分数可通过以下测量方法测量。〈凝胶分数测量方法〉从半导体背面用膜2中取样约0. Ig样品，并精确称重(样品重量)，将样品包裹在网型片(mesh-type sheet)中后，将它在室温下在约50ml甲苯中浸渍1周。此后，从甲苯中取出溶剂不溶性物质(网型片中的内容物)，并在130°C下干燥约2小时，将干燥后的溶剂不溶性物质称重(浸渍并干燥后的重量)，然后根据以下表达式(a)计算凝胶分数(重
量％ )。凝胶分数(重量％ )=[(浸渍并干燥后的重量)/(样品重量)]X100 (a)半导体背面用膜的凝胶分数能够通过树脂组分的种类和含量、交联剂的种类和含量以及除此以外的加热温度和加热时间等来控制。在本发明中，在半导体背面用膜为由包含热固性树脂如环氧树脂的树脂组合物形成的膜状制品的情况下，可有效地显示对于半导体晶片的紧密粘合性。此外，由于在半导体晶片的切割步骤中使用切割水，所以半导体背面用膜吸湿从而在一些情况下具有常规状态以上的水含量。当在仍维持如此高水分含量下进行倒装芯片接合时，水蒸气残留在半导体背面用膜和半导体晶片或其加工体(半导体)之间的粘合界面处，并且在一些情况下产生浮起。因此，通过构成半导体背面用膜为其中将具有高透湿性的芯材料设置于其各表面上的构造，水蒸气扩散，因此可以避免此类问题。从此类观点，其中半导体背面用膜形成于芯材料的一面或两面的多层结构可用作半导体背面用膜。芯材料的实例包括膜(例如，聚酰亚胺膜、聚酯膜、聚对苯二甲酸乙二酯膜、聚萘二甲酸乙二酯膜、 聚碳酸酯膜等)、用玻璃纤维或塑料无纺纤维增强的树脂基板、硅基板和玻璃基板。半导体背面用膜2的厚度(在层压膜的情况下为总厚度)不特别限制，但例如可适当选自约2 μ m-200 μ m的范围。另外，该厚度优选约4 μ m-160 μ m,更优选约6 μ m-100 μ m 和特别优选约10 μ m-80 μ m。半导体背面用膜2在23°C下处于未固化状态时的拉伸贮能弹性模量优选为IGPa 以上(例如，lGPa-50GPa)，更优选2GPa以上，特别地3GPa以上是适合的。当拉伸贮能弹性模量为IGPa以上时，在将半导体芯片与半导体背面用膜2 —起从切割带的压敏粘合剂层 32剥离之后将半导体背面用膜2放置在支承体上并进行输送等时，能够有效地抑制或防止半导体背面用膜粘贴至支承体。在这点上，支承体例如为载带中的顶带和底带等。如上所述，在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，热固性树脂通常处于未固化或部分固化的状态，因此半导体背面用膜在23°C下的拉伸贮能弹性模量为处于热固性树脂未固化或部分固化的状态的在23°C下的拉伸贮能弹性模量。此处，半导体背面用膜2可为单层或层压多层的层压膜。在层压膜的情况下， 作为整个层压膜的处于未固化状态的拉伸贮能弹性模量为充分的IGPa以上(例如， lGPa-50GPa)。此外，处于未固化状态的半导体背面用膜的拉伸贮能弹性模量(23°C )可通过适当设定树脂组分(热塑性树脂和/或热固性树脂)的种类和含量或填料如二氧化硅填料的种类和含量来控制。在半导体背面用膜2为层压多层的层压膜的情况下(半导体背面用膜具有层压层形式的情况下)，作为层压层形式，例如，可示例由晶片粘合层和激光标识层构成的层压形式。此外，在晶片粘合层和激光标识层之间，可设置其它层(中间层、遮光层、补强层、着色层、基材层、电磁波屏蔽层、导热层、压敏粘合剂层等)。在这点上，晶片粘合层为显示对晶片优良的紧密粘合性(粘合性质)的层和与晶片背面接触的层。另一方面， 激光标识层为显示优良的激光标识性的层和在半导体芯片背面上激光标识时利用的层。拉伸贮能弹性模量通过如下测定制备不层压至切割带3上的处于未固化状态的半导体背面用膜2，并使用由Geometries Co. , Ltd.制造的动态粘弹性测量设备“Solid Analyzer RS A2”，于规定温度(23°C )下，在氮气气氛中，在样品宽度为10mm、样品长度为 22. 5mm、样品厚度为0. 2mm、频率为IHz和升温速率为10°C /分钟的条件下，以拉伸模式测量弹性模量，并将该测量的弹性模量作为所得的拉伸贮能弹性模量的值。优选地，半导体背面用膜2在其至少一个表面上用隔离膜(剥离衬垫)保护(在图中未示出)。例如，在半导体背面用切割带集成膜1中，可在半导体背面用膜的至少一个表面上设置隔离膜。另一方面，在没有与切割带集成的半导体背面用膜中，可在半导体背面用膜的一个表面或两个表面上设置隔离膜。隔离膜具有作为保护半导体背面用膜直至其实际使用的保护材料的功能。此外，在半导体背面用切割带集成膜1中，隔离膜能够进一步用作在将半导体背面用膜2转移至在切割带的基材的压敏粘合剂层32上时的支承基材。当将半导体晶片粘贴至半导体背面用膜上时，剥离隔离膜。作为隔离膜，也可使用聚乙烯或聚丙烯的膜、以及其表面用脱模剂例如氟类脱模剂或长链烷基丙烯酸酯类脱模剂涂布的塑料膜(例如，聚对苯二甲酸乙二酯)或纸等。隔离膜可通过常规已知的方法形成。此外，隔离膜的厚度等没有特别限定。在半导体背面用膜2不与切割带3层压的情况下，半导体背面用膜2可以与在其两面上具有剥离层的一个隔离膜一起卷绕，成为其中该膜2用在其两表面上具有剥离层的隔离膜保护的卷形物；或该膜2可用在其至少一个表面上具有剥离层的隔离膜保护。此外，半导体背面用膜2在可见光区域的透光率(可见光透过率，波长: 400nm-800nm)没有特别限定，但例如，优选在20%以下(0% -20% )、更优选在10%以下 (0%-10%)，特别优选5%以下(0%-5%)的范围内。当半导体背面用膜2具有大于20% 的可见光透光率时，存在光的透射不利地影响半导体元件的顾虑。可见光透过率(％)能够通过半导体背面用膜2的树脂组分的种类和含量、着色剂(例如颜料或染料)的种类和含量以及无机填料的含量等来控制。半导体背面用膜2的可见光透过率(％ )可如下测定。即，制备本身具有厚度(平均厚度)为20 μ m的半导体背面用膜2。然后，将半导体背面用膜2用具有波长为400至 800nm的可见光在规定强度下照射[设备由Siimadzu Corporation制造的可见光产生设备[商品名“ABSORPTION SPECTR0 PHOTOMETER”]]，并测量透过的可见光的强度。此外，可基于可见光透过半导体背面用膜2前后的强度变化来确定可见光透过率(%)。在这点上， 也可以从厚度不是20 μ m的半导体背面用膜2的可见光透过率波长400至SOOnm)的值推导出具有厚度为20 μ m的半导体背面用膜2的可见光透过率(％ ；波长400至SOOnm)。 在本发明中，在具有厚度为20 μ m的半导体背面用膜2的情况下测定可见光透过率(％ )， 但根据本发明的半导体背面用膜不限于具有厚度为20 μ m的半导体背面用膜。此外，作为半导体背面用膜2，更优选具有较低吸湿率的半导体背面用膜。具体地， 吸湿率优选1重量％以下，更优选0. 8重量％以下。通过将吸湿率调整至1重量％以下，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤(reflow step)中能够抑制或防止半导体背面用膜2和半导体元件之间空隙的产生。吸湿率为由将半导体背面用膜2在温度85°C和湿度85% RH的气氛下静置168小时前后的重量变化计算的值。在半导体背面用膜2由包含热固性树脂的树脂组合物形成的情况下，吸湿率是指当将热固化后的膜在温度85°C和湿度 85% RH的气氛下静置168小时时获得的值。此外，吸湿率例如可通过改变无机填料的添加量来调整。此外，作为半导体背面用膜2，更优选具有较小比例的挥发性物质的半导体背面用膜。具体地，热处理后半导体背面用膜2的重量减少的比例(重量减少率)优选为1重量％以下，更优选0. 8重量％以下。热处理的条件为加热温度为250°C，加热时间为1小时。通过将重量减少率调整至1重量％以下，能够提高激光标识性。此外，例如，在再流步骤中能够抑制或防止倒装芯片型半导体器件中裂纹的产生。重量减少率可例如通过添加在无铅焊料再流时能够减少裂纹产生的无机物质来调整。在半导体背面用膜2由包含热固性树脂组分的树脂组合物形成的情况下，重量减少率为当将热固化后的半导体背面用膜在温度250°C和加热时间为1小时的条件下加热时获得的值。(切割带)如此设计切割带3以使其具有压敏粘合剂层32，所述压敏粘合剂层32在具有凹凸加工面31a的基材上形成。因此，切割带3充分具有其中层压具有凹凸加工面31a的基材 31和压敏粘合剂层32的构造。
(基材)基材(支承基材)可用作压敏粘合剂层等的支承材料。基材31优选具有放射线透过性。作为基材31，例如，可使用合适的薄材料，例如纸类基材如纸；纤维类基材如织物、无纺布、毡和网；金属类基材如金属箔和金属板；塑料基材如塑料膜和片；橡胶类基材如橡胶片；发泡体(foamed body)如发泡片；及其层压体[特别地，塑料基料与其它基材的层压体， 塑料膜(或片)彼此的层压体等]。在本发明中，作为基材，可适当使用塑料基材如塑料膜和片。此类塑料材料的原料实例包括烯烃类树脂如聚乙烯(PE)、聚丙烯(PP)和乙烯-丙烯共聚物；使用乙烯作为单体组分的共聚物，如乙烯-乙酸乙烯酯共聚物(EVA)、离聚物树脂、 乙烯_(甲基)丙烯酸共聚物和乙烯_(甲基)丙烯酸酯(无规，交替)共聚物；聚酯如聚对苯二甲酸乙二酯(PET)、聚萘二甲酸乙二酯(PEN)和聚对苯二甲酸丁二醇酯(PBT)；丙烯酸类树脂；聚氯乙烯(PVC)；聚氨酯；聚碳酸酯；聚苯硫醚(PPQ ；酰胺类树脂如聚酰胺(尼龙)和全芳族聚酰胺(whole aromatic polyamides)(芳族聚酰胺)；聚醚醚酮(PEEK)；聚酰亚胺；聚醚酰亚胺；聚偏二氯乙烯；ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯共聚物)；纤维素类树脂；硅酮树脂；和氟化树脂。另外，基材31的材料包括聚合物如前述树脂的交联材料。塑料膜可在不拉伸的情况下使用，或者需要时可在进行单轴或双轴拉伸处理后使用。根据通过拉伸处理等赋予热收缩性的树脂片材，在切割后通过基材31的热收缩减小压敏粘合剂层32和半导体背面用膜2之间的粘合面积，因而能够使半导体芯片的回收容易。基材31具有凹凸加工面31a(本文中还称作“不规则形成面 (irregularities-formed surface) ”或“粗糙表面”)。为了防止卷起的基材31的表面彼此粘连从而确保其在生产集成膜1的前置阶段的加工性的目的，设置凹凸加工面31a。当在其中将凹凸加工面31a保持在暴露在外的状态下层压压敏粘合剂层32时，则可能发生由凹凸加工面31a导致的光散射，因此切割带3的雾度由此升高。在此情况下，在切割步骤后的检查步骤中观察半导体芯片时，膜的透光率可能低，情形为可能无法检测半导体芯片中的不足如碎裂等的发生。针对此，在集成膜1中，切割带的雾度为至多45%，因此，可以提高膜的透光率且可以容易及有效地检查半导体芯片。使用商用雾度仪并根据下式来测定雾度雾度(％) = Td/TtX100其中，Td是指扩散透过率，Tt是指总透光率。控制切割带3的雾度为至多45%的措施不特别限定，例如，可使用以下方法层压凹凸加工面31a和压敏粘合剂层32以彼此面对，以使得压敏粘合剂层32吸收凹凸的方法； 以防止基材彼此粘连及雾度为至多45%这样的方式，通过凹凸加工处理控制待形成的凹凸的程度的方法；和在暴露的凹凸加工面31a上进一步层压如压敏粘合剂层一样能够吸收凹凸的层的方法等。当然，优选为在基材31的凹凸加工面31a上层压压敏粘合剂层32的方法。通过将基材31的凹凸加工面31a和压敏粘合剂层彼此粘合，压敏粘合剂层32可以追随凹凸加工面31a的凹凸，从而基材和压敏粘合剂层可以彼此紧密粘合，由此可填满两者之间的间隙。因而，不需任何另外的构件，切割带可防止通过它的光散射，可提高其透过率， 由此可有效地降低其雾度。凹凸加工面31a的凹凸程度可以为通常的相同水平，因此可以确保加工性以防止基材31彼此粘连。
可以将基材31中的仅一个表面加工成凹凸加工面，或将两个表面加工成凹凸加工面。当将仅一个表面加工成凹凸加工面时，优选地，层压基材和压敏粘合剂层以使得凹凸加工面能够面对压敏粘合剂层。在将两个表面加工成凹凸加工面时，在与层压有压敏粘合剂层的表面相对的基材表面上形成能够吸收凹凸的另外的层是有利的。用于制备凹凸加工面31a的凹凸加工处理并不特别限定，只要形成的凹凸可以防止基材彼此粘连即可。例如，该处理包括压花处理、压纹处理(graining treatment)、喷砂处理和等离子体处理(plasma treatment)等。在这些凹凸加工处理中，考虑到加工容易性、 粘连防止能力以及基材和压敏粘合剂层之间的粘合性，优选压花处理。另外，为了提高与相邻层的紧密粘合性和保持性等，可在基材31的表面上实施常规使用的表面处理，例如，化学或物理处理如铬酸盐处理、臭氧暴露、火焰暴露、暴露于高压电击或电离辐射处理，或用底漆剂(imdercoating agent)例如稍后提及的压敏粘合剂物质的涂布处理。凹凸加工面31a的表面粗糙度(Ra)并不特别限定，只要它能够防止基材粘连即可，但优选0. 5至20 μ m，更优选1至10 μ m，甚至更优选1至5 μ m。表面粗糙度(Ra)可以使用Veeco' s非接触式三维表面粗糙度仪(NT3300)且根据JIS B0601来测量。关于测量条件，功率是说明的50倍，通过中值滤波器(median filter)处理得到的数据。在样品表面上不同的五个点分析每个样品，将数据平均化以给出样品的表面粗糙度(Ra)。作为基材31，可适当选择和使用相同种类或不同种类的材料，需要时，可将几种材料共混并使用。此外，为了赋予基材31以抗静电能力，可在基材31上形成由金属、合金或其氧化物组成的具有厚度约30至500埃的导电性物质的气相沉积层。基材31可为单层或其两层以上的多层。基材31的厚度(在层压层的情况下为总厚度)没有特别限定，可依赖于强度、挠性及预期的用途等适当选择。例如，厚度通常为IOOOym以下(例如Iym至ΙΟΟΟμπι)，优选10 μ m至500 μ m，进一步优选20 μ m至300 μ m，特别优选约30 μ m至200 μ m，但不限于此。此外，在不损害本发明的优点等的范围内，基材31可包含各种添加剂(着色剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、阻燃剂等)。(压敏粘合剂层)压敏粘合剂层32由压敏粘合剂形成，并具有压敏粘合性。由于压敏粘合性和挠性，压敏粘合剂层32能够良好地追随基材31的凹凸加工面31a的凹凸，由此填满基材31 和压敏粘合剂层32之间的间隙，由此降低切割带3的雾度。压敏粘合剂没有特别限定，可在已知的压敏粘合剂中适当选择。具体地，作为压敏粘合剂，例如，具有上述特性的压敏粘合剂可在如下的已知压敏粘合剂中适当选择并在本文中使用丙烯酸类压敏粘合剂、橡胶类压敏粘合剂、乙烯基烷基醚类压敏粘合剂、 硅酮类压敏粘合剂、聚酯类压敏粘合剂、聚酰胺类压敏粘合剂、聚氨酯类压敏粘合剂、氟类压敏粘合剂、苯乙烯-二烯嵌段共聚物类压敏粘合剂，和通过将具有不高于200°C熔点的热熔融性树脂加入上述压敏粘合剂中制备的蠕变特性改进的压敏粘合剂(例如，参见 JP-A-56-61468、JP-A-61-174857、JP-A-63-17981、JP-A-56-13040 等，引入此处以作参考)。作为压敏粘合剂，此处也可使用照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)和热膨胀性压敏粘合剂。一种或多种此类压敏粘合剂可在此处单独或组合使用。作为压敏粘合剂，本文中优选使用丙烯酸类压敏粘合剂和橡胶类压敏粘合剂，更优选丙烯酸类压敏粘合剂。丙烯酸类压敏粘合剂包括包含一种或多种(甲基)丙烯酸烷基酯作为单体组分的丙烯酸类聚合物(均聚物或共聚物)作为基础聚合物的丙烯酸类压敏粘合剂。用于丙烯酸类压敏粘合剂的(甲基)丙烯酸烷基酯包括，例如，(甲基)丙烯酸甲酯、(甲基)丙烯酸乙酯、(甲基)丙烯酸丙酯、(甲基)丙烯酸异丙酯、(甲基)丙烯酸丁酯、(甲基)丙烯酸异丁酯、(甲基)丙烯酸仲丁酯、(甲基)丙烯酸叔丁酯、(甲基)丙烯酸戊酯、(甲基)丙烯酸己酯、(甲基)丙烯酸庚酯、(甲基)丙烯酸辛酯、(甲基)丙烯酸 2-乙基己酯、(甲基)丙烯酸异辛酯、(甲基)丙烯酸壬酯、(甲基)丙烯酸异壬酯、(甲基) 丙烯酸癸酯、(甲基)丙烯酸异癸酯、(甲基)丙烯酸十一烷酯、(甲基)丙烯酸十二烷酯、 (甲基)丙烯酸十三烷酯、(甲基)丙烯酸十四烷酯、(甲基)丙烯酸十五烷酯、(甲基)丙烯酸十六烷酯、(甲基)丙烯酸十七烷酯、(甲基)丙烯酸十八烷酯、(甲基)丙烯酸十九烷酯、(甲基)丙烯酸二十烷酯等。作为(甲基)丙烯酸烷基酯，优选的是其中烷基具有4至 18个碳原子的那些。在(甲基)丙烯酸烷基酯中，烷基可为直链或支链的。为了改善其内聚力、耐热性及交联性的目的，如果需要，丙烯酸类聚合物可包含与上述(甲基)丙烯酸烷基酯可聚合的任何其它单体组分(可共聚合单体组分)对应的单元。 可共聚合单体组分包括，例如，含羧基单体如(甲基)丙烯酸(丙烯酸、甲基丙烯酸)、丙烯酸羧乙酯、丙烯酸羧戊酯、衣康酸、马来酸、富马酸、巴豆酸；含酸酐基团单体如马来酸酐和衣康酸酐；含羟基单体如(甲基)丙烯酸羟乙酯、(甲基)丙烯酸羟丙酯、(甲基)丙烯酸羟丁酯、(甲基)丙烯酸羟己酯、(甲基)丙烯酸羟辛酯、(甲基)丙烯酸羟癸酯、(甲基) 丙烯酸羟月桂酯、甲基丙烯酸(4-羟甲基环己基)甲酯；含磺酸基团单体如苯乙烯磺酸、烯丙基磺酸、2_(甲基)丙烯酰胺-2-甲基丙磺酸、(甲基)丙烯酰胺丙磺酸、(甲基)丙烯酸磺丙酯、(甲基)丙烯酰氧基萘磺酸；含磷酸基团单体如2-羟乙基丙烯酰磷酸酯；(N-取代的)酰胺类单体如(甲基)丙烯酰胺、N，N- 二甲基(甲基)丙烯酰胺、N- 丁基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基(甲基)丙烯酰胺、N-羟甲基丙烷(甲基)丙烯酰胺；(甲基)丙烯酸氨基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸氨基乙酯、(甲基)丙烯酸N，N-二甲氨基乙酯、(甲基) 丙烯酸叔丁氨基乙酯；(甲基)丙烯酸烷氧基烷基酯类单体如(甲基)丙烯酸甲氧基乙酯、 (甲基)丙烯酸乙氧基乙酯；丙烯酸氰基酯类单体如丙烯腈、甲基丙烯腈；含环氧基丙烯酸类单体如(甲基)丙烯酸缩水甘油酯；苯乙烯类单体如苯乙烯、α -甲基苯乙烯；乙烯基酯类单体例如乙酸乙烯酯、丙酸乙烯酯；烯烃类单体如异戊二烯、丁二烯、异丁烯；乙烯基醚类单体例如乙烯基醚；含氮单体如N-乙烯基吡咯烷酮、甲基乙烯基吡咯烷酮、乙烯基吡啶、 乙烯基哌啶酮、乙烯基嘧啶、乙烯基哌嗪、乙烯基吡嗪、乙烯基吡咯、乙烯基咪唑、乙烯基噁唑、乙烯基吗啉、N-乙烯基羧酸酰胺、N-乙烯基己内酰胺；马来酰亚胺类单体如N-环己基马来酰亚胺、N-异丙基马来酰亚胺、N-月桂基马来酰亚胺、N-苯基马来酰亚胺；衣康酰亚胺类单体如N-甲基衣康酰亚胺、N-乙基衣康酰亚胺、N- 丁基衣康酰亚胺、N-辛基衣康酰亚胺、 Ν-2-乙基己基衣康酰亚胺、N-环己基衣康酰亚胺、N-月桂基衣康酰亚胺；琥珀酰亚胺类单体如Ν-(甲基)丙烯酰氧亚甲基琥珀酰亚胺、N-(甲基)丙烯酰基-6-氧六亚甲基琥珀酰亚胺、Ν-(甲基)丙烯酰基-8-氧八亚甲基琥珀酰亚胺；二醇类丙烯酸酯(acryl glycolate)单体如聚乙二醇(甲基)丙烯酸酯、聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯、甲氧基乙二醇(甲基)丙烯酸酯(methoxyethylene glycol (meth) acrylate)和甲氧基聚丙二醇(甲基)丙烯酸酯 (methoxypolypropylene glycol (meth) acrylate)；具有杂环、1 原子或 原子等的丙;1；希酸酯类单体，如(甲基)丙烯酸四氢糠酯、含氟(甲基)丙烯酸酯(fluoro (meth) acrylate) 和含硅的(甲基)丙烯酸酯(silicone (meth) acrylate)；多官能单体如己二醇二 (甲基) 丙烯酸酯、(聚)乙二醇二(甲基)丙烯酸酯、(聚)丙二醇二(甲基)丙烯酸酯、新戊二醇二(甲基)丙烯酸酯、季戊四醇二(甲基)丙烯酸酯、三羟甲基丙烷三(甲基)丙烯酸酯、 季戊四醇三(甲基)丙烯酸酯、二季戊四醇六(甲基)丙烯酸酯、环氧丙烯酸酯、聚酯丙烯酸酯、氨基甲酸酯丙烯酸酯、二乙烯基苯、二(甲基)丙烯酸丁酯、二(甲基)丙烯酸己酯； 等。一种或多种这些可共聚合单体组分可单独或组合使用。本发明中可用的照射固化型压敏粘合剂(或能量射线固化型压敏粘合剂)(组合物)包括，例如，包含在聚合物侧链、主链或主链末端中具有自由基反应性碳-碳双键的聚合物用作基础聚合物的内部照射固化型压敏粘合剂，及通过将UV固化型单体组分或低聚物组分共混入压敏粘合剂中制备的照射固化型压敏粘合剂。此处还可用的热膨胀性压敏粘合剂包括，例如，包含压敏粘合剂和发泡剂(特别地，热膨胀性微球)的热膨胀性压敏粘合剂。在本发明中，在不损害本发明优点的范围内，压敏粘合剂层32可包含各种添加剂 (例如，增粘剂、着色剂、增稠剂、增量剂、填料、增塑剂、防老剂、抗氧化剂、表面活性剂、交联剂等)。交联剂没有特别限定，可使用已知的交联剂。具体地，作为交联剂，不仅可提及异氰酸酯类交联剂、环氧类交联剂、三聚氰胺类交联剂和过氧化物类交联剂，还可提及脲类交联剂、金属醇盐类交联剂、金属螯合物类交联剂、金属盐类交联剂、碳二亚胺类交联剂、噁唑啉类交联剂、氮丙啶类交联剂和胺类交联剂等，异氰酸酯类交联剂和环氧类交联剂是适合的。交联剂可以单独使用或以两种以上的组合使用。此外，交联剂的使用量没有特别限定。异氰酸酯类交联剂的实例包括低级脂肪族多异氰酸酯例如1，2_亚乙基二异氰酸酯、1，4_亚丁基二异氰酸酯和1，6_六亚甲基二异氰酸酯；脂环族多异氰酸酯例如亚环戊基二异氰酸酯、亚环己基二异氰酸酯、异佛尔酮二异氰酸酯、氢化甲苯二异氰酸酯和氢化苯二甲撑二异氰酸酯；芳香族多异氰酸酯例如2，4-甲苯二异氰酸酯、2，6-甲苯二异氰酸酯、4， 4' -二苯甲烷二异氰酸酯和苯二甲撑二异氰酸酯。另外，也使用三羟甲基丙烷/甲苯二异氰酸酯三聚体加合物[商品名 “C0L0NATE L”，由 Nippon Polyurethane Industry Co., Ltd.制造]和三羟甲基丙烷/六亚甲基二异氰酸酯三聚体加合物[商品名“C0L0NATE HL”， 由Nippon Polyurethane Industry Co. , Ltd.制造]等。此外，环氧类交联剂的实例包括 N,N,N' ,N'-四缩水甘油基-间-苯二甲胺、二缩水甘油基苯胺、1，3_双(N，N-缩水甘油基氨甲基)环己烷、1，6-己二醇二缩水甘油醚、新戊二醇二缩水甘油醚、乙二醇二缩水甘油醚、丙二醇二缩水甘油醚、聚乙二醇二缩水甘油醚、聚丙二醇二缩水甘油醚、山梨糖醇多缩水甘油醚、甘油多缩水甘油醚、季戊四醇多缩水甘油醚、聚甘油多缩水甘油醚、脱水山梨糖醇多缩水甘油醚、三羟甲基丙烷多缩水甘油醚、己二酸二缩水甘油酯、邻苯二甲酸二缩水甘油酯、三缩水甘油基-三(2-羟乙基)异氰脲酸酯、间苯二酚二缩水甘油醚和双酚-S-二缩水甘油醚，以及在分子中具有两个以上的环氧基团的环氧类树脂。
在本发明中，代替使用交联剂或与交联剂一起使用，也可以通过用电子射线或UV 射线的照射来交联压敏粘合剂层。压敏粘合剂层32例如可通过利用包括混合压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂，然后将该混合物成形为片状层的通常使用的方法形成。具体地，例如，可提及包括将包含压敏粘合剂和任选的溶剂及其它添加剂的混合物施涂至基材31上的方法；或包括施涂上述混合物至适当隔离体(如剥离纸)上以形成压敏粘合剂层32，然后将其转移(转换) 至基材31上的方法等。压敏粘合剂层32的厚度没有特别限定，例如，为约5至200 μ m,优选5至50 μ m， 更优选5至45 μ m，甚至更优选5至40 μ m。当其厚度落入上述范围内时，压敏粘合剂层32 可显示适当的粘合力，可以充分地提高基材的凹凸加工面与压敏粘合剂层之间的粘合性， 另外，可以确保被切割的半导体晶片的保持力。压敏粘合剂层32可为单层或多层。切割带3的压敏粘合剂层32对倒装芯片型半导体背面用膜2的粘合力(23°C，剥离角180度，剥离速率300mm/min)优选在0. 02N/20mm至10N/20mm，更优选在0. 05N/20mm 至5N/20mm的范围内。当粘合力为至少0. 02N/20mm时，则可以防止在切割半导体晶片时半导体芯片飞散。另一方面，当粘合力为至多10N/20mm时，则便于在拾取半导体芯片时剥离它们，且防止压敏粘合剂残余。另外，在本发明中，可使倒装芯片型半导体背面用膜2或半导体背面用切割带集成膜1具有抗静电功能。由于该构造，能够防止电路由于在其粘合时和剥离时静电能的产生或由于半导体晶片等通过静电能的带电导致的击穿。赋予抗静电功能可通过适当的方式如以下方法进行添加抗静电剂或导电性物质至基材31、压敏粘合剂层32和半导体背面用膜2的方法，或在基材31上设置由电荷转移配合物(complex)或金属膜等组成的导电层的方法。作为这些方法，优选难以产生具有改变半导体晶片品质风险的杂质离子的方法。为了赋予导电性和改进导热性等的目的而共混的导电性物质(导电性填料)的实例包括银、 铝、金、铜、镍或导电性合金等的球形、针形或薄片形金属粉末；金属氧化物如氧化铝；无定形炭黑和石墨。然而，从不具有漏电性的观点，半导体背面用膜2优选非导电性的。此外，倒装芯片型半导体背面用膜2或半导体背面用切割带集成膜1可以以卷绕成卷形物(roll)的形式形成，或可以以层压片材(膜)的形式形成。例如，在膜具有卷绕成卷形物的形式的情况下，根据需要，以通过隔离体保护半导体背面用膜2或半导体背面用膜2与切割带3的层压体的状态将膜卷绕成卷形物，由此可制备膜作为处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用膜2或半导体背面用切割带集成膜1。在这点上，处于卷绕成卷形物状态或形式的半导体背面用切割带集成膜1可由基材31、在基材31的一个表面上形成的压敏粘合剂层32、在压敏粘合剂层32上形成的半导体背面用膜2，和在基材31的另一表面上形成的可剥离处理层(后表面处理层)构成。另外，半导体背面用切割带集成膜1的厚度(半导体背面用膜的厚度和包括基材 31和压敏粘合剂层32的切割带的厚度的总厚度)可在例如8 μ m-1, 500 μ m的范围内选择， 其优选 20 μ m-850 μ m,更优选 31 μ m-500 μ m,特别优选 47 μ m-330 μ m。在这点上，在半导体背面用切割带集成膜1中，通过调整半导体背面用膜2的厚度与切割带3中压敏粘合剂层32的厚度的比例或半导体背面用膜2的厚度与切割带的厚度 (基材31和压敏粘合剂层32的总厚度)的比例，在切割步骤时的切割性和在拾取步骤时的拾取性等能够得到提高，且在从半导体晶片的切割步骤至半导体芯片的倒装芯片接合步骤，均能够有效地利用半导体背面用切割带集成膜1。(半导体背面用切割带集成膜的生产方法)本发明的半导体背面用切割带集成膜的生产方法包含制备具有凹凸加工面的基材的步骤，在基材的凹凸加工面上层压压敏粘合剂层的步骤和在压敏粘合剂层上层压半导体背面用膜的步骤。根据生产方法(i)，在基材的凹凸加工面上层压压敏粘合剂层，因此压敏粘合剂层可以充分地填满由凹凸加工面形成的间隙，因此，可以由此有效地生产其中切割带的雾度降低的切割带集成膜。使用图1所示的半导体背面用切割带集成膜1作为实例，描述本实施方案的半导体背面用切割带集成膜的生产方法。首先，基材31可通过常规已知的成膜方法形成。成膜方法的实例包括压延成膜法、在有机溶剂中的流延法、在严格密闭体系中的膨胀挤出法、 T-模挤出法、共挤出法和干法层压法。接着，将基材31的由此形成的膜进行凹凸加工处理以形成凹凸加工面31a。可以用任意通常已知的方法形成凹凸。根据情况，此处还可使用进行凹凸加工处理的商购基材。接着，将压敏粘合剂组合物施涂至基材31，接着在其上干燥(和任选地在加热下交联)以形成压敏粘合剂层32。施涂体系包括辊涂、丝网涂布(screen coating)、凹版涂布(gravure coating)等。可将压敏粘合剂组合物直接施涂至基材31以在基材31上形成压敏粘合剂层32 ；或可将压敏粘合剂组合物施涂至表面已进行润滑处理的剥离纸等上以在其上形成压敏粘合剂层32，且将压敏粘合剂层32转移至基材31上。因而，形成具有在基材31上形成压敏粘合剂层32的切割带3。如上所述，根据涂布体系或转移体系可以在基材31上形成压敏粘合剂层32 ’然而，从易于控制基材31和压敏粘合剂层32之间的粘合性的观点，转移体系是优选的。在转移体系中，可将层在室温下转移或在加热下转移。在这种情况下，优选地，将层在加压下转移。一个优选的转移体系是通过热层压来层压基材31和压敏粘合剂层32的体系。在热层压中的加热提高了压敏粘合剂层的粘性和挠性，因此，通过其可以改进压敏粘合剂层对凹凸加工面的凹凸的追随性，结果，可以有效地去除在基材和压敏粘合剂层之间的间隙，可以进一步降低切割带的雾度。关于热层压的条件，例如，优选采用在0. I-IOMI5a的压力下和在 30-100°C下粘合0. 1至10秒钟的处理。另一方面，将用于形成半导体背面用膜2的形成材料施涂至剥离片材上以形成干燥后具有预定厚度的涂层，然后在预定条件下干燥(任选地在需要热固化的情况下加热， 并干燥)以形成涂层。将该涂层转移至压敏粘合剂层32上，从而在压敏粘合剂层32上形成半导体背面用膜2。半导体背面用膜2也能够通过以下在压敏粘合剂层32上形成直接在压敏粘合剂层32上施涂用于形成半导体背面用膜2的形成材料，然后在规定条件下将其干燥(任选地在需要热固化的情况下将其加热，并干燥)。根据上述过程，能够获得本发明的半导体背面用切割带集成膜1。在形成半导体背面用膜2时需要热固化的情况下，重要的是进行热固化至涂层可以部分固化的程度，然而，优选地涂层不热固化。本发明的半导体背面用切割带集成膜1能够在包括倒装芯片连接步骤的半导体器件生产时适当使用。即，在倒装芯片安装的半导体器件生产时使用本发明的半导体背面用切割带集成膜1，因此以将半导体背面用切割带集成膜1的半导体背面用膜2粘贴至半导体芯片背面的条件或形式生产倒装芯片安装的半导体器件。因此，可以将本发明的半导体背面用切割带集成膜1用于倒装芯片安装的半导体器件(处于通过倒装芯片接合法将半导体芯片固定于被粘物如基板的状态或形式的半导体器件)。如在半导体背面用切割带集成膜1中一样，半导体背面用膜2还可用于倒装芯片安装的半导体器件(处于在倒装芯片接合法中将半导体芯片固定于被粘物如基板等的状态或形式的半导体器件)。(半导体晶片)半导体晶片没有特别限定，只要其为已知或通常使用的半导体晶片即可，并可在由各种材料制成的半导体晶片中适当地选择和使用。在本发明中，作为半导体晶片，可适当地使用硅晶片。(半导体器件的生产方法)参考图2A至2D，将描述根据本发明的半导体器件的生产方法。图2A-2D为示出在使用半导体背面用切割带集成膜1的情况下，生产半导体器件的方法的横截面示意图。 此处，为了简化，从图中省略了基材的凹凸加工面。根据生产半导体器件的方法，可以使用半导体背面用切割带集成膜1来生产半导体器件。具体地，该方法包括至少以下步骤将半导体晶片粘贴至半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上的步骤，切割半导体晶片以形成半导体芯片的步骤，检查半导体芯片的步骤，将半导体芯片与半导体背面用膜一起从切割带的压敏粘合剂层剥离的步骤；和将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物上的步骤。(安装步骤)首先，如图2A所示，将任选地在半导体背面用切割带集成膜1的半导体背面用膜 2上设置的隔离膜适当剥离并将半导体晶片4粘贴至半导体背面用膜2上以通过粘合和保持来固定(安装步骤)。在此情况下，半导体背面用膜2处于未固化状态(包括半固化状态)。此外，将半导体背面用切割带集成膜1粘贴至半导体晶片4的背面。半导体晶片4的背面是指与电路面相对的面(也称为非电路面、非电极形成面等)。粘贴方法不特别限制， 但优选通过压接的方法。压接通常在用加压装置如加压辊加压的同时进行。(切割步骤)接着，如图2B所示，切割半导体晶片4。从而，将半导体晶片4切断成规定尺寸并单个化(成形为小片)，以生产半导体芯片5。例如，所述切割根据常规方法从半导体晶片4 的电路面侧进行。此外，本步骤可采取例如形成到达半导体背面用切割带集成膜1的切口 (slit)的称作完全切断的切断方法。在本步骤中使用的切割设备没有特别限定，可使用常规已知的设备。此外，由于半导体晶片4通过具有半导体背面用膜的半导体背面用切割带集成膜1粘合并固定，因此可抑制芯片破裂和芯片飞散，以及还可抑制半导体晶片4破损。 在这点上，当半导体背面用膜2由包含环氧树脂的树脂组合物形成时，即使当将其通过切割切断时，也可抑制或防止在切断面处发生粘合剂从半导体背面用膜的粘合剂层挤出。结果，可抑制或防止切断面自身的再粘贴(粘连(blocking))，从而可进一步方便地进行以下要描述的拾取。在半导体背面用切割带集成膜1扩展(expanding)的情况下，扩展可使用常规已知的扩展设备进行。所述扩展设备具有能够推动半导体背面用切割带集成膜向下通过切割环的环形外环，和直径小于外环并支撑半导体背面用切割带集成膜的内环。由于该扩展步骤，可以防止相邻的半导体芯片在以下要描述的拾取步骤中通过彼此接触而损坏。(检查步骤)然后，在检查步骤中，检查通过切割获得半导体芯片的不足如碎裂等。没有特别限定，检查方法可以包括通过图像识别的检查，例如，用光学显微镜，通过顶照射或用C⑶相机等。例如，在通过顶照射的检查中，IR射线从切割带侧朝向通过切割形成的半导体芯片之间的间隙(所谓的切割道(dicing street))来照射，在其上通过顶照相机等拍摄图像以由此检测如果有的在半导体芯片中的不足。根据生产方法(I)，由于使用其中降低切割带的雾度的集成膜，所以通过顶照射可以有效地实现切割步骤后的检查步骤。因此，良好产品和不良产品可以迅速且容易地区分，因而可以提高半导体器件的产量。无需说，任何其它的检查方法可以带来相同的效果和优点。(拾取步骤)为了收集粘合并固定至半导体背面用切割带集成膜1的半导体芯片5，如图2C所示进行半导体芯片5的拾取，以将半导体芯片5与半导体背面用膜2 —起从切割带3剥离。 拾取方法没有特别限定，可采用常规已知的各种方法。例如，可提及包括用针状物从半导体背面用切割带集成膜1的基材31侧向上推动各半导体芯片5，并用拾取设备拾取推起的半导体芯片5的方法。在这点上，拾取的半导体芯片5的背面用半导体背面用膜2保护。(倒装芯片连接步骤)如图2D所示，将拾取的半导体芯片5通过倒装芯片接合法(倒装芯片安装法)固定至被粘物6如基板。具体地，以半导体芯片5的电路面(也称为正面、电路图案形成面、电极形成面等)与被粘物6相对的形式，根据常规方式将半导体芯片5固定至被粘物6。例如， 使在半导体芯片5的电路面侧处形成的凸块51与粘贴至被粘物6的连接垫的连结用导电性材料61 (如焊料)接触，并在加压下熔融导电性材料61，由此能够确保半导体芯片5和被粘物6之间的电连接，并能够将半导体芯片5固定于被粘物6上(倒装芯片接合步骤)。在此情况下，在半导体芯片5和被粘物6之间形成间隙，并且间隙之间的距离通常为约30 μ m 至300 μ m。在这点上，在将半导体芯片5倒装芯片接合(倒装芯片连接)至被粘物6之后， 重要的是将半导体芯片5和被粘物6的相对面以及间隙洗涤，然后将包封材料(如包封树脂)填充入间隙中，以进行包封。作为被粘物6，可使用各种基板如引线框和电路板(如布线电路板)。基板的材料没有特别限定，可提及陶瓷基板和塑料基板。塑料基板的实例包括环氧基板、双马来酰亚胺三嗪基板和聚酰亚胺基板。在倒装芯片接合步骤中，凸块材料和导电性材料没有特别限定，其实例包括焊料 (合金)如锡-铅系金属材料、锡-银系金属材料、锡-银-铜系金属材料、锡-锌系金属材料和锡-锌-铋系金属材料，以及金系金属材料和铜系金属材料。此外，在倒装芯片接合步骤中，将导电性材料熔融以连接半导体芯片5的电路面侧处的凸块和在被粘物6表面上的导电性材料。导电性材料熔融时的温度通常为约 2600C (例如，250°C至300°C)。通过用环氧树脂等形成半导体背面用膜，可使本发明的半导体背面用切割带集成膜具有能够承受在倒装芯片接合步骤中的高温的耐热性。在本步骤中，优选洗涤半导体芯片5和被粘物6之间的相对面(电极形成面)以及间隙。在洗涤时使用的洗涤液没有特别限定，其实例包括有机洗涤液或水性洗涤液。在本发明的半导体背面用切割带集成膜中的半导体背面用膜具有对洗涤液的耐溶剂性，并且对这些洗涤液基本不具有溶解性。因此，如上所述，可采用各种洗涤液作为该洗涤液，并可通过任何常规方法而无需任何特别的洗涤液实现该洗涤。接着，进行包封步骤以包封倒装芯片接合的半导体芯片5和被粘物6之间的间隙。 包封步骤使用包封树脂进行。在此情况下的包封条件不特别限制，但包封树脂的固化通常在175°C下进行60秒至90秒。然而，在本发明中，不限于此，例如，固化可在165至185°C 的温度下进行几分钟。通过在该步骤中的热处理，不仅包封树脂而且半导体背面用膜2也同时被热固化。因此，包封树脂和半导体背面用膜2两者伴随热固化的程序而固化和收缩。 结果，通过半导体背面用膜2的固化收缩，可以消除或松弛由于包封树脂的固化收缩导致的给予半导体芯片5的应力。此外，在该步骤，半导体背面用膜2可完全或几乎完全热固化并能够以优良的紧密粘合性粘贴至半导体元件的背面。此外，即使当根据本发明的半导体背面用膜2处于未固化状态时，该膜也可在包封步骤时与包封材料一起热固化，因此不需要新添加半导体背面用膜2的热固化步骤。包封树脂没有特别限定，只要该材料为具有绝缘性的树脂(绝缘树脂)即可，可在已知的包封材料如包封树脂中适当选择和使用。包封树脂优选具有弹性的绝缘树脂。包封树脂的实例包括含环氧树脂的树脂组合物。作为环氧树脂，可提及以上示例的环氧树脂。此外，由包含环氧树脂的树脂组合物组成的包封树脂除了环氧树脂之外还可包含除了环氧树脂(如酚醛树脂)之外的热固性树脂或热塑性树脂。此外，也可利用酚醛树脂作为环氧树脂用固化剂，作为此类酚醛树脂，可提及以上示例的酚醛树脂。根据使用半导体背面用切割带集成膜1或半导体背面用膜2制造的半导体器件 (倒装芯片安装的半导体器件)，将半导体背面用膜粘贴至半导体芯片背面，因此，可以以优良的可见度实施激光标识。特别地，即使当标识方法是激光标识法时，激光标识也能够以优良的对比度实施，并可以观察通过具有良好可见度的激光标识实施的各种信息(例如文字信息和图形信息)。在激光标识时，可利用已知的激光标识设备。此外，作为激光器，可以利用各种激光器如气体激光器、固态激光器和液体激光器。具体地，作为气体激光器，可利用任何已知的气体激光器而没有特别限制，但二氧化碳激光器(CO2激光器)和准分子激光器(ArF激光器、KrF激光器、XeCl激光器、XeF激光器等)是适合的。作为固态激光器， 可利用任何已知的固态激光器而没有特别限定，但YAG激光器(如Nd:YAG激光器)和YVO4 激光器是适合的。由于使用本发明的半导体背面用切割带集成膜1或半导体背面用膜2生产的半导体器件为通过倒装芯片安装法安装的半导体器件，所以该器件与通过模片接合安装法安装的半导体器件相比具有薄型化和小型化的形状。因此，可适当采用这些半导体器件作为各种电子器件和电子部件或其材料和构件。具体地，作为利用本发明的倒装芯片安装的半导体器件的电子器件，可提及所谓的“移动电话”和“PHS”，小型计算机[如，所谓的 “PDA” (手持终端)，所谓的“笔记本尺寸的个人计算机”，所谓的“Net Book (商标)，，和所谓的“可穿戴计算机”等]，具有集成“移动电话”和计算机的形式的小型电子器件，所谓的 "Digital Camera(商标)”，所谓的“数码摄像机”，小型电视机，小型游戏机，小型数字音频播放机，所谓的“电子记事本”，所谓的“电子词典”，用于所谓的“电子书”的电子器件终端和移动电子器件(可携带电子器件)如小尺寸数字型手表等。不必说，也可提及除了移动器件之外的电子器件(固定型电子器件等)，例如所谓的“桌面个人计算机”、薄型电视机、用于记录和复制的电子器件(硬盘记录机(hard disk recorders)、DVD播放机等)、投影仪和微型机等。另外，电子部件或用于电子器件和电子部件的材料和构件没有特别限制，其实例包括用于所谓“CPU”的部件和用于各种记忆器件(所谓的“存储器”、硬盘等)的构件。实施例以下将详细地说明性描述本发明的优选实施例。然而，本发明不限于以下实施例， 除非其超出本发明的主旨。此外，除非另外说明，在各实施例中的份为重量标准。〈切割带A的制备〉在安装有冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌设备的反应容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中称为“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羟乙酯(下文中称为“HEA”)、 0. 2份过氧化苯甲酰和65份甲苯，并将全体在氮气流中在61°C下进行聚合处理6小时以得到丙烯酸类聚合物A。向丙烯酸类聚合物A中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(下文中称为 “Μ0Ι”)，并将全体在空气气流中在50°C下进行加成反应处理48小时以得到丙烯酸类聚合物A'。然后，将2份多异氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引发剂(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸类聚合物A'中以得到压敏粘合剂组合物溶液A。将压敏粘合剂组合物溶液A施涂至PET剥离衬垫的硅酮处理面上，然后在120°C下干燥2分钟以在其上形成厚度为10 μ m的压敏粘合剂层。然后，在以下粘贴条件下，以压花表面可以面对压敏粘合剂层的方式，将具有作为凹凸加工面的压花表面的聚烯烃膜粘贴至因此形成的压敏粘合剂层。该聚烯烃膜具有厚度 100 μ m，并具有用于遮挡放射的印刷层，用于遮挡放射的印刷层预先形成于对应于其粘贴框架区域的部分上。(粘贴条件)粘贴温度40°C粘贴压力0.2MPa其后，将其在50°C下在加热下交联24小时，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm下从其聚烯烃膜侧用UV射线照射至累积光量400mJ/cm2， 由此制备切割带A。〈切割带B的制备〉在安装有冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌设备的反应容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中称为“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羟乙酯(下文中称为“HEA”)、 0. 2份过氧化苯甲酰和65份甲苯，并将全体在氮气流中在61°C下进行聚合处理6小时以得到丙烯酸类聚合物B。向丙烯酸类聚合物B中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(下文中称为 “Μ0Ι”)，并将全体在空气气流中在50°C下进行加成反应处理48小时以得到丙烯酸类聚合物B'。然后，将8份多异氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引发剂(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸类聚合物B'中以得到压敏粘合剂组合物溶液B。将压敏粘合剂组合物溶液B施涂至PET剥离衬垫的硅酮处理面上，并在120°C加热下干燥2分钟以在其上形成厚度为10 μ m的压敏粘合剂层。然后，在与 < 切割带A的制备 > 中相同的粘贴条件下，以压花表面可以面对压敏粘合剂层的方式，将具有作为凹凸加工面的压花表面的聚烯烃膜粘贴至因此形成的压敏粘合剂层。该聚烯烃膜具有厚度为100 μ m,并具有用于遮挡放射的印刷层，该用于遮挡放射的印刷层预先形成于对应于其粘贴框架区域的部分上。其后，将其在50°C下在加热下交联24小时，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm从其聚烯烃膜侧用UV射线照射至累积光量400mJ/cm2， 由此制备切割带B。〈切割带C的制备〉在安装有冷却管、氮气导入管、温度计和搅拌设备的反应容器中，放入86. 4份丙烯酸2-乙基己酯(下文中称为“2EHA”)、13. 6份丙烯酸2-羟乙酯(下文中称为“HEA”)、 0. 2份过氧化苯甲酰和65份甲苯，并将全体在氮气流中在61°C下进行聚合处理6小时以得到丙烯酸类聚合物C。向丙烯酸类聚合物C中添加14. 6份2-甲基丙烯酰氧乙基异氰酸酯(下文中称为 “Μ0Ι”)，并将全体在空气气流中在50°C下进行加成反应处理48小时以得到丙烯酸类聚合物C'。然后，将8份多异氰酸酯化合物(商品名“C0L0NATE L”，由Nippon Polyurethane Industry Co.，Ltd.制造)和5份光聚合引发剂(商品名” IRGACURE 651”，由Ciba Specialty Chemicals制造)添加至100份丙烯酸类聚合物C'中以得到压敏粘合剂组合物溶液C。将压敏粘合剂组合物溶液C施涂至PET剥离衬垫的硅酮处理面上，然后在120°C加热下干燥2分钟以在其上形成厚度为10 μ m的压敏粘合剂层。然后，在与 < 切割带A的制备 > 中相同的粘贴条件下，以与其凹凸加工面相对的膜的表面可以面对压敏粘合剂层的方式，将具有作为凹凸加工面的压花表面的聚烯烃膜粘贴至因此形成的压敏粘合剂层。该聚烯烃膜具有厚度为100 μ m，并具有用于遮挡放射的印刷层，该用于遮挡放射的印刷层预先形成于对应于其粘贴框架区域的部分上。其后，将其在50°C下在加热下交联24小时，并使用Nitto Seiki' s UV照射器 (商品名，UM-810)在照度20mW/cm从其聚烯烃膜侧用UV射线照射至累积光量400mJ/cm2， 由此制备切割带C。<半导体背面用膜的制备>基于100份包含丙烯酸乙酯和甲基丙烯酸甲酯作为主要组分的丙烯酸酯类聚合物(商品名 “PARACRON W-197CM”，由 Negami Chemical Industrial Co. , Ltd.制造)，将 113份环氧树脂(商品名"EPIC0AT 1004”，由JER Co.，Ltd.制造),121份酚醛树脂(商品名“MILEX XLC-4L”，由Mitsui Chemicals, Inc.制造)、246份球形二氧化硅(商品名 "S0-25R”，由 Admatechs Co. Ltd.制造)、5 份染料 1 (商品名 “OIL GREEN 502”，由 Orient Chemical Industries Co. ,Ltd.制造)和 5 份染料 2(商品名“0IL BLACK BS，，，由 Orient Chemical Industries Co.，Ltd.制造)溶解于甲乙酮中，以制备具有固体浓度为23. 6重量％的粘合剂组合物溶液。将该粘合剂组合物溶液施涂至作为剥离衬垫(隔离膜)的已进行硅酮剥离处理的、由具有厚度为50μπι的聚对苯三甲酸乙二酯膜组成的可剥离处理膜上，然后在130°C下干燥2分钟，以制备具有厚度(平均厚度)为10 μ m的半导体背面用膜A。实施例1和2<半导体背面用切割带集成膜的制备>使用手辊机(hand roller)，将获得的膜A粘贴至切割带A或切割带B，由此制备半导体背面用切割带集成膜。实施例3以与实施例1中相同的方式制备半导体背面用切割带集成膜，然而，在以下热层压条件下层压聚烯烃膜和压敏粘合剂层。(热层压条件)层压温度40°C层压压力0.2MPa比较例1使用手辊机，将获得的膜A粘贴至切割带C，由此制备半导体背面用切割带集成膜。<切割后切割道的观察>其后，将半导体晶片(直径8英寸，厚度0. 6mm ；硅镜面晶片)进行背面抛光处理，使用具有厚度为0. 2mm的镜面晶片作为工件。将隔离膜从半导体背面用切割带集成膜剥离后，通过辊压-接合在70°C下将镜面晶片(工件)粘贴至半导体背面用膜上。此外，进行镜面晶片的切割。如充分切断进行切割，以使得芯片尺寸为IOmm见方。在这点上，半导体磨削的条件、粘贴条件和切割条件如下。(半导体晶片磨削的条件)磨削设备商品名“DFG-8560”，由 DISCO Corporation 制造半导体晶片8英寸直径(将背面从厚度为0. 6mm磨削至深度为0. 2mm)(粘贴条件)粘贴设备商品名“MA-3000III”，由 Nitto Seiki Co.，Ltd.制造粘贴速度10mm/min粘贴压力0.I5MPa粘贴时的阶段温度70°C(切割条件)切割设备商品名“DFD-6361”，由 DISCO Corporation 制造切割环“2-8-1”(由 DISCO Corporation 制造)切割速度30mm/sec
切割刀Zl :"2030-SE 27HCDD，，，由 DISCO Corporation 制造Z2 :"2030-SE 27HCBB，，，由 DISCO Corporation 制造切割刀旋转速度Zl 40, OOOrpmZ2 45, OOOrpm切割方法阶梯切割晶片芯片尺寸10. Omm见方使用光学显微镜，从其切割带侧检查由此形成的具有粘贴至其的半导体芯片的半导体背面用切割带集成膜的切割道。将可观察到切割道的样品视为良好(〇)，将观察不到切割道的那些视为不良(X)。评价结果示于表1中。<雾度的测量>使用雾度计HM-150(由Murakami Color Research Laboratory Co. ,Ltd.制造)， 根据下式确定雾度。雾度(％) = Td/TtX100其中，Td是指样品的扩散透过率，Tt是指其总透光率。表1
切割道的观察雾度]实施例1〇23实施例2〇43实施例3〇16比较例1X80如从表1显而易见，实施例1-3的半导体背面用切割带集成膜的雾度小于45%且低，可以充分地观察到其中的切割道。实施例2的集成膜的雾度比实施例1的集成膜的雾度高，这是因为，在实施例2中，交联剂即多异氰酸酯化合物的使用量比实施例1的大，因此压敏粘合剂层可相对硬，其对于压花表面上凹凸的追随性可在一些程度上降低，结果，可提高基材和压敏粘合剂层之间的间隙。另一方面，比较例1的半导体背面用切割带集成膜的雾度为80%且高，因此观察不到其中的切割道。以上证实，根据实施例1-3的半导体背面用切割带集成膜，在切割后的检查步骤中透光率高，因而，可以容易地检查在半导体芯片中存在或不存在不足。虽然已详细地并参考其具体实施方案描述本发明，但对于本领域技术人员显而易见的是，可进行各种变化和改进而不背离其范围。本申请基于2010年7月30日提交的日本专利申请2010-172489，在此将其全部内容引入以作参考。
权利要求
1.一种半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上， 其中所述切割带具有至多45%的雾度。
2.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中将所述压敏粘合剂层层压在所述基材的所述凹凸加工面上。
3.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述凹凸加工面是压花表
4.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中通过热层压来层压所述基材和所述压敏粘合剂层。
5.根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜，其中所述压敏粘合剂层具有 5μπι至50μπι的厚度。
6.一种根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜的生产方法，所述方法包括制备具有凹凸加工面的基材，在所述基材的所述凹凸加工面上层压压敏粘合剂层，和在所述压敏粘合剂层上层压半导体背面用膜。
7.根据权利要求6所述的生产方法，其中通过热层压来层压所述基材和所述压敏粘合剂层。
8.—种生产半导体器件的方法，所述方法包括将半导体晶片粘贴至根据权利要求1所述的半导体背面用切割带集成膜的半导体背面用膜上，切割所述半导体晶片以形成半导体芯片， 检查所述半导体芯片，将所述半导体芯片与所述半导体背面用膜一起从所述切割带的压敏粘合剂层剥离，和将所述半导体芯片倒装芯片连接至被粘物上。
全文摘要
本发明涉及半导体背面用切割带集成膜和生产所述膜的方法，及生产半导体器件的方法。本发明涉及半导体背面用切割带集成膜，其包括切割带，所述切割带包括具有凹凸加工面的基材和层压在所述基材上的压敏粘合剂层；和半导体背面用膜，所述半导体背面用膜层压于所述切割带的压敏粘合剂层上，其中所述切割带具有至多45％的雾度。
文档编号H01L21/68GK102373020SQ201110216979
公开日2012年3月14日 申请日期2011年7月29日 优先权日2010年7月30日
发明者志贺豪士, 浅井文辉, 高本尚英 申请人:日东电工株式会社